CN110010580B - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种确保无引脚式的半导体装置的引脚部的可焊性的半导体装置及其制造方法。DFN(6)具有：半导体芯片；管芯焊盘；多个引脚部(2a)，其配置在上述管芯焊盘的周围，并且在各个引脚部的前端部形成有缺口部(2c)；多个引线，其将上述半导体芯片的表面电极与多个引脚部(2a)中的某个引脚部电性连接：树脂制的密封体(4)，其将上述半导体芯片以及多个引脚部(2a)中的每一个引脚部的一部分覆盖。而且，多个引脚部(2a)中的每一个具有在密封体(4)的背面(4b)露出的端子部(2b)，缺口部(2c)在沿着多个引脚部(2a)的排列方向(P)的方向上的宽度比端子部(2b)在沿着排列方向(P)的方向上的宽度小。
Description
技术领域
本发明涉及一种例如无引脚式(Leadless Type)的半导体装置及其制造技术。
背景技术
公知有被称为MAP(模制阵列封装：MoldArray Package)的半导体装置的制造方法，该方法使用密封体将多个器件区域统一覆盖，针对每个密封体进行切割(封装切割：Package Dicing)而单片化。
作为MAP制造方法，例如美国专利第8017447号说明书(专利文献1)公开有如下技术：对与相邻结构相连接且形成有连接棒的引脚框架(Lead Frame)进行二次注塑(Overmold)成型，对形成有连接棒的槽上照射激光而除去将槽填满的成型材料。
另外，例如JP特开2013-143445号公报(专利文献2)中公开有如下技术：对从密封半导体芯片的密封体的下表面露出的引脚照射激光，从而与由引脚的第一厚度构成的部分的侧面相邻地形成槽，并使侧面和部分的下表面从密封体露出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第8017447号说明书；
专利文献2：JP特开2013-143445号公报。
无引脚封装由于是利用划片机(Dicing Saw)将引脚端子和塑封化合物(MoldCompound)切断而单片化，因此虽然引脚端子的下表面由焊锡浸润性材料覆盖，但是引脚端子的侧面并未由焊锡浸润性材料覆盖，在利用焊锡材料对安装基板进行热安装之际，侧面引脚的外部下端的连接可靠性差，另外，焊锡接合部的目视检查也困难。
即，在利用塑封化合物二次注塑侧面引脚的外部下端部分(在引脚框架的连接条形成高低差)之后，仅通过利用激光将塑封化合物除去，并不能将塑封化合物完全除去，以后的焊锡浸润性材料的覆盖变得不均匀，难以确保可焊性。
另外，当使用激光将塑封化合物除去时，由于激光对侧面引脚的外部下端部分(在引脚框架的连接条形成高低差)的周边过度照射，因此在端子的两个侧面上产生模制树脂的空化部分，这可能使耐湿性变差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够确保半导体装置的引脚部的可焊性的技术。
本发明的所述的目的和新的特征可根据本申请文件的记述以及所附附图来明确。
针对本申请中公开的实施方式之中的代表性的例子的概要简单说明如下。
基于一个实施方式的半导体装置，具有：半导体芯片；芯片装载部，其装载有所述半导体芯片；多个引脚部，其配置在所述芯片装载部的周围，且在各个引脚部的芯片装载部侧的相反侧的前端部形成有缺口部。还具有：多个导电性部件，其将所述半导体芯片的表面电极与所述多个引脚部的其中之一电性连接；树脂制的密封体，其将所述半导体芯片、所述多个导电性部件以及所述多个引脚部中的每一个引脚部的一部分覆盖。而且，所述多个引脚部的每一个具有在所述密封体的背面露出的端子部，所述缺口部在沿着所述多个引脚部的排列方向的方向上的宽度比所述端子部在沿着所述排列方向的方向上的宽度小。
