CN110035604A - 软性电路板、电子装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种软性电路板、电子装置及其制造方法。软性电路板与矩阵基板配合，软性电路板包括软性基材以及至少一个薄膜电路，薄膜电路设置于软性基材上，薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。本发明可使电子装置达到全屏的目标。

Description

软性电路板、电子装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种软性电路板、电子装置及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，平面显示装置已经被广泛地运用在各种领域，例如液晶显示装置(LCD)或有机发光二极管显示装置(OLED)，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、便携式多媒体装置、笔记本电脑、电视及屏幕等等。

在现行的平面显示装置中，显示面板的驱动IC的封装型态一般可区分为磁带载体封装(Tape Carrier Package,TCP)、薄膜覆晶封装(Chip on Film,COF)及玻璃覆晶封装(Chip on Glass,COG)等三种，主流封装技术原为TCP，但因为技术发展不断高密度化，再加上驱动IC朝低封装厚度、高脚数封装的技术前进，使得COF与COG封装已渐渐取代TCP封装。

另外，随着全屏幕(Full Active)产品成为市场的趋势，如何提高屏占比(Screen-to-body Ratio)已是刻不容缓的课题。然而，在COG封装中，设置在玻璃基板上的驱动IC会占据显示面板的非显示区，使电子装置难以达到全屏幕的需求；而COF的封装型态可以减少非显示区面积，因而可提高屏占比，较容易达到全屏幕(Full Active)的目标。

发明内容

本发明的目的是提供一种软性电路板、电子装置及其制造方法，可使电子装置容易达到全屏幕的目标。

为达上述目的，依据本发明的一种软性电路板，与矩阵基板配合，软性电路板包括软性基材以及至少一个薄膜电路。薄膜电路设置于软性基材上，薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。

为达上述目的，依据本发明的一种软性电路板的制造方法，与矩阵基板配合应用，制造方法包括：提供软性基材；以及以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于软性基材上，其中薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。

为达上述目的，依据本发明的一种电子装置，包括矩阵基板以及软性电路板。软性电路板与矩阵基板电性连接，软性电路板包括软性基材及至少一个薄膜电路，薄膜电路设置于软性基材上，薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。

为达上述目的，依据本发明的一种电子装置的制造方法，包括：提供软性基材；以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于软性基材上；以及将软性电路板与矩阵基板电性连接，其中薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。

在一个实施例中，软性基材包含有机高分子材料，有机高分子材料的玻璃转换温度介于摄氏250度至摄氏600度。

在一个实施例中，薄膜电路为低温多晶硅薄膜电路。

在一个实施例中，薄膜电路包含至少一个多任务器或至少一个薄膜晶体管。

在一个实施例中，软性电路板还包括至少一个导电线路，其设置于软性基材上，导电线路与薄膜电路电性连接。

在一个实施例中，软性电路板还包括至少一个控制芯片，其设置于软性基材上，控制芯片通过薄膜电路与矩阵基板电性连接。

在一个实施例中，矩阵基板包括多个连接端，多个连接端的数量与薄膜电路的多个输出端或多个输入端的数量不相同。

在一个实施例中，薄膜电路的多个输出端与多个输入端的数量不相同。

在一个实施例中，矩阵基板包括多个光电元件，多个光电元件为阵列排列。

在一个实施例中，制造方法还包括：形成软性基材于刚性载板上。

在一个实施例中，制造方法还包括：以薄膜工艺形成至少一个导电线路于软性基材上，其中导电线路与薄膜电路电性连接。

在一个实施例中，制造方法还包括：设置至少一个控制芯片于软性基材上，其中控制芯片通过薄膜电路与矩阵基板电性连接。

承上所述，在本发明的软性电路板、电子装置及其制造方法中，软性电路板可与矩阵基板配合，并包括软性基材以及至少一个薄膜电路，薄膜电路设置于软性基材上，且薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。由于矩阵基板的线路可以延伸至矩阵基板的边缘，而减小矩阵基板的非显示区的扇出(fan out)面积，因而提高屏占比。并且通过薄膜电路的多个输出端或多个输入端与软性电路板电连接，因而可以增加矩阵基板上矩阵布设的面积，进而使设置在单位面积上的元件的数量增加，而增进了矩阵基板的效益及强化其功能性。此外，本案增加矩阵基板上矩阵布设的面积及减小矩阵基板的非显示区的面积，进而可使电子装置容易达到全屏幕的目标。

