CN110012620B - 高频板制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及线路板制造技术领域，提供了一种高频板制造方法，其包括料材预备、子板预备、压合连接和撕膜成型步骤。其中，在子板预备步骤中，先对PTFE基板依次进行基板前处理，再对下基面进行棕化处理，从而将PTFE基板制成PTFE子板，其中，在PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对下基面进行棕化处理之前，将保护膜可撕离地贴合至上基面；在压合连接步骤中，一并压合保护膜、PTFE子板和FR4母板，以使PTFE子板和FR4母板压接；在撕膜成型步骤中，将保护膜从PTFE子板上撕离。该高频板制造方法通过保护膜对PTFE基板的上基面进行保护，从而提高最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中出现线路开路或短路的情况。

Description

高频板制造方法

技术领域

本发明涉及线路板制造技术领域，尤其涉及一种高频板制造方法。

背景技术

高频板是一种电磁频率较高的特种线路板，可用于高频、高速且远程地传输信号。为节约成本，传统的高频板多采用由PTFE材料制成的PTFE子板和由至少一张FR-4等级材料制成的FR4基板压合而成的FR4母板混压形成。

然而，在PTFE子板和FR4母板混压形成高频板的制造过程中，质地较软的PTFE子板往往容易在压合过程中出现摩擦和碰撞所导致的变形，从而对最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性造成较严重的影响；PTFE子板的外层还容易粘附半固化片粉尘等异物，为了信号传输的稳定性和完整性，压合后又不能通过磨板来清除异物，从而易导致在后续制作外层线路中出现开路或短路现象。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高频板制造方法，旨在解决现有高频板制造过程中，PTFE子板易变形而导致的信号传输的稳定性及完整性不佳、及PTFE子板外层易粘附异物而导致的在后续制作线路中线路开路或短路的问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，包括以下步骤：

料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；

子板预备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；

压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；

撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离。

进一步地，在所述压合连接步骤之前，且在所述料材预备步骤之后，还包括：

压力平衡预备，在所述FR4母板的下侧板面上贴合平衡膜；

其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板和所述平衡膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜从所述FR4母板上撕离。

进一步地，所述子板预备步骤与所述压力平衡预备步骤同步进行。

进一步地，在所述压合连接步骤之前，且在所述子板预备步骤和所述压力平衡预备步骤之后，还包括：

阻胶预备，在所述PTFE子板的上侧板面上贴合上离型膜，并在所述FR4母板的下侧板面上贴合下离型膜；

其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述上离型膜和所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜和所述下离型膜从所述FR4母板上撕离。

进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之前，所述子板预备步骤还包括先用硫酸加双氧水微蚀所述上基面。

进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，所述子板预备步骤还包括对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理。

进一步地，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面的工序之后，且在对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理之前，所述子板预备步骤还包括将所述保护膜切割为内膜和连接于所述内膜周沿并呈环形设置的外模，并将所述外模从所述PTFE基板上撕离。

进一步地，所述保护膜通过热压可撕离地贴合至所述上基面上。

进一步地，对所述保护膜进行热压的温度为100℃±10℃，热压的压力值为90PSI。

进一步地，在对所述PTFE基板依次进行基板前处理之前，所述子板预备步骤还包括通过隧道炉对所述PTFE基板进行去应力处理。

本发明的有益效果：

本发明提供的高频板制造方法，其通过在对PTFE基板的下基面进行棕化处理之前，将保护膜可撕离地贴合至PTFE基板的上基面上，从而使得PTFE基板的上基面在对PTFE基板的下基面进行棕化处理时不受药水作用，该保护膜还可在压合连接步骤中对PTFE子板进行保护，防止其因碰撞或摩擦导致变形，还防止其沾染粉尘，从而保障最终成型的高频板的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中出现线路开路或短路的情况。

附图说明

图1是本发明实施例提供的高频板制造方法的流程图；

图2是本发明实施例提供的PTFE子板和FR4母板压合连接时的截面示意图；

图3是本发明实施例提供的PTFE子板的俯视图。

附图标记：

标号	名称	标号	名称
				10	高频板	11	PTFE子板
12	FR4母板	20	保护膜
				30	平衡膜	21	内膜

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明实施例的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。

