CN110072375A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110072375A CN110072375A CN201811595336.1A CN201811595336A CN110072375A CN 110072375 A CN110072375 A CN 110072375A CN 201811595336 A CN201811595336 A CN 201811595336A CN 110072375 A CN110072375 A CN 110072375A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shell
- area
- impedance
- frequency
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 88
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 45
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
- 230000017260 vegetative to reproductive phase transition of meristem Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
- H04N5/50—Tuning indicators; Automatic tuning control
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B15/00—Suppression or limitation of noise or interference
- H04B15/02—Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus
- H04B15/04—Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus the interference being caused by substantially sinusoidal oscillations, e.g. in a receiver or in a tape-recorder
- H04B15/06—Reducing interference from electric apparatus by means located at or near the interfering apparatus the interference being caused by substantially sinusoidal oscillations, e.g. in a receiver or in a tape-recorder by local oscillators of receivers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/64—Constructional details of receivers, e.g. cabinets or dust covers
- H04N5/655—Construction or mounting of chassis, e.g. for varying the elevation of the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/0054—Casings specially adapted for display applications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0007—Casings
- H05K9/006—Casings specially adapted for signal processing applications, e.g. CATV, tuner, antennas amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0064—Earth or grounding circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/64—Constructional details of receivers, e.g. cabinets or dust covers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Structure Of Receivers (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
显示装置,包括信号处理器、显示组件、基板和导电壳体。所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器。所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号。所述显示组件被配置为显示视频。所述基板具有接地组件。所述信号处理器设置在所述基板上。所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和与所述第一位置不同的第二位置。所述第一位置和所述第二位置设置所述壳体的第一区域与所述壳体的第二区域的至少一部分重叠的位置,其中,在所述第一区域,由于所述第一位置而阻抗高于第一阈值,在所述第二区域,由于所述第二位置而阻抗高于第二阈值。
Description
本申请是2017年09月04日递交的发明名称为“显示装置”、申请号为201710787401.X的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年09月02日提出的申请号为2016-171954,和2016年09月02日提出的申请号为2016-171958的日本专利申请的优先权。在此全部引用日本专利申请2016-171954和2016-171958作为参考。
技术领域
本发明涉及包括接收电视广播等的调谐器装置的显示装置,更具体地说,涉及一种用于减少来自调谐器装置的金属壳体的不必要的辐射(EMI:电磁干扰)的技术。
背景技术
日本特开2015-109551(专利文献1)公开了一种减少不必要辐射的显示装置中的常规调谐器,其采用将容纳调谐器IC的屏蔽壳体(金属壳体)的长度,宽度,深度和对角线(距离最远的两个顶点之间的直线距离)的尺寸均设定为短于被容纳的调谐器IC的振荡器的源振荡频率中最高频率的半波长的结构。
国际公开号WO 2015/119151 A1(专利文献2)公开了一种结构,其中电路板的接地位置通过多个导体柱连接到导体屏蔽体(壳体)的上表面的中心部分,其中电子部件被密封并且导体柱之间的距离等于或小于所使用的最高频率的波长的1/4,以便减少由于导体屏蔽件的共振引起的不必要的辐射。
日本特开2007-299099号公报(专利文献3)公开了将金属壳体与印刷电路板连接的导电柱(接地柱)均匀地配置在壳体内部,或尽可能均匀地沿着壳体的端部,并且这些接地柱的间隔被设置为不超过对应于不易产生EMI的频率的电磁波的波长的四分之一的结构。
发明内容
然而,尽管安装在目前的调谐器装置中的调谐器IC已经变得越来越小并且越来越集成,但是可以制造容纳在金属壳体中的电容器和电感器的尺寸有限,所以金属壳体的长度,宽度,深度,对角线等尺寸也是有限制的。同时,随着内置于IC中的电容器等变得更小,诸如从几千赫兹到几十千赫兹的高振荡频率用于容纳在金属壳体中的压控振荡器(VCO),并且正是由于此原因,振荡频率最高的信号的波长λ的半值(λ/2)极低。因此,即使上述专利文献1中的技术是将金属壳体的长度,宽度,深度和对角线尺寸设定为振荡频率最高的信号的波长的一半以下(λ/2),在实践中也是相当困难的,其结果是,在金属壳体中出现阻抗高的范围或位置(site),并且从该范围或位置产生大量不必要的辐射。
此外,对于专利文献1的技术,即使我们假设壳体的对角线尺寸(两个最远的顶点之间的线性距离),例如四边形壳体的前表面的左上角和与该前表面相对的后表面的右上角的直线距离,可以设置为不超过VCO的最高振荡频率的信号的波长的一半(λ/2),如果壳体的前表面的左下角和后表面的右下角接地,导体屏蔽体将以四边形壳体的上表面的对角线长度和该壳体的高度的两倍的合计谐振,所以这个总尺寸大大超过了具有最高振荡频率的信号波长的一半(λ/2),并且最终再次产生大量不必要的辐射。
此外,根据上述专利文献2中的技术和上述专利文献3中的技术,由于接地柱沿着壳体的端部或在壳体的内部尽可能均匀地设置,所以在该结构中,大量的接地柱是该结构更复杂并且成本更高的缺点。
本公开的一个目的是在基板上设置有内部容纳振荡器的壳体的显示装置的调谐器装置中,即使壳体的长度、宽度和其他这样的尺寸是大于所述振荡器的最高振荡频率的半波长(λ/2),也能够减少接地位置的数量,同时能够在壳体上的任何地方实现低阻抗,并且有效地减少不必要的辐射。
为了实现所述目的,根据本公开,由于在壳体上的高阻抗的位置自然地发生不必要的辐射,因此使用壳体的接地位置作为参考阻抗,通过提供在阻抗高的这些壳体位置强制性的降低阻抗的接地位置来减少不必要的辐射。
本发明涉及一种显示装置,包括:
信号处理器,所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器,所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号;
显示组件,所述显示组件被配置为显示视频;
基板,所述基板具有接地组件,所述信号处理器设置在所述基板上;和
导电壳体,所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和与所述第一位置不同的第二位置,
所述第一位置和所述第二位置被配置于所述壳体的第一区域与所述壳体的第二区域的至少一部分重叠的位置,所述壳体的第一区域是离所述第一位置为所述振荡信号的1/4波长的奇数倍的距离的区域,所述壳体的第二区域是离所述第二位置为所述振荡信号的1/4波长的多数倍的距离的区域。
[1]鉴于已知技术的状态并且根据本发明的一个方面,本公开的显示装置包括信号处理器,显示组件,基板和导电壳体。所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器。所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号。所述显示组件被配置为显示视频。所述基板具有接地组件。所述信号处理器设置在所述基板上。所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和与所述第一位置不同的第二位置。所述第一位置和所述第二位置被布置在所述壳体的第一区域与所述壳体的第二区域的至少一部分重叠的位置,在所述壳体的第一区域,由于所述第一位置造成阻抗高于第一阈值,在所述壳体的第二区域,由于所述第二位置造成阻抗低于第二阈值。
鉴于已知技术的状态并且根据本发明的另一方面,本公开的显示装置包括信号处理器,显示组件,基板和导电壳体。所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器。所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号。所述显示组件被配置为显示视频。所述基板具有接地组件和第一导体。所述信号处理器设置在所述基板上。所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和所述第一导体的第二位置。所述第一位置和所述第二位置被布置在所述壳体的第一区域与所述壳体的第二区域的至少一部分重叠的位置,其中,在所述壳体的第一区域,由于所述第一位置造成阻抗高于第一阈值,在所述壳体的第二区域,由于所述第二位置造成阻抗低于第二阈值。
对于上述这些显示装置,例如,当上述壳体连接到设置在所述壳体的角落处的接地组件的所述第一位置时,由于所述第一位置造成阻抗较高的所述壳体的第一区域的全部或部分,与由于所述第二位置造成阻抗较低的所述壳体的第二区域重叠,因此在阻抗较高的所述壳体的所述第一区域中存在较少的不需要的辐射。因此,即使壳体的长度,宽度或其他尺寸超过振荡器最高振荡频率的波长λ的一半(λ/2),阻抗较高的所述壳体的所述第一个区域的全部或部分可以通过所述第二位置降低阻抗,并且可以有效地减少不必要的辐射。
此外,不需要像过去一样在所述壳体的内侧均匀地布置多个接地位置,并且可以以简单的结构并且廉价地制造壳体。
[2]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第一区域是所述壳体中距离所述第一位置的振荡信号的1/4波长的奇数倍的区域。对于该显示装置,在离所述第一位置为振荡信号的波长的1/4的奇数倍的距离的所述第一区域中的阻抗较高,但是由于低阻抗的第二区域在该范围内重叠,所述第一个区域可以减小尺寸,并且可以有效降低不必要的辐射。
[3]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置位于所述接地组件。所述第二区域是所述壳体中离所述第二位置为振荡信号的1/4波长的偶数倍的距离的位置。
对于该显示装置,由于连接到所述接地组件的所述第二区域处于所述壳体中离所述第二位置为振荡信号的1/4波长的偶数倍的距离的位置,可以有效降低第二区域的阻抗。因此,可以有效地减小阻抗较高的第一区域的尺寸,并且可以有效地减少不必要的辐射。
[4]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置位于所述接地组件外部,并且所述第二区域是所述壳体中离所述第二位置为所述振荡信号的1/4波长的奇数倍的距离的位置。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二区域处于所述壳体中离所述第二位置为振荡信号的1/4波长的奇数倍的距离的位置。
对于该显示装置,由于连接到第一导体的壳体的第二区域处于壳体中离第二位置为振荡信号的波长的1/4的奇数倍的距离的位置,可以有效地减少该第二区域的阻抗。因此,可以有效地减小阻抗较高的壳体的第一区域的尺寸,并且可以有效地减少不必要的辐射。
[5]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述壳体连接到与所述接地组件的所述第一位置和所述第二位置不同的第三位置。所述壳体具有第三区域,其中,由于第三位置导致阻抗高于第一阈值。第一区域和第三区域在两个点处重叠,并且两点之间的距离X满足以下条件:
0<X≤λ/10,其中λ表示振荡信号的波长。
两点位于以λ/20为半径,以在所述壳体的所述第二区域的点为圆心的圆内。
对于该显示装置,由于第一区域和第三区域重叠的两个点之间的距离X满足0<X≤λ/10的条件,只要这两个点之间的全部或部分区域被用作阻抗较低的第二区域,则由于单个第二位置,第一区域和第三区域都将具有较低的阻抗。
[6]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述壳体具有上部和从上部的边缘延伸并垂直于上部的矩形的侧部。所述第一位置设置在从上部的短边延伸的侧部。所述第二位置设置在从上部的长边延伸的侧部。
[7]根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,所述第一区域和所述第二区域各自包括多个区域。
[8]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第一位置和所述第二位置都包括多个位置。所述第二位置的位置数量等于或小于所述第一位置的位置数量。