另外，基于一个实施方式的半导体装置的制造方法，具有以下的工序。(a)在引脚框架的多个器件形成区域中的每一个器件形成区域的芯片装载部装载半导体芯片的工序，其中所述引脚框架具有所述多个器件形成区域和横跨相邻的所述器件形成区域而配置的连接条；(b)通过导电性部件将多个半导体芯片中的每一个半导体芯片的表面电极与相连于所述连接条的多个引脚部的每一个引脚部电性连接的工序。还具有：(c)形成将所述引脚框架的所述多个器件形成区域、所述连接条以及所述多个半导体芯片统一覆盖的树脂制的统一密封体的工序；(d)将在所述连接条的凹状的高低差部中填充的树脂除去的工序；(e)在所述连接条的所述高低差部将所述连接条切断而进行单片化的工序。在此，所述(d)工序包括：对所述高低差部的所述树脂照射激光的(d1)工序；在所述(d1)工序后，实施水冲处理或液体研磨处理而将在所述高低差部填充的所述树脂除去的(d2)工序。而且，在所述(d1)工序中，以在第一方向上，使得对所述高低差部的所述树脂照射所述激光的照射宽度比与所述高低差部一体形成的端子部的宽度窄的方式照射所述激光，其中所述第一方向是所述多个引脚部的排列方向。
对本申请中公开的发明之中，通过代表性的发明而得到的效果简单说明该如下。
在注塑后，对在引脚框架的连接条的高低差部填充的树脂照射激光，进而进行水冲处理或液体研磨处理，从而能够将高低差部的树脂除去。由此，能够确保半导体装置的引脚部的可焊性。另外，通过对高低差部的树脂照射激光的照射宽度比端子部的宽度窄的方式照射激光，能够防止在引脚部的缺口部的两侧面产生树脂的空化部分，能够提高半导体装置的品质以及可靠性。
附图说明
图1是示出本发明实施方式的半导体装置的安装面侧的结构的一个例子的立体图。
图2是示出图1的A部的结构的放大局部立体图。
图3是示出图1所示的半导体装置的组装顺序的一个例子的流程图。
图4是示出图3的B部的结构的放大局部剖视图。
图5是示出图1所示的半导体装置的组装中模制后连接条的高低差部的状态的一个例子的局部立体图。
图6是示出向图5所示的高低差部照射激光的状态的一个例子的局部立体图。
图7是示出图6所示的激光照射时的扫描状态的一个例子的局部立体图。
图8是示出图6所示的激光照射时的照射宽度的一个例子的局部立体图。
图9是示出比较例中的激光照射后的密封体的空化状态的结构的局部立体图。
图10是示出图6所示的激光照射后的高低差部的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图。
图11是示出通过水冲处理除去图10所示的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图。
图12是示出通过液体研磨处理而除去图10所示的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图。
图13是示出图1所示的半导体装置的安装结构的引脚部接合部分的一个例子的放大局部剖视图。
附图标记的说明
1 半导体芯片
1a 主面
1b 背面
1c 焊盘(表面电极，电极焊盘，键合电极)
2 引脚框架
2a 引脚部
2b 端子部
2c 缺口部
2d 侧面
2e 管芯焊盘(芯片装载部)
2ea 上表面
2eb 下表面
2ec 切断面
2f 器件区域
2g 连接条
2h 高低差部
2i 边界
3 引线(导电性部件)
4 密封体
4a 上表面
4b 背面
4c、4ca、4cb 侧面
4d 树脂突出部
4e 统一密封体
4ea 树脂
4f 残留树脂
5 管芯接合材料
6 DFN(半导体装置)
7 焊锡浸润性膜(金属膜)
8 激光振荡部
8a 激光
8b 照射轨迹
9 树脂空化部分
10 喷嘴
10a 液体
11 喷射枪
11a 浆液
12 安装基板
12a 导体图案
13 焊锡
13a 角焊缝
14 划片机
15 非照射宽度
T1、T2 延长线
L1、L2、L3 宽度
Q 长度方向
P 排列方向
具体实施方式
图1是示出本发明实施方式的半导体装置的安装面侧的结构的一个例子的立体图，图2是示出图1的A部的结构的放大局部立体图。