以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行更加详细的描述：

请参阅图1-图3，本发明实施例提供了一种高频板制造方法，用于制作高频板10，其中，高频板10包括层叠设置的PTFE子板11和FR4母板12，该高频板制造方法包括料材预备、子板预备、压合连接和撕膜成型步骤。

其中，在料材预备步骤中，预备FR4母板12、PTFE基板和保护膜20，PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面。在此需要说明的是，在本步骤中，FR4母板12的预备工序依次为：开料，将整张的FR4基板裁剪成至少一张预设规格尺寸的FR4基板；内层线路制作，先通过曝光对FR4基板进行基板内层图形转移，再通过显影将没有聚合反应的用于保护铜导体的膜显影掉，然后再通过酸性蚀刻液将没有膜保护的铜导体蚀刻掉，最后通过退膜液把保护铜导体的膜退掉，从而完成FR4基板的内层线路制作，同时，在该工序中，还应在该FR4基板的边缘处相应位置处制作可供冲孔机识别的光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等可供冲孔机识别的定位点；光学检查，对FR4基板上形成的内层线路进行光学检查，进行品质确认；冲定位孔，通过冲孔机识别光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点进行冲孔操作，产生贯通设置的熔合定位孔和铆和定位孔；棕化处理，通过棕化液对制作完成内层线路的FR4基板的表面进行棕化处理，以使铜导体表面粗糙化；压合处理，当FR4基板仅设有一张时，仅需在该FR4基板相对的两板面上分别叠加半固化片和铜箔后，进行对准铆和及压合处理，其中，半固化片设于铜箔和FR4基板之间，起粘合作用，当FR4基板设有至少两张时，先在FR4基板与FR4基板之间叠放半固化片，然后再在最两侧的FR4基板的另一板面侧分别叠加半固化片和铜箔后，进行FR4基板的熔合定位孔和铆和定位孔分别对准后进行铆和及压合处理，从而初步形成FR4母板12；常规工序，后续可对压合完成的FR4母板12进行常规的打靶、锣边、钻孔、沉铜、板电、外层线路制作、外层线路光学检查等工序处理，在此不做详细赘述。同理，将整张的PTFE基板裁剪成预设规格尺寸即可获得PTFE基板。在此还需要说明的是，本实施例不对保护膜20的结构等特性进行限定，仅需满足压合后容易撕离，不会致使板面遗留残胶即可，以下对于保护膜20的结构等特性的说明仅为本实施例提供的一优选方案，本步骤中所预备的保护膜20的结构优选为三层结构，黏度优选为80/25mm，具体地，保护膜20的顶层为聚酰亚胺薄膜，中间层为硅酮胶，底层为PET保护膜，其中，聚酰亚胺薄膜作为用于支撑硅酮胶的载体，厚度约为25μm，硅酮胶主要起粘结作用，厚度约为65μm，而PET保护膜则用来保护硅酮胶，厚度约为50μm，在使用时，将PET保护膜撕离即可粘合。

