CN110061069A - 一种wlp器件封装产品 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 7
- SEEZIOZEUUMJME-FOWTUZBSSA-N cannabigerolic acid Chemical compound CCCCCC1=CC(O)=C(C\C=C(/C)CCC=C(C)C)C(O)=C1C(O)=O SEEZIOZEUUMJME-FOWTUZBSSA-N 0.000 claims description 6
- SEEZIOZEUUMJME-UHFFFAOYSA-N cannabinerolic acid Natural products CCCCCC1=CC(O)=C(CC=C(C)CCC=C(C)C)C(O)=C1C(O)=O SEEZIOZEUUMJME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种WLP器件封装产品，包括采用WLP封装技术对芯片进行封装获得的WLP器件和底板；其中，WLP器件贴合设置在底板上，WLP器件的引脚和底板的I/O接口电连接；还具有环绕WLP器件的侧边位置设置的保护部件，保护部件由WLP器件的窗口边缘部位延伸至底板的表面。本发明中直接将采用WLP技术获得的WLP器件封装在基板上，并在基板上设置保护部件，使得WLP器件的引脚以及WLP器件的外周部不直接暴漏在外，在一定程度上对WLP器件起到保护作用。且用户在对WLP器件进行二次开发时，可以直接对基板的I/O接口进行扩展即可，无需再对WLP器件引脚等进行焊接，为用户的后续使用提供便利。
Description
技术领域
本发明涉及微电子封装技术领域，特别是涉及一种WLP器件封装产品。
背景技术
晶圆级封装(WLP)是一种新型封装形式，晶圆级封装是将WLP器件晶圆与带腔体的窗口晶圆在精确对准的基础上进行键合，窗口晶圆上窗口数量和位置与FPA晶圆上WLP器件完全对应，键合时要求每一颗WLP器件与对应窗口对位准确，形成真空腔体。键合完成后将晶圆切割测试，产出WLP器件。晶圆级封装具有封装结构简单、体积小、成本低、真空寿命长等特点，MEMS行业封装形式已经开始向晶圆级封装转变。晶圆级封装批量生产后可大幅提升产能，降低器件成本。
晶圆级封装由于其特殊的封装形式决定了其WLP器件结构简单，但是WLP器件在出货运输过程中也易受到环境的干扰，使得其工作性能受到影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种WLP器件封装产品，解决了WLP器件在出货运输过程中易受到环境的干扰，使得其工作性能受到影响的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种WLP器件封装产品，包括采用WLP封装技术对芯片进行封装获得的WLP器件和底板；
其中，所述WLP器件贴合设置在所述底板上，所述WLP器件的引脚和所述底板的I/O接口电连接；
还具有环绕所述WLP器件的外周部设置的保护部件，所述保护部件由所述WLP器件的窗口边缘部位延伸至所述底板的表面。
其中，所述底板为陶瓷板、PCB板或管壳基板中的任意一种。
其中，所述WLP器件为红外探测器。
其中，所述红外探测器和所述底板之间通过LCC封装技术、插针封装技术、CBGA封装技术中任意一种封装方式进行封装连接。
其中，所述保护部件为塑胶材料环绕所述红外探测器注塑成型的部件。
其中，所述保护部件和所述红外探测器的窗口贴合的一端，突出于所述窗口表面0.1mm～2.0mm。
其中，所述保护部件表面设有防静电膜层。
本发明所提供的一种WLP器件封装产品，包括采用WLP封装技术对芯片进行封装获得的WLP器件和底板；其中，WLP器件贴合设置在底板上，WLP器件的引脚和底板的I/O接口电连接；还具有环绕WLP器件的侧边位置设置的保护部件，保护部件由WLP器件的窗口边缘部位延伸至底板的表面。本发明中直接将采用WLP技术获得的WLP器件封装在基板上，并在基板上设置保护部件，使得WLP器件的引脚以及WLP器件的外周部不直接暴漏在外，在一定程度上对WLP器件起到保护作用。且用户在对WLP器件进行二次开发时，可以直接对基板的I/O接口进行扩展即可，无需再对WLP器件引脚等进行焊接，为用户的后续使用提供便利。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为WLP器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图；
图3为本发明另一实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图；
图4为图2中WLP器件封装产品的剖面结构示意图；