[9]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第一位置包括至少两个位置。所述第二位置包括一个与至少两个第一区域重叠的第二区域。
对于这些显示装置(根据项目[8]和[9]),由于所述第二位置的位置数量被限制为与所述第一位置的位置数目相同或较少,因此没有必要如以往那样均匀地配置连接壳体和基底的多个导体柱,并且可以以简单的结构和廉价地制造所述壳体。
[10]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置设置在基板上的特定位置,该特定位置远离所述壳体一个连接到所述壳体的延伸线的距离。
对于该显示装置,由于所述第二位置可以设置在通过从所述壳体延伸的延伸线与所述壳体分离的某个位置处,这给在第二位置的位置处提供了降低由第一位置产生的高阻抗范围的阻抗更大的范围(latitude)。
[11]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述壳体设置在基板的特定区域中。所述第二位置设置在所述特定区域。
[12]根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,所述延伸线是设置在所述基板上的布线。
对于这些显示装置(根据项目[11]和[12]),由于延伸线设置在位于壳体下方的基板的特定区域中,即使调谐器装置的其它组成部分,例如数字处理电路或音频电路,设置在基板的壳体的附近和侧面,这些装置也不会成为障碍,并且可以容易地降低高阻抗范围。
[13]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第一区域或所述第二区域包括根据振荡信号的波长的变化的范围的区域。
对于该显示装置,即使根据伴随着振荡器的振荡信号的频率的变化的波长变化,较高阻抗的第一区域改变,阻抗低的第二区域也将改变,包括改变变化的范围,因此无论振荡器在何种振荡频率下振荡,在课题的任何位置的不必要的辐射都会有效地减少。
[14]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述显示装置还包括连接有信号电缆并设置于所述壳体的连接器。所述第一个区域靠近所述连接器。
对于该显示装置,对于其中电视广播信号电缆也连接到连接器的壳体,例如,即使连接器附近的范围是由于第一位置而具有高阻抗的第一区域,因为第二位置将降低第二区域中的第一区域的全部或部分的阻抗,壳体上的阻抗分布将趋于不受信号电缆的状态(类型,材料,形状等)的变化的影响,并且由于信号电缆的状态的变化,不太可能产生不必要的辐射。
根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,振荡信号的振荡频率的范围为至少2GHz。
对于该显示装置,可以在包括用于电视广播接收的调谐器装置的显示装置中有效地减少不必要的辐射。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,上述信号处理器是发送和接收信息信号的无线通信组件或接收广播信号的调谐器。
[15]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第一位置包括第一特定第一位置和第二特定第一位置。第一区域包括第一特定第一区域和第二特定第一区域,所述第一特定第一区域中,由于第一特定第一位置导致阻抗高于所述第一阈值,所述第二特定第一区域中,由于第二特定第一位置导致阻抗高于所述第一阈值。所述第一特定第一区域和所述第二特定第一区域在两个重叠点重叠。所述第一特定第一位置和所述第二特定第一位置位于所述第一特定第一区域和所述第二特定第一区域的两个重叠点之间的距离等于或小于特定阈值的位置。根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置位于接地组件处。所述第二区域位于壳体的距离所述第二位置的振荡信号的1/4波长的奇数倍数的区域中。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,第二位置位于接地组件外部。所述第二区域位于壳体的距离所述第二位置的振荡信号的1/4波长的偶数倍数的区域中。
如上所述,对于本公开的显示装置,即使由于接地位置而在壳体中发生高阻抗的范围,因为将该范围强制改变到低阻抗的第二位置设置在基板上,所以可以有效地减少从所述壳体产生的不必要的辐射,并且将基板的接地电位部分(ground potential part)的接地位置的数量限制在比过去少得多的数量,使得可以容易地制造壳体并且成本低廉。
此外,为了实现所述目的,对于本公开,由于在壳体的阻抗较高的部分(使用壳体的接地位置作为基准阻抗)不可避免地产生不必要的辐射,所以不必要的辐射是通过尽可能地消除其中阻抗高的壳体的这些部分的配置减小的。
[16]鉴于已知技术的状态并且根据本发明的另一方面,本公开的显示装置包括信号处理器,显示组件,基板和导电壳体。所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器。所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号。所述显示组件配置为显示视频。所述基板具有接地组件。所述信号处理器设置在所述基板上。所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和与所述第一位置不同的第二位置。所述第一位置和第二位置被布置在所述壳体的第一区域和所述壳体的第二区域的两个重叠点之间的距离等于或者小于特定阈值的位置,其中,所述壳体的第一区域中,由于所述第一位置导致阻抗大于第一阈值,所述壳体的第二区域中,由于所述第二位置导致阻抗大于所述第一阈值。
对于该显示装置,由于配置于壳体以进行接地连接的第一位置和第二位置设置第一区域和第二区域中的两个重叠点之间的距离等于或低于第二阈值的位置,其中,在第一区域和第二区域,由于这两个接地位置导致阻抗高,所以高阻抗的第一区域和第二区域的范围可以整体地保持在壳体区域的窄范围内。因此,当阻抗在该高阻抗区域的窄范围内降低时,阻抗可能仅在该区域的窄范围内降低,这使得设计更加容易。
[17]根据上述显示装置的优选实施例,所述第一区域位于距离所述第一位置振荡信号的1/4波长的奇数倍的所述壳体的区域中。
[18]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置位于所述接地组件处。所述第二区域位于距离所述第二位置振荡信号的1/4波长的奇数倍的所述壳体的区域中。
[19]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第二位置位于所述接地组件的外部。所述第二区域位于距离所述第二位置振荡信号的1/4波长的偶数倍的所述壳体的区域中。
对于这些显示装置(根据[17]至[19]),所述第一区域和第二区域是具有比所述壳体的其他区域更高的阻抗的区域,但是可以限制这些区域。
[20]根据上述任何一个显示装置的优选实施例,特定阈值是λ/10,其中λ表示振荡信号的波长。
对于该显示装置,由于所述壳体的所述第一位置和第二位置的位置被设置为使得所述第一区域和第二区域中的两个重叠点之间的距离将不超过振荡信号的波长λ的λ/10,可以有效地限制所述第一区域和第二区域的全部或部分。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述振荡信号的波长是在振荡器的频率可变范围内具有最低频率的波长。
对于该显示装置,即使两个高阻抗区域位于距离所述第一位置和第二位置最远,由于这两个高阻抗区域中的两个重叠点之间的距离处于或在特定阈值以下,这些高阻抗区域可以被可靠地限制。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述显示装置还包括连接所述壳体和所述第一位置的延伸线。所述第一位置设置在距离所述壳体一定距离的位置处。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述显示装置还包括连接所述壳体和所述第二位置的延伸线。所述第二位置设置在距离所述壳体一定距离的位置处。
对于这些显示装置,由于所述第一位置和第二位置设置在与所述壳体一定距离的位置处,在其中阻抗为归因于这些第一和第二位置而高的所述壳体的第一区域和第二区域中的两个重叠点之间的距离可以容易地保持在或低于特定阈值。
根据上述任何一种显示装置的优选实施例,所述壳体设置在所述基板的特定区域中,并且所述第二位置设置在所述基板的特定区域中。
对于该显示装置,即使当所述第二位置设置在远离所述壳体的位置时,由于所述第二位置设置在设置有所述壳体的所述基板的特定区域中,所以即使调谐器装置的其他组成部分,例如数字处理电路或音频电路,设置在基板的壳体的附近和侧面,这些组成部分将不会妨碍,接地位置可以设置在远离所述壳体的位置处。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述显示装置还包括设置于所述壳体并连接到信号电缆的连接器。所述第一区域和第二区域位于至少距离连接器特定距离的位置处。
对于该显示装置,即使电视广播信号电缆连接到连接器,例如,由于高阻抗的第一区域和第二区域远离连接器,所以壳体上的阻抗分布将是不太可能受到信号电缆的状态(类型,材料,形状等)的变化的影响,并且可以抑制由于信号电缆的状态的变化引起的不必要的辐射的发生。
根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,所述基板具有第三位置。所述第三位置被设置为:使得由于所述第三位置导致阻抗低于特定阈值的所述壳体的第三区域与第一区域和/或第二区域重叠。
对于该显示装置,由于第三位置设置在基板上,使得低阻抗的第三区域将与壳体中的高阻抗的第一区域和/或第二区域重叠,来自第一区域或第二个区域的不必要的辐射可以有效地减少。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述第三位置连接到所述接地组件。所述第三区域位于距离所述第三位置振荡信号波长的1/4的偶数倍的所述壳体的区域中。
对于该显示装置,由于第三位置连接到接地组件,并且第三区域位于距离第三位置振荡信号的波长的1/4偶数倍的区域中,阻抗高的第一区域或第二区域可以通过第三位置可靠地降低到低阻抗,并且可以有效地减少来自第一区域或第二区域的不必要的辐射的产生。
根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,所述第三位置不连接到所述接地组件。所述第三区域位于距离所述第三位置振荡信号波长的1/4的奇数倍的所述壳体的区域中。
对于该显示装置,由于第三位置未连接到接地组件,并且第三区域位于距离第三位置振荡信号的波长的1/4奇数倍的区域中,阻抗高的第一区域或第二区域可以通过第三位置可靠地降低到低阻抗,并且可以有效地减少来自第一区域或第二区域的不必要的辐射的产生。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述显示装置还包括连接所述壳体和所述第三位置的延伸线。所述第三位置设置在距离所述壳体一定距离的位置处。
对于该显示装置,由于第三位置设置在距离壳体一定距离的位置处,所以该第三位置可以可靠地降低壳体中阻抗高的第一区域或第二区域中的阻抗。
根据上述任何一个显示装置的优选实施例,所述壳体设置在所述基板的特定区域。所述第三位置设置在所述基板的特定区域。
对于该显示装置,即使第三位置位于远离壳体的位置,由于第三位置设置在设置有壳体的基板的特定区域,所以即使当调谐器装置的其他组成部分,诸如数字处理电路或音频电路,设置在基板上的壳体的附近和侧面,这些组成部分也将不会妨碍,并且接地位置可以设置在远离壳体的位置处。
根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,振荡信号的振荡频率的范围为至少2GHz。
根据上述显示装置中的任一个的优选实施例,振荡信号具有6-8GHz的振荡频率。
对于该显示装置,包括在用于电视广播接收的VCO频率范围内,可以有效地减少在用于接收电视广播的调谐器装置中的不必要的辐射。
根据上述显示装置中的任何一个的优选实施例,信号处理器是发送和接收信息信号的无线通信组件或接收广播信号的调谐器。
如上所述,对于本公开的调谐器装置,在振荡信号通过壳体传播的导体路径上的两个高阻抗区域中的两个重叠点之间的距离被限制在等于或低于特定阈值,因此,可以缩小或消除在壳体中发生不必要的辐射的范围,并且可以有效地减少不必要的辐射。
附图说明
现在参考构成本原始公开的一部分的附图:
图1是设置于第一实施例的显示装置的调谐器装置的调谐器IC的电路结构的方框图;
图2是当壳体的一部分被切除时,该调谐器装置的主要部分的结构的平面图;
图3是该调谐器装置的主要部分的侧视图;
图4A,4B和4C示出了如何从容纳调谐器IC的壳体产生不必要的辐射,图4A是当有两个接地时的示例,图4B是当有三个接地时的示例,图4C是当有四个接地时的示例;
图5A,5B和5C示出了当该壳体在三个地方接地时如何产生不必要的辐射,图5A是振荡频率为6GHz时的示例,图5B是当振荡频率为7GHz时的示例,图5C是当振荡频率为8GHz时的示例;
图6A和6B示出了当壳体在两个地方接地时,在壳体中产生的高阻抗范围,图6A示出了平面图中的生成范围,图6B示出了壳体的展开图中的生成范围;
图7是壳体的展开图;
图8A是从后方观察到的安装了壳体的主板的图,图8B是设置在该主板的接地区域周围的区域的剖视图,图8C是处于未接地状态的接地周围的剖视图;
图9示出了当壳体上的两个位置,左前角和右后角已经在主板上接地时,壳体已经展开的状态下的高阻抗范围;
图10A示出了当壳体上的两个位置,左前角和右前角在主板上接地时,在壳体中产生高阻抗的范围,图10B示出了在该壳体展开的状态下的高阻抗范围;
图11示出了当壳体的前表面的左角和后表面的右角处在第一接地位置接地时产生的高阻抗范围如何通过设置在壳体的左侧面下边缘的第二接地位置而变为较低的阻抗;
图12示出了壳体中产生的另一个高阻抗范围由图11中的第二接地位置变为较低的阻抗;
图13示出了图12中的第二接地位置的位置的变形例,该位置被设置在相对于高阻抗点的距离为1/4波长的偶数倍的波长λ的1/20的波长范围内;
图14示出了图12所示的第二接地位置的位置的另一变形例;
图15示出了在图7所示的壳体中产生的两个高阻抗范围如何通过设置在壳体的右侧面的下边缘上的第二接地位置变为较低的阻抗;
图16示出了如何通过设置在壳体的左侧面的下边缘的第二接地位置,以及设置在壳体的右侧面的下边缘的第二接地位置,将壳体中产生的两个高阻抗范围改变为较低的阻抗;
图17A,17B,17C,17D和17E示出了如何将设置于壳体的第二接地位置连接到主板,图17A是当腿(legs)设置于壳体时,图17B是当壳体直接焊接到主板时,图17C是使用金属板簧时,图17D是该金属板簧的侧视图,图17E是该金属弹簧的剖视图;
图18示出了本公开的第二实施例,并且示出了在壳体的展开图中,如何通过设置在左侧面的下边缘的第二接地位置将高阻抗范围改变为较低的阻抗;
图19A和19B示出了本公开的第三实施例,图19A是设置于壳体的第二接地位置配置于远离壳体的位置的图,图19B是第二接地位置周围的结构的剖面图;
图20A,20B和20C示出了第三实施例的变形例,图20A是设置于壳体的第二接地位置配置于壳体下方的主板的区域的图,图20B是第二接地位置周围的结构图,图20C是沿图20的布线图案的C-C线的剖面图;
图21示出了本公开的第四实施例,并且是设置在远离壳体的位置的配置于壳体的另一个接地位置的图;
图22A,22B和22C示出了设置在位于壳体下方的主板的区域中的延伸线的变形例,图22A示出了延伸线是弧形的示例,图22B是组合圆弧形状和直线形状的示例,图22C为起伏形状的一例;
图23A,23B和23C示出了该延伸线的第二变形例,图23A是壳体和主板之间的连接部分的平面图,图23B是剖面图,图23C为底视图;