在子板预备步骤中，先对PTFE基板依次进行基板前处理，再对下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将PTFE基板制成PTFE子板11，其中，在PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将保护膜20可撕离地贴合至上基面。在此需要说明的是，在本步骤中，所提及的基板前处理包括：内层线路制作，先通过曝光对PTFE基板的下基面进行基板内层图形转移，再通过显影将没有聚合反应的用于保护铜导体的膜显影掉，然后再通过酸性蚀刻液将没有膜保护的铜导体蚀刻掉，最后通过退膜液把保护铜导体的膜退掉，从而完成PTFE基板的下基面的内层线路制作，同时，在该工序中，还应在该PTFE基板的上基面和下基面的边缘处相应位置处制作可供冲孔机识别的光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等可供冲孔机识别的定位点；光学检查，对PTFE基板的下基面上形成的内层线路进行光学检查，进行品质确认。其中，由于后续需在PTFE基板的上基面上贴合保护膜20，为避免保护膜20的贴合和撕离对PTFE基板的上基面上的线路造成损伤，破坏其品质，因此，在基板前处理工序中，先不对PTFE基板的上基面进行内层线路制作，仅在相应位置处制作光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点。在本步骤中，所提及的冲孔操作工序为根据冲孔机识别光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点进行冲孔操作，产生贯通设置的用于与FR4母板12上的熔合定位孔和铆和定位孔对位熔合和铆和的熔合定位孔和铆和定位孔；所提及的棕化处理工序为通过棕化液对制作完成内层线路的PTFE基板的下基面进行棕化处理，以使铜导体表面粗糙化。在此还需要说明的是，在PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将保护膜20可撕离地贴合至上基面，如此可避免在对下基面进行棕化处理时，上基面受到棕化液的作用。注意，在棕化之前应检查PTFE基板上的保护膜20无开口、无起泡等异常现象，在棕化后应确认上基面未受到棕化液的作用。补充说明的是，由于PTFE材料的质地较软，若直接在PTFE基板的上基面上贴合保护膜20，可能会导致保护膜20出现皱起现象，为解决该问题，可通过将PTFE基板的下基面可拆卸地连接至辅助板上后，再进行贴膜操作的方案防止保护膜20在贴合至质地较软的PTFE基板时起皱，在完成贴膜操作后，再解除PTFE基板和辅助板之间的连接关系即可。优选地，该辅助板可选取但不限于选取与PTFE基板外形、尺寸大小均相同的、厚度为1mm的FR4无铜基板。在此还需要说明的是，为避免对PTFE基板的结构造成影响，PTFE基板和辅助板之间的连接方式优先采用3M胶固定PTFE基板和辅助板四角的方式实现。

在压合连接步骤中，一并压合保护膜20、PTFE子板11和FR4母板12，以使PTFE子板11和FR4母板12压接，其中，保护膜20、PTFE子板11和FR4母板12从上往下依次层叠设置。在此需要说明的是，在本步骤中，先通过将PTFE子板11的板面上的内层线路和FR4母板12的板面上的外层线路接触设置后，将PTFE子板11上的熔合定位孔和FR4母板12上的熔合定位孔对位整齐后熔合后铆和，并将PTFE子板11上的铆和定位孔和FR4母板12上的铆和定位孔对位整齐后铆和，随后即可对叠合整齐的保护膜20、PTFE子板11和FR4母板12进行压合处理，从而使PTFE子板11和FR4母板12压接形成高频板10。在PTFE子板11和FR4母板12压接过程中，保护膜20可保护PTFE子板11的上侧板面不受半固化片粉尘的影响，从而避免其沾染粉尘导致在后续对PTFE子板11的上侧板面进行线路制作时出现开路或短路现象；保护膜20还可保护PTFE子板11的上侧板面在压合过程中，不会受到摩擦或碰撞而变形，从而保障其信号传输的稳定性及完整性。

在撕膜成型步骤中，将保护膜20从PTFE子板11上撕离。在此需要说明的是，在PTFE子板11和FR4母板12压接完成后，应将保护膜20从PTFE子板11上撕离，后续可对该高频板10进行常规的钻孔、沉铜板电、外层线路、图形电镀、外层蚀刻、防焊、文字、锣板、电测、沉锡等工序，在此不做详细赘述。

本发明实施例提供的高频板制造方法，其通过在对PTFE基板的下基面进行棕化处理之前，将保护膜20可撕离地贴合至PTFE基板的上基面上，从而使得PTFE基板的上基面在对PTFE基板的下基面进行棕化处理时不受棕化液药水作用，该保护膜20还可在压合连接步骤中对PTFE子板11进行保护，防止其因碰撞或摩擦导致变形，还防止其沾染半固化片粉尘，从而保障最终成型的高频板10的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中因为沾染粉尘出现线路开路或短路的情况。