＜半导体装置＞
图1所示的本实施方式的半导体装置，是利用在组装中通过封装切割而单片化的所谓的MAP方法来组装的无引脚封装。本实施方式中，作为利用上述MAP方法而组装的无引脚封装的一个例子，采用DFN(双边扁平无引脚：Dual-FlatNo-leads)6进行说明。DFN6是如下的半导体封装：沿着树脂制的密封体4的相对的两个侧面4ca中的每一个配置多个引脚部2a，各引脚部2a的端子部2b被配置在密封体4作为安装面的背面4b上。
对DFN6的详细结构进行说明，该DFN6具有：半导体芯片1，其在后述的图3所示那样的主面1a上形成有多个焊盘(bonding pad)(表面电极、电极焊盘、键合电极)1c；管芯焊盘2e，其是装载半导体芯片1的芯片装载部；多个引脚部2a，被配置在管芯焊盘2e的周围。还具有：多个引线(导电性部件)，将半导体芯片1的焊盘1c与多个引脚部2a之中的某个引脚部2a电性连接(导电性部件)3；树脂制的密封体4，覆盖半导体芯片1、多个引线3以及多个引脚部2a中的每一个的一部分。
DFN6是从半导体芯片1产生大量热量的类型的半导体封装。因此构成为如下结构：管芯焊盘2e的下表面2eb露出在密封体4的背面4b，并从该管芯焊盘2e的下表面2eb放出(或者传导出)来自半导体芯片1的热量。如后述的图3所示，半导体芯片1经由管芯接合材料5装载在管芯焊盘2e的上表面2ea上。换而言之，半导体芯片1的背面1b经由管芯接合材料5固定在管芯焊盘2e的上表面2ea上。
另外，DFN6的密封体4具有：作为安装面的背面4b和背面的相反侧的面的上表面4a(参照后述的图3)；还具有位于背面4b与上表面4a之间的四个侧面4c。多个引脚部2a的侧面2d露出在四个侧面4c之中的相对的两个侧面4ca的每一个上。另一方面，支撑管芯焊盘2e的悬挂引脚(未图示)的切断面2ec露出在四个侧面4c之中的相对的两个侧面4cb的每一个上。
在本实施方式的DFN6中，多个引脚部2a的每一个具有在密封体4的背面4b露出的端子部2b。而且，在多个引脚部2a的每一个上，在与管芯焊盘2e侧相反一侧的前端部分别形成有缺口部2c。缺口部2c是从密封体4的背面4b和侧面4ca凹陷的部分，是配置在端子部2b与侧面2d之间而且与端子部2b和侧面2d相连的部分。
如图2所示，缺口部2c在沿着多个引脚部2a的排列方向(第一方向)P的方向上的宽度L1比端子部2b在沿着排列方向P的方向上的宽度L2小(L1＜L2)。
详细而言，在缺口部2c的排列方向P上的两侧部配置有树脂突出部4d，该树脂突出部4d从端子部2b的排列方向P上的两端部向内侧伸出。由此，缺口部2c在沿着多个引脚部2a的排列方向P的方向上的宽度L1比端子部2b在沿着排列方向P的方向上的宽度L2小(窄(L1＜L2))。
另外，设置在缺口部2c两侧的树脂突出部4d之间的表面被金属膜覆盖。如后述的图4所示，该金属膜是焊锡浸润性膜7。即，焊锡浸润性膜7是对焊锡的浸润性良好的金属膜，例如是由Sn、Pb-Sn、Sn-Bi或Sn-Ag-Cu等构成的镀膜。
另外，如图1以及图2所示，DFN6的多个引脚部2a中的每一个都具有从密封体4的侧面4ca露出且并未由上述金属膜覆盖的侧面2d。由于侧面2d是在后述的图3所示的引脚框架2的连接条2g的高低差部2h形成上述金属膜之后进行切断而形成的面，因此没有被上述金属膜覆盖。
在此，半导体芯片1例如由Si或SiC等构成。
另外，多个引脚部2a以及管芯焊盘2e例如由Cu合金或Fe-Ni合金等构成。
另外，引线3例如由Au、Cu、Al或Ag等构成。
另外，密封体4例如由热固性的环氧类树脂等构成。
另外，管芯接合材料5由Ag焊膏、高熔点焊锡或烧结金属等构成。
＜半导体装置的组装＞
图3是示出图1所示的半导体装置的组装顺序的一个例子的流程图，图4是示出图3的B部的结构的放大局部剖视图。
另外，在本实施方式中，在半导体装置(DFN6)的组装的说明中，为了易于理解，仅使用设置有多个器件区域2f之中的两个器件区域2f进行说明。