图24表示该延伸线的第三变形例,是延伸线由金属线构成的斜视图;
图25表示该延伸线的第四变形例,是延伸线由线状导体和布线图形构成的壳体与主板之间的连接部的截面图;
图26表示该延伸线的第五变形例,是延伸线由扁平的弹簧形导体构成的壳体与主板之间的连接部的截面图;
图27A和27B示出了本公开的第五实施例,图27A是设置在壳体上的开放位置配置在远离壳体的位置的图,图27B示出了开放位置周围的结构;
图28A和28B示出了当壳体在两个位置接地时在壳体中发生的高阻抗的范围,图28A表示俯视图的范围,图28B表示壳体的展开图的范围;
图29示出了当壳体在两个位置即左前角和右后角处的主板上接地时,壳体的展开状态下的高阻抗范围;
图30示出了当壳体在两个位置即左前角和右前角处的主板上接地时,壳体的展开状态下的高阻抗范围;
图31A示出了壳体的前面的左角接地,背面的右角以一定距离的线路接地,并且在壳体内发生的高阻抗范围变窄为单个点的结构,图31B示出了通过延伸线将背面的右角接地到主板上的接地图案的结构的具体示例;
图32A示出了由两个接地位置产生的高阻抗位置C的路径,图32B示出了当该高阻抗位置C的路径上的振荡频率在f1≤f≤f2的范围内时发生的高阻抗范围;
图33,图33B,图33C,图33D,图33E和图33F示出了当振荡频率在f1≤f≤f2的范围内时发生的高阻抗范围的分布的变化,图33A示出了当在最高频率f2的两个高阻抗点之间的间隔大于该频率处的波长的1/10时的情况,图33B是当这两个高阻抗点之间的间隔不大于该频率处的波长的1/10时,图33C是当在最高频率f2处的高阻抗点在单个点重叠时,图33D是当在低于最高频率f2的频率f4处的高阻抗点在单个点上重叠时,图33E是当在最低频率f1处的两个高阻抗点之间的间隔不大于该频率处的波长的1/10时,图33F是当在最低频率f1处仅保持阻抗高的一个点时;
图34A,34B,34C和34D示出了本公开的第七实施例,图34A示出了前表面的左角如何接地,背面的右角与设置在壳体下方的主板的区域中的延伸线一定距离接地,并且发生在壳体的高阻抗范围变窄到单个点,图34B示出了围绕设置壳体的主板上的位置的接地图案,图34C示出了设置在位于壳体下方的主板的区域中的延伸线的具体结构,图34D是图34C中的线的D-D截面;
图35A,35B和35C示出了设置在位于壳体下方的主板的区域中的线的变形例,图35A示出了线为弧形时的示例,图35B是弧形和直线形状的组合的示例,图35C是锯齿形状的示例;
图36A,36B和36C示出了该线的第二变形例,图36A是壳体与主板之间的连接部分的平面图,图36B是剖面图,图36C为底视图;
图37示出了该线的第三变形例,是线由金属制成的斜视图;
图38示出了该线的第四变形例的图,是线状导体和布线图案的线路构成的壳体与主板之间的连接部的截面图;
图39示出了该线的第五变形例,是该线由板簧形式的导体构成的壳体与主板之间的连接部的截面图;
图40示出了本公开的第八实施例,并且示出了在壳体中发生的高阻抗点处阻抗降低的配置;
图41示出了第八实施例的变形例的图,示出了壳体与主板的接地位置全部位于远离壳体的位置的示例;
图42示出了本公开的第九实施例,并且示出了消除在壳体中发生的高阻抗点的配置;
图43示出了本公开的第十实施例,并且示出了不导致连接器周围的高阻抗范围的配置;
图44A和44B示出了本公开的第十一实施例,图44A是设置在壳体上的开放位置配置在远离壳体的位置的图,图44B显示了开放位置周围的配置;
图45示出了当容纳调谐器IC的壳体的侧面之间存在弱电连接时,仅考虑以壳体的顶面为中心的信号传播;和
图46A是在壳体的侧面之间存在弱电连接时壳体的展开图,图46B示出了当壳体的侧面之间存在弱电连接时,还考虑了壳体的侧面之间的信号传播。
具体实施方式
现在参考附图说明所选择的实施例。对于本领域技术人员来说,根据本公开内容将显而易见的是,提供以下实施例的描述仅用于说明,而不是为了限制由所附权利要求及其等同物限定的本发明的目的。
第一实施例
图1是提供给本公开的第一实施例的显示装置100的调谐器装置的调谐器IC的电路图。该调谐器IC(调谐器组件)例如用于电视广播,并且其输出的广播信号被输出到显示组件(显示器)12,并且与该广播信号相对应的视频被显示在该显示组件12上。
在图1中的调谐器IC 10中,1是RF放大器(增益控制放大器),2是级间滤波器,3是VCO/PLL电路,4是1/N电路,5是混频器,6是检测器,7是级间滤波器,8是IF放大器(增益控制放大器),9是AGC(自动增益控制)电路。
RF放大器1放大具有例如在日本的地面波电视广播的频率为90至767MHz的RF频率的接收信号,并且级间滤波器2限制放大信号的频带。VCO/PLL电路(振荡器)3根据PLL电路的调谐电压来改变由内置本机振荡器输出的振荡信号的振荡频率,从而产生至少2GHz的频率范围,例如振荡频率为6至8GHz。1/N电路4将由VCO/PLL电路3产生的振荡频率转换为1/N倍(例如6-133),从而给出本地振荡频率例如为96.5-770.5MHz。混频器5通过将与来自级间滤波器2的RF频率的接收信号与来自1/N电路4的本地振荡频率进行混频来转换接收信号的频率。检测器6从混频器5输出差分输出的差分电压。级间滤波器7限制经过检测器6的混频器5的差分输出信号的频带。IF放大器8放大经过频率转换和频带限制的接收信号,并输出IF频率为例如3.5MHz的信号。AGC电路9基于由检测器6检测的混频器5的差分输出之间的差分电压,生成控制RF放大器1和IF放大器8的放大程度的增益控制信号RF AGC和IF AGC。
如图2所示,具有上述结构的调谐器IC 10与石英振荡器15,电容器,电感器和其他芯片部件16一起设置在主板20(基板)上。调谐器IC 10,石英振荡器15和芯片部分16都被覆盖它们的四边形导电壳体22屏蔽。该壳体22由已经镀有金属或非金属的导电框架或盖组成。因此,壳体22被配置成使外部噪声不太可能混入诸如调谐器IC 10中的混频器5的调谐器电路中,并且减少辐射和向外部泄漏调谐器电路产生的信号。
调谐器IC 10形成处理高于特定阈值的频率的信号的信号处理器。在本实施例中,由调谐器IC 10形成信号处理器,因此当所接收的RF信号的带宽为50MHz至3.2GHz时,上述特定阈值为50MHz。
此外,在本实施例中,虽然由调谐器IC 10形成信号处理器,但是本发明不限于此,也可以由WiFi,蓝牙(注册商标)或其它发送和接收信息信号的无线通信部件形成信号处理器。在这种情况下,WiFi,蓝牙(注册商标)或其他此类无线通信部件的RF信号的带宽为2.4-2.5GHz或5-6GHz,所以上述特定阈值为2.4GHz左右,并且由于在无线通信中的振荡信号的情况下,频率与调谐器的振荡信号的频率相同,所以特定阈值为大约2GHz。
如图2所示,F型连接器23附着在壳体22上,传送电视广播频率信号(RF信号)的RF电缆(信号电缆)24连接到F型连接器23,RF信号输入到图1中的RF放大器1。
如图3所示,壳体22例如具有设置在两个角部22v和22s处的腿22a。这些腿22a插入到形成在主板20中的通孔20a中并且与焊料25附接,并且腿22a通过主板20中的通孔20a被接地到形成在主板20的上表面和下表面的接地电位的导电图案(接地图案=接地组件)(接地电位)20c。
在本实施例的电视广播接收电路中,容纳调谐器IC 10等的壳体22和设置有该壳体22的主板20形成调谐器装置。
对于上述电视广播接收电路,壳体22设置在主板20上,而且还设置有用于执行解调电视广播波等的处理的微处理器,存储器,电源部分,用于防止噪声混入形成在主板20上的许多信号图案的噪声抑制部分,用于连接电视电缆的外部接口等。
壳体的尺寸
考虑到容纳在其中的石英振荡器15或调谐器IC 10的尺寸或电容器,电感器和其它这样的芯片部分16,壳体22的最小尺寸的示例是长度L为17mm,宽度W为20mm,高度H为10mm,对角线长度D为26.24mm。由于调谐器IC 10的VCO/PLL电路3产生的振荡信号的频率为6-8GHz,所以对于壳体22中的不必要的辐射进行屏蔽的效果完全消失的最短长度即,在振荡信号(8GHz)的最高振荡频率下的波长λ的半值(λ/2)为18.75mm。因此,在壳体22的尺寸方面,由于20mm的宽度W和26.24mm的对角线长度D超过上述的半波长(λ/2),所以需要做一些减少不必要的辐射的事情。此外,假设F型连接器23的直径是标准的,当壳体22在图2所示的两个角C1和C2处接地到主板20时,例如,两个角C1和C2之间的距离为宽度W+2×高度H=37mm,即使宽度W(20mm)和对角线长度D(26.24mm)可以是减少到半波长(λ/2=18.75mm),实际上难以减少壳体22中不必要的辐射。
图4A至4C示出了当发明人测量在上述壳体22中如何产生不必要的辐射的结果。这里所用的“不必要的辐射”是指与信号(广播信号,通信信号等)相反的作为电磁干扰源的高频噪声,上述信号从处理高频信号的装置等输出到外部,并被假定在外部设备中使用。这是本说明书中使用的“不必要的辐射”的含义。图4A至4C示出了当VCO/PLL电路3的振荡频率固定为特定值(6GHz)以及当壳体22到主板20的接地位置是角部,这些接地位置的数量在图4A中为两个,图4B中为三个,图4C中为四个时,壳体22中的不必要辐射的色散,发射方向和峰值强度。从这些图可以看出,最少量的不必要的辐射是当有如图4B中的三个接地位置时,但有些仍然生成。
图5A至5C示出了当VCO/PLL电路3的振荡频率变化,图4B中的三个接地位置导致最少量的不必要的辐射时,如何产生不必要的辐射。在这些示例中,振荡频率在图5A中设定为6GHz,图5B中为7GHz,图5C中为8GHz。从这些图中可以看出,使用相同的三个接地位置,当振荡频率变化时,不必要的辐射的色散、发射方向和峰值强度都发生变化,在最高的振荡频率(8GHz)时不必要的辐射的峰值强度最高。
因此,通常非常难以特别地建立壳体22的接地位置,使得在VCO/PLL电路3处的振荡频率的整个可变范围内不必要的辐射可以降低到低于标准。
该实施例的特征
本实施例利用这样的结构,如上所述,其中即使不能使壳体22的各种尺寸的任何一个都低于在最高振荡频率(8GHz)的半波长(λ/2),也可以容易、有效和可靠地减少不必要的辐射。这将在下面详细描述。
第一接地位置的指定(specification)
首先,指定第一接地位置。将通过使用如图4A所示的接地位置的数量是少的的示例来描述这些第一接地位置,即,当指定了两个第一接地位置时,哪些是图4A中的左前角和右后角。如图4B和4C所示,这些第一指定位置可以是其他角落,或者可以存在三个位置,四个位置等。
如上所述,图6A和6B示出了当接地位置在壳体22的左前角和右后角(第一接地位置)时,阻抗高于壳体22中的特定阻抗的范围。
壳体22通过加工单片金属片形成为四边形形状。图7是壳体22的展开图,其具矩形上部和有从上部的边缘延伸并垂直于上部的四个侧部。这里,通过在壳体22的展开图形中相对于顶面a弯曲四个侧面b至e来制造四面壳体22。向下延伸以接地主板20的腿22h,22i,22j和22k形成在前面b的两个下角处,其中形成有用于F型连接器23的安装孔23a,后面d和四面孔22l,22m,22n和22o分别形成在这些腿22h至22k上方的位置处。与形成在前面b和后面d上的孔22l至22o相适应的突起22c,22e,22f和22g形成在当折叠时与前面b和后面d接触的两个侧面c和e的两个较低的角落。然后,在将单片金属片弯曲并组装完毕的状态下,将壳体22连接到主板20的接地电位部分。
同时,主板20的配置如下。图8A示出了从背面观察的主板20,其上设置有壳体22。图8A所示的主板20具有形成在与壳体22的四个角相对应的位置处的平台20e至20h。对应于用作第一接地位置的壳体22的两个角部22r和22s的平台20e和20g连接到设置在主板20的后表面上的接地图案20c,另外两个平台20f和20h没有连接到接地图案20c。在图8A中,20d是用于将F型连接器23连接到主板20上的信号图案(未示出)的平台。
如图8B和8C所示,主板20的四个平台20e至20h具有形成在与壳体22的四个角相对应的位置处的通孔20s。如图8B所示,在对应于用作壳体22的第一接地位置的两个角部22r和22s的平台20e和20g处,通孔20s连接到设置在主板20的前表面和/或后表面上的接地图案20c,以及如图8C所示,对应于没有接地的壳体22的另外两个角部22t和22u的平台20f和20h处,通孔20s没有连接到接地图案20c。
如图8A所示,在壳体22的前面b和后面d上的腿22h至22k中,要被接地的前面b的左角22r中的腿22h和后面d的右角部22s中的腿22k插入到主板20中的通孔20s中,并且在该状态下,通孔20s和腿22h和22k附着有焊料25,从而将这些支腿22h和22k连接到主板20的接地图案20c。
同时,在未接地的壳体22的两个角部22t和22u处,正如接地的角部22r和22s一样,腿22i和22j插入到主板20的通孔20s中,在这种状态下,通孔20s和腿22i和22j附着有焊料25,从而将未接地的壳体22的两个角部22t和22u固定到主板20的平台20f和20h上,但不将它们连接到接地图案20c。
对于上述配置,在该实施例中,由于图7所示的壳体22的结构,在单片金属片已经弯曲到中空的四边形壳体22中的状态下,左面e的下角22p和右面c的上角22q通过如图7所示的突起22c和22f与孔22l和22o之间的机械接合进行接地的程度低;因此如图8A所示,当壳体22的前表面左下角22r和后表面右下角22s接地时,在图6所示的壳体22的展开图中,前面b的左角22r和后面d的右角22s将成为接地电位,并且可以忽略具有上述低接地度的两个角部22p和22q处的接地效果。
在壳体中建立高阻抗范围
如上所述,VCO/PLL电路3处的振荡信号的最高频率为8GHz,并且当波长λ缩短到约40mm时,如果壳体22的尺寸超过半波长(λ/2),则壳体22中的阻抗将是分布元件(分布常数),其用作振荡信号的传播路径。对于这种分布式恒定电路,接地位置用作参考阻抗,距离该接地位置为λ/4的奇数倍的位置将是开路端,导致高阻抗。当提供多个接地位置时,距离这些接地位置的λ/4的奇数倍的位置的重叠部分将具有最高的阻抗。
更具体地,在图6B所示的壳体22的展开图中,如上所述,两个位置是接地电位,即前面b的左角22r(从矩形上部的短边延伸的侧部的面)和后面d的右角22s,所以最高的阻抗在距离这两个接地位置(第一个位置)22r和22s的λ/4的奇数倍的位置处。在图6B中,绘制了距离前面b的左角22r为λ/4的高阻抗部分的弧形高阻抗范围A(第一区域)(该高阻抗范围由图中的粗虚线限定)与距离后面d的右角22s相距三倍λ/4的高阻抗部分重叠,以及距离后面d的右角22s为λ/4的高阻抗部分的弧形高阻抗范围B(第一区域)(该高阻抗范围由图中的粗虚线限定)与前面b的左角22r相距三倍λ/4的高阻抗部分重叠。因此,在壳体22的展开图中,当前面b的左角22r和后面d的右角22s作为接地电位时,高阻抗范围A和B出现在顶面a的左下角和右上角,以及前面b和后面d。此外,在上述弧形高阻抗范围A和B中,用粗虚线表示的弧形线分别是阻抗最高的区域,并且都是距离接地位置(第一位置)22r和22s为λ/4的奇数倍的位置。此外,这些阻抗范围A和B表示包括在从弧形线的高阻抗区域(由上述粗虚线表示)处的振荡频率f的波长λ的λ/20倍的距离的范围。此外,在高阻抗范围A和B中的每一个中存在对应于每个频率f的一个或两个高阻抗点,这两个点之间的距离越小,频率f越高。如果这两点之间的距离很长(如果它们相距很远),则无线电波的辐射方向将会分散,如果距离较短,辐射方向性会更大。辐射方向性的强度是在阻抗范围A和B内的等级(gradation),但是在图中,由于难以表达,所以简单地将其描述为三个步骤。
因此,在图6B的展开图中,在上述两个高阻抗范围A和B中发生大量不必要的辐射。