附图说明

图1A与图1B分别为本发明优选实施例的一种软性电路板的制造方法的不同流程示意图。

图2A至图2C分别为本发明的一个实施例的软性电路板的制造过程示意图。

图2D至图2F分别为本发明的另一实施例的软性电路板的制造过程示意图。

图3为本发明的一个实施例的软性电路板与矩阵基板的连接示意图。

图4A与图4B分别为本发明的一个实施例的电子装置的制造方法的不同流程示意图。

图5为本发明的一个实施例的电子装置的示意图。

具体实施方式

以下将参照相关附图，说明依据本发明优选实施例的软性电路板、电子装置及其制造方法，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。

图1A与图1B分别为本发明优选实施例的一种软性电路板的制造方法的不同流程示意图。

在一些实施例中，如图1A所示，软性电路板的制造方法可包括：提供软性基材(步骤S01)、以及以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于软性基材上，其中薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接(步骤S02)。在一些实施例中，薄膜电路可包括至少一个薄膜元件与线路，而薄膜元件可包含薄膜晶体管或多任务器，而薄膜电路的输出端或输入端是指薄膜晶体管或多任务器的输出端与输入端。另外，在一些实施例中，如图1B中，除了步骤S01与步骤S02之外，软性电路板的制造方法更可包括：以薄膜工艺形成至少一个导电线路于软性基材上，其中导电线路与薄膜电路电性连接(步骤S03)，以及设置至少一个控制芯片于软性基材上，其中控制芯片通过薄膜电路与矩阵基板电性连接(步骤S04)。

请分别参照图1A与图1B并配合图2A至图2F，以说明上述的每个步骤。其中，图2A至图2C分别为本发明的一个实施例的软性电路板1的制造过程示意图，而图2D至图2F分别为本发明的另一实施例的软性电路板1a的制造过程示意图。

软性电路板可与矩阵基板配合应用。如图1A所示，在步骤S01中，提供软性基材11。软性基材11具有可挠性，并可包含有机高分子材料，有机高分子材料的玻璃转换温度(Glass Transition Temperature,Tg)例如可介于摄氏250度至摄氏600度之间，优选的温度范围例如可介于摄氏300度至摄氏500度之间，通过如此高的玻璃转换温度，可使软性基材11在后续的工艺中，特性不会被破坏。其中，有机高分子材料可为热塑性材料，例如为聚酰亚胺(PI)、聚乙烯(Polyethylene,PE)、聚氯乙烯(Polyvinylchloride,PVC)、聚苯乙烯(PS)、压克力(丙烯，acrylic)、氟化聚合物(Fluoropolymer)、聚酯纤维(polyester)或尼龙(nylon)。本实施例的软性基材11的材料是以聚酰亚胺(PI)为例。

不过，为了使之后的元件可通过后续工艺可顺利地形成在软性基材11上，且方便对此软性基材11操作，如图2A所示，需先将软性基材11形成于刚性载板9上(之后再移除)。刚性载板9可为可透光或是不可透光材料制成，例如但不限于为玻璃板、陶瓷板、金属板或石英板。软性基材11例如可以整片直接胶合在刚性载板9上，或是以涂布方式并经固化(热固化或光固化)后，而形成在刚性载板9上。在本实施例中，是先在刚性载板9上涂布黏着层91后，再贴合软性基材11在黏着层91上经层压、固化后而成。其中，黏着层91的材料可例如但不限于环氧树脂胶或硅烷偶联剂(Silane coupling agent,SCA)。另外，若以涂布方式设置软性基材11，则可直接将有机高分子材料涂布在刚性载板9上，经固化后在刚性载板9上直接形成一层软性基材11，并不需要先涂布黏着层。