请参阅图1-图2，在本实施例中，在压合连接步骤之前，且在料材预备步骤之后，还包括压力平衡预备步骤。

在压力平衡预备步骤中，在FR4母板12的下侧板面上贴合平衡膜30。在此需要说明的是，该平衡膜30的结构应与保护膜20的结构相同，如此可使得在PTFE子板11和FR4母板12压合连接时，其结构呈一定的对称性，即使PTFE子板11的上侧板面上贴合的保护膜20和FR4母板12的下侧板面上贴合的平衡膜30形成对称，从而避免由于结构的不对称性造成压合形成的高频板10出现板弯、板翘等现象。补充说明的是，与将保护膜20可撕离地贴合至上基面时所采用的操作方法类似，在FR4母板12的下侧板面上贴合平衡膜30时，亦可采用借助辅助板的方式避免贴合至在FR4母板12的下侧板面上的平衡膜30起皱。

其中，在压合连接步骤中，一并压合保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12和平衡膜30，以使PTFE子板11和FR4母板12压接，其中，保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12和平衡膜30从上往下依次层叠设置；而在撕膜成型步骤中，将保护膜20从PTFE子板11上撕离，并将平衡膜30从FR4母板12上撕离。对应地，在压合时，应将保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12和平衡膜30一并压合，在撕膜时，也应将平衡膜30从FR4母板12上撕离。在此还需要说明的是，由于需在FR4母板12的下侧板面上贴合平衡膜30，为避免平衡膜30的贴合和撕离对FR4母板12的下侧板面上的线路造成损伤，破坏其品质，因此，在料材预备步骤中的预备FR4母板12的工序中，先不对FR4母板12的下侧板面进行外层线路制作，仅在相应位置处制作光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等可供冲孔机识别的定位点，在将平衡膜30从FR4母板12上撕离后再对该板面进行外层线路制作等工序。

请参阅图1，在本实施例中，子板预备步骤与压力平衡预备步骤同步进行。在此需要说明的是，在料材预备步骤之后，可通过同步进行子板预备步骤与压力平衡预备步骤，以缩短生产周期。

请参阅图1-图2，在本实施例中，在压合连接步骤之前，且在子板预备步骤和压力平衡预备步骤之后，还包括阻胶预备步骤。

在阻胶预备步骤中，在PTFE子板11的上侧板面上贴合上离型膜，并在FR4母板12的下侧板面上贴合下离型膜。在此需要说明的是，离型膜应选取具有良好的耐温性、填充性和分离性的离型膜，将离型膜贴合至PTFE子板11的上侧板面上和FR4母板12的下侧板面上可用于隔离溢胶，防止PTFE子板11的上侧板面上和FR4母板12的下侧板面上在压合过程中沾染溢胶，从而提高PTFE子板11和FR4母板12的压合良率。

其中，在压合连接步骤中，一并压合上离型膜、保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12、平衡膜30和下离型膜，以使PTFE子板11和FR4母板12压接，其中，上离型膜、保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12、平衡膜30和下离型膜从上往下依次层叠设置；而在撕膜成型步骤中，将上离型膜和保护膜20从PTFE子板11上撕离，并将平衡膜30和下离型膜从FR4母板12上撕离。对应地，在压合时，应将上离型膜、保护膜20、PTFE子板11、FR4母板12、平衡膜30和下离型膜一并压合，在撕膜时，也应将上离型膜从PTFE子板11上撕离，和将下离型膜从FR4母板12上撕离。

请参阅图1-图2，在本实施例中，在将保护膜20可撕离地贴合至上基面之前，子板预备步骤还包括先用硫酸加双氧水微蚀上基面。在此需要说明的是，在将保护膜20贴合至PTFE基板的上基面之前，先通过用硫酸加双氧水微蚀上基面，以增加上基面的表面粗糙度，从而增强上基面与保护膜20的结合力。在此还需要补充说明的是，在FR4母板12的下侧板面上贴合平衡膜30之前，也可先通过用硫酸加双氧水微蚀FR4母板12的下侧板面以提高其与平衡膜30的结合力。

