CN110047796A - 承载盘 - Google Patents

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Abstract

一种承载盘，包含承载顶面，及挡液环面。承载顶面具有环形外端缘。挡液环面环绕于所述承载顶面外周围并具有环形上端缘，所述环形上端缘沿纵向的高度低于所述环形外端缘的高度且两者相间隔第一距离，所述环形上端缘沿垂直于所述纵向的横向位于所述环形外端缘外侧且两者相间隔第二距离，所述承载盘界定出位于所述环形外端缘与所述环形上端缘之间且环绕于所述承载顶面外周围的环形凹槽。借由挡液环面及环形凹槽的设计，能防止处理液或清洗液渗流入承载顶面与基板的背面之间并且附着于背面上。

Description

承载盘
技术领域
本发明涉及一种承载盘，特别是涉及一种用以承载基板并能带动其旋转的承载盘。
背景技术
现有用以对例如为晶圆的基板进行加工处理的处理设备包括有一承载盘，及一围绕设置于承载盘外周围的外罩。当处理设备对基板进行加工处理时，承载盘吸附于基板的一背面并带动基板旋转，同时，处理设备会供应处理液至旋转的基板上。
在前述加工过程中，处理液会因基板的旋转而向外飞散至外罩处。在承载盘带动基板高速旋转的运作环境下，飞散至外罩的处理液容易被外罩反弹回基板下方及承载盘的一外周面处，此时处理液易渗流入承载盘顶面与基板的背面之间进而附着在基板的背面。如此一来，前述渗流入承载盘与基板之间且附着在基板的背面的处理液便无法被冲洗喷嘴所喷出的清洗液所清洗掉，导致经由处理设备处理完成并且输出的基板会残留有一圈的处理液痕迹。
发明内容
因此，本发明的一目的，在于提供一种承载盘，能防止制程中处理液或清洗液渗流入承载顶面与基板的背面之间。
本发明的目的及解决背景技术问题是采用于下技术方案来实现的，依据本发明提出的承载盘包含承载顶面，及挡液环面，所述承载顶面具有环形外端缘，所述挡液环面环绕于所述承载顶面外周围并具有环形上端缘，所述环形上端缘沿纵向的高度低于所述环形外端缘的高度且两者相间隔第一距离，所述环形上端缘沿垂直于所述纵向的横向位于所述环形外端缘外侧且两者相间隔第二距离，所述承载盘界定出位于所述环形外端缘与所述环形上端缘之间且环绕于所述承载顶面外周围的环形凹槽。
在一些实施态样中，承载盘还界定出与所述环形凹槽相连通的排液流道。
在一些实施态样中，所述挡液环面还具有由所述环形上端缘朝下并朝外倾斜延伸的锥形面部。
在一些实施态样中，承载盘包含盘体，及设置于所述盘体外周围的挡液环，所述盘体具有所述承载顶面，所述挡液环具有所述挡液环面，所述盘体与所述挡液环共同界定出所述环形凹槽。
在一些实施态样中，所述盘体与所述挡液环还共同界定出与所述环形凹槽相连通的排液流道。
在一些实施态样中，所述盘体包括顶壁，及围绕壁，所述顶壁具有所述承载顶面，及由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，所述围绕壁由所述外周面底端朝下凸伸，所述挡液环具有底壁，及外周壁，所述底壁一体成型地由所述围绕壁径向朝外凸伸，所述外周壁由所述底壁外周缘朝上凸伸并与所述围绕壁相间隔且具有所述挡液环面，所述排液流道具有由所述围绕壁、所述底壁及所述外周壁共同界定出并与所述环形凹槽相连通的环形进液槽，及多个由所述挡液环面朝内凹陷并与所述环形进液槽相连通的排液孔。
在一些实施态样中，所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面，所述围绕壁具有围绕面，及由所述外周面底端径向朝外延伸且连接所述围绕面顶端的肩面。
在一些实施态样中，所述盘体包括顶壁、围绕壁，及承托壁，所述顶壁具有所述承载顶面，及由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，所述围绕壁由所述外周面底端朝下凸伸，所述承托壁由所述围绕壁径向朝外凸伸并呈环形状，所述挡液环具有下壁，及外周壁，所述下壁抵接于所述承托壁上，所述外周壁由所述下壁外周缘朝上凸伸并与所述围绕壁相间隔且具有所述挡液环面，所述排液流道具有由所述围绕壁、所述下壁及所述外周壁共同界定出并与所述环形凹槽相连通的环形进液槽，及多个由所述挡液环面朝内凹陷并与所述环形进液槽相连通的排液孔。