图6A和6B示出了当图7所示的金属板材被弯曲到壳体22中时,发生的高阻抗范围A和B,但是如果通过焊接使得前面b和后面d与右面c和左面e接触牢固地连接这些位置(place)来增加接地度,则在如图7所示弯曲金属板之后,则例如如图9所示,左面e的下角22p和前面b的左角22r将具有相同的电位,右面c的下角22q和后面d的右角22s将具有相同的电位,这些将作为接地电位,并且在壳体22的展开视图中将存在四个接地位置。在这种情况下,高阻抗范围C和D出现在顶面a的左下角和右上角,并且从这些范围C和D产生大量不必要的辐射。此外,高阻抗范围C和D与两个接地位置的距离相同,即,左面e的下角22p和前面b的左角22r,并且与其他两个接地位置,即右面c的下角22q和后面d的右角22s的距离相同,所以它们形状是直线的。此外,这些高阻抗范围C和D中由粗实线表示的直线是距离接地位置(第一位置)22p,22r,22q和22s为λ/4的奇数倍的位置,并且是阻抗最高的区域。此外,这些高阻抗范围C和D表示包括在由上述粗实线表示的直线的高阻抗区域的振荡频率f处距离为波长λ的λ/20倍的距离的范围。在这些高阻抗范围C和D中,辐射方向性较弱,并且没有等级。
图10A和10B示出了当使用图7所示的金属板制造壳体22时的状态,前面b的左角22r和右角22v(两个位置)已经接地。在这些图中,高阻抗范围E和F出现在前面b的中上部和后面d的中上部,并且从这些范围E和F产生大量不必要的辐射。对于该接地,高阻抗范围的表面积小于图6A和6B所示的接地或图9所示的接地,但有些仍然发生。
减小壳体高阻抗范围内的阻抗
如上所述,壳体22中出现高阻抗范围,并且这些高阻抗范围的位置和表面积随着壳体22的接地位置而变化。在该实施例中,采用可靠地降低这些高阻抗范围的阻抗的配置。
图11示出了使用图6B所示的接地状态的情况,也就是说,当前面b的左角22r和后面d的右角22s在图6B中的壳体22的展开图中是第一接地位置,并且接地到主板20的接地图案20c时作为示例,来降低高阻抗范围的阻抗的结构。
如图11所示,在壳体22的展开图中出现的高阻抗范围B(见图6A和6B)中阻抗降低。如上所述,使用振荡器的振荡频率高并且阻抗是一个分布常数的壳体22,,当接地位置用作参考阻抗时,距离该接地位置为λ/4的奇数倍的位置,阻抗高于特定阻抗(第一阈值),但是在远离该接地位置的振荡信号的波长λ的1/4的偶数倍的区域(第二区域)中,阻抗低于特定阻抗(第二阈值)。在所示实施例中,特定阻抗(第一阈值)和特定阻抗(第二阈值)可以彼此相等,例如为150Ω。当然,根据需要和/或期望,可以将特定阻抗(第一阈值)和特定阻抗(第二阈值)设置为不同的值。因此,如图11所示,在壳体22的展开图中,第二接地位置(第二位置)22w设置在壳体22的左面e的底部边缘k上(从矩形上部的长边延伸的侧面),该位置与振荡频率为6.8GHz的点分离,其中在展开图中该振荡频率(6.8GHz)的波长λ的1/4的两倍(λ/2)的直线距离处,在高阻抗范围B中的辐射方向性特别高。
因此,在本实施例中,在壳体22(见图6A和6B)的展开图中出现的高阻抗范围B中特别高的阻抗和/或特别高的辐射方向性的范围可以通过第二接地位置22w被制成低于特定阻抗。结果,第二接地位置22w可以有效地减少由于图6A和6B中的两个第一接地位置22r和22s而发生的高阻抗范围B的不必要的辐射的产生。
图11示出了利用第二接地位置22w在壳体22的高阻抗范围B的宽范围内降低阻抗的情况,但是如图12所示,该第二接地位置22w对应于离开下述点壳体22的展开图中振荡频率(6.8GHz)的一半波长(λ/2)的距离的位置,其中,上述点位于在壳体22内(参见图6)发生的另一个高阻抗范围A内的高阻抗部分(振荡频率在6.8GHz附近的部分)附近(该点在图13中用黑色圆圈描绘)。因此,第二接地位置(第二位置)22w即使在壳体22的高阻抗范围A的宽范围内也能够降低阻抗。因此,可以在壳体22的高阻抗范围A和B两者中的宽范围内降低阻抗,并且可以仅利用一个第二接地位置22w来有效地减小来自这些范围A和B的不必要的辐射。
因此,在本实施例中,由于由两个第一接地位置22r和22s引起的两个高阻抗范围A和B中的阻抗可以被单个第二接地位置22w降低是可能的,所以将降低高阻抗范围的阻抗的第二接地位置的数量保持为少于引起这些高阻抗范围的第一接地位置的数量也是可能的。
因此,对于该实施例,不需要像过去那样沿着壳体22的端部或内侧尽可能均匀地布置接地柱(接地位置),因此壳体22的配置可以更简单并且可以以较低的成本生产。
对于该实施例,第二接地位置精确地设置在距离该频率中的高阻抗点的振荡频率的波长λ的1/4的偶数倍的点处,但是本发明不限于此,只要足够接近,第二接地位置不需要精确地设置在距离波长λ的1/4的偶数倍处。
通常,阻抗可以在距离接地位置的λ/20范围内保持较低,因此接地位置通常设计在壳体和基板上为λ/10的间距(接地位置之间的中心距接地位置正好为λ/20区域),其中对成本或形状没有特别的限制。
因此,可以得出的结论是,只要将第二接地位置设置在离开下述距离的波长λ的1/20波长范围内的位置可充分获得本发明的效果,上述距离为离开该频率下的高阻抗的点的振荡频率的波长λ的1/4的偶数倍的距离。
例如,在图13中,第二接地位置22w设置在从高阻抗的点,通过距离两个接地位置22r和22s的振荡频率的波长λ的1/4的奇数倍分离的,距离该半径为振荡频率的λ/20、以高阻抗的点为圆心的圆中的点波长λ的1/4的偶数倍的位置。
这样做使得即使对例如第二接地位置可以设置的位置有限制,也能充分获得本公开的效果。
而且,在图14中,不同于图11和图13,壳体22在接地位置(第一位置)22r处接地,并且还在另一接地位置(第三位置)22s'处接地,导致图中粗实线所示的弧形区域,其阻抗高,并且与接地位置22s'以振荡频率的波长λ的1/4的奇数倍(图中的一倍)分离,并且还导致在图中粗线所示的弧形区域,其阻抗高,并且与接地位置22r以振荡频率的波长λ的1/4的奇数倍(图中的三倍)分离。这两个高阻抗区域在两个点H1和H2处重叠。如果高阻抗的两个点H1和H2之间的距离不超过振荡频率的波长λ的1/10,则应选择第二接地位置22w'的位置,使得这两个高阻抗的点H1和H2将包含在圆周内,该圆以距离第二接地位置(第二位置)22w'的振荡频率的波长λ的1/4的偶数倍(图中的两倍)的位置G为中心,半径是振荡频率的波长的1/20。因此,在图示的实施例中,两个点H1和H2位于半径为λ/20、以归因于第二接地位置(第二位置)22w'阻抗低于第二阈值的壳体22的区域(第二区域)中的位置G为中心的圆内。
第一变形例
图15示出图11所示的第二接地位置的第一变形例。
如图11所示,由于两个第一接地位置22r和22s在壳体22的展开图中位于点对称状态,在该变形例中,如图15所示,图11中的第二接地位置22w被设置在与第二接地位置22w对称的第二接地位置(第二位置)22x上,即,在壳体22的展开图中位于右侧面c的底部边缘n上。
因此,在该变形例中,也可以仅使用单个第二接地位置22x来降低由两个第一接地位置22r和22s引起的高阻抗范围A和B中的阻抗。
第二变形例
图16示出了图11所示的第二接地位置的位置的第二变形例。
在该变形例中,图12中所示的本实施例的结构与图15所示的第一变形例的结构组合。图12中的第二接地位置22w和图15中的第二接地位置22x被设置为降低两个高阻抗范围A和B的阻抗的第二接地位置(第二位置)。
当设置两个第二接地位置22w和22x时,如果例如一个接地位置(例如22w)设置在高阻抗范围A和B内被离开6.8GHz的振荡频率的位置附近的半波长(λ/2)分开的位置,并且另一个接地位置(例如22x)设置在高阻抗范围A和B内被离开另一振荡频率(例如6.9GHz)附近的半波长(λ/2)分开的位置,则可以在较宽的范围内降低高阻抗范围A和B的阻抗。
对于上述实施例和上述第一和第二变形例,第二接地位置22w和22x设置在距离壳体22的展开图中直线距离为半波长(λ/2)(即,两倍λ/4)的位置,但是本发明不限于此,如果壳体22的长度、宽度等尺寸大,并且如果这些位置设置在振荡信号的波长λ的λ/4的偶数倍的四倍或更多倍的位置处,则仍然可以有效地降低壳体中发生的高阻抗范围。
此外,对于上述实施例和上述第一和第二变形例,描述了如图12、15和图16中的示例所示的第一接地位置是两个角22r和22s的情况,但是第一接地位置也可以位于其他角落,并且第一接地位置的数量不限于两个,则本发明也可以类似地应用数量为三个或四个或更多。
第二接地位置的具体结构
图17A至17E示出了将第二接地位置22w和22x连接到主板20的接地图案20c的具体结构。
如图17A所示,在第二接地位置22w中,正如设置在壳体22的角的第一接地位置22r,在壳体22的左面e的底部边缘k上形成有腿22y,孔20a设置在主板20上的对应于腿22y的位置处,并且当壳体22附接到主板20上时,壳体22的左面e上的腿22y插入到通孔20a并用焊料25固定,并且壳体22的腿22y经由主板20中的通孔20a连接到主板20的下表面上的接地图案20c。
在图17B中,焊料25被施加到将成为第二接地位置22w的壳体22的左面e上的位置,壳体22的第二接地位置22w直接连接到主板20上的接地图案20c。
在图17C中,金属板簧36用作表面安装部。如图17D所示,该金属板簧36的截面基本上为方形U形状,如图17E所示的两个彼此相对设置的平坦件(flat pieces)36a彼此挤压,用作第二接地位置22w的壳体22的左面e的部分被金属板簧36的平坦片36a挤压固定,并且固定的金属板簧36的底面通过回流焊接连接到主板20的上表面上的接地图案20c。
第二实施例
图18示出了本公开的第二实施例。
在该实施例中,在壳体22的展开图中,阻抗在F型连接器23附近的范围内降低。
如图10A和10B所示,当壳体22的前面b的左角22r和右角22v被用作第一接地位置时,在前面b的中上部分产生高阻抗范围(第一区域)E。如图10A所示,根据RF电缆24的材料、结构或附着状态(如何弯曲等),由于发送电视广播波的RF电缆24连接到F型连接器23,所以在F型连接器23附近产生的不必要的辐射的影响也导致在RF电缆24上产生不必要的辐射。在该图中,在RF电缆24上可能发生不必要的辐射的位置由圆圈表示。
如图18所示,在本实施例中,第二接地位置(第二位置)22z设置在壳体22的左面e的底部边缘k上的位置,该位置是在壳体22的展开图下,分离如下距离的位置,所述距离为离开壳体22的前面b的中上部发生的高阻抗范围E中的、发生在6.8GHz的振荡频率的高阻抗点处的振荡频率(6.8GHz)处的半波长(λ/2)。
因此,在本实施例中,保留在壳体22的后面d的中上部产生高阻抗范围F,但是第二接地位置22z在壳体22的前面b的中上部产生的高阻抗范围E的宽范围内降低了阻抗,因此可以减小来自该范围E的不必要的辐射,并且可以有效地减少连接到F型连接器23的RF电缆24中产生的不必要的辐射。结果是,壳体上的阻抗分布不太容易受到RF电缆24(类型、材料、形状等)的状态的变化的影响,并且效果是由信号电缆的状态的不同引起的不必要的辐射更少。
第三实施例
图19A和19B示出了本公开的第三实施例。
在示出第一实施例的图11中,第二接地位置22w设置在壳体22的左面e的底部边缘k上,但是这样的第二接地位置22wo设置在远离壳体22的位置。
更具体地,在图19A中,第二接地位置(第二位置)22wo设置在延伸线Lo的远端,该延伸线Lo连接到壳体22的左面e的底部边缘k,当在壳体22展开图中从高阻抗范围B到壳体22的左侧面e的底部边缘k的距离小于VCO/PLL电路3的特定振荡信号(图19A,6.8GHz)的半波长(λ/2)的距离。
如图19B所示,延伸线Lo使得设置在壳体22的左面e的底部边缘k的腿22n插入到设置在与主板20未接地状态的平台(land)20x中的通孔20s,并且腿22n用焊料25固定,之后金属线35(作为延伸线Lo)的一端连接到该焊料25的一部分,并且金属线35的另一端连接到设置在主板20的后面的接地图案20c(作为第二接地位置22wo)。
由于金属线35是点对点结构,如图19A所示,这种结构使得金属线35和从壳体22的高阻抗范围B到壳体22的左面e的底部边缘k的距离的组合长度将等于VCO/PLL电路3的特定振荡信号(图19A,6.8GHz)处半波长(λ/2)的距离。
因此,在本实施例中,即使壳体尺寸相对较小,与壳体22分离的第二接地位置22wo将能够在壳体22的高阻抗范围B的宽范围内减小阻抗。
此外,对于这种配置,从图19A可以看出,即使从壳体22的两个高阻抗范围A和B两者隔开振荡频率(6.8GHz)处的半波长(λ/2)的距离的位置位于壳体22的展开图的外部,也可以通过与壳体22分离的第二接地位置22wo,容易地降低高阻抗范围A和B两者中的阻抗。
变形例
图20A-20C示出了本实施例的变形例。
在第三实施例中,第二接地位置22wo设置在壳体22的外部,但是在该变形例中,第二接地位置设置在位于壳体22下方的主板(特定区域)的区域中。
如图20A所示,第二接地位置(第二位置)22w1朝向位于壳体22下方的主板的区域设置,其中延伸线Lo位于其和壳体22的左面e的底部边缘k之间。
其具体示例在图20B中示出。在图20B中,设置在壳体22的左面e上的底部边缘k的腿22n用焊料25附接到主板20的平台20x。例如,构成接地图案20c的铜箔沿着主板20的这个平台20x被切掉,并且铜箔被切除从而形成作为从该平台20x面向位于壳体22的下方的主板的区域的延伸线Lo的布线图案(线)20m。因此,壳体22的腿22n经由直线布线图案20m与接地图案20c连接,并且布线图案20m与接地图案20c的连接点形成第二接地位置22w1。
通过如下确定布线图案20m的长度。在该变形例中,由于布线图案20m设置在主板20上,所以振荡信号的波长λ'在主板20上被主板20的介电常数er缩短到真空中的波长λ的1/(er1/2)。例如,如果从壳体22的高阻抗范围B的位置到壳体22的左面e的底部边缘k的距离,是在空气中的波长λ/2(两倍λ/4)的90%,那么介电常数er处的波长λ'的1/4倍的10%的距离应当被用作布线图案20m的线长度。更具体地说,如果使主板20的介电常数er为4,振荡信号的振荡频率f为8GHz,则介电常数er处的波长λ'为如下。
λ'=(1/(er1/2))λ=(1/2)×(c/f)
c:光速
=(1/2)×(3×108/(8×109))=0.01875m=18.75mm
因此,线长可以计算为18.75×(1/4)×0.1=0.46875mm≈0.5mm
图20C是图20B中的布线图案20m的C-C线的剖面图。例如,如果主板20上的延伸线Lo(布线图案20m)的特性阻抗设定为75Ω,以符合用于电视广播的调谐器装置的典型设计规格,并且如果令主板20的介电常数er为4,高度h为400μm,以及如果令布线图案20m的厚度t为35μm,则如果使用普通的线路阻抗设计工具来计算布线图案20m的宽度s和铜箔的切除宽度w(布线图案20m与接地图案20c之间的间隔),布线图案20m的宽度s和铜箔的切除宽度w都被计算为s=w=200μm,并且如该所述。例如,自然地,由于主板20上的延伸线Lo的特性阻抗不必设定为75Ω,可以设定在几十欧姆和几百欧姆之间的任何数值。
因此,在该变形例中,由于第二接地位置22w1设置在位于壳体22的下方的主板的区域内,所以即使微处理器、存储器等设置在外部壳体22的附近,,这些装置不会妨碍,并且第二接地位置22w1可以以在距壳体22的布线图案20m的长度的准确间隔适当地布置。
在该变形例中,延伸线Lo由布线图案20m形成,其形状呈线状,但是布线图案20m也可以形成为围绕平台20x延伸的弧形,或以波浪形式延伸的形状,或形成在主板20中可以用于接地到主板20的后面上的接地图案20c并延伸一定距离的通孔的形状等。
第四实施例
现在将参照图21描述本公开的第四实施例。
在图11所示的第一实施例中,在壳体22的展开图中,第二接地位置(第二位置)22w被新设置在壳体22的左面e的底部边缘k上,作为从下述点以直线距离离开振荡频率(6.8GHz)的波长λ的1/4的两倍(λ/2)的位置,上述点为在高阻抗范围B内的6.8GHz的高阻抗的振荡频率处的点,但是这种配置可以是代替该第二接地位置,配置于壳体22的第一接地位置22s的周边结构变形,以降低高阻抗范围B的阻抗。