请参阅图1-图2，在本实施例中，在将保护膜20可撕离地贴合至上基面之后，且在对下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，子板预备步骤还包括对PTFE基板和保护膜20进行压合处理。在此需要说明的是，通过在对PTFE基板的下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，先对上基面贴合有保护膜20的PTFE基板和保护膜20进行一次压合处理，以使PTFE基板和保护膜20贴合更紧密，从而可进一步防止在对下基面进行棕化处理时，棕化液从PTFE基板和保护膜20中的缝隙进入，对PTFE基板的上基面起棕化作用。注意，在棕化之前应注意检查PTFE基板上的保护膜20无开口、无起泡等异常现象，在棕化后应确认上基面未受到棕化液的作用。在此还需要补充说明的是，在FR4母板12的下侧板面上贴合平衡膜30之后，亦可对FR4母板12和平衡膜30进行压合处理，以使FR4母板12和平衡膜30紧密贴合。

请参阅图1-图3，在本实施例中，在将保护膜20可撕离地贴合至上基面的工序之后，且在对PTFE基板和保护膜20进行压合处理之前，子板预备步骤还包括将保护膜20切割为内膜21和连接于内膜21周沿并呈环形设置的外模，并将外模从PTFE基板上撕离。在此需要说明的是，将保护膜20贴合至PTFE基板上后，保护膜20的厚度将可能对其下的上基面上所设置的光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点造成遮挡，从而导致在后续工序中，冲孔机识别光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点时将可能出现识别困难的情况，如此将在冲孔操作过程中出现漏孔或偏孔现象，从而影响后续的熔合和铆和对位，从而对PTFE子板11和FR4母板12的压合良率造成负面影响。为此，可通过将保护膜20切割为内膜21和连接于内膜21周沿并呈环形设置的外模，并将外模从PTFE基板上撕离后，再在PTFE基板上进行冲孔操作的方式，来防止保护膜20对PTFE基板上的光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点造成遮挡，以提高冲孔机识别定位光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点的定位精准度，从而提高熔合定位孔和铆和定位孔的位置精度，从而最终保障了PTFE子板11和FR4母板12熔合和铆和效果，从而提高PTFE子板11和FR4母板12的压合良率。具体地，实际制造场景中，外模的尺寸应根据预设位置的光标识别点、熔合定位孔图形、熔合孔以及铆合孔图形等定位点距离PTFE基板边缘的最大距离进行设置，如识别光标点到板边的最大距离为10mm，则可将该外模的内环与板边的距离差值设置为12mm。补充说明的是，若需对PTFE基板和保护膜20进行压合处理，以使PTFE基板和保护膜20贴合更紧密，应在本实施例中所提及的将保护膜20切割为内膜21和连接于内膜21周沿并呈环形设置的外模，并将外模从PTFE基板上撕离的工序之后再进行压合处理，以避免在进行撕离外模操作时可能降低PTFE基板和保护膜20的贴合紧密度的情况出现。

请参阅图1-图2，在本实施例中，保护膜20通过热压可撕离地贴合至上基面上。在此需要说明的是，采用热压技术将保护膜20可撕离地贴合至上基面上，可使得保护膜20与PTFE基板的粘结性更强，贴合紧密度更高。优选地，可采用手动贴膜机完成该操作。补充说明的是，同理，亦可采用热压技术将平衡膜30可撕离地贴合至FR4母板12的下侧板面上。

请参阅图1-图2，在本实施例中，对保护膜20进行热压的温度为100℃±10℃，热压的压力值为90PSI。在此需要说明的是，在采用热压技术将保护膜20可撕离地贴合至上基面上时，将热压温度控制在100℃±10℃，热压压力控制在90PSI，可在不破坏保护膜20的结构、性能以及不破坏PTFE基板的结构、性能的基础上，进一步提高保护膜20与PTFE基板之间的粘结性以及贴合紧密度。补充说明的是，同理地，采用热压技术将将平衡膜30可撕离地贴合至FR4母板12的下侧板面上，热压温度同样控制在100℃±10℃，热压压力同样控制在90PSI，以进一步提高平衡膜30与FR4母板12之间的粘结性以及贴合紧密度。

