CN110011642B - 振荡电路、微型计算机及电子设备 - Google Patents

Abstract

振荡电路、微型计算机及电子设备。在不切换振荡动作中使用的电容元件或电阻元件的情况下伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，从而降低噪声或抖动等。振荡电路具备：充放电型振荡部，以基于控制电流的大小的振荡频率进行振荡动作；控制电流生成部，生成控制电流，控制电流生成部包括：基准电压生成电路，生成具有第1温度特性的基准电压；温度特性斜率校正电路，根据第1校正信息对基准电压的温度特性的斜率进行校正，生成具有第2温度特性的输出电压；电压电流转换电路，将温度特性斜率校正电路的输出电压转换为控制电流，根据第2校正信息对控制电流的大小进行校正，利用控制电流的温度特性来抑制充放电型振荡部的振荡频率的温度依赖性。

Description

振荡电路、微型计算机及电子设备

技术领域

本发明涉及对振荡频率进行温度补偿的振荡电路。进而，本发明涉及使用了这样的振荡电路的微型计算机以及电子设备等。

背景技术

在微型计算机等半导体装置中，内置有向CPU(中央运算装置)或外围电路提供时钟信号的振荡电路。通常，振荡电路的振荡频率具有温度依赖性，因此，通过由温度传感器检测环境温度，根据检测出的温度信息对振荡电路的振荡频率进行温度补偿。

作为相关技术，在专利文献1中公开了具备对振荡频率进行温度补偿的时钟振荡电路的半导体装置。该时钟振荡电路包括：电流输出电路，其能够调整输出电流对于电源电压和温度的依赖性；频率电压转换电路，其通过变更与接受输出电流的电容节点并联连接的静电电容元件的数量来变更时钟信号的频率；时钟设定部，其生成用于设定时钟信号的频率的信号并输出到频率电压转换电路。例如，开关基于4位的频率调整控制信号来选择电容元件，由此进行频率的切换。

【现有技术文献】

专利文献1：日本特开2012-70224号公报(摘要、0030段、图12)。

发明内容

近年来，由于以数字值的方式得到温度信息，所以，控制振荡电路的振荡频率的控制信号也成为数字信号，振荡动作中使用的电容元件或电阻元件通过控制信号进行切换。因此，在振荡电路的振荡频率随着温度变化而被温度补偿时，振荡频率不是以连续值而是以离散值变化。其结果，由于切换电容元件或电阻元件前后的特性变化，有可能增加噪声或抖动等。

因此，鉴于上述问题，本发明第1目的在于提供一种振荡电路，其不切换振荡动作中使用的电容元件或电阻元件，伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，降低噪声或抖动等。进而，本发明的第2目的在于，提供一种使用了这样的振荡电路的微型计算机及电子设备等。

为了解决以上课题的至少一部分，本发明的第1观点的振荡电路具备：充放电型振荡部，其以基于控制电流的大小的振荡频率进行振荡动作；以及控制电流生成部，其生成控制电流，控制电流生成部包括：基准电压生成电路，其生成具有第1温度特性的基准电压；温度特性斜率校正电路，其根据第1校正信息对基准电压的温度特性的斜率进行校正，生成具有第2温度特性的输出电压；以及电压电流转换电路，其将温度特性斜率校正电路的输出电压转换为控制电流，并且根据第2校正信息对控制电流的大小进行校正，利用控制电流的温度特性来抑制充放电型振荡部的振荡频率的温度依赖性。

根据本发明的第1观点，通过温度特性斜率校正电路对基准电压的温度特性的斜率进行校正，并且，通过利用电压电流转换电路将温度特性斜率校正电路的输出电压转换为适当大小的控制电流来控制振荡频率，从而能够提供如下这样的振荡电路，其能够在不切换振荡动作所使用的电容元件或电阻元件的情况下伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，从而降低噪声或抖动等。另外，与专利文献1等中公开的以往的振荡电路相比，电路规模变小，所以，能够降低产品成本等。