1.准备引脚框架
首先，准备图3所示的引脚框架2。引脚框架2具有多个器件区域2f和横跨相邻的器件区域2f而配置的连接条2g。器件区域2f是形成一个DFN6的区域，在各器件区域2f形成有能够支撑半导体芯片1的作为芯片装载部的管芯焊盘2e和配置在管芯焊盘2e的周围的多个引脚部2a。另外，多个引脚部2a中的每一个与连接条2g相连。
而且，在连接条2g形成有从引脚部2a的形成端子部2b的面侧凹陷而成的高低差部2h。该高低差部2h例如通过蚀刻加工等而形成。所以，高低差部2h的截面形状构成为弯曲形状(R形状)，该凹陷的高低差部2h的部分横跨相邻的器件区域2f而配置。
2.贴片(Chip Mounter)
在准备了引脚框架2之后，进行图3的步骤S1所示的贴片。在此，在多个器件区域2f中的每一个器件区域2f的管芯焊盘2e上装载半导体芯片1。此时，在管芯焊盘2e的上表面2ea上经由管芯接合材料5(也称为芯片贴装(DieAttach)材料)装载半导体芯片1。由此，半导体芯片1的背面1b经由管芯接合材料5固定在管芯焊盘2e的上表面2ea上。
3.线焊(Wire Bond)
贴片后，进行图3的步骤S2所示的线焊。在此，多个半导体芯片1中的每一个半导体芯片1的焊盘1c与相连于连接条2g的多个引脚部2a之中的某个引脚部2a通过引线(导电性部件、布线材料)3而电性连接。
4.二次注塑(OverMold)
焊线后，进行图3的步骤S3所示的二次注塑。在此，形成树脂制的统一密封体4e，其统一覆盖引脚框架2的多个器件区域2f、连接条2g的高低差部2h、多个半导体芯片1以及多个引线3。即，通过二次注塑，在凹状的高低差部2h中也填充树脂(塑封化合物)4ea(高低差部2h由树脂4ea覆盖)。另一方面，如图3的步骤S3所示，以使得管芯焊盘2e的下表面2eb、连接条2g的端子部2b不被树脂(塑封化合物)4ea覆盖的方式进行二次注塑。
5.除去树脂
二次注塑后，进行图3的步骤S4所示的树脂除去。在此，除去填充在连接条2g的凹状的高低差部2h中的树脂4ea。具体而言，对填充在高低差部2h中的树脂4ea照射后述的图6所示的激光8a而将树脂4ea除去。
在此，对通过照射激光进行的树脂4ea的除去进行详细说明。图5是示出图1所示的半导体装置的组装中在注塑后的连接条的高低差部的状态的一个例子的局部立体图，图6是示出向图5所示的高低差部照射激光的状态的一个例子的局部立体图，图7是示出图6所示的激光照射时的扫描状态的一个例子的局部立体图。进一步，图8是示出图6所示的激光照射时的照射宽度的一个例子的局部立体图，图9是示出比较例中的激光照射后的密封体的空穴状态的结构的局部立体图。
如图5所示，通过二次注塑，树脂4ea填充到连接条2g的高低差部2h中。因此，在本实施方式中，首先，如图6所示，从激光振荡部8对填充在高低差部2h中的树脂4ea照射激光8a以除去高低差部2h的树脂4ea。
此时，如图7所示，以在与多个引脚部2a(参照图1)的每一个的排列方向(第一方向)P交叉的长度方向(第二方向)Q上，通过扫描方法照射图6所示的激光8a，以使激光8a照到连接条2g的高低差部2h与端子部2b的边界2i(即，端子部2b的边缘部分)。也就是说，如激光8a的图7所示的照射轨迹8b那样，对高低差部2h进行照射，并且以在该长度方向Q上使得激光8a照到高低差部2h与端子部2b的边界2i的方式，在高低差部2h反复照射激光8a。另外，激光8a对高低差部2h的照射的轨迹可以是沿着一个方向反复照射的轨迹，也可以是往复照射的轨迹。由此，除了高低差部2h之外对端子部2b的边缘部分也照射激光8a，因此能够将高低差部2h的树脂4ea除去。
而且，在本实施方式中，在照射激光8a之际，如图7以及图8所示，是以在多个引脚部2a的排列方向P上的对高低差部2h的树脂4ea照射激光8a的照射宽度L3，比与高低差部2h一体形成的端子部2b的宽度L2窄(L3＜L2)的方式，利用扫描方法对树脂4ea照射激光8a。