在一些实施态样中，所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面，所述围绕壁具有围绕面，及由所述外周面底端径向朝外延伸且连接所述围绕面顶端的肩面，所述承托壁由所述围绕面邻近底端处径向朝外凸伸。
在一些实施态样中，承载盘还包含用以将所述挡液环锁定于所述盘体的锁定单元。
在一些实施态样中，所述承托壁形成有多个定位孔，所述下壁形成有多个分别与所述定位孔相连通的穿孔，所述锁定单元包括多个锁定件，所述锁定件穿设于对应的穿孔并且固定地结合于对应的所述定位孔。
在一些实施态样中，所述盘体还包括多个设置于所述承托壁的第一定位部，所述挡液环还具有多个设置于所述下壁的第二定位部，所述第一定位部为凸柱或卡孔其中之一，而所述第二定位部为所述凸柱或所述卡孔其中另一，所述第一定位部卡掣于对应的所述第二定位部。
在一些实施态样中，承载盘还包含由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，及连接于所述外周面底端与所述环形上端缘之间的肩面，所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面。
在一些实施态样中，所述第一距离的大小是大于0毫米且小于或等于0.7毫米范围之间的任一数值。
在一些实施态样中，所述第一距离为0.3毫米。
在一些实施态样中，所述第二距离的大小是5毫米至15毫米范围之间的任一数值。
本发明的目的及解决背景技术问题是采用于下技术方案来实现的，依据本发明提出的承载盘包含承载顶面、多个吸附沟槽，及挡液环面，所述承载顶面具有环形外端缘，所述吸附沟槽形成于所述承载顶面，所述挡液环面环绕于所述承载顶面外周围并具有环形上端缘，所述环形上端缘沿纵向的高度低于所述环形外端缘的高度且两者相间隔第一距离，所述环形上端缘沿垂直于所述纵向的横向位于所述环形外端缘外侧且两者相间隔第二距离，所述承载盘界定出位于所述环形外端缘与所述环形上端缘之间且环绕于所述承载顶面外周围的环形凹槽。
本发明的有益效果在于：借由挡液环面及环形凹槽的设计，能防止制程中处理液或清洗液渗流入承载顶面与基板的背面之间并且附着于背面上。
附图说明
图1是本发明承载盘的第一实施例设置于一处理设备的一外罩内的一俯视图；
图2是沿图1中的II－II线所截取的一剖视图，说明一盘体与一挡液环之间的组装关系；
图3是沿图1中的III－III线所截取的一剖视图，说明一锁定件将所述挡液环的一下壁与所述盘体的一承托壁锁固在一起；
图4是所述第一实施例与所述处理设备的一不完整剖视图，说明多根升降杆位在一抬升位置；
图5是类似于图4的一不完整剖视图，说明所述升降杆下移至一初始位置，以将一基板放置于一承载顶面；
图6是类似于图4的一不完整剖视图，说明一承载盘带动所述基板旋转，且一喷涂机构的一喷嘴喷出处理液至所述基板的一正面；
图7是类似于图4的一不完整剖视图，说明一冲洗喷嘴喷出一清洗液冲洗所述基板的一背面；
图8是本发明承载盘的第二实施例的一不完整剖视图，说明所述盘体的一第一定位部为一凸柱，所述挡液环的一第二定位部为一卡孔；
图9是本发明承载盘的第三实施例的一不完整剖视图，说明所述盘体的所述第一定位部为一卡孔，所述挡液环的所述第二定位部为一凸柱；
图10是本发明承载盘的第四实施例的一不完整剖视图；及
图11是本发明承载盘的第五实施例的一不完整剖视图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
在本发明被详细描述之前，应当注意在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图1及图2，是本发明承载盘2的第一实施例，承载盘2应用于一处理设备1中，处理设备1用以对一基板3(如图4所示)进行加工处理。承载盘2设置于处理设备1的一外罩11内用以吸附基板3并带动其旋转。本实施例的处理设备1是以半导体制程中的处理设备为例，基板3是以半导体晶圆为例。当然，基板3也可以是液晶显示设备的玻璃基板或者是太阳能基板。