在步骤S02中，如图2B所示，是利用薄膜工艺在软性基材11上形成至少一个薄膜电路12，其中薄膜电路12的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。薄膜工艺可为半导体工艺，并直接形成而设置于软性基材11上；或者，薄膜电路12也可间接形成于软性基材11上，例如两者之间包含有缓冲层或绝缘层，并不限制。在一些实施例中，薄膜电路12可包括至少一个薄膜元件T与线路，而薄膜电路12的输出端或输入端是指“薄膜元件T”的输出端与输入端。在一些实施例中，薄膜元件T可例如但不限于包含至少一个多任务器(Multiplexer)或至少一个薄膜晶体管(TFT transistor)，而薄膜电路12的输出端或输入端是指“多任务器”或“薄膜晶体管”的输出端与输入端。本实施例的薄膜电路12是以包含多任务器(仍标示为T)为例。在一些实施例中，薄膜电路12包含的多任务器的数量可为复数个，并为间隔设置。

上述的薄膜工艺可包含低温多晶硅(LTPS)工艺、非晶硅(a-Si)工艺或金属氧化物(如IGZO)半导体工艺等，并不限制。在一些实施例中，除了在软性基材11上形成薄膜电路12之外，更可形成其他的绝缘膜层或导电膜层。之后，如图2C所示，再移除刚性载板9。其中，可使用激光剥离(Laser lift-off)或机械剥离技术来移除刚性载板9，之后，再去除黏着层91。特别提醒的是，在不同的实施例中，若再设置其他膜层或元件时，也可在设置其他膜层或元件之后，再移除刚性载板9与黏着层91。

请先参照图3所示，其为本发明的一个实施例的软性电路板1与矩阵基板2的连接示意图。矩阵基板2可包括多个连接端23，且薄膜电路12的多个输出端121或多个输入端可与矩阵基板2的多个连接端23电性连接。在此，图3示例性显示矩阵基板2的一个连接端23与薄膜电路12的一个输出端121电性连接。其中，矩阵基板2的连接端23及薄膜电路12的输出端121可例如分别为接合垫，并且间隔配置，而且连接端23与输出端121彼此对应设置。在一些实施例中，连接端23、输出端121的俯视形状例如但不限于为四方形，并例如但不限于为透明导电层(例如ITO或IZO)或金属材料所形成，且连接端23可通过导线C(材料例如为铜)与矩阵基板2的其他元件电连接。

另外，软性电路板1可通过接合材料B与矩阵基板2接合而电性连接。其中，接合材料B例如可以以涂布方式设置于矩阵基板2上，并完全覆盖多个连接端23。在此，接合材料B可例如但不限于为异向性导电胶(Anisotropic Conductive Film，ACF)。异向性导电胶是由树脂及导电粒子合成而成，主要用于连接两种不同基材与线路。异向性导电胶具有上下电气导通，但左右平面绝缘的特性，并且有优良的防湿、接着、导电及绝缘等功能。而软性电路板1例如可利用热压接合于矩阵基板2，且使软性电路板1的多个输出端121可分别与多个连接端23对应压合。通过输出端121与对应的连接端23相对设置，并通过接合材料B使连接端23与输出端121电性连接，进而使软性电路板1与矩阵基板2电性连接，以进行信号的传递。

本实施例的软性电路板1可与矩阵基板2配合应用而组成电子装置。其中，软性电路板1可包括软性基材11以及至少一个薄膜电路12，薄膜电路12设置于软性基材11上。对矩阵基板2而言，软性电路板1可作为矩阵基板2的系统端，软性基材11上的薄膜电路12与矩阵基板2电性连接的端子，则可为输出端也可为输入端，其依矩阵基板2的操作而定。举例来说，软性电路板1可通过薄膜电路12的输出端与矩阵基板2电性连接，以驱动控制矩阵基板2(例如为显示面板)的操作；另一方面，软性电路板1也可通过薄膜电路12与矩阵基板2电性连接输入端，来接收矩阵基板2(例如为感测面板)的感测信号。由于矩阵基板2的线路可以延伸至矩阵基板2的边缘，并且通过薄膜电路12的多个输出端121或多个输入端与软性电路板1电连接，因而可以增加矩阵基板2上矩阵布设的面积，进而使设置在单位面积上的元件的数量增加，而增进了矩阵基板2的效益及强化其功能性。若以显示器而言，增加矩阵基板2上矩阵布设的面积则可减小矩阵基板2的非显示区的面积，进而可使电子装置容易达到全屏幕的目标。