更具体地,在图21中,对于在距离接地位置的振荡信号的波长λ的1/4的偶数倍的位置的阻抗理论上比预定的特定阻抗低的事实,采用了如下结构:其中延伸线L2的一端与壳体22的后面d的右角22s连接,该延伸线L2的另一端接地,以及从该接地位置22w2(延伸线L2的另一端)(第二位置)的距离通过延伸线L2和壳体22的后面d的右角22s,到高阻抗范围B中的高阻抗点被设置为振荡信号的振荡频率(6.8GHz)的波长λ的1/4的偶数倍(两次)(=λ/2)。
因此,在本实施例中,当延伸线L2为点对点结构时,不会降低与介电常数相关的波长,所以延伸线L2的线长可以是通过减去高阻抗点和从振荡信号的振荡频率(6.8GHz)处的波长λ的1/4的两倍(=λ/2)的长度的壳体22的后面d的右角22s之间的距离的实际长度。
延伸线的变形例
图22A至22C示出了从壳体22的角延伸的延伸线L的第一变形例。在上述实施例中,不是将延伸线L形成为线状,而是将延伸线L2形成为包围图22A中的平台20g的外部的弧形。图22B示出了延伸线L3,其形成为围绕平台20g的外侧延伸的弧形和从圆弧的远端向位于壳体22下方的主板的区域延伸的线状的组合。图22C示出了延伸线L4,其形成为从平台20g延伸出来的锯齿状。在这些变形例中,能够接地到靠近平台20g的位置,因此能够避免与调谐电路的其他布线的干涉,能够防止由于大幅分割接地图案而引起的接地效果的降低。
图23示出了延伸线L的第二变形例。在图中,通过使用形成在主板20中的通孔来调节线长度。
更具体地,如图23A所示,延伸线L5由从未接地的平台20g向位于壳体22下方的主板的区域延伸的布线图案20q,形成在如图23B所示的该布线图案20q的末端的通孔20t,和如图23B和图23c所示形成在主板20的下表面上并连接到该通孔20t的下端的接地图案20c构成。因此,在本变形例中,延伸线L5的线长是布线图案20q加上通孔20t的高度的总长。
对于上述实施例和第一和第二变形例,由于延伸线L2至L5利用形成在主板20上的布线图案,因此不需要诸如金属线的其它部件,并且延伸线L2到L5可以简单配置。
图24示出了延伸线L的第三变形例。如图24所示,使用金属线L5,其一端用焊料25安装在平台20g上,另一端与主板20的接地图案20c连接,该连接点作为接地位置22w'。
图25示出了延伸线L的第四变形例。在图25中,使用金属线或其他这种线状导体L6作为延伸线L。更具体地,连接到位于壳体22的角的平台20g的布线图案20q形成在主板20的上表面上,连接到该布线图案20q的通孔20o和另一通孔20p设置在通孔20o侧,已经弯曲成倒U字形线状导体L6的端部插入到这两个通孔20o和20p中,并附着有焊料25,并且通孔20p的下端连接到形成在主板20的下表面上的接地图案20c。
因此,在该第四变形例中,仅通过调整线状导体L6和布线图案20q的长度来调整壳体22的角(平台20g)与接地位置22w'之间的距离。
图26示出了延伸线L的第五变形例。在图26中,通孔20o形成在位于壳体22的角的平台20g侧,板簧形导体L7的一端插入该通孔20o中,并且板簧形导体L7的一端通过焊料25附接到通孔20o,而另一端与壳体22的侧面接触,并且通孔20o的下端连接到形成在主板20的下表面上的接地图案20c。
因此,在该变形例中,壳体22的角(平台20g)与接地位置22w'之间的距离可以仅通过调整板簧形导体L7的长度来调整。
在上述延伸线L的所有变形例中,延伸线L的长度可以自由地增加或减小,因此,无论VCO/PLL电路3的振荡信号的振荡频率范围如何,从壳体22的高阻抗点P到接地位置22w的距离均可精确地设定为波长λ的1/4的偶数倍。
第五变形例
现在将参照图27A和27B描述本公开的第五变形例。
在第四实施例(图21)中,在壳体22的展开图中,从后面d的右角22s和延伸线L2在接地位置22w2处接地,但是在本实施例中接地位置22w2是开放位置而不是接地,以及延伸线L2的长度变化。
更具体地,在该实施例中,在图27A中的壳体22的展开图中,延伸线L3的一端连接到后面d的右角22s,该延伸线L3的另一端开放,使得延伸线L3的另一端作为壳体22的开放位置22op(第二位置)。
在壳体22的展开图中,点P是从前面b的左角22r的VCO/PLL电路3的振荡信号的可变频率范围内的最低频率(在图中,6GHz)处的波长λ的1/4的三倍的距离的点中最靠近后面d的右角22s的点(如图6B中高阻抗范围B内的点),延伸线L3的线长度被设定为使得通过将从点P到壳体22的后面d的右角22s处的平台20g的距离和从该平台20g到开放位置22op的距离相加而得到的总距离(即延伸线L3的线长度),将对应于在振荡信号的可变频率范围的最低频率(6GHz)的波长λ的1/4倍的奇数倍(一倍)的值(λ/4)。
如已经讨论的,对于壳体22,其中振荡器的振荡频率高并且阻抗是分布元件式(distributed element manner),通过使用前面b的左角22r的接地位置作为参考阻抗,在展开图中以直线距离该接地位置的λ/4的奇数倍(三倍)的P点,阻抗高于预定的特定阻抗,但是在本实施例中,由于在P点的阻抗可以低到小于距离壳体22的开放位置22op(延伸线L3的另一端)的振荡信号的最低频率(6GHz)处的波长λ的1/4倍的奇数倍(一倍)的特定阻抗,可以在高阻抗点P附近的范围内主动地降低阻抗。
如果延伸线L3是点对点结构,则不会降低与介电常数相关的波长。因此,延伸线L3的实际线长度可以用于计算到高阻抗点P的距离。
例如,延伸线L3的另一端的开放结构可以是图27B所示的结构。在图27B的结构中,与图19B的结构的比较可以看出,在主板20的后面,构成延伸线L3的金属线35的另一端连接到未接地图案(第一导体)37,该未接地图案37为没有连接到设置在主板20的后面上的接地图案20c的开放图案,并且金属线35的另一端也是开放的。
延伸线L3的另一端是开放的结构也可以应用于图20B、图22A-22C、图23A-23C和图24、25和26中已经讨论过的结构。这里再次,如上所述,可以提供未连接到设置在主板20的后面或前面上的接地图案20c的未接地图案,并且延伸线L的另一端可以连接到该未接地图案。这在附图中未示出。
因此,在本实施例中,通过打开延伸线L3的另一端,可以有效地降低高阻抗范围的点P处的阻抗,从而可以更多地消除不必要的辐射的发生。
第六实施例
该实施例的特征
本实施例利用这样的结构,其中即使如上所述不能将壳体22的各种尺寸的任何一个都不能使得低于最高振荡频率(8GHz)处的的半波长(λ/2),也可以容易、有效和可靠地减少不必要的辐射。这将在下面详细描述。
接地位置候选者的指定
首先,任意地指定接地位置的候选者。将通过使用当图4A所示的接地位置的数量是少的示例来描述这些接地位置,也就是说,当指定了两个接地位置时,为图4A中的左前角和右后角。这些指定的位置可以是其他角落,或者可以存在三个位置,四个位置等,如图4B和4C所示。
如上所述,当接地位置在壳体22的左前角和右后角时,图28A和28B示出了壳体22中阻抗较高的范围。
壳体22通过加工单片金属板形成为四边形形状。图7是壳体22的展开图,通过在壳体22的展开图中相对于顶面a弯曲四个侧面b至e而制造四边形壳体22。向下延伸以接地到主板20的腿22h、22i、22j和22k分别形成在其中形成有用于F型连接器23的安装孔23a前面b的两个下角处,和后面d,以及四个分别在这些腿22h至22k上方的位置处形成四面孔22l,22m,22n和22o。与形成在前面b和后面d上的孔22l至22o相适应的突起22c、22e、22f和22g形成在当折叠时与前面b和后面d接触的两个侧面c和e的两个下角。然后,在将单片金属板弯曲并组装完成的状态下将壳体22连接到主板20的接地图案20c。
同时,主板20被配置如下。图8A示出了从后面观察的主板20,其上设置有壳体22。图8A所示的主板20具有在与壳体22的四个角相对应的位置处形成的平台20e至20h。对应于用作接地位置的壳体22的两个角22r和22s的平台20e和20g连接到设置在主板20的后面上的接地图案20c,以及另外两个平台20f和20h未连接到接地图案20c。在图8A中,20d是用于将F型连接器23连接到主板20上的信号图案(未示出)的平台。
如图8B和8C所示,主板20的四个平台20e至20h具有形成在与壳体22的四个角相对应的位置处的通孔20s。如图8B所示,在对应于作为该壳体22的接地位置的两个角22r和22s的平台20e和20g上,通孔20s连接到设置在主板20的前面和/或后面上的接地图案20c,以及如图8C所示,在对应于壳体22的另外两个不接地的角22t和22u的平台20f和20h上,通孔20s没有连接到接地图案20c。
如图8A所示,在壳体22的前面b和后面d上的腿22h至22k中,要被接地的前面b的左角22r中的腿22h和后面d的右角22s中的腿22k插入到主板20中的通孔20s中,并且在该状态下,通孔20s和腿22h和22k附着有焊料25,从而将这些腿22h和22k连接到主板20的接地图案20c。
同时,在未接地的壳体22的两个角22t和22u处,正如接地的角22r和22s一样,腿22i和22j被插入到主板20的通孔20s中,在这种状态下,通孔20s和腿22i和22j附着有焊料25,从而将未接地的壳体22的两个角22t和22u固定到主板20的平台20f和20h上,但不将它们连接到接地图案20c。
对于上述配置,在该实施例中,由于图7所示的壳体22的结构,在单片金属板已经弯曲到中空的四边形壳体22中的状态下,左面e的下角22p和右面c的上角22q将具有通过在突起22c和22f与如图7所示的孔221和22o之间机械接合的低度接地,因此,如图8A所示,当壳体22的前面左下角22r和后面右下角22s接地时,在图28A和28B所示的壳体22的展开图中,前面b的左角22r和后面d的右角22s将是接地电位,并且具有上述低接地度的两个角22p和22q处的接地效果可以被忽略。
在壳体中建立高阻抗范围
如上所述,VCO/PLL电路3处的振荡信号的最高频率为8GHz,当波长λ缩短到约40mm时,如果壳体22的尺寸超过半波长(λ/2),则壳体22中的阻抗将是分布元件,其用作振荡信号的传播路径。对于这种分布元件电路,接地位置用作参考阻抗,距离该接地位置为λ/4的奇数倍的位置将是开路端,导致高阻抗。当提供多个接地位置时,距离这些接地位置的λ/4的奇数倍的位置的重叠部分将具有最高的阻抗。
更具体地,在图28B所示的壳体22的展开图中,如上所述,存在两个接地电位,即前面b的左角22r和后面d的右角22s,因此最高阻抗位于距离这两个接地位置22r和22s的λ/4的奇数倍的位置。在图28B中,绘制了其中与前面b的左角22r相距λ/4的高阻抗部分与后面d的右角22s相距λ/4的三倍的高阻抗部分重叠的高阻抗范围A,以及与后面d的右角22s相距λ/4的高阻抗部分与前面b的左角22r相距λ/4的三倍的高阻抗部分重叠的高阻抗范围B。因此,在壳体22的展开图中,当前面b的左角22r和后面d的右角22s作为接地电位时,高阻抗范围A和B出现在顶面a的左下角和右上角,以及前面b和后面d。在上述高阻抗范围A和B中,当VCO/PLL电路3的振荡信号的频率为6GHz,6.5GHz,6.8GHz,6.9GHz时,由圆圈表示的点表示与前面b的左角22r相距λ/4以及与后面d的右角22s相距λ/4的三倍的高阻抗点,以及与后面d的右角22s相距为λ/4以及与前面b的左角22r相距λ/4的三倍的高阻抗点。
因此,在图28B所示的展开图中,在上述两个高阻抗范围A和B中产生大量不必要的辐射。
图28A和28B示出了当图7所示的金属板材被弯曲到壳体22中时发生的高阻抗范围A和B,但是如果通过焊接等将前面b和后面d接触右面c和左面e的位置牢固地连接来增加接地程度,则在弯曲例如图7所示的金属板之后,则如图29所示,左面e的下角22p和前面b的左角22r将具有相同的电位,右面c的上角22q和后面d的右角22s将具有相同的电位,这些将作为接地电位,并且在壳体22的展开图中将存在四个接地位置。在这种情况下,高阻抗范围C和D出现在顶面a的左下角和右上角角,并且从这些范围C和D产生大量不必要的辐射。
图30示出了使用图7所示的金属板制造壳体22时的状态。,前面b的左角22r和右角22v(两个位置)已经接地。在这些图中,高阻抗范围E和F出现在前面b的中上部和后面d的中上部,并且从这些范围E和F产生大量不必要的辐射。对于该接地,高阻抗范围的表面积小于对于图28A和图28B所示的接地或图29所示的接地,但有些仍然发生。
降低壳体的高阻抗范围
如上所述,壳体22中出现高阻抗范围,并且这些高阻抗范围的位置和表面积随着壳体22的接地位置而变化。在该实施例中,采用可靠地减小这些高阻抗范围的尺寸的构造。这将在下面具体说明。
图31A示出了如图28B所示的壳体22的展开图中,通过将前面b的左角22r和后面d的右角22s接地到主板20的接地图案20c、也就是说,处于图28B所示的接地状态下,的结构,以减小壳体中发生的高阻抗范围的尺寸。
在该图中,在壳体22的展开图中出现的高阻抗范围B(参见图28A和28B)的尺寸减小。如前所述,对于振荡器的振荡频率高且阻抗为分布元件的壳体22,当使用接地位置作为参考阻抗时,在远离该接地位置λ/4的奇数倍的位置,阻抗高于规定的阻抗。因此,在图28B所示的壳体22的展开图中,与前面b的左角22r的直线距离相距λ/4的三倍的区域与后面d的右角22s相距λ/4的一倍的区域重叠的范围变为高阻抗范围B。
在该实施例中,从图31A中可以看出,前面b的左角(第一特定第一位置(第一位置))22r接地,延伸线L的一端与后面d的右角22g连接,另一端(第二特定第一位置(第二位置))用作接地位置22w,壳体22与主板20的接地图案20c连接。
图31B示出了后面d的右角22g经由延伸线L与主板20的接地图案20c接地的结构的具体例。
在图31B中,设置于壳体22的后面d的右角的腿22n插入到设置在主板20上的未接地平台20g的通孔20s中,并且腿附着有焊料25,之后金属线35(延伸线L)的一端与该焊料25的一部分连接,该金属线35的另一端与设置在主板20的后面的接地图案20c连接。
在该实施例中,在图31A的壳体22的展开图中,如果我们令P是距离前面b的左角(第一特定第一位置(第一位置))22r的VCO/PLL电路3的振荡信号的可变频率范围内的最高频率(在图中,6GHz)处的波长λ的1/4的三倍的距离的点中最靠近后面d的右角22g的点(图28B所示的高阻抗范围B内的点),延伸线L的线长度被设定为使得通过将从该点P到壳体22的后面d的右角处的平台20g的距离和从该平台20g到接地位置22w的距离的组合距离(即延伸线L的线长度),将对应于在振荡信号的可变频率范围的最低频率(6GHz)的波长λ的1/4的一倍的值。也就是说,延伸线L的线长度被设置为:使得距离壳体22的前面b的左角(第一特定第一位置(第一位置))22r的、在VCO/PLL电路3的振荡信号的可变频率范围内的波长λ的1/4的三倍的区域(该区域(第一特定第一区域(第一区域))由图31A中的粗实线表示),和距离接地位置(第二特定第一位置(第二位置))22w的、在可变频率范围内的波长λ的1/4的一倍区域(该区域(第二特定第一区域(第二区域))由图31A中的粗虚线表示)在点P(一个点)处重叠。
本实施例中的延伸线L是点对点结构,因此不会发生与介电常数相关的波长收缩。因此,在计算到高阻抗点P的距离时,应使用延伸线L的实际线长度。
因此,对于本实施例,壳体22中产生的高阻抗范围将仅存在于发生在其中振荡信号的波长λ最长时的最低频率(6GHz)处的高阻抗点P处,所以产生的高阻抗范围将最窄。因此,对于该实施例,可以有效地减少从壳体22产生的不必要的辐射。
此外,在该实施例中给出了其中高阻抗范围收缩到仅一个点(高阻抗点P)的示例,但是本发明不限于此,并且即使高阻抗范围比上述示例光,只要当延伸线L的线长度被设定为短于上述线长度以及该范围减小到比图图28A和28B所示的传统的高阻抗范围B更小也当然能够类似地应用。
降低高阻抗范围的通用模型
接下来,将描述使用通用模型来减小上述常规高阻抗范围B的尺寸。
在图32A中,A点和B点是接地位置,并且彼此间隔距离l设置。点C与点A和B的分离距离分别为nλ/4和mλ/4。如上所述,如果常数n和m是奇数,则点C表示高阻抗位点。
如果我们令点A和B和C的坐标为(xa,ya)=(0,0),(xb,yb)=(0,1)和(xc,yc),则得到以下等式。