这里，基准电压生成电路也可以包括基极与集电极连接的双极晶体管，基准电压生成电路基于双极晶体管的发射极与基极及集电极之间的电压生成基准电压。由此，能够利用双极晶体管构成温度传感器，生成具有第1温度特性的基准电压。

另外，温度特性斜率校正电路包括：恒定电压生成电路，其生成恒定电压；差动放大电路，其以恒定电压为基准，放大基准电压；以及第1电阻，其具有根据第1校正信息而设定的电阻值，设定差动放大电路的放大率，温度特性斜率校正电路基于第1电阻的电阻值对基准电压的温度特性的斜率进行校正。由此，能够将基准电压的温度特性的斜率校正为期望的斜率。

在该情况下，振荡电路也可以构成为在规定温度下基准电压和恒定电压相等。由此，能够在不改变规定温度下的差动放大电路的输出电压的情况下改变差动放大电路的输出电压的温度特性的斜率。

进而，电压电流转换电路包括：构成电流镜电路的第1晶体管及第2晶体管；第3晶体管，其根据温度特性斜率校正电路的输出电压，向第1晶体管供给电流；第2电阻，其具有根据第2校正信息而设定的电阻值，设定第3晶体管的电压电流转换率；电压电流转换电路基于第2电阻的电阻值对从第2晶体管输出的控制电流的大小进行校正。由此，能够将规定温度下的振荡频率设定为期望的频率。

在该情况下，第3晶体管使用三阱构造而形成，具有与第2电阻的一端连接的源极及背栅极，第2电阻的另一端与规定电位的布线连接。这样，通过使第3晶体管的背栅与源极连接，能够降低背栅的电位对第3晶体管的特性造成的影响，提高电压电流转换动作的精度。

本发明的第2观点的微型计算机具有：上述任一个振荡电路；和存储部，其存储第1校正信息和第2校正信息并提供给振荡电路。存储单元可以包括非易失性存储器或多个熔断器。根据本发明的第2观点，通过将与各个振荡电路对应的第1校正信息和第2校正信息保存在存储部中，能够提高各个振荡电路的特性。

根据本发明的第3方面的电子设备包括上述任一个振荡电路。根据本发明的第3观点，能够提供一种与由振荡电路生成的准确的时钟信号同步地动作的电子设备，该振荡电路伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，降低噪声或抖动等。

附图说明

图1是示出本发明的一个实施方式的微型计算机的框图。

图2是示出图1所示的振荡电路的结构例的电路图。

图3是示出图2所示的充放电型振荡部的结构例的电路图。

图4是示出图2所示的控制电流生成部的结构例的电路图。

图5是示出由基准电压生成电路生成的基准电压的温度特性的图。

图6是示出温度特性斜率校正电路的输出电压的温度特性的图。

图7是示出由电压电流转换电路生成的控制电流的温度特性的图。

图8是示出振荡电路的温度特性未被校正的状态下的频率误差的图。

图9是示出振荡电路的温度特性被校正的状态下的频率误差的图。

图10是示出图4所示的晶体管QN3的构造的剖面图。

图11是示出本发明的一个实施方式的电子设备的结构例的框图。

标号说明

10：振荡电路；20：CPU；30：非易失性存储器；40：RAM；50：外围电路；60：充放电型振荡部；61～66：反相器；67：RS触发器；70：控制电流生成部；71：基准电压生成电路；72：温度特性斜率校正电路；72a：恒定电压生成电路；73：电压电流转换电路；80：半导体衬底；81：深N阱；82：P阱；91、95：P型接触区；92：N型接触区；93、94 N型杂质区；96栅极电极；110操作部；120通信部；130声音输出部；140显示部；QP1～QP4 P沟道MOS晶体管；QN1～QN3 N沟道MOS晶体管；QB1 PNP双极晶体管；C1、C2电容器；R1～R3电阻；AMP1～AMP3差动放大电路。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，对相同的构成要素标注相同的参考标号，省略重复的说明。