另外，值得一提的是，薄膜电路12在软性电路板1上的总厚度可例如小于50微米，此厚度比有控制芯片(例如表面封装元件)的电路厚度小很多，因此可实现方便轻薄的电子产品设计，而且也具有可挠性而符合需要折弯软板的机构设计。如果软性电路板1上设置有例如控制芯片的话，则将不利于弯折而无法符合需要折弯软板的机构设计需求。

此外，在一些实施例中，软性电路板1的薄膜电路12可包含薄膜晶体管而构成栅极驱动器(gate driver)，以驱动矩阵基板2(栅极驱动器的功能较简单，可以完全由例如LTPS的薄膜电路12取代其功能)，由此，可取代传统薄膜覆晶封装(COF)的栅极驱动电路，或是取代传统将栅极驱动电路制作在薄膜晶体管阵列基板上的GOP(Gate On Panel)电路，而且，在软性电路板1的例子中，软性基材11上只有简单的薄膜电路12电路，因此线路较简单，成本也较低。

请再参照图1B所示，在不同实施例中，除了步骤S01与步骤S02之外，制造方法更可包括步骤S03：以薄膜工艺形成至少一个导电线路13于软性基材11上，其中导电线路13与薄膜电路12电性连接。如图2D所示，导电线路13的材料可使用金属(例如铝、铜、银、钼、钛)或其合金所构成的单层或多层结构，并利用薄膜工艺形成。在此，导电线路13可与薄膜电路12中所包含的导电膜层使用同一工艺或同一种材料。在一些实施例中，导电线路13也可与薄膜电路12使用不同的材料或工艺制作。在一些实施例中，导电线路13可直接或间接与薄膜电路12电性连接，或者导电线路13也可为两个薄膜电路12之间相互电连接的导线，或为薄膜电路12与其他元件的连接导线，并不限定。图2D是在软性基材11上形成多个导电线路13，且薄膜电路12与其中一个导电线路13接触而电性连接为例。

另外，在进行步骤S04之前，需先在软性基材11上形成至少一个电性连接垫16，使电性连接垫16与导电线路13电性连接。在此，是在两个导电线路13上分别制作一个电性连接垫16，使电性连接垫16与导电线路13接触而电连接为例。电性连接垫16的材料例如但不限于为铜、银或金、或其他导电材料，或其组合。在一些实施例中，可使用例如电镀、印刷、或蒸镀加剥离成型(Lift-off patterning)工艺方式在导电线路13上制作电性连接垫16。在另一些实施例中，也可使用薄膜工艺来制作电性连接垫16，并不限制。在一些实施例中，与控制芯片14的电极电连接的电性连接垫16可例如但不限于为加厚的铜胶焊垫。之后，再形成一层保护层15覆盖至少部分的导电线路13与薄膜电路12，以保护导电线路13与薄膜电路12免于水气或异物的污染。

接着，如图2E所示，再进行步骤S04：设置至少一个控制芯片14于软性基材11上，其中控制芯片14通过薄膜电路12与矩阵基板(例如图3的矩阵基板2)电性连接。其中，控制芯片14与电性连接垫16的接合方式可为引线接合(wire bonding)或覆晶接合(flip chip)、共晶接合(eutectic bonding，例如Au-Sn)、各向异性导电薄膜(Anisotropic ConductiveFilm,ACF)接合、各向异性导电涂胶(anisotropic conductive paste,ACP)接合、锡球接合或超声接合，本发明不特别限定，使控制芯片14可通过电性连接垫16、导电线路13及薄膜电路12与矩阵基板2电性连接。在一些实施例中，控制芯片14例如可为驱动IC或感测IC。