nλ/4=√(xc 2+yc 2),mλ/4=√{xc 2+(l–yc)2}
∴m2(xc 2+yc 2)=n2{xc 2+(l–yc)2}
当m=n,yc=l/2
当m>n,xc 2+{yc+n2l/(m2–n2)}2=(nml)2/(m2–n2)
因此,当波长λ变化时,当m=n时,点C的路径变为AB的中心线,并且当m>n时,路径划分为具有中心为(0,-n2l/(m2-n2)),半径为nml/√(m2-n2)的弧。
此外,如果我们使振荡频率为f1≤f≤f2,则波长λ=c/f落在λ2≤λ≤λ1的范围内(在弧线的情况下,图32B中用粗线绘制的范围),以及与不需要的辐射有关的高阻抗范围是弧线或上述中心线AB的λ2≤λ≤λ1的范围(在弧线的情况下,图32B中用粗线绘制的范围)。
如果与图32B所示的不需要的辐射有关的高阻抗范围,可以尽可能地变窄,然后可以减少不必要的辐射的影响范围。此外,如果与不需要的辐射相关的高阻抗范围保持较窄,则可以将另一阻抗降低装置(impedance reduction means)应用于该窄的高阻抗范围以完全消除不必要的辐射。
这里,由于阻抗通常可以在距离接地位置的λ/20的距离范围内保持低,所以对于设置到壳体或基板的多个接地位置,特别是对成本或形状没有限制的接地位置,设计为它们之间的间距为λ/10,并且这些接地位置之间的中间位置距离接地位置正好在λ/20的距离处是常见的设计。
因此,根据本公开,如果高阻抗的两个区域之间的间隔可以保持在λ/10(特定阈值)的宽度范围内,则整个区域的高阻抗被限制在窄范围内。这将通过参考图32B进行详细描述。在图32B中,例如,当VCO/PLL电路3的振荡频率f为最低频率f1时,半径为(1/4)nλ1并以接地位置A(第一特定第一位置(第一位置))为圆心的圆的区域(第一特定第一区域(第一区域))(该区域用图32B中的粗实线表示),和半径为(1/4)mλl并以另一接地位置B为圆心(第二特定第一位置(第二位置))的圆的区域(第二特定第一区域(第二区域))(该区域用图32B中的中实线表示)在两点重叠,优选这两点之间的距离D1落在宽度λ1的1/10的范围内(特定阈值)。类似地,当VCO/PLL电路3的振荡频率f为最高频率f2时,半径为(1/4)nλ2并以接地位置A(第一特定第一位置(第一位置))为圆心的区域(第一特定第一区域(第一区域))(该区域用图32B中的粗虚线表示),和半径为(1/4)mλ2并以另一接地位置B(第二特定第一位置(第二位置))为圆心的区域(第二特定第一区域(第二区域)),(该区域在图32B中用中虚线表示)在两个点处重叠,并且这两个点之间的距离D2比在上述最低频率f1处的两个点之间的距离D1短(D2<D1)。现在将参考图33A至33F来描述可以由与不需要的辐射有关的频率产生的高阻抗范围的分布变化,和两个接地位置A和B之间的距离。
高阻抗范围的分布变化
图33A示出了当与不需要的辐射相关的最高频率f2处的两个高阻抗点之间的间隔大于该频率时的波长λ2的1/10的情况。这里,两个高阻抗范围各自包括总频率范围,并且是最宽的状态。此外,两个高阻抗范围被分布,使得它们以大于波长λ2的1/10的间隔隔开,因此即使采用另一阻抗降低装置,包括下面讨论的方法,同时降低两个高阻抗范围内的阻抗将是困难的。
在图33B中,与不需要的辐射相关的最高频率f2处的两个高阻抗点之间的间隔在该频率处不超过波长λ2的1/10。因此,尽管两个高阻抗范围各自包括总频率范围,例如如果我们令D为在最高频率f2连接两个高阻抗点的线的中点,并且通过使用阻抗降低装置降低该点D处的阻抗,可以在两个高阻抗范围内距离点D的距离为λ/20的范围内充分降低阻抗。此外,如果高阻抗两点之间的间隔进一步变窄,则会增加不超过距离D点的距离λ/20的频率范围,因此会增加在两个高阻抗范围内进一步降低阻抗的频率范围。在如图33B所示的情况下,由于高阻抗的两个区域之间的间隔不大于波长λ2的1/10,所以高阻抗的整个范围可以被限制在由图33B中的虚线限定的窄范围内。因此,可以使用另一阻抗降低装置来降低整个窄区域的高阻抗范围内的阻抗,因此比在较宽范围的高阻抗范围内阻抗降低时设计更容易。
在图33C中,与不必要的辐射相关的最高频率f2处的高阻抗点在单个点处重叠。这里,两个高阻抗点的间隔在该频率处的1/10波长λ的频率在图中表示为f3。这里,f1<f3<f2,D是以频率f3连接两个高阻抗点的线的中点,并且同时使用另一阻抗降低装置(包括下面讨论的方法)来降低该点D处的阻抗,使得在两个高阻抗范围内的频率f3至f2的范围内可以充分降低阻抗。在图33C中,如虚线所示,高阻抗的整个范围可以被限制在比图33B的情况下更窄的范围,所以更容易得出在这个狭窄区域的高阻抗范围的降低阻抗的设计。
在图33D中,频率f4处的高阻抗点低于与单个点处不必要的辐射重叠有关的最高频率f2。这里,两个高阻抗点之间的间隔与该频率处的波长的1/10一致的频率表示为f5(频率低于图33C中的频率f3(f5<f3))。这里,f1<f5<f4<f2,即使当D点的阻抗没有降低时,在高于频率f4的频率上也没有高阻抗点,如果令D为连接频率f5处的两个高阻抗点的线的中点,并且同时使用另一个阻抗降低装置(包括下面讨论的方法)来降低该点D处的阻抗,可以充分降低频率f5至f4的范围内的阻抗。
在图33E中,与不需要的辐射有关的最低频率f1处的两个高阻抗点之间的间隔不超过该频率处的波长λ1的1/10。在这种情况下,f1<f4<f2,即使在D点阻抗没有降低,在高于频率f4的频率处没有高阻抗点,如果我们令D为连接最低频率f1处的两个高阻抗点的线的中点,并且同时使用另一个阻抗降低装置(包括下面讨论的方法)来降低阻抗,可以充分降低f1至f2的整个频率范围的阻抗。
如图33F所示,只有一个高阻抗点(D点)保持在与不需要的辐射有关的最低频率f1处,并且可以通过同时使用另一阻抗降低装置(包括所讨论的方法)在f1至f2的整个频率范围内完全降低阻抗,以及降低此点D的阻抗。
如上所述,为了缩小高阻抗范围,至少需要在与不需要的辐射相关的最高频率f2处的两个高阻抗点之间的间隔为该频率处的波长的1/10(图33B至33F),如果可能,最好在最低频率f1处的两个高阻抗点之间的间隔不大于该频率处的波长的1/10(图33E和33F),使得阻抗可以在整个振荡频率范围内降低。
第七实施例
图34A至图34D示出了本公开的第七实施例。在上述第六实施例中,角(平台)20g的接地位置22w设置在壳体22的外侧,但是在本实施例中,接地位置设置在设置有壳体22的主板20的的区域(以下简称“特定区域”)。
在图34A中,延伸线L从壳体22的后面d的角的平台20g朝向设置在壳体22下方的主板20的特定区域延伸,并且延伸线L的端部作为接地位置22w'。
其具体示例在图34B和34C中示出。在图34B和34C中,设置在壳体22的后面d的右角的腿22n用焊料25附接到主板20的平台20g。例如,形成接地图案20c的铜箔围绕主板20的边缘20g被切除,并且铜箔也被切除,从而在形成从该平台20g朝向该壳体22的下方的主板20的特定区域作为延伸线L的布线图案20m。因此,壳体22的腿22n经由布线图案20m与接地图案20c连接,布线图案20m与接地图案20c的连接点形成接地位置22w'。
通过如下确定布线图案20m的长度。在本实施例中,由于布线图案20m配置在主板20上,所以振荡信号的波长λ'在主板20上被主板20的介电常数er缩短到波长λ在真空中的1/(er1/2)。例如,如果从壳体22的高阻抗点P的位置到壳体22的后面d的右角22s的距离为波长λ的1/4倍的90%,则介电常数er的波长λ'的1/4倍的10%的距离应当用于布线图案20m的线长度。更具体地说,如果令主板20的介电常数er为4,振荡信号的振荡频率f为6GHz,则介电常数er的波长λ'如下。
λ'=(1/(er1/2))λ=(1/2)×(c/f)
c:光速
=(1/2)×(3×108/(6×109))=0.025m=25.00mm
因此,线长度可以计算为25.00×(1/4)×0.1=0.625mm≈0.6mm
图34D是图34C中的布线图案20m的D-D线的剖面图。如果将主板20上的延伸线L(布线图案20m)的特性阻抗设定为75Ω以符合用于电视广播的调谐器装置的典型设计规格,并且如果令主板20的介电常数er为4,高度h为400μm,以及如果令布线图案20m的厚度t例如为35μm,则如果使用普通的线路阻抗设计工具来计算布线图案20m的宽度s和铜箔的切除宽度w(布线图案20m与接地图案20c之间的间隔),布线图案20m的宽度s和铜箔的切除宽度w都被计算为s=w=200μm,并且由此决定。自然地,主板20上的延伸线L的特性阻抗不必设定为75Ω,并且可以设定在例如几十欧姆和几百欧姆。
因此,在本实施例中,由于第二接地位置22w'设置在壳体22的下方的主板的特定区域内,所以即使在外侧壳体22的附近设置有微处理器,存储器等,这些装置不会妨碍,并且第二接地位置22w'可以从壳体22以布线图案20m的长度的精确间隔适当地布置。
延伸线的变形例
图35A至35C示出了从壳体22的角延伸的延伸线L的第一变形例。在上述实施例中,延伸线L2不是具有直线形状,而是形成为弧形延伸以包围图35A中的平台20g的外部的形状。图35B示出了一种延伸线L3,其形成为围绕着平台20g的外侧延伸的圆弧形状,和从弧形的远端朝向壳体22的下方的主板20的特定区域延伸的线状的组合。图35C示出了从平台20g延伸出来的以锯齿状形成的延伸线L4。在这些变形例中,能够接地到靠近平台20g的位置,因此能够避免与调谐电路的其他布线的干涉,能够防止由于大幅分割接地图案而引起的接地效果的降低。
图36A至36C示出了延伸线L的第二变形例。在附图中,通过利用形成在主板20中的通孔来调整线长度。
更具体地说,延伸线L5由从未接地的平台20g朝向如图36A所示的壳体22下面的主板20的特定区域延伸的布线图案20q构成,形成在该布线图案20q的前端的通孔20t如图36B所示,形成在主板20的下表面上并连接到该通孔20t的下端的接地图案20c如图36B和36C所示。因此,在本变形例中,延伸线L5的线长是布线图案20q加上通孔20t的高度的总长。
对于上述实施例和第一和第二变形例,由于延伸线L2至L5利用形成在主板20上的布线图案,因此不需要诸如金属线的其它部件,并且延伸线L到L5可以简单配置。
图37表示延伸线L的第三变形例。在图37中,使用金属线L5,其一端用焊料25安装在平台20g上,另一端与主板20的接地图案20c连接,该连接点作为接地位置22w'。
图38示出了延伸线L的第四变形例。在图38中,使用金属线或其它这种线状导体L6作为延伸线L。更具体地,连接到位于壳体22的角的平台20g的布线图案20q形成在主板20的上面,提供连接到布线图案20q的通孔20o和设置在通孔20o侧的另一通孔20p,已经弯曲为倒U字形并插入到这两个通孔20o和20p中的线状导体L6的端部附着有焊料25,并且通孔20p的下端连接到形成在主板20的下表面上的接地图案20c。
因此,在该第四变形例中,仅通过调整线状导体L6和布线图案20q的长度来调整壳体22的角(平台20g)与接地位置22w'之间的距离。
图39示出了延伸线L的第五变形例。在图39中,在位于壳体22的角的平台20g的一侧形成有通孔20o,板簧形导体L7的一端插入该通孔20o中,导体L7的这一端通过焊料25附接到通孔20o,而另一端与壳体22的侧面接触,并且通孔20o的下端连接到形成在主板20的下表面上的接地图案20c。
因此,在该变形例中,仅通过调整板簧形导体L7的长度,可以调整壳体22的角(平台20g)与接地位置22w'之间的距离。
在上述延伸线L的所有变形例中,延伸线L的长度可以自由地增加或减小,因此,无论VCO/PLL电路3的振荡信号的振荡频率范围如何,从壳体22的高阻抗点P到接地位置22w的距离均可精确地设置为波长λ的1/4的奇数倍。
第八实施例
现在将参照图40描述本公开的第八实施例。
如图31A和31B所示,在上述第六实施例中,在壳体22中产生高阻抗点P,但是在本实施例中,阻抗在高阻抗点P处降低。
在该实施例中,如图40所示,除了上述图31A和31B所示的结构,在壳体22的展开图中,另一个接地位置(第二位置(第三位置))22s设置在左面e的底部边缘k上。如上所述,对于其中振荡器的振荡频率高并且阻抗是分布元件的壳体22,在距离λ/4的奇数倍阻抗高于预定的特定阻抗的区域中使用接地点作为参考阻抗,但是在距离振荡信号的波长λ的1/4的偶数倍的区域(第二区域(第三区域))中,阻抗低于该特定阻抗(特定阈值)。因此,在图40中,在壳体22的展开图中,接地位置22s设置在距离高阻抗点P(振荡频率为6GHz的点)为在壳体22的展开图中为最低振荡频率(6GHz)的波长λ的1/2倍(1/4的两倍)的线性距离的位置处。
因此,在本实施例中,通过接地位置22s可以降低在壳体22的展开图中产生的高阻抗点P处的阻抗。结果,可以通过上述另一接地位置(第二位置(第三位置))22s有效地减少由两个接地位置(第一特定第一位置(第一位置)和第二特定第二位置(第二位置))22r和22w产生的来自高阻抗点P的不必要的辐射。
而且,与上述实施例一样,当高阻抗范围有些扩展时,该实施例是有效的。
具体地,在图33B至33F中,在两个高阻抗点之间的间隔的最低振荡频率处于该频率处的波长或低于1/10时,接地位置设置在距离连接两个高阻抗点的线的中点(点D)的频率处的波长λ的1/4的偶数倍的直线距离处,这允许阻抗在高阻抗范围内被有效降低。
变形例
图41表示本实施例的变形例。
在该第八实施例中,除了使用接地位置22w将与壳体22的后面d的右角被延伸线L分离的位置进行接地之外,在该变形例中,前面b的22r和设置在左面e的底部边缘k的平台22s也分别经由延伸线R1和R2的接地位置22j和22z而接地。
在该变形例中,即使VCO/PLL电路3的振荡信号的最低频率低于6GHz,或者如果壳体22的尺寸相对较小等,则通过从壳体22分开的三个接地位置22j,22w,22z的距离能够自由地调整,则高阻抗点P处的阻抗能够更可靠、更容易地降低。
第九实施例
现在将参照图42描述本公开的第九实施例。
在上述第六实施例中,将接地位置设置在仅产生高阻抗点P的壳体22的位置处,但是在本实施例中,接地位置进一步设置在高阻抗范围被取消的位置处。
具体地,在第六实施例的图31A和31B中,距离壳体22的前面b的左角22r为VCO/PLL电路3的振荡信号的最低频率(6GHz)的波长λ的1/4的三倍的距离处的位置P,与距离由延伸线L从后面d的平台20g分开的接地位置22w为最小频率(6GHz)的波长λ的1/4的一倍的位置P重叠,并且在该重叠点P处的阻抗较高,但是在本实施例中,设置延伸线R,其中延伸线L的线长度比图31A和31B中的长,并且该结构消除了高阻抗点P的产生。
对于上述配置,在本实施例中,具有更长延伸线的延伸线R的另一端用作接地位置22x,并且从该接地位置22x到高阻抗点P的距离M可以超过最低频率(6GHz)处波长λ的1/4,因此可以消除高阻抗点P的产生,并且不会在壳体22中的任何地方发生不必要的辐射。
此外,当距离M是波长λ的1/4的偶数倍数(例如1/2)时,可以直接降低在高阻抗点P处的阻抗。
第十实施例
图43示出了本公开的第十实施例。
如图43所示,在本实施例中,接地位置22y处于从壳体22的前面b的左角22r被延伸线Y分开的位置,前面b的右角22v为接地位置。
对于上述结构,在该实施例中,在距离接地位置22y和22v为VCO/PLL电路3的振荡信号的波长λ的1/4的一倍和三倍的距离处可以消除重叠位置。
因此,如图30所示,当角22r和22v都是接地位置时,在壳体的后面d的中上部或前面b的中上部中可以消除高阻抗范围E和F,这使得可以消除不必要的辐射。
此外,在壳体22的前面b中,电视广播信号电缆24连接到附接到安装孔23a的F型连接器23,并且高阻抗范围E出现在靠近该信号电缆24的图30中的壳体的前面b的中上部,但是在本实施例中,由于消除了高阻抗范围E的产生,所以壳体上的阻抗分布不太可能受到信号电缆24的状态(类型,材料,形状等)的变化的影响,其效果是不太可能由信号电缆状态的变化引起不必要的辐射。