具体而言，在引脚部2a的长度方向Q上，通过扫描方法对高低差部2h的树脂4ea反复照射激光8a。此时，进行控制以使得激光8a不会照到图7所示的R部所示的高低差部2h的两侧部，也就是说，使得激光8a的轨迹为照射轨迹8b。即，控制激光8a进行照射，使得激光8a在排列方向P上的照射位置的端部为图8所示的端子部2b的端部的延长线T1、T2的内侧的部位。
换而言之，如图6、图8所示，控制激光8a进行照射，使得多个引脚部2a的排列方向P上的对高低差部2h的树脂4ea照射激光8a的照射宽度L3比端子部2b的宽度L2窄(L3＜L2)。由此，在缺口部2c的两侧部形成比上述延长线T1、T2更向内侧伸出的树脂突出部4d。也就是说，照射激光8a，以在高低差部2h的排列方向P上的两侧部使得树脂突出部4d比端子部2b的排列方向P上的两端部更向内侧伸出而形成。
由此，缺口部2c(高低差部2h)在排列方向P上的开口的宽度L3比端子部2b在排列方向P上的宽度L2窄(小)。
其结果是，能够防止产生如图9的比较例所示那样在引脚部2a的缺口部2c的两侧部形成的树脂空化部分9。即，能够避免在缺口部2c的两侧部产生的树脂空化部分9。
另外，优选控制激光8a进行照射，以使得在图8所示的缺口部2c(图7的高低差部2h)，使排列方向P上的激光8a的照射宽度L3与排列方向P上的端子部2b的宽度L2的差的1/2(激光8a的非照射宽度15)为期望的数值。作为一个例子，上述期望的数值是30μm左右。这例如是基于引脚框架2上的目标的蚀刻加工的实际交叉、激光照射位置的偏差交叉、正裕度这三个要素的总和的大小，其中引脚框架2上的目标用于识别激光照射时的位置。换而言之，通过控制上述期望的数值(激光8a的非照射宽度15)，能够避免树脂空化部分9，并且能够确保高低差部2h(缺口部2c)的开口区域。
激光照射后，进行水冲(Water Jet)处理或者液体研磨(Liquid Honing)处理。在此，图10是示出图6所示的激光照射后的高低差部的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图，图11是示出通过水冲处理除去图10所示的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图，图12是示出通过液体研磨处理除去图10所示的残留树脂的状态的一个例子的局部立体图。
当激光8a对高低差部2h上的树脂4ea的照射结束时，如图10所示，在连接条2g的高低差部2h存在作为树脂残留的残留树脂4f。该残留树脂4f是仅通过激光照射没有完全除去的树脂的残留。因此，实施水冲处理或者液体研磨处理中的任一种处理来除去高低差部2h的残留树脂4f。
在进行水冲处理的情况下，如图11所示，从喷嘴10喷射液体10a，冲击附着在高低差部2h上的作为对象物的残留树脂4f，由此，将残留树脂4f从高低差部2h除去。另一方面，在进行液体研磨处理的情况下，如图12所示，从喷射枪11喷射浆液(Slurry)11a，对附着在高低差部2h上的作为对象物的残留树脂4f进行喷吹，由此将残留树脂4f从高低差部2h除去。另外，高低差部2h处的残留树脂4f的除去在高低差部2h处，只要对有助于DFN安装时的焊锡接合的有效尺寸的范围进行即可。即，上述有效尺寸的范围之外，即使存在残留树脂4f也是可以的。
本实施方式中，在二次注塑后的树脂除去工序中，首先，对连接条2g的高低差部2h照射激光8a，之后，通过进行水冲处理或液体研磨处理，能够毫无残留地除去填充或附着在高低差部2h上的树脂4ea。
6.覆盖金属膜
在除去树脂后，进行图3的步骤S5所示的金属膜覆盖。在此，在连接条2g的高低差部2h的所露出的面以及引脚部2a的端子部2b、以及管芯焊盘2e的下表面2eb覆盖作为金属膜的焊锡浸润性膜7。焊锡浸润性膜7是对焊锡浸润性良好的金属膜，例如是由Sn、Pb-Sn、Sn-Bi或者Sn-Ag-Cu等构成的镀膜。
7.单片化