图5为本发明另一实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1和图2所示，图1为WLP器件的结构示意图；图2为本发明实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图，该WLP器件可以包括：
采用WLP封装技术对芯片进行封装获得的WLP器件1和底板2；
具体地，该底板1可以是陶瓷板、PCB板或者管壳基板中的任意一种。
如图3所示，图3为本发明另一实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图，图2中所提供的底板为陶瓷板或PCB板，而图3中的底板则为管壳基板。
本发明中的底板并不仅限于上述几种类型的底板，也可以是其他材质或结构的底板，对此本发明中不做限定。
另外，该基于WLP封装技术获得的WLP器件1，具体可以是红外探测器。
其中，所述WLP器件1贴合设置在所述底板2上，所述WLP器件1的引脚和所述底板2的I/O接口电连接；
可选地，可以在WLP器件1和底板2之间可贴合设置导热铜片，或其他散热部件。
因为WLP器件1在工作时不可避免的会产生热量，使得WLP器件1温度升高，而WLP器件1温度升高会严重影响WLP器件1的工作性能。在WLP器件1和底板2之间设置导热性能较好的导热铜片，有利于WLP器件1散热，避免WLP器件1温度过高。
还具有环绕所述WLP器件1的外周部设置的保护部件3，所述保护部件3由所述WLP器件1的窗口边缘部位延伸至所述底板2的表面。
因为对于红外探测器而言，需要从窗口位置接收光信号，因此保护部件3需要将WLP器件1的窗口位置露出。
需要说明的是，因为WLP器件1在工作过程中，不可避免地会产生热量，使得该WLP器件1热涨冷缩，因此，如图4所示，图4为图2中的WLP器件封装产品的剖面结构示意图，对于保护部件3而言，可以和WLP器件1之间留有一定的间隙，避免WLP器件1膨胀后，和保护部件3之间产生挤压。
晶圆级封装(WLP)是以晶圆为封装处理对象，而非传统的封装系以单一WLP器件为加工对象。在进行WLP器件切割前已在晶圆上完成所有的封装测试动作，故几乎所有制作过程均在晶圆厂完成，而排除封装厂的传统制程。当一片晶圆从代工厂出来后，就直接在整片WLP器件上进行封装制程，最后切割下来时，一是一颗颗封装好的IC成品，在时间及成本上都很经济。
采用WLP封装技术获得的WLP器件尺寸均在纳米级，以符合目前各种WLP器件小型化的要求，通过该封装技术封装芯片，在很大程度上提高了芯片的集成度，结构更小，布局更紧凑。但即便如此，形成的IC成品，也存在各种的不足。后端用户在使用时也需要进行二次开发，而部分用户并不存在二次开发的能力和条件。并且IC成品的WLP器件在运输过程中，也会在一定程度上受到外界环境的影响。因此，采用WLP封装技术获得的具有一定功能的WLP器件，无论是在封装成型还是在运输使用过程中，对环境要求都较高。如过WLP器件受潮或碰撞都易损坏WLP器件影响其正常工作。
本发明中提供的WLP器件封装产品，将基于WLP封装技术获得的WLP器件1封装在底板2上，而该底板2上具有引脚和I/O接口，WLP器件1贴合设置在底板2上之后，WLP器件1的引脚和底板2的引脚之间电连接，而底板2的引脚和I/O接口之间是电连接的，使得WLP器件1的电信号可以基于I/O接口输入和输出。用户在后续使用该WLP器件1时，可以直接基于该I/O接口进行功能扩展，和其他功能的WLP器件1之间产生连接，使得各种不同功能的WLP器件1之间能够配合工作。
具体地，可以采用LCC封装技术、插针封装技术、CBGA封装技术中任意一种封装技术将WLP器件封装在底板上。具体采用哪一种封装方式，本发明中不做限定。
如图5所示，图5为本发明另一实施例提供的WLP器件封装产品的结构示意图，图5中WLP器件是采用CBGA封装技术进行封装，封装完成后，在底板2的背面具有金属球形阵列，可以便于在底板上扩展连接其他功能芯片。CBGA封装具有体积小巧、信号的衰减少、WLP器件的抗干扰和抗噪性能高的优势。本实施例扩展接口采用了CBGA的封装形式，以充分发挥WLP器件的性能优势。当WLP器件1需要投入使用时，只需通过金属球阵列将其他的功能芯片和该WLP器件1进行电连接，即可将其他的功能芯片和该WLP器件1之间进行配合使用，使得WLP器件的二次开发更为简单方便。
另外，还环绕WLP器件1设置有保护部件，在一定程度上可以隔绝外部环境中的湿气等干扰因素，且避免WLP器件1磨损碰撞而损坏。
可选地，在本发明的另一具体实施例中，还可以包括：
保护部件3为塑胶材料环绕WLP器件1注塑成型的部件。
具体地，可以采用液态的塑胶在WLP器件1的外周部硫化成型或注塑成型形成保护部件3，使得WLP器件1和外部环境相互隔绝，起到保护WLP器件1的目的。注塑保护是通过选用一款粘度和性能合适的胶/塑封料等，通过注塑的形式将薄弱的引线提供物理和电气保护，既可以保证键合引线在运输转移等条件下不会出现物料变形和损伤，还可以保护引线在不同的恶劣环境(高低温、湿热、酸碱等)中不会受到侵蚀。