此外,在本实施例中,消除了在F型连接器23附近出现的高阻抗范围E,但是本发明不限于此。例如,即使在壳体22中发生高阻抗范围,产生高阻抗范围的部位应至少距离F型连接器23具有特定的距离,直到由此产生的不必要的辐射的高阻抗范围无影响或极少的影响的程度。此外,当从接地位置22y到F型连接器23的距离为波长λ的1/4的偶数倍(例如1/2)时,可以在F型连接器附近直接降低阻抗23。
在上述第九和第十实施例中,两个拐角中只有一个经由延伸线R或Y接地,但是所有的接地角当然可以经由延伸线接地。
第十一实施例
现在将参照图44A和44B描述本公开的第十一实施例。
在上述第六实施例(图31A和31B)中,在壳体22的展开图中,通过延伸线L从后面d的右角22g在接地位置22w进行接地,但是在本实施例中,该接地位置22w不接地,而是开放位置,并且延伸线L的长度也变化。
更具体地,在本实施例中,在图44A中的壳体22的展开图中,延伸线的一端与后面d的右角22g连接,该延伸线L的另一端(除了壳体22的接地组件以外的位置)被打开,并且延伸线L的该另一端用作壳体22的开放位置22op。
在壳体22的展开图中,点P是从前面b的左角22r的VCO/PLL电路3的振荡信号的可变频率范围中的最低频率处(在图中为6GHz)的波长λ的1/4的三倍的距离的点中最靠近后面d的右角22g的点(图28B所示的高阻抗范围B内的点),延伸线L的线长度被设定为使得通过将从该点P到距离壳体22的后面d的右角处的平台20g的距离,和从该平台20g到开放位置22op的距离相加获得的总距离,与振荡信号的可变频率范围中的最低频率(6GHz)处的波长λ的1/4的偶数倍(两倍)的值(λ/2)相对应。
因此,在本实施例中,对于壳体22,使用前面b的左角22r的接地位置作为参考阻抗,由于点P是在从该接地位置的展开图中距离该接地位置直线距离为λ/4的奇数倍(三倍),和距离壳体22的开放位置22op为振荡信号的最低频率(6GHz)处的波长λ的1/4的偶数倍(两倍)的距离(延伸线L的另一端)的唯一区域,产生的高阻抗范围变得最窄。因此,在本实施例中,能够有效地降低来自壳体22的不必要的辐射。
如果延伸线L是点对点结构,那么与介电常数相关联的波长将不会降低。因此,延伸线L的实际线长度可用于计算到高阻抗点P的距离。
例如,延伸线L的另一端是开放的结构可以是图44B所示的结构。图44B中的结构,从与图31B中的结构的比较中可以看出,在主板20的后面,构成延伸线L的金属线35的另一端连接到未连接到设置在主板20的后面上的接地图案20c的未接地图案37,以及,金属线35的另一端开放。
延伸线L的另一端的开放结构也可以应用于图34B、图35A至35C、图36A至36C和图37、38和39中已经讨论过的结构。这里再次如上所述,可以提供未连接到设置在主板20的后面或前面上的接地图案20c的未接地图案,并且延伸线L的另一端线可以连接到该未接地图案。这在附图中未示出。
因此,在本实施例中,通过打开延伸线L的另一端,在成为高阻抗范围的点P处阻抗被主动地降低,从而可以更多地消除不必要的辐射的产生。
变形例
因此,当从高阻抗点P到开放位置22op的距离是波长λ的1/4的偶数倍(例如1/2)时,壳体22的高阻抗范围可以是限于点P,但是在本实施例中也可以应用第九实施例中讨论的方法。
具体地说,当从高阻抗点P到开放位置22op的距离为波长λ的1/4的偶数倍(例如1/2)时,也可以防止高阻抗点P的产生。此外,当从高阻抗点P到开放位置22op的距离进一步扩展到波长λ的1/4的奇数倍(例如3/4)时,阻抗可以在高阻抗点P处直接降低。
而且,在第八实施例的图40和41中,除了在距离高阻抗点为波长λ的1/4的奇数倍(例如1/4)的距离处提供接地位置,相同的效果也可以通过在距离高阻抗点为波长λ的1/4倍的偶数倍(例如1/2)的开放位置处获得。另外,在图41中,高阻抗点P处的阻抗通过从高阻抗点P处经由延伸线R2为波长λ的1/4的偶数倍(例如1/2)的距离处提供接地位置22z而降低,但是可以通过从高阻抗点P经由延伸线为波长λ的1/4的奇数倍(例如3/4)的距离处提供开放位置而获得相同的效果。
在壳体22的展开图中
当侧面之间的连接较弱时
在图7所示的壳体22的展开图中,在组装期间,由于相邻侧面b,c,d和e之间的弱连接,在侧面b-c,c-d,d-e或e-b之间不存在信号传播。因此,如图45所示,仅需要在四个侧面b,c,d,e和顶面a之间考虑信号传播,因此壳体22的展开图只需要以顶面a为中心展开,因此,在图45所示的壳体22的展开图中,当前面b的左角22r接地时,振荡信号从前面b的左角22r传播到前面b,然后在前面b和顶面a之间通过切线b-a传播到顶面a。将连接从顶面a到除了前面b之外的侧面c,d和e的信号传播中处于传播距离λ/4处的点的线描绘为实线,将连接传播距离λ/2处的点的线表示为虚线,将连接传播距离λ3/4处的点的线描述为单点划线。
当侧面之间的连接较强时
另一方面,如图46A所示,当接触相邻侧面(连接部分)的部件通过焊接牢固地接合时,例如在相邻侧面之间存在强连接时,则除了侧面b,c,d和e与顶面a之间的信号传播之外,还需要考虑侧面b-c,c-d,d-e和e-b之间的信号传播。因此,不仅如图45中的以顶面a为中心的展开视图中的信号传播,而且当其他侧面围绕侧面b,c,d和e展开时侧面之间的信号传播也必须考虑。
例如,在图46B中,加入了从后面d展开的左面(e'面),和从右面c展开的前面(b'面)。此外,与前面b的左角的接地位置22r对应的左面e的接地位置标记为22r',而两个新设置的侧面b'和e'的相应接地位置标记为22r”和22r”'。
在图46B中,正如在图45中,除了在传播路径为左角22r→前面b内→b-a切线→顶面a内→侧面c、d和e中的连接以λ/4的传播距离的点的线、连接以λ/2的传播距离的点的线和连接以λ3/4的传播距离的点的线之外,在传播路径为左侧角22r'→左侧面e内→e-a切线→顶面a内→侧面b、c和d,传播路径为左角22r”→新展开的侧面b'→b'-c切线→左侧面c内→c-a切线→顶面a、侧面d和e内,以及传播路径为左角22r”'→新展开的侧面e'→e'-d切线→后面d内→d-a切线→顶面a内→侧面b和c中分别显示连接以λ/4的传播距离的点的线,连接以λ/2的传播距离的点的线,以及连接以λ3/4的传播距离的点的线。此外,在这些线重叠的部分,选择的连接线使得距左角22r,22r',22r”和22r”'的最短距离为λ/4,λ/2和3λ/4分别以实线,虚线和单点划线表示,这些线最终显示了从左角22r的λ/4、λ/2和3λ/4的传播距离。
因此,当壳体22的侧面之间的连接较强时,必须考虑到强电连接的所有路径来补充展开图。
其他实施例
在上述说明中,VCO/PLL电路3的振荡信号的振荡频率范围为用于电视广播接收的6-8GHz,,但是本发明不限于此,也可以使用其他的频率范围。
此外,作为图1中的具体示例给出了调谐器IC 10的电路结构。但是该结构当然可以被修改,或者可以添加其他的结构。
此外,在上述描述中,使用用于电视广播接收的调谐器装置作为该调谐器装置的示例,但是本发明当然可以类似地应用于用于记录和再现的调谐器装置等。
如上所述,当应用于诸如用于接收电视广播或用于记录和再现的调谐器装置之类的调谐器装置时,本公开是有用的,因为当设置在基板上的、覆盖振荡器的壳体接地到基板时,即使当由于接地而在壳体中产生高阻抗的范围,由于在壳体上设置有降低该高阻抗范围内的阻抗的其他接地位置或开放位置,可以有效地减小来自壳体的不必要的辐射。
如上所述,对于本公开,当覆盖设置在基板上的振荡器的壳体通过连接到基板而接地时,将壳体的接地位置作为参考阻抗来使用,并且接地位置设置在比特定阻抗高的壳体的部分的重叠范围变窄或消除的位置处,从而可以有效地减少来自壳体的不必要的辐射,这使得本发明在电视广播接收、录制和再现等调谐器装置的应用中是有用的。
对于本公开,可以提供一种显示装置,其中振荡器设置在基板上,并且从连接到基板的接地组件的导电壳体发射较少不必要的辐射。具体地,对于根据本公开的显示装置,壳体22连接到基板的接地组件的第一位置22r和22s,并且连接到与第一位置22r和22s不同的第二位置22w。第一位置22r和22s和第二位置22W使得由于第一位置22r和22s而阻抗高于第一阈值的壳体22的第一区域B设置在与由于第二位置阻抗低于第二位置的壳体22的第二区域的至少部分重叠的位置。因此,阻抗较高的壳体的第一区域B较小,因此减小了从壳体发射的不必要的辐射。
而且,对于本公开,可以提供一种显示装置,其中振荡器设置在基板上,并且与连接到基板的接地组件的导电壳体中产生的不必要的辐射减小。具体地,壳体连接到接地组件的第一特定第一位置(第一位置)和第二特定第二位置(第二位置)。第一特定第一位置(第一位置)和第二特定第二位置(第二位置)设置在其中由于第一特定第一位置(第一位置)阻抗高于第一阈值的壳体的第一特定第一位置(第一位置),和由于第二特定第二位置(第二位置)阻抗高于第一阈值的壳体的第二特定第二位置(第二位置)的两个重叠点之间的距离的位置处,处于或低于第二阈值(例如对应于振荡器的振荡信号的振荡频率的波长的1/10)。
在理解本发明的范围时,术语“包括(comprising)”和它的衍生词,如本文所用,为描述现有的所陈述的特征,元件(elements),组件(components),组(groups),整体(integers),和/或步骤的开放性词语,但并不排除存在其它未陈述的特征,元件,组件,组,整体和/或步骤。前述内容也适用于具有类似含义的词语,诸如术语“包含(including)”,“具有(having)”和它们的衍生词。而且,除非另有说明时,术语“零件(part)”,“部(section)”,“部分(portion)”,“部件(member)”或“元件(element)”以单数使用时可以具有单个组件或多个组件的双重含义。
如本文所用的术语“附着(attached)”或“附接(attaching)”包括通过将一个元件直接安装到另一个元件而将一个元件直接固定(secure)到另一元件的配置;通过将一个元件安装到依次又被安装到其它元件的中间部件而不直接地将一个元件固定到其它元件的配置;其中一个元件与另一个元件整合,即一个元件本质上是其它元件的一部分的配置。这个定义也适用于类似含义的词语,例如,“连接(joined)”,“连接(connected)”,“联接(coupled)”,“安装(mounted)”,“键合(bonded)”,“固定的(fixed)”和它们的衍生词。最后,在此使用的诸如“基本上(substantially)”,“大约(about)”和“近似(approximately)”的程度术语意味着最终结果没有显著改变的所修饰术语的偏差量。
虽然只有选定的实施例来说明本发明,显而易见的是,本领域技术人员在不脱离所附请求保护范围定义的本发明的范围内从本公开可以对本文进行各种改变和修改。例如,除非另外具体说明,只要该变化实质上不影响它们的预期的功能,各种组件的尺寸,形状,位置或取向可以根据需要和/或希望变化。除非特别声明,只要其变化实质上不影响它们的预期功能,那些显示直接连接或彼此接触的组件也可具有设置在它们之间的中间结构。除非特别说明,否则一个组件的功能可以由两个执行,反之亦然。一个实施例的结构和功能可以在另一个实施例中被采用。没有必要在一个特定的实施例中同时具有所有优点。每个区别于现有技术的特征,单独或与其它特征的组合,也应被视为申请人的进一步发明的独立描述,包括由这些特征所体现的结构和/或功能概念。因此,根据本发明的实施例的前述说明仅用于说明,而不是为了限制由所附请求保护范围及其等同物所限定的本发明。
Claims (15)
1.一种显示装置,包括:
信号处理器,所述信号处理器包括被配置为输出振荡信号的振荡器,所述信号处理器被配置为处理频率高于特定阈值的信号;
显示组件,所述显示组件被配置为显示视频;
基板,所述基板具有接地组件,所述信号处理器设置在所述基板上;和
导电壳体,所述导电壳体连接到所述接地组件的第一位置和与所述第一位置不同的第二位置,
所述第一位置和所述第二位置被配置于所述壳体的第一区域与所述壳体的第二区域的至少一部分重叠的位置,所述壳体的第一区域是离所述第一位置为所述振荡信号的1/4波长的奇数倍的距离的区域,所述壳体的第二区域是离所述第二位置为所述振荡信号的1/4波长的多数倍的距离的区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二位置位于所述接地组件上,并且
所述第二区域是所述壳体中离所述第二位置为所述振荡信号的波长的1/4的偶数倍的距离的位置。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第二位置位于所述接地组件外部,并且
所述第二区域是所述壳体中离所述第二位置为所述振荡信号的波长的1/4的奇数倍的距离的位置。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的显示装置,其中,
所述壳体连接到与所述接地组件的所述第一位置和所述第二位置不同的第三位置,
所述壳体具有和所述第一区域在两点处重叠的第三区域,
所述两点之间的距离X满足以下条件:
0<X≤λ/10
其中λ表示所述振荡信号的波长,并且,
所述两点位于以所述壳体的所述第二区域中的点为圆心,半径为λ/20的圆内。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的显示装置,其中,
所述壳体具有矩形上部和从所述上部的边缘延伸并且垂直于所述上部的侧部,
所述第一位置设置在从所述上部的短边缘延伸的侧部,并且
所述第二位置设置在从所述上部的长边延伸的侧部。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示装置,其中,
所述第一区域和所述第二区域各自包括多个区域。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的显示装置,其中,
所述第一位置和所述第二位置各自包括多个位置,以及
所述第二位置的位置数量等于或小于所述第一位置的位置数量。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述第一位置至少包含两个位置,并且
所述第二位置包括与至少两个所述第一区域重叠的第二区域。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的显示装置,其中,
所述第二位置设置在所述基板上远离所述壳体一个连接到所述壳体的延伸线的距离的特定位置。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,
所述壳体设置在所述基板的特定区域中,并且
所述第二位置设置在所述特定区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述延伸线是设置在所述基板上的线。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的显示装置,其中,
所述第一区域或所述第二区域包括根据所述振荡信号的波长的变化范围的区域。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的显示装置,还包括:
连接器,所述连接器连接有信号电缆并被设置于所述壳体,
所述第一个区域位于所述连接器附近。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的显示装置,其中,
所述第一位置包括第一特定第一位置和第二特定第一位置,
所述第一区域包括第一特定第一区域和第二特定第一区域,所述第一特定第一区域和所述第二特定第一区域在两个重叠点处重叠,并且
所述第一特定第一位置和所述第二特定第一位置设置在所述第一特定第一区域和所述第二特定第一区域的两个所述重叠点之间的距离等于或小于特定阈值的位置处。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的显示装置,其中,