承载盘2包含一转轴21、一盘体22，及一挡液环23。转轴21沿一纵向Z延伸，转轴21连接于一马达12的一传动轴121(如图4所示)顶端，马达12可通过传动轴121带动承载盘2的转轴21旋转。盘体22形成于转轴21顶端并包括一顶壁220、一围绕壁221，及一承托壁222。顶壁220具有一用以承载基板3并呈圆形的承载顶面223，及一外周面224。承载顶面223平行于一垂直纵向Z的横向X并具有一环形外端缘225。外周面224为一由环形外端缘225朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面。围绕壁221是由顶壁220的外周面224底端朝下凸伸并具有一围绕面226，及一由外周面224底端径向朝外延伸且连接围绕面226顶端的肩面227。承托壁222是由围绕壁221的围绕面226邻近底端处径向朝外凸伸并呈环形状。
盘体22还包括多个形成于承载顶面223的吸附沟槽228。借由吸附沟槽228所产生的吸力吸附基板3，使得基板3能稳固地定位在承载顶面223。
挡液环23套设于盘体22的围绕壁221并具有一下壁231，及一外周壁232。下壁231呈环形且抵接于承托壁222上而被承托壁222所承托。外周壁232由下壁231外周缘朝上凸伸并与围绕面226相间隔，外周壁232具有一挡液环面233。挡液环面233环绕于承载顶面223外周围并具有一环形上端缘234、一由环形上端缘234朝下并朝外倾斜延伸的锥形面部235，及一由锥形面部235朝下延伸的立面部236。
挡液环面233的环形上端缘234沿纵向Z的高度低于环形外端缘225的高度且两者相间隔一第一距离D1，而环形上端缘234沿横向X位于环形外端缘225外侧且两者相间隔一第二距离D2。第一距离D1的大小是大于0毫米(mm)且小于或等于0.7毫米(mm)范围之间的任一数值，而第二距离D2的大小是5毫米(mm)至15毫米(mm)范围之间的任一数值。具体而言，在本实施例中，第一距离D1为0.3毫米(mm)。第二距离D2可视实际设计需求选择前述范围内的数值，只要能使环形上端缘234能够间隔位于基板3的一外周缘32(如图4所示)与环形外端缘225之间且位在背面31下方即可。
借由环形上端缘234沿纵向Z的高度低于环形外端缘225的高度且两者相间隔第一距离D1，以及环形上端缘234沿横向X位于环形外端缘225外侧且两者相间隔第二距离D2，使得盘体22的外周面224、肩面227及挡液环23顶端能共同界定出一位于环形上端缘234与环形外端缘225之间且环绕于承载顶面223外周围的环形凹槽24。
承载盘2的盘体22及挡液环23共同界定出一与环形凹槽24相连通的排液流道237。排液流道237具有一由围绕面226、下壁231及外周壁232共同界定出并与环形凹槽24相连通的环形进液槽238，及多个由挡液环面233的立面部236朝内凹陷并与环形进液槽238相连通的排液孔239。
参阅图1及图3，承载盘2还包含一用以将挡液环23锁定于盘体22的锁定单元25。承托壁222形成有多个彼此相间隔的定位孔229，下壁231形成有多个分别与所述定位孔229相连通的穿孔240。锁定单元25包括多个锁定件251，各锁定件251穿设于对应的穿孔240并且固定地结合于对应的定位孔229，借此，使挡液环23能稳固地定位在盘体22上。具体而言，本实施例的各定位孔229为一螺孔，而各锁定件251为一螺接于对应的定位孔229的螺栓。在其他的实施方式中，各定位孔229也可为一卡孔，而各锁定件251也可为一卡掣于对应的定位孔229内的定位销。
参阅图4及图5，当处理设备1欲对基板3进行加工处理时，处理设备1的一升降机构13的多根升降杆131会由一初始位置(如图5所示)上升至一抬升位置(如图4所示)。此时，各升降杆131顶端的高度高于承载顶面223的高度。接着，一机械手臂(图未示)会将基板3放置于各升降杆131顶端，使各升降杆131顶端抵接于基板3的一背面31。随后，所述升降杆131会带动基板3朝下移动。当基板3的背面31被承载盘2的承载顶面223阻挡时便无法继续下移，此时，基板3被放置在承载顶面223。紧接着，所述升降杆131顶端向下移离基板3的背面31并且移动至初始位置。