可选地，在本发明的另一具体实施例中，还可以进一步地包括：
保护部件3和WLP器件1的窗口贴合的一端，突出于窗口表面0.1mm～2.0mm。
如图2所示，保护部件3的上端高于WLP器件1的窗口，在一定程度上可以避免窗口和周围环境中的物体直接发生碰撞，也能够在一定程度上保护WLP器件1不被损坏。且保护部件3高于窗口表面大概在1.0mm左右，具体地，可以是0.1mm、0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0μm、1.2mm、1.4mm、1.6mm、1.8mm、2.0mm。
可选地，在本发明的另一具体实施例中，还可以进一步地包括：
保护部件3表面设有防静电膜层。
对于WLP器件而言，对外界的工作环境要求较高，尤其是环境中产生的静电，会对WLP器件1产生不可逆的损伤，但是WLP器件1在生产、运输和使用过程中都不可避免的会产生静电。为此，本实施例中在保护壳体3上设置可导电的防静电膜层，能够有效消除WLP器件1上的静电，避免WLP器件1产生损伤。
另外，因为保护部件3是通过注塑成型的，可以直接在形成保护部件时，直接在保护部件的材料中添加导电材料，使得保护部件直接具有防静电的功能。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
Claims (7)
1.一种WLP器件封装产品，其特征在于，包括采用WLP封装技术对芯片进行封装获得的WLP器件和底板；
其中，所述WLP器件贴合设置在所述底板上，所述WLP器件的引脚和所述底板的I/O接口电连接；
还具有环绕所述WLP器件外周部设置的保护部件，所述保护部件由所述WLP器件的窗口边缘部位延伸至所述底板的表面。
2.如权利要求1所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述底板为陶瓷板、PCB板或管壳基板中的任意一种。
3.如权利要求1所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述WLP器件为红外探测器。
4.如权利要求3所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述红外探测器和所述底板之间通过LCC封装技术、插针封装技术、CBGA封装技术中任意一种封装方式进行封装连接。
5.如权利要求1至4任一项所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述保护部件为塑胶材料环绕所述红外探测器注塑成型的部件。
6.如权利要求5所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述保护部件和所述红外探测器的窗口贴合的一端，突出于所述窗口表面0.1mm～2.0mm。
7.如权利要求6所述的WLP器件封装产品，其特征在于，所述保护部件表面设有防静电膜层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910362791.5A CN110061069A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种wlp器件封装产品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910362791.5A CN110061069A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种wlp器件封装产品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110061069A true CN110061069A (zh) | 2019-07-26 |
Family
ID=67321948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910362791.5A Pending CN110061069A (zh) | 2019-04-30 | 2019-04-30 | 一种wlp器件封装产品 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN110061069A (zh) |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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