另外，为了接合控制芯片14与电性连接垫16，可分别在电性连接垫16上设置导电材料(未图示)。在一些实施例中，例如可通过加热方式熔化材料为锡球或金凸块(Au bump)等导电材料，或者利用铜胶、银胶、或各向异性导电胶(ACP)等材料，使控制芯片14的两电极E1、E2可通过导电材料分别与电性连接垫16及导电线路13电性连接，使控制芯片14可与薄膜电路12电性连接。在一些实施例中，控制芯片14也可能设在另一个控制基板(例如PCB)上，并通过其他的导电线路与软性电路板1上的薄膜电路12电连接，本发明并不限制。

此外，如图2F所示，本实施例的软性电路板1a的制造方法更可包括：形成封装胶17覆盖至少部分的控制芯片14与导电线路13。其中，封装胶17可起固定的作用，更可保护控制芯片14与导电线路13(及薄膜电路12)免于被水气或异物破坏其特性。特别提醒的是，上述刚性载板9可在进行步骤S04之前或之后再移除，并不限制。

图4A与图4B分别为本发明的一个实施例的电子装置的制造方法的不同流程示意图。如图4A所示，在一些实施例中，电子装置的制造方法可包括：提供软性基材(步骤T01)、以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于软性基材上(步骤T02)、以及使软性电路板与矩阵基板电性连接，其中薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接(步骤T03)。另外，在另一些实施例中，如图4B所示，除了步骤T01至步骤T03之外，电子装置的制造方法更可包括：以薄膜工艺形成至少一个导电线路于软性基材上，其中导电线路与薄膜电路电性连接(步骤T04)、以及设置至少一个控制芯片于软性基材上，其中控制芯片通过薄膜电路与矩阵基板电性连接(步骤T05)。在一些实施例中，为了使之后的元件可通过后续工艺顺利地形成在软性基材上，且方便对此软性基材操作，电子装置的制造方法更可包括：形成软性基材于刚性载板上(之后再移除)。其中，步骤T01至步骤T05、软性电路板与矩阵基板的技术内容可参照上述的相关叙述，在此不再赘述。

图5为本发明的一个实施例的电子装置3的示意图。如图5所示，电子装置3例如为平面显示装置，并可包括彼此电连接的矩阵基板2a与软性电路板1a。在此，软性电路板1a具有可挠性，在一些实施例中，可折弯而位于矩阵基板2a的背面。另外，矩阵基板2a可具有显示区(active area，虚线方框处所示)21及非显示区22，非显示区22邻设于显示区21的外围。其中，显示区21即可显示影像画面的区域，而非显示区22则为无法显示影像画面的区域。本实施例的非显示区22是以环设于显示区21的外围为例，且软性电路板1a连接在矩阵基板2a的非显示区22。由于少了公知技术中与系统电路板连接的扇出(fan out)区，因此非显示区22可以相当小，相对地使得矩阵基板2a的显示区22变大而使电子装置3容易达到全屏幕的目标。

矩阵基板2a更可包含基材25，基材25可为可透光材质制成，其材料例如是玻璃、石英或类似物、塑料、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料；或者，基材25也可为不透光材质所制成，并例如是金属-玻璃纤维复合板、金属-陶瓷复合板，或印刷电路板，或其他材料，并不限制。本实施例的矩阵基板2a还可包括多个光电元件24，多个光电元件24设置于基材25上，并位于显示区21内。在此，多个光电元件24间隔配置于显示区21内，并可依需求而排列成一直行、或一横列、或行与列的矩阵状，或是排列成多边形或不规则状。本实施例是以多个光电元件24为二维阵列排列为例。光电元件24可包含但不限于为发光二极管(LED)、微发光二极管(microLED)，或是其他的光电元件。或者，在不同的实施例中，若电子装置3为感测装置时，光电元件24也可例如包含红外线感测元件、超声感测元件、温度感测元件、或影像传感器(image sensor)。具体来说，若在矩阵基板2a的显示区21内对应设置有薄膜晶体管或像素电极等元件时，则矩阵基板2a可为包含有薄膜晶体管基板的平面显示面板(例如电致发光显示面板或液晶显示面板)或平面感测面板(例如X光感测面板)，使软性电路板1a可驱动显示面板，或接受感测面板的感测数据。

另外，本实施例的软性电路板1a可包括软性基材11、多个薄膜电路12、多条导电线路13与一个控制芯片14。多个薄膜电路12间隔设置于软性基材11上。而矩阵基板2a更可包括多个连接端23，多个连接端23设置于非显示区22。其中，薄膜电路12的多个输出端(或多个输入端)电连接于矩阵基板2a非显示区22上的多个连接端23，且多个连接端23的数量可与薄膜电路12的多个输入端13b的数量不相同。在一些实施例中，薄膜电路12可包括至少一个薄膜元件T与线路，而薄膜电路12的输出端或输入端是指“薄膜元件T”的输出端与输入端。在一些实施例中，薄膜电路12的薄膜元件T可例如但不限于包含至少一个多任务器(Multiplexer)或至少一个薄膜晶体管(TFT transistor)，而薄膜电路12的输出端或输入端是指“多任务器”或“薄膜晶体管”的输出端与输入端。本实施例的薄膜电路12例如是以包含多个多任务器(仍标示为T)为例，且各个多任务器的输出端13a的数量(3个端)可大于其输入端13b(1个端)的数量。

控制芯片14设置于软性基材11上，且通过多条导电线路13分别与多个薄膜电路12电性连接，以通过多个薄膜电路12的输出端13a驱动矩阵基板2a。在此，控制芯片14例如可为数据驱动芯片(data driver)，而薄膜电路12的三个输出端13a例如可对应R、G、B三种颜色的次像素，以通过控制芯片14与薄膜电路12输出R、G、B三种次像素的数据信号驱动矩阵基板2a显示影像。另外，多个连接端23的数量与薄膜电路12的多个输出端或多个输入端的数量不相同。在此，矩阵基板2a的多个连接端23的数量与薄膜电路12的多个输出端13a的数量相同，但多个连接端23的数量与薄膜电路12的多个输入端13b的数量不相同。

在一些实施例中，电连接控制芯片14并远离薄膜电路12的多条导电线路13c可往远离矩阵基板2a的方向延伸，以电性连接系统电路板(未图示)，使系统电路板可通过控制芯片14、薄膜电路12进而驱动矩阵基板2a。在一些实施例中，控制芯片14也可设置于系统电路板，而软性电路板1a上则设置有薄膜电路12，使系统电路板上的控制芯片14可通过薄膜电路12驱动矩阵基板2a。在一些实施例中，电子装置3可为全彩显示设备，而系统电路板可通过软性电路板1a驱动矩阵基板2a显示影像。在另一些实施例中，电子装置3可为感测装置，而系统电路板可通过软性电路板1a接收由驱动矩阵基板2a所输出的感测信号。

此外，矩阵基板2a与软性电路板1a的其他技术特征可参照上述的相同元件，在此不再多作说明。

综上所述，在本发明的软性电路板、电子装置及其制造方法中，软性电路板可与矩阵基板配合，并包括软性基材以及至少一个薄膜电路，薄膜电路设置于软性基材上，且薄膜电路的多个输出端或多个输入端与矩阵基板电性连接。由于矩阵基板的线路可以延伸至矩阵基板的边缘，而减小矩阵基板的非显示区的扇出(fan out)面积，因而提高屏占比。并且通过薄膜电路的多个输出端或多个输入端与软性电路板电连接，因而可以增加矩阵基板上矩阵布设的面积，进而使设置在单位面积上的元件的数量增加，而增进了矩阵基板的效益及强化其功能性。此外，本案增加矩阵基板上矩阵布设的面积及减小矩阵基板的非显示区的面积，进而可使电子装置容易达到全屏幕的目标。

以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于随附的权利要求范围中。

Claims (30)