参阅图2、图5及图6，当所述升降杆131移动至初始位置时，吸附沟槽228会产生吸力吸附基板3的背面31，使基板3能稳固地定位在承载顶面223上。随后，马达12(如图4所示)会带动承载盘2沿一旋转方向R旋转，承载盘2旋转过程中会同时带动基板3转动。接着，处理设备1的一喷涂机构14的一喷嘴141会移动至基板3中心正上方的位置，喷嘴141会对基板3的一正面33喷出一例如为化学药液的处理液142。当承载盘2带动基板3沿旋转方向R高速旋转时，喷流至正面33的处理液142会由正面33中心沿箭头所示朝外周缘32方向快速飞散。经由基板3的外周缘32向外飞散出的处理液142会冲击到外罩11的一内表面111，内表面111会将处理液142反弹回基板3以及基板3下方的区域，进而在基板3外周围及下方的区域产生乱流。
反弹回基板3下方区域的大部分处理液142的液滴会借由乱流朝挡液环23的挡液环面233方向流动，而可能有少部分处理液142的液滴会借由乱流朝环形凹槽24方向流动。挡液环23的挡液环面233会阻挡大部分处理液142的液滴，以防止前述处理液142的液滴渗流入承载顶面223与基板3的背面31之间。由于承载盘2沿旋转方向R旋转时会产生离心力，因此，当附着在挡液环面233上的处理液142的液滴汇聚成较大颗的液滴时便会被挡液环23向外甩出。
挡液环面233的环形上端缘234沿纵向Z与环形外端缘225相间隔第一距离D1，也就是说，环形上端缘234沿纵向Z也同时与基板3的背面31相间隔第一距离D1。由于本实施例的第一距离D1仅为0.3毫米(mm)，因此，环形上端缘234与背面31之间的间距很小。此外，借由挡液环面233的锥形面部235设计，能使环形上端缘234与外周缘32之间的距离较长，以及使环形上端缘234与外罩11的内表面111之间的距离较长。借由前述两种设计方式，能降低处理液142的液滴渗流入环形凹槽24内的机率。
又，由于第一距离D1仅为0.3毫米，即使处理液142的液滴渗流入环形上端缘234与背面31之间时，处理液142的液滴与外周壁232顶端及背面31之间的附着力易使得液滴附着在外周壁232顶端与背面31之间。借此，能避免处理液142的液滴快速流入环形凹槽24内。倘若处理液142的液滴朝环形凹槽24内侧方向流动的力量大于处理液142的液滴与外周壁232顶端及背面31之间的附着力时，液滴会朝环形凹槽24内侧方向流动。由于排液流道237的环形进液槽238顶端与环形凹槽24相连通，且挡液环面233的锥形面部235设计缩短了环形上端缘234与环形进液槽238之间的距离，因此，处理液142的液滴沿外周壁232顶端向内移动一小段距离后便会流入环形进液槽238内。由于承载盘2沿旋转方向R旋转时所产生离心力关系，使得处理液142的液滴会沿着外周壁232的一内壁面241往下流动。当处理液142的液滴向下流动至对齐于排液孔239的位置时，处理液142的液滴便会经由排液孔239排出至挡液环23外部。
另一方面，由于环形上端缘234沿横向X与环形外端缘225相间隔第二距离D2，因此，就算处理液142的液滴沿外周壁232顶端向内移动的距离长短不一，也能确保处理液142的液滴在环形凹槽24内移动过程中能流入环形进液槽238内。再者，借由顶壁220的外周面224为倒锥面的设计方式，能降低处理液142的雾化状液滴附着在环形外端缘225与背面31之间的机率。借由承载盘2的前述结构设计，能确实防止处理液142渗流入承载顶面223与基板3的背面31之间。