<微型计算机>

图1是示出本发明的一个实施方式的微型计算机的结构例的框图。如图1所示，该微型计算机包括本发明实施方式的振荡电路10、CPU20、非易失性存储器30、RAM(随机存取存储器)40和外围电路50。

振荡电路10通过进行振荡动作，生成具有规定频率的时钟信号CLK，将时钟信号CLK提供给CPU20及外围电路50。CPU20与从振荡电路10供给的时钟信号CLK同步地动作，按照程序进行各种信号处理和控制处理。非易失性存储器30存储有用于供CPU20进行各种信号处理和控制处理的程序和数据等。

另外，非易失性存储器30存储包含用于校正振荡电路10的振荡频率的第1校正信息和第2校正信息的校正数据(例如16位)并提供给振荡电路10。另外，为了存储校正数据，也可以与非易失性存储器30分开地设置有多个熔断器。RAM40被用作CPU20的作业区域，暂时存储从非易失性存储器30读出的程序或数据、或者CPU20按照程序执行的运算结果等。

<振荡电路>

图2是示出图1所示的振荡电路的结构例的电路图。如图2所示，振荡电路10包括充放电型振荡部60和控制电流生成部70，被供给高电位侧的电源电位VDD和低电位侧的电源电位VSS(在本实施方式中是接地电位0V)而进行动作。充放电型振荡部60通过以基于控制电流Icnt的大小的振荡频率进行振荡动作，生成振荡信号Fout。控制电流生成部70生成用于控制充放电型振荡部60的振荡频率的控制电流Icnt。

<充放电型振荡部>

图3是示出图2所示的充放电型振荡部的结构例的电路图。如图3所示，充放电型振荡部60具备：P沟道MOS晶体管QP1及QP2、N沟道MOS晶体管QN1及QN2、电容器C1及C2、反相器61～66、以及RS触发器67。反相器65将从RS触发器67的输出端子Q输出的输出信号反转而生成振荡信号Fout，反相器66将振荡信号Fout进一步反转而生成反转振荡信号Fx。

供给到充放电型振荡部60的控制电流Icnt通过电流镜电路等供给到晶体管QP1的源极和晶体管QP2的源极。晶体管QP1具有被施加振荡信号Fout的栅极。晶体管QN1具有与晶体管QP1的漏极连接的漏极、与电源电位VSS的布线连接的源极、和被施加振荡信号Fout的栅极。

电容器C1具有与晶体管QP1的漏极及晶体管QN1的漏极连接的一端、以及与电源电位VSS的布线连接的另一端。电容器C1的一端生成的信号由反相器61和62缓冲，作为复位信号提供给RS触发器67的复位端子R。

晶体管QP2具有被施加反转振荡信号Fx的栅极。晶体管QN2具有与晶体管QP2的漏极连接的漏极、与电源电位VSS的布线连接的源极、和被施加反转振荡信号Fx的栅极。

电容器C2具有与晶体管QP2的漏极及晶体管QN2的漏极连接的一端、以及与电源电位VSS的布线连接的另一端。电容器C2的一端生成的信号由反相器63和64缓冲，作为置位信号提供给RS触发器67的置位端子S。

RS触发器67在复位信号为低电平时，与置位信号的上升同步地置位而将输出信号激活为高电平，在置位信号为低电平时，与复位信号的上升同步地复位，将输出信号禁用为低电平。

当RS触发器67被复位时，振荡信号Fout变为高电平，反转振荡信号Fx变为低电平。因此，晶体管QP1成为截止状态，晶体管QN1成为导通状态，所以，对电容器C1充电的电荷被释放，复位信号成为低电平。

另一方面，晶体管QP2成为导通状态，晶体管QN2成为截止状态，因此，控制电流Icnt流入电容器C2而电容器C2被充电，置位信号成为高电平。由此，RS触发器67被置位而将输出信号激活为高电平。