在覆盖金属膜后，进行图3的步骤S6所示的单片化。在此，在连接条2g的高低差部2h处切断连接条2g而单片化为各个DFN6。此时，使用划片机14以比高低差部2h在与排列方向P交叉的长度方向Q(参照图5)上的宽度小的宽度，切断高低差部2h。即，使用宽度比连接条2g的高低差部2h在长度方向Q上的宽度小的划片机14进行切断及单片化。如图4所示，使通过上述切断而形成的位于多个引脚部2a的每一个引脚部的侧面2d与端子部2b之间的缺口部2c的由焊锡浸润性膜7覆盖的面露出。也就是说，成为如下状态：由焊锡浸润性膜7覆盖的缺口部2c配置在多个引脚部2a的每一个引脚部的侧面2d的下方侧。
通过以上工序，完成图1所示的DFN6的制造。
＜半导体装置的安装结构＞
图13是示出图1所示的半导体装置的安装结构的端子部接合部分的一个例子的放大局部剖视图。另外，图13示出了将图1所示的DFN6安装到安装基板12的导体图案12a上的结构中的端子部接合部分。即，安装基板12的导体图案12a与上述DFN6的引脚部2a通过焊锡13而电性连接。
另外，如图13所示，在上述DFN6的引脚部2a形成与安装面侧的端子部2b相连且呈凹陷形状的缺口部2c，在端子部2b和缺口部2c的各个的面上覆盖着焊锡浸润性膜7。由此，能够提高焊锡13对引脚部2a的浸润性。
特别是，通过在引脚部2a形成被焊锡浸润性膜7覆盖的缺口部2c，焊锡13能够向上浸润到引脚部2a的缺口部2c的上方，从而能够形成高度高的焊锡13的角焊缝13a。
由此，能够提高DFN6的安装强度。
＜效果＞
根据本实施方式的DFN6的制造方法，通过在二次注塑后，对在引脚框架2的连接条2g的高低差部2h中填充的树脂4ea照射激光8a，进而进行水冲处理或液体研磨处理，从而能够毫无残留地除去高低差部2h的树脂4ea。
由此，能够在高低差部2h(缺口部2c)均匀地进行焊锡浸润性膜7的覆盖，能够确保DFN6的引脚部2a的可焊性。
另外，通过激光8a对引脚框架2的连接条2g的高低差部2h的树脂4ea的照射宽度L3比端子部2b的宽度L2窄(L3＜L2)的方式照射激光8a，能够防止在引脚部2a的缺口部2c的两侧面产生树脂空化部分，能够提高DFN6的品质以及可靠性。
另外，引脚框架2的连接条2g的高低差部2h的形成能够通过蚀刻工艺容易地进行。
另外，关于用于除去连接条2g的高低差部2h处的树脂的激光照射、水冲处理或液体研磨处理，可通过已知工艺容易地实施，不用特别引入新的工艺就能够实施。
另外，关于对引脚部2a的缺口部2c的两侧部的内侧的范围照射激光8a的方法，也能够通过基于扫描方法的已知工艺进行激光照射，能够容易确保其精度。
另外，根据本实施方式的DFN6，通过在各引脚部2a的前端部形成缺口部2c，并在该缺口部2c形成焊锡浸润性膜7，在其安装结构中，能够形成焊锡13的角焊缝13a，能够进行焊锡接合部的目视检查。
而且，通过在DFN6的各引脚部2a形成缺口部2c，并且由焊锡浸润性膜7覆盖缺口部2c，从而焊锡13向上浸润到引脚部2a的缺口部2c的上方，因此能够形成高度高的焊锡13的角焊缝13a。其结果是，能够提高DFN6的安装强度。
另外，在DFN6中，由于能够通过在各引脚部2a的缺口部2c的两侧部的激光照射来避免树脂空化部分9，因此能够抑制DFN6的耐湿性下降。
另外，在DFN6的各引脚部2a，通过在缺口部2c的两侧部形成树脂突出部4d，能够抑制各个引脚部2a从密封体4的脱落。其结果是，能够提高DFN6的品质。
以上基于实施方式对本发明人所完成的发明进行了具体说明，但是本发明并不限定于以上描述的实施方式，毫无疑问，能够在不脱离其宗旨的范围内进行各种变更。
例如，上述实施方式中，作为无引脚式的半导体装置的一个例子，举出DFN6进行了说明，但上述半导体装置即使是QFN(四侧扁平无引脚：Quad-FlatNon-leaded)也能够适用。
另外，上述实施方式中，作为半导体装置，举出装载半导体芯片1的管芯焊盘2e从密封体4的背面4b露出的结构进行了说明，但是上述半导体装置也可以是管芯焊盘2e埋入到密封体4内部的管芯焊盘埋入型结构。