参阅图7，当喷涂机构14(如图6所示)的喷涂作业完成后，基板3的背面31会残留有处理液142。处理设备1的一冲洗喷嘴15会在挡液环23的环形上端缘234与基板3的背面31的切齐处喷出一例如为去离子水(Deionized Water,DIW)的清洗液151，以冲洗环形上端缘234与基板3的背面31的切齐处。冲洗喷嘴15在喷清洗液151的过程中，承载盘2是保持着带动基板3旋转的状态，因此，喷至基板3的背面31的清洗液151会因离心力关系向外飞散并同时将残留在背面31的处理液142带走，借此达到清洗基板3的背面31并使背面31洁净的效果。
由于冲洗喷嘴15所喷出的清洗液151具有一定的冲力，因此，部分清洗液151会渗流入环形凹槽24内。由于环形上端缘234沿横向X与环形外端缘225相间隔第二距离D2，因此，清洗液151渗流入环形凹槽24内时，也能确保清洗液151在环形凹槽24内移动过程中能流入环形进液槽238内并且经由排液孔239排出至挡液环23外部。借由本实施例承载盘2的结构设计，能防止处理液142或清洗液151渗流入承载顶面223与基板3的背面31之间，因此，能避免经由处理设备1处理完成并且输出的基板3残留一圈处理液142痕迹。
参阅图8，是本发明承载盘2的第二实施例，其作动方式大致与第一实施例相同，不同处在于盘体22与挡液环23之间的锁定方式。
在本实施例中，盘体22还包括多个设置于承托壁222的第一定位部230，各第一定位部230为一凸设于承托壁222顶端的凸柱。挡液环23还具有多个设置于下壁231的第二定位部242，各第二定位部242为一贯穿下壁231的卡孔。各第一定位部230卡掣于对应的第二定位部242内，借此，使得挡液环23能稳固地定位在盘体22上。
参阅图9，是本发明承载盘2的第三实施例，其整体结构大致与第二实施例相同，不同处在于盘体22的各第一定位部230及挡液环23的各第二定位部242的形式。
在本实施例中，各第一定位部230为一形成于承托壁222顶端的卡孔，各第二定位部242为一凸设于下壁231底端的凸柱。各第二定位部242卡掣于对应的第一定位部230内，借此，使得挡液环23能稳固地定位在盘体22上。
参阅图10，是本发明承载盘2的第四实施例，其作动方式大致与第一实施例相同，不同处在于承载盘2的结构。
在本实施例中，挡液环23具有一底壁243，底壁243一体成型地由围绕壁221的围绕面226径向朝外凸伸。外周壁232由底壁243外周缘朝上凸伸并与围绕壁221相间隔。围绕壁221、底壁243及外周壁232共同界定出排液流道237的环形进液槽238。本实施例的承载盘2结构与第一实施例相较下能省略如图1的锁定单元25，借此，除了能节省采用锁定单元25所需的成本之外，还能节省通过锁定单元25将盘体22与挡液环23组装在一起的组装工时。
参阅图11，是本发明承载盘2的第五实施例，其作动方式大致与第一、四实施例相同，但本实施例的承载盘2结构与第四实施例的承载盘2结构有所不同。
本实施例的承载盘2省略了图10所示的排液流道237的环形进液槽238及排液孔239结构，且肩面227连接于外周面224底端与环形上端缘234之间。本实施例的承载盘2结构与第四实施例相较下能降低结构设计复杂度，并能节省制造成本。
归纳上述，各实施例的承载盘2，借由挡液环面233及环形凹槽24的设计，能防止处理液142或清洗液151渗流入承载顶面223与基板3的背面31之间并且附着于背面31上，确实能达到本发明所诉求的目的。

Claims (20)

1.一种承载盘；其特征在于：
所述承载盘包含承载顶面，及挡液环面，所述承载顶面具有环形外端缘，所述挡液环面环绕于所述承载顶面外周围并具有环形上端缘，所述环形上端缘沿纵向的高度低于所述环形外端缘的高度且两者相间隔第一距离，所述环形上端缘沿垂直于所述纵向的横向位于所述环形外端缘外侧且两者相间隔第二距离，所述承载盘界定出位于所述环形外端缘与所述环形上端缘之间且环绕于所述承载顶面外周围的环形凹槽。
2.根据权利要求1所述的承载盘，其特征在于：还界定出与所述环形凹槽相连通的排液流道。
3.根据权利要求1所述的承载盘，其特征在于：所述挡液环面还具有由所述环形上端缘朝下并朝外倾斜延伸的锥形面部。
4.根据权利要求2所述的承载盘，其特征在于：所述挡液环面还具有由所述环形上端缘朝下并朝外倾斜延伸的锥形面部。
5.根据权利要求1所述的承载盘，其特征在于：包含盘体，及设置于所述盘体外周围的挡液环，所述盘体具有所述承载顶面，所述挡液环具有所述挡液环面，所述盘体与所述挡液环共同界定出所述环形凹槽。
6.根据权利要求5所述的承载盘，其特征在于：所述盘体与所述挡液环还共同界定出与所述环形凹槽相连通的排液流道。
7.根据权利要求6所述的承载盘，其特征在于：所述挡液环面还具有由所述环形上端缘朝下并朝外倾斜延伸的锥形面部。
8.根据权利要求7所述的承载盘，其特征在于：所述盘体包括顶壁，及围绕壁，所述顶壁具有所述承载顶面，及由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，所述围绕壁由所述外周面底端朝下凸伸，所述挡液环具有底壁，及外周壁，所述底壁一体成型地由所述围绕壁径向朝外凸伸，所述外周壁由所述底壁外周缘朝上凸伸并与所述围绕壁相间隔且具有所述挡液环面，所述排液流道具有由所述围绕壁、所述底壁及所述外周壁共同界定出并与所述环形凹槽相连通的环形进液槽，及多个由所述挡液环面朝内凹陷并与所述环形进液槽相连通的排液孔。
9.根据权利要求8所述的承载盘，其特征在于：所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面，所述围绕壁具有围绕面，及由所述外周面底端径向朝外延伸且连接所述围绕面顶端的肩面。
10.根据权利要求7所述的承载盘，其特征在于：所述盘体包括顶壁、围绕壁，及承托壁，所述顶壁具有所述承载顶面，及由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，所述围绕壁由所述外周面底端朝下凸伸，所述承托壁由所述围绕壁径向朝外凸伸并呈环形状，所述挡液环具有下壁，及外周壁，所述下壁抵接于所述承托壁上，所述外周壁由所述下壁外周缘朝上凸伸并与所述围绕壁相间隔且具有所述挡液环面，所述排液流道具有由所述围绕壁、所述下壁及所述外周壁共同界定出并与所述环形凹槽相连通的环形进液槽，及多个由所述挡液环面朝内凹陷并与所述环形进液槽相连通的排液孔。
11.根据权利要求10所述的承载盘，其特征在于：所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面，所述围绕壁具有围绕面，及由所述外周面底端径向朝外延伸且连接所述围绕面顶端的肩面，所述承托壁由所述围绕面邻近底端处径向朝外凸伸。
12.根据权利要求10所述的承载盘，其特征在于：还包含用以将所述挡液环锁定于所述盘体的锁定单元。
13.根据权利要求12所述的承载盘，其特征在于：所述承托壁形成有多个定位孔，所述下壁形成有多个分别与所述定位孔相连通的穿孔，所述锁定单元包括多个锁定件，所述锁定件穿设于对应的穿孔并且固定地结合于对应的所述定位孔。
14.根据权利要求10所述的承载盘，其特征在于：所述盘体还包括多个设置于所述承托壁的第一定位部，所述挡液环还具有多个设置于所述下壁的第二定位部，所述第一定位部为凸柱或卡孔其中之一，而所述第二定位部为所述凸柱或所述卡孔其中另一，所述第一定位部卡掣于对应的所述第二定位部。
15.根据权利要求3所述的承载盘，其特征在于：还包含由所述环形外端缘朝下延伸的外周面，及连接于所述外周面底端与所述环形上端缘之间的肩面，所述外周面为由所述环形外端缘朝下并朝内倾斜延伸的倒锥面。
16.根据权利要求1至15其中任一项所述的承载盘，其特征在于：所述第一距离的大小是大于0毫米且小于或等于0.7毫米范围之间的任一数值。
17.根据权利要求16所述的承载盘，其特征在于：所述第一距离为0.3毫米。
18.根据权利要求16所述的承载盘，其特征在于：所述第二距离的大小是5毫米至15毫米范围之间的任一数值。
19.根据权利要求1至15其中任一权利要求所述的承载盘，其特征在于：所述第二距离的大小是5毫米至15毫米范围之间的任一数值。
20.一种承载盘；其特征在于：