当RS触发器67被置位时，振荡信号Fout变为低电平，反转振荡信号Fx变为高电平。因此，晶体管QP2成为截止状态，晶体管QN2成为导通状态，所以，对电容器C2充电的电荷被释放，置位信号成为低电平。

另一方面，晶体管QP1成为导通状态，晶体管QN1成为截止状态，因此，控制电流Icnt流入电容器C1而电容器C1被充电，复位信号成为高电平。由此，RS触发器67被复位而将输出信号禁用为低电平。

这样，RS触发器67反复进行置位和复位，从而充放电型振荡部60进行高精度的振荡动作。RS触发器67反复进行置位和复位的速度与控制电流Icnt的大小大致成比例，因此，能够根据控制电流Icnt的大小来控制充放电型振荡部60的振荡频率。

<控制电流生成部>

图4是示出图2所示的控制电流生成部的结构例的电路图。如图4所示，控制电流生成部70包括：基准电压生成电路71、温度特性斜率校正电路72、电压电流转换电路73。

<基准电压生成电路>

基准电压生成电路71例如包括PNP双极晶体管QB1和差动放大电路AMP1，生成具有第1温度特性的基准电压V1。晶体管QB1具有被供给恒定电流Iref的发射极、和与电源电位VSS的布线连接的集电极及基极。由于晶体管QB1的基极与集电极连接，所以，晶体管QB1与二极管等效。

差动放大电路AMP1具有与晶体管QB1的发射极连接的同相输入端子、以及与输出端子连接的反相输入端子，作为电压跟随器进行动作，该电压跟随器对施加到同相输入端子的电压进行缓冲后从输出端子输出。因此，基准电压生成电路71根据晶体管QB1的发射极与基极以及集电极之间的电压，生成基准电压V1。由此，能够利用双极晶体管构成温度传感器，生成具有第1温度特性的基准电压V1。

图5是示意地示出由图4所示的基准电压生成电路生成的基准电压的温度特性的图。在图5中，横轴表示温度T，纵轴表示由基准电压生成电路71生成的基准电压V1。在图5所示的例子中，基准电压V1随着温度T的上升而降低。

在恒定电流Iref具有极低的温度依赖性的情况下，主要由晶体管QB1的温度特性决定基准电压V1的温度特性，由于最终能够调整从控制电流生成部70输出的控制电流Icnt的温度特性，所以，在规定的范围内允许恒定电流Iref的温度依赖性。

<温度特性斜率校正电路>

温度特性斜率校正电路72例如包括恒定电压生成电路72a、差动放大电路AMP2、电阻R1及R2，根据图1所示的校正数据中包含的第1校正信息(例如6位的数据)校正基准电压V1的温度特性的斜率，生成具有第2温度特性的输出电压V2。

恒定电压生成电路72a例如由带隙基准电路等构成，生成恒定电压Vref。期望恒定电压Vref具有极低的温度依赖性，但最终能够调整从控制电流生成部70输出的控制电流Icnt的温度特性，因此，在规定的范围内允许恒定电压Vref的温度依赖性。

差动放大电路AMP2具有被施加恒定电压Vref的同相输入端子和反相输入端子，以恒定电压Vref为基准而放大基准电压V1，由此从输出端子输出输出电压V2，该反相输入端子经由电阻R1与基准电压生成电路71的输出端子连接，并且经由电阻R2与差动放大电路AMP2的输出端子连接。

电阻器R1和R2中的至少一个(图4中的电阻器R2)具有根据第1校正信息设置的电阻值，是设定差动放大电路AMP2的放大率(闭环增益)的可变电阻(也称为“第1电阻”)。温度特性斜率校正电路72根据第1电阻的电阻值，校正基准电压V1的温度特性的斜率。由此，能够将基准电压V1的温度特性的斜率校正为期望的斜率。

如果差动放大电路AMP2的开环增益足够大，则差动放大电路AMP2的输出电压V2如下求出。

V2-Vref＝-(R2/R1)(V1-Vref)

∴V2-Vref＝-(R2/R1)(V1-Vref)…(1)

图6是示意性地示出图4所示的温度特性斜率校正电路的输出电压的温度特性的图。在图6中，横轴表示温度T，纵轴表示温度特性斜率校正电路72的输出电压V2。在图6所示的例子中，输出电压V2随着温度T的上升而上升。

根据式(1)，通过以在规定温度(例如25℃)下基准电压V1和恒定电压Vref相等的方式构成振荡电路，能够在不使规定温度下的差动放大电路AMP2的输出电压V2变化的情况下改变差动放大电路AMP2的输出电压V2的温度特性的斜率。

<电压电流转换电路>

电压电流转换电路73例如包括差动放大电路AMP3、P沟道MOS晶体管QP3和QP4、N沟道MOS晶体管QN3和电阻器R3。将温度特性斜率校正电路72的输出电压V2转换为控制电流Icnt，并且根据包含在图1所示的校正数据中的第2校正信息(例如10位的数据)校正控制电流Icnt的大小。

差动放大电路AMP3具有被施加温度特性斜率校正电路72的输出电压V2的同相输入端子和被施加反馈电压FB的反相输入端子，从输出端子输出输出电压V3。晶体管QN3具有被施加差动放大电路AMP3的输出电压V3的栅极和经由电阻R3与电源电位VSS的布线连接的源极。

晶体管QP3和QP4是构成电流镜电路的第1晶体管和第2晶体管。晶体管QP3具有与电源电位VDD的布线连接的源极、以及与晶体管QN3的漏极连接的漏极及栅极。

晶体管QP4具有与电源电位VDD的布线连接的源极、以及与晶体管QP3的漏极及栅极连接的栅极。在晶体管QP4中流过与流过晶体管QP3的电流成比例的电流，生成控制电流Icnt。

晶体管QN3是根据温度特性斜率校正电路72的输出电压V2向晶体管QP3提供电流的第3晶体管。当电流流过晶体管QN3时，在电阻R3的一端生成反馈电压FB。由于反馈电压FB被施加到差动放大电路AMP3的反相输入端子，所以，与施加到同相输入端子的温度特性斜率校正电路72的输出电压V2大致相等。

因此，使用流过晶体管QN3的电流I3，通过下式(2)表示控制电流Icnt。

Icnt＝αI3＝αV2/R3…(2)

这里，α是由构成电流镜电路的晶体管QP3和QP4的尺寸比决定的比例常数。

另外，电阻R3具有按照第2校正信息设定的电阻值，是设定晶体管QN3的电压电流转换率的可变电阻(也称为“第2电阻”)。电压电流转换电路73根据第2电阻的电阻值，对从晶体管QP4输出的控制电流Icnt的大小进行校正。由此，能够将规定温度下的振荡频率设定为期望的频率。

图7是示意地示出由图4所示的电压电流转换电路生成的控制电流的温度特性的图。在图7中，横轴表示温度T，纵轴表示由电压电流转换电路73生成的控制电流Icnt。在图7所示的例子中，控制电流Icnt随着温度T的上升而上升。

<振荡频率调整>

参照图4～图7，为了调整振荡电路的振荡频率，首先，以使规定温度(例如25℃)下的振荡频率与目标值一致的方式调整电压电流转换电路73中的电阻R3的电阻值来调整控制电流Icnt的大小(图7)。接着，调整温度特性斜率校正电路72中的电阻R2(或R1)的电阻值而调整输出电压V2的温度特性(图6)，以使在高温(例如85℃)或低温下频率误差变小。