Claims (8)
1.一种半导体装置，其中，具有：
半导体芯片；
芯片装载部，其装载有所述半导体芯片；
多个引脚部，其配置在所述芯片装载部的周围，且在各个引脚部的芯片装载部侧的相反侧的前端部形成有缺口部；
多个导电性部件，其将所述半导体芯片的表面电极与所述多个引脚部的其中之一电性连接；
树脂制的密封体，其将所述半导体芯片、所述多个导电性部件以及所述多个引脚部中的每一个引脚部的一部分覆盖；
所述多个引脚部的每一个具有在所述密封体的背面露出的端子部，
所述缺口部在沿着所述多个引脚部的排列方向的方向上的从所述密封体露出的部分的宽度比所述端子部在沿着所述排列方向的方向上的宽度小，
所述缺口部的所述排列方向上的两侧部配置有树脂突出部，所述树脂突出部从所述端子部的所述排列方向上的两端部向内侧伸出。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述缺口部的配置在所述树脂突出部之间的面由金属膜覆盖。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述多个引脚部的每一个具有从所述密封体露出且并未由所述金属膜覆盖的侧面。
4.一种半导体装置的制造方法，其中，具有以下的工序：
(a)在引脚框架的多个器件形成区域中的每一个器件形成区域的芯片装载部装载半导体芯片的工序，其中所述引脚框架具有所述多个器件形成区域和横跨相邻的所述器件形成区域而配置的连接条；
(b)所述(a)工序之后，通过导电性部件将多个半导体芯片中的每一个半导体芯片的表面电极与相连于所述连接条的多个引脚部的每一个引脚部电性连接的工序；
(c)所述(b)工序之后，形成将所述引脚框架的所述多个器件形成区域、所述连接条以及所述多个半导体芯片统一覆盖的树脂制的统一密封体的工序；
(d)所述(c)工序之后，将在所述连接条的凹状的高低差部中填充的树脂除去的工序；
(e)所述(d)工序之后，在所述连接条的所述高低差部将所述连接条切断而进行单片化的工序；
在此，
所述(d)工序包括：
对所述高低差部的所述树脂照射激光的(d1)工序；
在所述(d1)工序后，实施水冲处理或液体研磨处理而将在所述高低差部填充的所述树脂除去的(d2)工序；
在所述(d1)工序中，以在第1方向上，使得对所述高低差部的所述树脂照射所述激光的照射宽度比与所述高低差部一体形成的端子部的宽度窄的方式照射所述激光，其中所述第1方向是所述多个引脚部的排列方向，
在所述(e)工序中，通过使用划片机，以比所述高低差部在与所述第一方向交叉的第二方向上的宽度小的宽度，将所述高低差部切断，由此切断所述连接条进行单片化。
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
当照射所述激光时，向所述高低差部在所述第1方向上的两侧部照射所述激光，使得树脂突出部向着所述端子部在所述第1方向上的两端部的内侧伸出。
6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述多个引脚部中的每一个引脚部的与所述第1方向交叉的第2方向上通过扫描方法照射所述激光，使所述激光照到所述连接条的所述高低差部与所述端子部的边界。
7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述(d)工序与所述(e)工序之间，利用金属膜覆盖所述高低差部的露出的面。
8.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述(e)工序中，通过将所述高低差部切断，从而使得由所述切断而形成的位于所述多个引脚部中的每一个引脚部的侧面与所述端子部之间的缺口部的由金属膜覆盖的面露出。
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