1.一种软性电路板，与矩阵基板配合，其特征在于，所述软性电路板包括：

软性基材；以及

至少一个薄膜电路，设置于所述软性基材上，所述薄膜电路的多个输出端或多个输入端与所述矩阵基板电性连接。

2.根据权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述软性基材包含有机高分子材料，所述有机高分子材料的玻璃转换温度介于摄氏250度至摄氏600度。

3.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述薄膜电路为低温多晶硅薄膜电路。

4.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述薄膜电路包含至少一个多任务器或至少一个薄膜晶体管。

5.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，还包括：

至少一个导电线路，设置于所述软性基材上，所述导电线路与所述薄膜电路电性连接。

6.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，还包括：

至少一个控制芯片，设置于所述软性基材上，所述控制芯片通过所述薄膜电路与所述矩阵基板电性连接。

7.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述矩阵基板包括多个连接端，所述多个连接端的数量与所述薄膜电路的所述多个输出端或所述多个输入端的数量不相同。

8.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述薄膜电路的所述多个输出端与所述多个输入端的数量不相同。

9.如权利要求1所述的软性电路板，其特征在于，所述矩阵基板包括多个光电元件，所述多个光电元件为阵列排列。

10.一种软性电路板的制造方法，与矩阵基板配合应用，其特征在于，所述制造方法包括：

提供软性基材；以及

以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于所述软性基材上，其中所述薄膜电路的多个输出端或多个输入端与所述矩阵基板电性连接。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述软性基材于刚性载板上。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：

以所述薄膜工艺形成至少一个导电线路于所述软性基材上，其中所述导电线路与所述薄膜电路电性连接。

13.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜工艺为低温多晶硅薄膜工艺。

14.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜电路包含至少一个多任务器或至少一个薄膜晶体管。

15.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，还包括：

设置至少一个控制芯片于所述软性基材上，其中所述控制芯片通过所述薄膜电路与所述矩阵基板电性连接。

16.一种电子装置，其特征在于，包括：

矩阵基板；以及

软性电路板，与所述矩阵基板电性连接，所述软性电路板包括；

软性基材；及

至少一个薄膜电路，设置于所述软性基材上，所述薄膜电路的多个输出端或多个输入端与所述矩阵基板电性连接。

17.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述软性基材包含有机高分子材料，所述有机高分子材料的玻璃转换温度介于摄氏250度至摄氏600度。

18.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述薄膜电路为低温多晶硅薄膜电路。

19.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述薄膜电路包括至少一个多任务器或至少一个薄膜晶体管。

20.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述软性电路板还包括至少一个导电线路，所述导电线路设置于所述软性基材上，并与所述薄膜电路电性连接。

21.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述软性电路板还包括至少一个控制芯片，所述控制芯片设置于所述软性基材上，且所述控制芯片通过所述薄膜电路与所述矩阵基板电性连接。

22.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述矩阵基板包括多个连接端，所述多个连接端的数量与所述薄膜电路的所述多个输出端或所述多个输入端的数量不相同。

23.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述薄膜电路的所述多个输出端与所述多个输入端的数量不相同。

24.如权利要求16所述的电子装置，其特征在于，所述矩阵基板包括多个光电元件，所述多个光电元件为阵列排列。

25.一种电子装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供软性基材；

以薄膜工艺形成至少一个薄膜电路于所述软性基材上；以及

将所述软性电路板与矩阵基板电性连接，其中所述薄膜电路的多个输出端或多个输入端与所述矩阵基板电性连接。

26.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成所述软性基材于刚性载板上。

27.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，还包括：

以所述薄膜工艺形成至少一个导电线路于所述软性基材上，其中所述导电线路与所述薄膜电路电性连接。

28.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜工艺为低温多晶硅薄膜工艺。

29.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，所述薄膜电路包括至少一个多任务器或至少一个薄膜晶体管。

30.如权利要求25所述的制造方法，其特征在于，还包括：

设置至少一个控制芯片于所述软性基材上，其中所述控制芯片通过所述薄膜电路与所述矩阵基板电性连接。