请参阅图1，在本实施例中，在对PTFE基板依次进行基板前处理之前，子板预备步骤还包括通过隧道炉对PTFE基板进行去应力处理。在此需要说明的是，在将整张的PTFE基板裁剪成预设规格尺寸即可获得PTFE基板之后，以及在对PTFE基板依次进行基板前处理之前，可先将PTFE基板过一次隧道炉，以去除该PTFE基板内部应力，减少其应变。补充说明的是，同理地，在将整张的FR4基板裁剪成至少一张预设规格尺寸的FR4基板之后，以及在对FR4基板进行内层线路制作之前，可将该FR4基板过一次隧道炉，以去除该FR4基板内部应力，减少其应变。

本发明实施例提供的高频板制造方法，其通过在对PTFE基板的下基面进行棕化处理之前，将保护膜20可撕离地贴合至PTFE基板的上基面上，从而使得PTFE基板的上基面在对PTFE基板的下基面进行棕化处理时不受棕化液药水作用，该保护膜20还可在压合连接步骤中对PTFE子板11进行保护，防止其因碰撞或摩擦导致变形，还防止其沾染半固化片粉尘，从而保障最终成型的高频板10的信号传输的稳定性及完整性，并避免其在后续制作线路中因为沾染粉尘出现线路开路或短路的情况。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高频板制造方法，用于制作高频板，其中，所述高频板包括层叠设置的PTFE子板和FR4母板，其特征在于，包括以下步骤：

料材预备，预备FR4母板、PTFE基板和保护膜，所述PTFE基板具有分别上下设置的上基面和下基面；

子板预备，先对所述PTFE基板依次进行基板前处理，再对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理，从而将所述PTFE基板制成PTFE子板，其中，在所述PTFE基板依次进行基板前处理之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面；

压合连接，一并压合所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述保护膜、所述PTFE子板和所述FR4母板从上往下依次层叠设置；

撕膜成型，将所述保护膜从所述PTFE子板上撕离；

其中，在所述压合连接步骤之前，且在所述料材预备步骤之后，还包括：

压力平衡预备，在所述FR4母板的下侧板面上贴合平衡膜；

在所述压合连接步骤之前，且在所述子板预备步骤和所述压力平衡预备步骤之后，还包括：

阻胶预备，在所述PTFE子板的上侧板面上贴合上离型膜，并在所述FR4母板的下侧板面上贴合下离型膜；

其中，在所述压合连接步骤中，一并压合所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜，以使所述PTFE子板和所述FR4母板压接，其中，所述上离型膜、所述保护膜、所述PTFE子板、所述FR4母板、所述平衡膜和所述下离型膜从上往下依次层叠设置；而在所述撕膜成型步骤中，将所述上离型膜和所述保护膜从所述PTFE子板上撕离，并将所述平衡膜和所述下离型膜从所述FR4母板上撕离。

2.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，所述子板预备步骤与所述压力平衡预备步骤同步进行。

3.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之前，所述子板预备步骤还包括先用硫酸加双氧水微蚀所述上基面。

4.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面之后，且在对所述下基面进行冲孔操作和棕化处理之前，所述子板预备步骤还包括对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理。

5.如权利要求4所述的高频板制造方法，其特征在于，在将所述保护膜可撕离地贴合至所述上基面的工序之后，且在对所述PTFE基板和所述保护膜进行压合处理之前，所述子板预备步骤还包括将所述保护膜切割为内膜和连接于所述内膜周沿并呈环形设置的外模，并将所述外模从所述PTFE基板上撕离。

6.如权利要求1所述的高频板制造方法，其特征在于，所述保护膜通过热压可撕离地贴合至所述上基面上。

7.如权利要求6所述的高频板制造方法，其特征在于，对所述保护膜进行热压的温度为100℃±10℃，热压的压力值为90PSI。

8.如权利要求1-7中任一项所述的高频板制造方法，其特征在于，在对所述PTFE基板依次进行基板前处理之前，所述子板预备步骤还包括通过隧道炉对所述PTFE基板进行去应力处理。

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