所述振荡信号具有6-8GHz的振荡频率。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016171958A JP6915246B2 (ja) | 2016-09-02 | 2016-09-02 | 表示装置 |
JP2016171954A JP6848274B2 (ja) | 2016-09-02 | 2016-09-02 | 表示装置 |
JP2016-171958 | 2016-09-02 | ||
JP2016-171954 | 2016-09-02 | ||
CN201710787401.XA CN107835624B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710787401.XA Division CN107835624B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110072375A true CN110072375A (zh) | 2019-07-30 |
CN110072375B CN110072375B (zh) | 2021-01-08 |
Family
ID=59930162
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811595336.1A Active CN110072375B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 显示装置 |
CN201710787401.XA Active CN107835624B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 显示装置 |
CN202011098700.0A Active CN112040756B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 调谐器装置 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710787401.XA Active CN107835624B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 显示装置 |
CN202011098700.0A Active CN112040756B (zh) | 2016-09-02 | 2017-09-04 | 调谐器装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US10389966B2 (zh) |
EP (3) | EP3490169B1 (zh) |
CN (3) | CN110072375B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10389966B2 (en) * | 2016-09-02 | 2019-08-20 | Funai Electric Co., Ltd. | Display device |
CN113255087B (zh) * | 2021-05-21 | 2024-04-05 | 国家电网有限公司 | 基于三维接地模型提取接地计算模型的方法和装置及设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302923A (ja) * | 1991-09-30 | 1994-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
EP1076375B1 (de) * | 1999-08-11 | 2003-11-26 | FUBA Automotive GmbH & Co. KG | Diversityantenne für eine Diversityanlage in einem Fahrzeug |
JP2008288660A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 積層フィルタ |
CN102413672A (zh) * | 2006-05-25 | 2012-04-11 | 沈瑛泽 | 通用反电磁系统和方法 |
CN102696285A (zh) * | 2009-12-28 | 2012-09-26 | 索尼公司 | 调谐器模块和接收设备 |
CN102843898A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-12-26 | 精工爱普生株式会社 | 连接构造以及连接方法 |
CN105074917A (zh) * | 2013-03-11 | 2015-11-18 | 高通股份有限公司 | 用于射频多芯片集成电路封装的电磁干扰外壳 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4152671A (en) | 1977-07-25 | 1979-05-01 | Atari, Inc. | Oscillator-modulator apparatus and method therefor |
US5470259A (en) * | 1994-12-05 | 1995-11-28 | The Whitaker Corporation | Grounding shroud for surface mounted electrical connector |
JPH09260885A (ja) | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | ノイズ低減機構 |
JP3832108B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2006-10-11 | 株式会社富士通ゼネラル | プラズマディスプレイ装置 |
JP2000216508A (ja) * | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Alps Electric Co Ltd | 高周波電子機器 |
TWI307079B (en) * | 2005-12-16 | 2009-03-01 | Innolux Display Corp | Liquid crystal display panel and method of adjusting voltage of the liquid crystal display panel |
JP4780318B2 (ja) | 2006-04-28 | 2011-09-28 | 日本電気株式会社 | プリント基板搭載筐体解析システムと方法、これによるプリント基板搭載筐体構造、プログラムおよび記録媒体 |
JP2008203376A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置、並びに表示装置 |
US9985353B1 (en) * | 2013-09-30 | 2018-05-29 | Ethertronics, Inc. | Antenna system for metallized devices |
CN203748137U (zh) * | 2013-11-11 | 2014-07-30 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备 |
JP2015109551A (ja) | 2013-12-04 | 2015-06-11 | ソニー株式会社 | チューナ装置 |
EP3111737A4 (en) | 2014-01-08 | 2017-10-18 | Thomson Licensing | Dual-height rf tuner shield |
JP6262776B2 (ja) | 2014-02-04 | 2018-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
KR102288451B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 안테나 및 이를 구비한 전자 장치 |
JP6570106B2 (ja) | 2015-03-18 | 2019-09-04 | 株式会社平和 | 遊技機 |
JP6424115B2 (ja) | 2015-03-18 | 2018-11-14 | 株式会社ユニバーサルエンターテインメント | 遊技機 |
US10389966B2 (en) * | 2016-09-02 | 2019-08-20 | Funai Electric Co., Ltd. | Display device |
-
2017
- 2017-08-30 US US15/690,981 patent/US10389966B2/en active Active
- 2017-08-31 EP EP19150819.1A patent/EP3490169B1/en active Active
- 2017-08-31 EP EP20192172.3A patent/EP3761531B1/en active Active
- 2017-08-31 EP EP17188908.2A patent/EP3291465A1/en not_active Withdrawn
- 2017-09-04 CN CN201811595336.1A patent/CN110072375B/zh active Active
- 2017-09-04 CN CN201710787401.XA patent/CN107835624B/zh active Active
- 2017-09-04 CN CN202011098700.0A patent/CN112040756B/zh active Active
-
2019
- 2019-01-04 US US16/239,987 patent/US10681301B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-23 US US16/856,470 patent/US11102442B2/en active Active
-
2021
- 2021-08-23 US US17/408,929 patent/US11895431B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06302923A (ja) * | 1991-09-30 | 1994-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置 |
EP1076375B1 (de) * | 1999-08-11 | 2003-11-26 | FUBA Automotive GmbH & Co. KG | Diversityantenne für eine Diversityanlage in einem Fahrzeug |
CN102413672A (zh) * | 2006-05-25 | 2012-04-11 | 沈瑛泽 | 通用反电磁系统和方法 |
JP2008288660A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 積層フィルタ |
CN102696285A (zh) * | 2009-12-28 | 2012-09-26 | 索尼公司 | 调谐器模块和接收设备 |
CN102843898A (zh) * | 2011-06-22 | 2012-12-26 | 精工爱普生株式会社 | 连接构造以及连接方法 |
CN105074917A (zh) * | 2013-03-11 | 2015-11-18 | 高通股份有限公司 | 用于射频多芯片集成电路封装的电磁干扰外壳 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3761531B1 (en) | 2023-10-04 |
US11895431B2 (en) | 2024-02-06 |
US11102442B2 (en) | 2021-08-24 |
US20200260047A1 (en) | 2020-08-13 |
CN107835624B (zh) | 2020-11-06 |
CN112040756A (zh) | 2020-12-04 |
EP3761531A1 (en) | 2021-01-06 |
EP3761531C0 (en) | 2023-10-04 |
US20180070047A1 (en) | 2018-03-08 |
US10389966B2 (en) | 2019-08-20 |
US20190141277A1 (en) | 2019-05-09 |
CN107835624A (zh) | 2018-03-23 |
CN112040756B (zh) | 2023-03-28 |
CN110072375B (zh) | 2021-01-08 |
US20210385405A1 (en) | 2021-12-09 |
EP3291465A1 (en) | 2018-03-07 |
EP3490169B1 (en) | 2020-07-29 |
EP3490169A1 (en) | 2019-05-29 |
US10681301B2 (en) | 2020-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100313590B1 (ko) | 튜너의구조체및이를사용한케이블모뎀튜너 | |
US20210385405A1 (en) | Electronic device | |
US7046982B2 (en) | High frequency device having a frame with segmented compartments for prevented unwanted signal propagation | |
KR102369732B1 (ko) | 안테나 장치 | |
JP6848274B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6915246B2 (ja) | 表示装置 | |
US6707687B2 (en) | Connection structure for radio frequency circuit that exceeds in RF characteristics | |
US11462815B2 (en) | Electronic device and antenna module | |
JPH09232790A (ja) | プリント基板回路のシールド方法 | |
JPH0334073Y2 (zh) | ||
KR101077390B1 (ko) | 튜너 모듈 | |
DE102023208493A1 (de) | Elektronische vorrichtung mit leitfähigem an eine gedruckte schaltung gelöteten kontakt | |
WO2018061722A1 (ja) | アンテナ内蔵モジュール及び通信装置 | |
KR20130014984A (ko) | 튜너 모듈 | |
JP3982529B2 (ja) | 電子チューナ | |
JP2010283445A (ja) | 携帯端末機器 | |
JPH01266800A (ja) | 高周波電子機器 | |
JP2002135140A (ja) | 送受信機用フロントエンド | |
JPH0435305A (ja) | 受信コンバータ | |
JPH0456378A (ja) | 電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |