CN110036450B - 导电性接合材料及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可在低加压下形成孔隙率非常低的接合层、并具有高的接合强度及热传导性的导电性接合材料。本发明涉及这样的导电性接合材料，其包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，并且用于在加压下对芯片和被粘体进行接合，上述银颗粒和上述银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30，且在大气中、在10MPa、280℃下对上述芯片和上述被粘体加压接合5分钟后的导电性接合材料的孔隙率为15％以下。

Description

导电性接合材料及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及导电性接合材料、以及使用了上述导电性接合材料的半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体装置中，使用了具有导电性的粘接/接合材料作为用于粘接/接合半导体芯片的芯片贴装材料。由于具有高的电传导性和抗氧化性，银粉通常用作导电性粘接/接合材料，并且已经对含有银粉的粘接剂以及通过烧结而接合的浆料状接合材料进行了许多报道。
例如，专利文献1报道了由银、氧化银以及具有还原该氧化银的性质的有机化合物构成的导电性浆料以减少银微粒彼此之间的接触电阻。
另外，专利文献2公开了一种导电性接合材料，其包括合计为99.0～100重量％的、银颗粒、氧化银颗粒以及包含由30个以下的碳原子构成的有机物质的分散剂。通过使用平均粒径为0.1～100μm的银粉和氧化银粉末，该导电性接合材料能够使接合部在更低温度下进行金属接合。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2005-267900号公报
专利文献2：日本特开2010-257880号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，专利文献1中所记载的导电性浆料与具有还原性的有机化合物剧烈反应，并且该化合物的分解气体以及由银化合物的还原所产生的氧气大量产生，从而在所得的导电性浆料中形成了不规则空隙，其成为应力集中点，使得导电性浆料容易破裂，并且还存在着处理上的危险性。
此外，由于专利文献2中所记载的导电性接合材料在不施加压力的情况下接合，因此接合后的层间为多孔状、孔隙率高，在200℃以上的高温老化中发生过烧结，可观察到接合层变得疏松这样的现象，耐热性不充分。
尽管存在为了降低该孔隙率而通过施加非常高的压力来降低接合层的孔隙率的方法，但是这种情况下施加的压力高达30MPa以上，这可能会导致元件的损坏。
因此，本发明的目的在于提供一种能够在低加压下形成孔隙率非常低的接合层、且具有高的接合强度及热传导性的导电性接合材料。
解决课题的手段
本发明人进行了深入的研究，结果是发现：在用于在加压下接合芯片和被粘体的导电性接合材料中，通过将银颗粒和银化合物颗粒的重量比设为特定范围，可在相比于以往的加压方式的接合为更低的压力下形成孔隙率非常低的接合层，由此完成了本发明。
即，本发明如下所述。
[1]一种导电性接合材料，其包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，并且用于在加压下对芯片和被粘体进行接合，
所述银化合物颗粒是通过加热而至少分解为银和氧化性物质的化合物颗粒，
所述银颗粒和所述银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30，且
在大气中、在10MPa、280℃下对所述芯片和所述被粘体进行5分钟加压接合后，导电性接合材料的孔隙率为15％以下。
[2]根据上述[1]所述的导电性接合材料，其中，所述孔隙率为5％以下。
[3]根据上述[1]或[2]所述的导电性接合材料，其中，所述银颗粒为平均粒径0.1～30μm、振实密度3g/cc以上的球状，或者为纵横比1.0～100、平均粒径0.1～10μm、且振实密度3g/cc以上的鳞片状。
[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的导电性接合材料，其中，所述银化合物颗粒和所述分散剂的重量比为100:0.5～100:50。
[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的导电性接合材料，其进一步包含溶剂。
[6]根据上述[1]～[5]中任一项所述的导电性接合材料，所述分散剂是选自由醇类、羧酸类及胺类所组成的组中的至少一种化合物。
[7]一种半导体装置的制造方法，其包括经由导电性接合材料来对芯片和被粘体进行接合的步骤，
所述导电性接合材料包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，所述银颗粒和所述银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30，
在所述接合的步骤中，在4～30MPa、200～350℃下进行1～30分钟的加压处理，且
所述接合的步骤后的导电性接合材料的孔隙率为10％以下。
发明的效果
根据本发明的导电性接合材料，通过在加热加压下进行烧结，从而使接合层的孔隙率降低，并且接近于块体(金属结合体)。因此，在具有高的接合强度的同时，还能够实现高的热传导性。通过高的热传导性，根据本发明的导电性接合材料的散热性优异。
附图简要说明
[图1]图1是在大气中、在10MPa、280℃下对实施例1的导电性接合材料进行5分钟加压接合后的SEM照片的附图替代照片。
[图2]图2是在大气中、在10MPa、280℃下对比较例1的导电性接合材料进行5分钟加压接合后的SEM照片的附图替代照片。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明不限于以下的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以任意地进行变形来实施。另外，在本说明书中，所使用的表示数值范围的“～”指的是包括在其之前和之后所记载的数值作为下限值及上限值。
<导电性接合材料>
根据本发明的导电性接合材料包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，并且是用于在加压下对芯片和被粘体进行接合的导电性接合材料，其特征在于：上述银颗粒和上述银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30，且在大气中、在10MPa、280℃下对上述芯片和上述被粘体进行5分钟加压接合后，导电性接合材料的孔隙率为15％以下。
(银颗粒、银化合物颗粒)
本发明中的银颗粒同时具有导电性和接合特性。银的熔点为约960℃，但在本发明中，通过组合使用银化合物颗粒和分散剂，从而在200～300℃这样的低温下进行烧结，在与被粘体的界面处，可通过金属结合来进行接合。
银颗粒的形状没有特别的限定，但优选为平均粒径0.1～30μm、振实密度3g/cc以上的球状，或者优选为纵横比1.0～100、平均粒径0.1～10μm、且振实密度3g/cc以上的鳞片状。
在银颗粒为球状的情况下，当平均粒径为30μm以下时，可以容易地除去覆盖银颗粒的分散剂并且烧结性提高，因而是优选的。当平均粒径小于0.1μm时，在生产率和成本方面可能是不利的，另外也不适用于在烧结时收缩率大的大芯片。当银颗粒是球状时，此时的平均粒径更优选为0.3～10μm。需要说明的是，平均粒径指的是通过激光衍射进行测定时的体积积分50％直径D50的粒径。
当球状银颗粒的振实密度为3g/cc以上时，从降低加热前的孔隙率的观点而言是优选的，振实密度更优选为4.5g/cc以上。另外，振实密度的上限通常为8g/cc以下。振实密度指的是将银颗粒放入容器中并轻敲500次时的密度。
需要说明的是，银颗粒为球状并不限于真正的球形形状，只要不具有尖锐的突起，则也可包括略微变形的球状。例如，即使是椭圆球状或多面体，只要能够近似于球体，则也包括在球状中。对于是否为球状的判断，只要通过扫描电子显微镜观察测得的纵横比为0.95～1.05即可。
在银颗粒为鳞片状的情况下，通过纵横比为1.0～100、平均粒径为0.1～10μm且振实密度为3g/cc以上，从降低加热前的孔隙率的观点而言是优选的。纵横比更优选为1.0～5.0，平均粒径更优选为0.5～6μm，且振实密度更优选为4.5g/cc以上。振实密度的上限通常为8g/cc以下。另外，在银颗粒为鳞片状的情况下，厚度优选为0.1～5μm，更优选为0.5～3μm。
银颗粒的纵横比及厚度可通过扫描电子显微镜进行测定。另外，平均粒径及振实密度可以在与上述相同的条件下求出。
另外，在不损害作为本发明的导电性接合材料的特性的范围内，也可以添加(例如)银纳米颗粒、以及线状、针状或毛栗子状等不规则形状的银颗粒等作为银颗粒。
若银化合物颗粒是通过加热而至少分解为银和氧化性物质的化合物颗粒，则没有特别限制。作为银化合物颗粒，例如可以使用氧化银颗粒、碳酸银颗粒、新癸酸银颗粒等，并且可以使用一种或多种的银化合物颗粒。其中，从银化合物中银的含量高的方面考虑，优选为氧化银颗粒。在使用多种银化合物颗粒的情况下，可以使用多个形状或尺寸不同的一种类型的银化合物，也可以使用多个类型不同的银化合物。
通过银化合物颗粒的分解而产生的氧化性物质促进了覆盖银颗粒的分散剂的燃烧。另外，通过银化合物颗粒的分解而产生的银是微细的并且其表面没有污垢，因此烧结性优于银颗粒，通过同时进行加压，从而使还原所产生的空间减少，能够在低的加压下形成孔隙率非常低的接合层。
当银化合物颗粒通过加热而至少分解为银和氧化性物质时，体积根据银化合物颗粒的类型而减少。因此，随着银在存在有银化合物颗粒的部分中被还原而形成了孔隙，但是由于在加压下使用根据本发明的导电性接合材料，因而在形成孔隙的同时，该孔隙被压力挤破，成为了加压接合后的孔隙率低的导电性接合材料。由于孔隙率低，从而接近于金属块体，因而接合强度及热传导性提高。
例如，在银化合物颗粒为氧化银颗粒的情况下，当氧化银分解成银和氧时，由于将氧化银颗粒还原成银，使得体积减少约60％。由于该体积的减少，成为了加压接合后的孔隙率低的导电性接合材料。
银化合物颗粒的形状和尺寸没有特别限制，但从烧结性的观点来看，作为尺寸，优选平均粒径为0.2～20μm。
上述银颗粒与上述银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30，优选为40:60～60:40。
通过将银化合物颗粒的比例设为相对于银颗粒和银化合物颗粒的总量的30重量％以上，使得在还原成银时所形成的孔隙同时被压力挤破，因此加压接合后的孔隙率减少，结果是，即使在银化合物颗粒少的情况下，也形成了接合强度及热传导性优异的接合面。
当接合层中的孔隙率高时，在200℃以上的高温老化时发生过烧结，观察到了接合层变得疏松这样的现象，耐热性变得不充分。另一方面，若想要通过非常高的压力来减少接合层的孔隙率，则可能会导致半导体元件的损坏。
此外，通过将银化合物颗粒的比例设为相对于银颗粒和银化合物颗粒的总量的70重量％以下，从而可以获得抑制由银化合物颗粒的分解所产生的孔隙以及放气的效果。
(分散剂)
本发明中的分散剂也称为润滑剂，是为了防止银颗粒及银化合物颗粒彼此的凝聚而覆盖银颗粒和/或银化合物颗粒的表面的化合物。通过由银化合物颗粒的分散所产生的氧化性物质，促进分散剂的燃烧。
分散剂可以预先涂覆在银颗粒和/或银化合物颗粒的表面上，也可以在添加到含有银颗粒和银化合物颗粒的混合物中之后再涂覆在表面上。
分散剂只要是以往常规使用的分散剂即可，可列举出(例如)硬脂酸、油酸等。其中，从分散性和易燃性的观点考虑，优选为选自由醇类、羧酸类及胺类所组成的组中的至少一种化合物。可以使用一种分散剂，也可以组合使用多种分散剂。
醇类只要是具有羟基的化合物即可，可列举出直链或支链的、碳原子数为3～30的烷基醇。若为醇类，则可以为伯醇、仲醇和叔醇中的任一种，另外也可以为二醇或具有环状结构的醇。其中，从分散性的观点考虑，更优选为异硬脂醇、辛基十二烷醇。
羧酸类只要是含有羧酸的化合物即可，可列举出直链或支链的、碳原子数为3～30的烷基羧酸。若为羧酸类，则可以为伯羧酸、仲羧酸和叔羧酸中的任一种，另外也可以为二羧酸或具有环状结构的羧基化合物。其中，从分散性的观点考虑，更优选为新癸酸、油酸、硬脂酸。
胺类只要是具有氨基的化合物即可，可列举出碳原子数为3～30的烷基胺。若为胺类，则可以为伯胺、仲胺和叔胺中的任一种，另外也可以为具有环状结构的胺。其中，从分散性的观点考虑，更优选为硬脂胺、月桂胺。
由上述醇类、羧酸类、胺类构成的分散剂可以是醛基、酯基、硫烷基、酮基、季铵盐等形式，例如，羧酸在覆盖银颗粒及/或银化合物颗粒表面时形成羰基盐。
可以通过红外分光光谱测定来确认银颗粒及/或银化合物颗粒是否被分散剂覆盖。即，当作为分散剂的化合物的官能团与银颗粒及/或银化合物颗粒结合时，由于出现的峰位置根据所结合的官能团的种类而不同，因而可通过所检测到的峰来确定分散剂的种类。
上述银化合物颗粒与分散剂的重量比优选在100：0.1～100：100的范围内，更优选在100：0.5～100：50的范围内。通过分散剂相对于100重量份的银化合物颗粒为0.1重量份以上，从而能够保持银颗粒及/或银化合物颗粒的良好分散状态。此外，通过分散剂相对于100重量份的银化合物颗粒为100重量份以下，从而能够除去残留的有机物。
(溶剂)
根据本发明的导电性接合材料可以进一步包含溶剂以使导电性接合材料成为浆料状。作为溶剂，只要是使导电性接合材料成为浆料状的溶剂，则没有特别的限制，但是沸点为350℃以下的溶剂是优选的，这是因为在后述的半导体装置的制造中，在接合芯片与被粘体时溶剂容易挥发，并且沸点为300℃以下的溶剂是更加优选的。
具体地，可列举出乙酸酯、醚、烃，更具体地，优选使用二丁基卡必醇、丁基卡必醇乙酸酯、石油醚(mineral spirit)等。
相对于导电性接合材料，溶剂通常为3～20重量％，从加工性的观点考虑，优选为5～10重量％。
(其他)
在不损害本发明效果的范围内，本发明的导电性接合材料中也可以添加脂肪酸化合物、导电性颗粒、无机填料、沉降抑制剂、流变控制剂、渗出抑制剂、消泡剂等。
通过添加脂肪酸化合物，使得银化合物颗粒更容易分解。作为脂肪酸化合物，例如优选新癸酸化合物或硬脂酸化合物。硬脂酸化合物可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，硬脂酸化合物优选合计含有0.01～5重量％。
作为导电性颗粒，可列举出铂、金、钯、铜、镍、锡、铟、它们的合金、石墨、炭黑及镀有这些金属的石墨或炭黑、或者镀有金属的无机或有机颗粒等。导电性颗粒可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
作为无机填料，可列举出二氧化硅、碳化硅等。无机填料可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
作为沉降抑制剂，可列举出热解法二氧化硅、增稠剂等。沉降抑制剂可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
作为流变控制剂，可列举出尿素系、膨润土等。流变控制剂可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
作为渗出抑制剂，可列举出氟系等。渗出抑制剂可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
作为消泡剂，可列举出氟系、硅系等。消泡剂可以添加一种，也可以添加多种，并且相对于导电性接合材料，优选含有0.01～5重量％。
关于本发明的导电性接合材料，在大气中、在10MPa、280℃下利用银颗粒和银化合物颗粒对上述芯片和被粘体进行5分钟加压接合后，导电性接合材料的孔隙率为15％以下。
具体而言，将导电性接合材料设置在镀银铜引线框架上，在其上安装3mm×3mm的银溅射硅芯片，对于所得的材料，使用芯片焊接机DB500LS(“株式会社アドウェルズ”制)在大气中、在10MPa、280℃的条件下进行加压接合5分钟，通过对接合层截面的SEM照片进行2值化从而可以测定加压接合后的导电性接合材料的孔隙率。详细而言，对SEM照片上的接合层内的20μm×50μm的区域进行2值化，能够计算出孔隙部位的面积比率。该孔隙率更优选为5％以下，进一步优选为1％以下。
另外，根据本发明的导电性接合材料由于能够使孔隙率降低，因而具有优异的接合强度及热传导性。
接合强度的测定方法没有特别的限制，例如，如同后面实施例所述的那样，可列举出测定芯片抗切强度的方法。在剪切方向上对所接合的芯片施加载荷，并将断裂时的强度设为接合强度。例如使用Dage公司制的Series4000作为测定强度测量仪，在25℃、200mm/秒的测试速度下进行测定。
关于在与上述相同的条件下进行加压接合时的接合强度，当在25℃、200mm/秒的测试速度下进行测定时，其优选为40MPa以上，更优选为50MPa以上。
热传导率的测定方法也没有特别的限制，例如，可以根据后面实施例中所述的激光闪光法并通过下式来求出。
热传导率λ＝热扩散率a×比重d×比热Cp
向接合样品照射激光脉冲光，测定背面侧的温度变化，并从该温度变化行为求出热扩散率a。通过上式由该热扩散率a、比重d及比热Cp计算出热传导率λ(W/m·K)。热扩散率a可使用激光闪光法热恒定测定装置来进行测定，例如可使用ULVAC-RIKO公司制的TC-7000。比热Cp可使用差示扫描量热计来进行测定，例如可使用セイコー電子工業社制的DSC7020并依照JIS-K 7123来测定室温下的比热Cp。
关于在与上述相同的条件下进行了加压接合时的热传导率，其优选为250W/m·K以上，更优选为300W/m·K以上，进一步优选为350W/m·K以上。
<导电性接合材料的制造方法>
通过进行银颗粒、银化合物颗粒及分散剂的混合，从而能够得到本发明的导电性接合材料。分散剂可以在混合之前添加，也可以在混合之后添加，由此，通过分散剂将该银颗粒及银化合物颗粒中的至少一者覆盖。
混合可以是干式的，也可以是使用溶剂的湿式的，可使用研钵、行星式球磨机、辊磨机、无螺旋桨混合器等。
<半导体装置的制造方法>
根据本发明的导电性结合材料可适用于将芯片和被粘体接合而成的半导体装置的制造方法。也就是说，该半导体装置的制造方法包括经由本发明的导电性接合材料将芯片和被粘体接合的步骤。
作为被粘体，可列举出引线框架、DBC基板、印刷基板等。
在上述接合步骤中，在4～30MPa、200～350℃下加压处理1～30分钟，且上述接合步骤后的导电性接合材料的孔隙率为10％以下。
加压接合可在诸如大气中、氮气气氛中、氢气等还原气氛中之类的所有气氛中进行，但从生产率的观点考虑，优选为大气中。
从孔隙率的观点考虑，接合步骤中的压力优选为4MPa以上，更优选为10MPa以上。另外，从防止芯片损坏的观点考虑，压力的上限优选为30MPa以下，更优选为20MPa以下。
从孔隙率的观点考虑，接合步骤中的温度优选为200℃以上，更优选为250℃以上。另外，从防止周边部件损坏的观点考虑，温度的上限优选为350℃以下，更优选为300℃以下。
对于接合步骤中的加压加热的处理时间，从孔隙率的观点考虑，优选为1分钟以上，从防止周边部件损坏及生产率的观点考虑，优选为30分钟以下。
在使用本发明的导电性接合材料的接合中，加压和加热是必须的。通过加热，银化合物颗粒还原分解而成为包括银和氧化性物质的分解产物。该氧化性物质促进了分散剂的燃烧。另外，通过银化合物颗粒的还原而生成的银是微细的且表面无污染，因而烧结性比银颗粒更好。因此，银的烧结性比单独使用银颗粒时更好，使芯片和被粘体良好地接合。
另外，当导电性接合材料中的银颗粒与银化合物颗粒的重量比为30:70～70:30时，由于银化合物颗粒的比例大，因而除了上述地提高了银的烧结性以外，伴随着银化合物颗粒的分解而来的体积收缩所造成的影响也变大。由体积收缩所形成的孔隙即使在4～30MPa这样的相对较低的压力下也立即被压破，能够实现孔隙率为10％以下这样的较低的孔隙率。
由于这种低的孔隙率，接合后的导电性接合材料变得接近于金属块体，能够得到高接合强度和高热传导性并且散热性优异的半导体装置。
[实施例]
以下，将通过实施例来进一步说明本发明，但是本发明不限于以下例子。
[孔隙率]
进行接合样品的接合层截面的SEM观察。使用图像分析软件Image J对所得SEM照片上的粘合层内的20μm×50μm的区域进行2值化，并由孔隙部位的面积比率计算出孔隙率。
[接合强度]
使用接合强度测定装置(Dage公司制，“Series4000”(产品名))并以200mm/秒的测试速度测定接合样品在25℃下的芯片抗切强度。
[热传导率]
使用激光闪光法热恒定测定装置(TC-7000，ULVAC-RIKO公司制)并依照ASTM-E1461来测定热扩散率a，通过比重瓶法计算出室温下的比重d，使用差示扫描量热测定仪(DSC7020，セイコー電子工業社制)并依照JIS-K7123来测定室温下的比热Cp，通过下式计算热传导率λ(W/m·K)。结果示于表1中。
热传导率λ＝热扩散率a×比重d×比热Cp
[实施例1]
作为银颗粒，准备了颗粒形状为球形、平均粒径为1.0μm、振实密度为5g/cc的“田中貴金属工業(株)”制的银粉末。
另外，作为银化合物颗粒，准备了颗粒形状为粒状、平均粒径为10μm的“田中貴金属工業(株)”制的产品名“AY 6059”的氧化银粉末。
调整银颗粒与氧化银颗粒的混合比并进行混合，以使得导电性接合材料中的银化合物颗粒的含量相对于银颗粒的含量的比例成为表1所记载的比例。
以表1所记载的含量分别将上述银颗粒和氧化银颗粒、作为溶剂的二丁基卡必醇、以及作为分散剂的新癸酸混合后，使用三辊研磨机进行混炼以制作导电性接合材料。
将所得的导电性接合材料涂布在12×12mm2的镀银铜引线框架上，并将3mm×3mm的银溅射硅芯片放置在涂布面上，然后在大气中在10MPa下对3mm×3mm的银溅射硅芯片进行垂直加压，并且同时在280℃下加热5分钟，从而制作了半导体装置的银接合体。
表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率的测定结果。另外，图1中示出SEM照片。
[实施例2]
与实施例1同样地制作了半导体装置的银接合体，不同之处在于：将颗粒形状为鳞片状、纵横比为4、平均粒径为2.2μm、振实密度为6.2g/cc的“田中貴金属工業(株)”制的银粉末设为银颗粒。表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率。
[实施例3]
与实施例1同样地制作了半导体装置的银接合体，不同之处在于：将银颗粒、银化合物颗粒及分散剂的混合量变更为表1的实施例3所示的量。表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率的测定结果。
[实施例4]
与实施例1同样地制作了半导体装置的银接合体，不同之处在于：将银颗粒、银化合物颗粒及分散剂的混合量变更为表1的实施例4所示的量。表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率的测定结果。
[比较例1]
与实施例1同样地制作了半导体装置的银接合体，不同之处在于：将银颗粒、银化合物颗粒及分散剂的混合量变更为表1的比较例1所示的量。表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率的测定结果。另外，图2中示出了SEM照片。
[比较例2]
与实施例1同样地制作了半导体装置的银接合体，不同之处在于：将银颗粒、银化合物颗粒及分散剂的混合量变更为表1的比较例2所示的量。表1中示出了所得的银接合体的孔隙率、接合强度及热传导率的测定结果。
[表1]
Figure BDA0002080276000000141
从以上结果可知，与比较例的银接合体相比，实施例的银接合体的孔隙率显著更低，并且接合强度及热传导率也更高。
尽管已经采用特定方式来详细说明了本发明，但是对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以进行各种修改和变化。需要说明的是，本申请基于2016年12月2日提交的日本专利申请(日本特愿2016-235326)，其全部内容通过引用的方式并入本文。

Claims (7)

1.一种导电性接合材料，包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，并且用于在加压下对芯片和被粘体进行接合，
所述银化合物颗粒是通过加热而至少分解为银和氧化性物质的化合物颗粒，
所述银化合物颗粒相对于所述银颗粒的重量比为30:70以上且小于50:50，
所述银颗粒的振实密度为4.5g/cc以上，且
在大气中、在10MPa、280℃下对所述芯片和所述被粘体加压接合5分钟后，导电性接合材料的孔隙率为15％以下。
2.根据权利要求1所述的导电性接合材料，其中，所述孔隙率为5％以下。
3.根据权利要求1或2所述的导电性接合材料，其中，所述银颗粒为平均粒径0.1～30μm、振实密度4.5g/cc以上的球状，或者为纵横比1.0～100、平均粒径0.1～10μm、且振实密度4.5g/cc以上的鳞片状。
4.根据权利要求1或2所述的导电性接合材料，其中，所述银化合物颗粒和所述分散剂的重量比为100:0.5～100:50。
5.根据权利要求1或2所述的导电性接合材料，其进一步包含溶剂。
6.根据权利要求1或2所述的导电性接合材料，其中，所述分散剂是选自由醇类、羧酸类及胺类所组成的组中的至少一种化合物。
7.一种半导体装置的制造方法，包括通过导电性接合材料来对芯片和被粘体进行接合的步骤，
所述导电性接合材料包含银颗粒、银化合物颗粒及分散剂，
所述银化合物颗粒是通过加热而至少分解为银和氧化性物质的化合物颗粒，
所述银化合物颗粒相对于所述银颗粒的重量比为30:70以上且小于50:50，
所述银颗粒的振实密度为4.5g/cc以上，
在所述接合的步骤中，在4～30MPa、200～350℃下加压处理1～30分钟，且
所述接合的步骤后的导电性接合材料的孔隙率为10％以下。
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