在决定了这些电阻值后，用于设定电阻值的设定信息作为校正数据被存储在图1所示的非易失性存储器30(或熔断器)中，在振荡电路启动时被自动读出并使用。这样，通过将与各个振荡电路对应的校正数据(第1和第2校正信息)保存在存储部中，能够提高各个振荡电路的特性。

图8是示出振荡电路的温度特性未被校正的状态下的频率误差的例子的图，图9是示出振荡电路的温度特性被校正的状态下的频率误差的例子的图。在图8和图9中，横轴表示振荡电路周边的环境温度Ta[℃]，纵轴表示频率误差[％]的测定值。

在振荡电路的温度特性未被校正的状态下，向图2所示的充放电型振荡部60供给的控制电流Icnt与温度无关地地保持恒定。在这种情况下，如图8所示，充放电型振荡部60具有振荡频率随着环境温度Ta的上升而降低的温度依赖性。另一方面，在通过图2所示的控制电流生成部70对控制电流Icnt赋予适当的温度特性的情况下，如图9所示，通过控制电流Icnt的温度特性来抑制充放电型振荡部60的振荡频率的温度依赖性。

另外，在振荡电路的温度特性未被校正的状态下，图2所示的充放电型振荡部60有时也具有振荡频率随着环境温度Ta的上升而上升的温度依赖性。在这样的情况下，在图4所示的基准电压生成电路71中，也可以代替PNP双极晶体管而使用NPN双极晶体管。此时，NPN双极晶体管与电源电位VDD侧连接。

另外，也可以将PNP双极晶体管和NPN双极晶体管双方搭载在基准电压生成电路71中，对它们进行切换而使用。或者，在图4所示的温度特性斜率校正电路72中，也可以追加反相放大电路，或者差动放大电路AMP2进行同相放大动作。

根据本实施方式，通过温度特性斜率校正电路72校正基准电压V1温度特性的斜率、并通过利用电压电流转换电路73将温度特性斜率校正电路72的输出电压V2转换为适当大小的控制电流Icnt来控制振荡频率，从而能够提供如下这样的振荡电路，其能够在不切换振荡动作所使用的电容元件或电阻元件的情况下伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，从而降低噪声或抖动等。另外，与专利文献1等中公开的以往的振荡电路相比，电路规模变小，所以，能够降低产品成本等。

<三阱结构>

图10是示出图4所示的晶体管QN3的构造的剖面图。在本实施方式中，晶体管QN3使用三阱构造而形成。如图10所示，深N阱81和P型接触区91设置在P型半导体衬底80中。另外，在深N阱81内设有P阱82和N型接触区92。经由P型接触区91向半导体衬底80供给电源电位VSS，经由N型接触区92向深N阱81供给电源电位VDD。

进而，在P阱82内设置有分别构成晶体管QN3的漏极及源极的N型杂质区93及94、和P型接触区95。P阱82相当于晶体管QN3的背栅。在P阱82上，隔着栅极绝缘膜配置有晶体管QN3的栅极电极96。

因此，晶体管QN3具有被施加差动放大电路AMP3的输出电压V3的栅电极96、以及与电阻R3的一端连接的源极和背栅极，电阻R3的另一端与规定电位(在本实施方式中，是电源电位VSS)的布线连接。这样，通过晶体管QN3的背栅与源极连接，能够降低背栅的电位对晶体管QN3的特性造成的影响，提高电压电流转换动作的精度。

<电子设备>

接着，对使用了本发明的一个实施方式的振荡电路的电子设备进行说明。

图11是示出本发明的一个实施方式的电子设备的结构例的框图。该电子设备包括本发明的一个实施方式的振荡电路10、CPU20、非易失性存储器30、RAM40、操作部110、通信部120、声音输出部130和显示部140。另外，也可以省略或变更图11所示的构成要素的一部分，或者，也可以在图11所示的构成要素上附加其他的构成要素。