所述承载盘包含承载顶面、多个吸附沟槽，及挡液环面，所述承载顶面具有环形外端缘，所述吸附沟槽形成于所述承载顶面，所述挡液环面环绕于所述承载顶面外周围并具有环形上端缘，所述环形上端缘沿纵向的高度低于所述环形外端缘的高度且两者相间隔第一距离，所述环形上端缘沿垂直于所述纵向的横向位于所述环形外端缘外侧且两者相间隔第二距离，所述承载盘界定出位于所述环形外端缘与所述环形上端缘之间且环绕于所述承载顶面外周围的环形凹槽。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100426483C (zh) * 2005-09-01 2008-10-15 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法和涂布、显影装置
CN202307847U (zh) * 2011-10-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 一种真空吸盘装置
US20120301612A1 (en) * 2008-05-14 2012-11-29 Tokyo Electron Limited Coating method
CN104051305A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN205723489U (zh) * 2016-07-12 2016-11-23 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 一种用于夹持晶圆的卡盘
CN106181752A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 应用材料公司 内表面具有特征结构的保持环
JP6108051B1 (ja) * 2015-09-25 2017-04-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN107204303A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN107466423A (zh) * 2015-04-16 2017-12-12 瓦里安半导体设备公司 混合热静电卡钳

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100426483C (zh) * 2005-09-01 2008-10-15 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法和涂布、显影装置
US20120301612A1 (en) * 2008-05-14 2012-11-29 Tokyo Electron Limited Coating method
CN202307847U (zh) * 2011-10-27 2012-07-04 无锡华润上华科技有限公司 一种真空吸盘装置
CN104051305A (zh) * 2013-03-15 2014-09-17 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置
CN107466423A (zh) * 2015-04-16 2017-12-12 瓦里安半导体设备公司 混合热静电卡钳
CN106181752A (zh) * 2015-05-29 2016-12-07 应用材料公司 内表面具有特征结构的保持环
JP6108051B1 (ja) * 2015-09-25 2017-04-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
CN107204303A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 株式会社斯库林集团 基板处理装置
CN205723489U (zh) * 2016-07-12 2016-11-23 吉姆西半导体科技（无锡）有限公司 一种用于夹持晶圆的卡盘

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