振荡电路10、CPU20、非易失性存储器30以及RAM40与参照图1说明的情况相同。由振荡电路10生成的时钟信号CLK通过CPU20等提供给电子设备的各部。另外，CPU20根据从操作部110供给的操作信号进行各种信号处理，或者，为了与外部之间进行数据通信而控制通信部120。或者，CPU20生成用于使声音输出部130输出各种声音的声音信号，或者生成用于使显示部140显示各种图像的图像信号。

操作部110例如是包括操作键和按钮开关等的输入装置，将与用户的操作对应的操作信号输出到CPU20。通信部120例如由模拟电路及数字电路构成，进行CPU20与外部装置之间的数据通信。声音输出部130例如包括声音电路和扬声器等，根据从CPU20供给的声音信号输出声音。另外，显示部140例如包括显示驱动电路和LCD(液晶显示装置)等，根据从CPU20供给的图像信号显示各种信息。

作为上述电子设备，例如可以列举：移动电话机等移动终端、智能卡、计算器、电子词典、电子游戏机、数字静态相机、数字摄像机、电视机、电视电话、安全用电视监视器、头戴式显示器、个人计算机、打印机、网络设备、汽车导航装置、测量设备以及医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、以及电子内窥镜等)。

根据本实施方式，能够提供一种与由振荡电路10生成的准确的时钟信号同步地动作的电子设备，该振荡电路10伴随温度变化而连续地对振荡频率进行温度补偿，降低了噪声或抖动等。

本发明不限于以上说明的实施方式，在该技术领域中具有通常知识的人能够在本发明的技术思想内进行多种变形。

Claims (8)

1.一种振荡电路，其具有：

充放电型振荡部，其以基于控制电流的大小的振荡频率进行振荡动作；以及

控制电流生成部，其生成所述控制电流，

所述控制电流生成部包括：

基准电压生成电路，其生成具有第1温度特性的基准电压；

温度特性斜率校正电路，其根据第1校正信息对所述基准电压的温度特性的斜率进行校正，生成具有第2温度特性的输出电压；以及

电压电流转换电路，其将所述温度特性斜率校正电路的输出电压转换为所述控制电流，并且根据第2校正信息对所述控制电流的大小进行校正，

所述温度特性斜率校正电路包括：

恒定电压生成电路，其生成恒定电压；

差动放大电路，其以所述恒定电压为基准，放大所述基准电压；以及

第1电阻，其具有根据所述第1校正信息而设定的电阻值，设定所述差动放大电路的放大率，

所述温度特性斜率校正电路基于所述第1电阻的电阻值对所述基准电压的温度特性的斜率进行校正。

2.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，

所述基准电压生成电路包括基极与集电极连接的双极晶体管，

所述基准电压生成电路基于所述双极晶体管的发射极与基极及集电极之间的电压生成所述基准电压。

3.根据权利要求1所述的振荡电路，其中，

所述振荡电路构成为在规定温度下所述基准电压和所述恒定电压相等。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的振荡电路，

所述电压电流转换电路包括：

构成电流镜电路的第1晶体管及第2晶体管；

第3晶体管，其根据所述温度特性斜率校正电路的输出电压，向所述第1晶体管供给电流；

第2电阻，其具有根据所述第2校正信息而设定的电阻值，设定所述第3晶体管的电压电流转换率；

所述电压电流转换电路基于所述第2电阻的电阻值对从所述第2晶体管输出的所述控制电流的大小进行校正。

5.根据权利要求4所述的振荡电路，

所述第3晶体管使用三阱构造而形成，具有与所述第2电阻的一端连接的源极及背栅极，所述第2电阻的另一端与规定电位的布线连接。

6.一种微型计算机，其具有：

权利要求1至5中任一项所述的振荡电路；以及

存储部，其存储所述第1校正信息和所述第2校正信息并提供给所述振荡电路。

7.根据权利要求6所述的微型计算机，其中，

所述存储部包括非易失性存储器或多个熔断器。

8.一种电子设备，其具有权利要求1～5中任一项所述的振荡电路。

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