CN110010327B

CN110010327B - 共模滤波器

Info

Publication number: CN110010327B
Application number: CN201910006855.8A
Authority: CN
Inventors: 浅井雄悟; 小林努; 占部大辅; 铃木宽; 伊藤惠美; 友成寿绪
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2018-01-05
Filing date: 2019-01-04
Publication date: 2021-07-16
Anticipated expiration: 2039-01-04
Also published as: JP2019121692A; US11605485B2; CN110010327A; JP7040020B2; DE102019100013A1; US20190228895A1

Abstract

本发明涉及一种共模滤波器。在使一对导线中途交叉的共模滤波器中，进一步提高反射特性。具备沿着相同方向卷绕于卷芯部(23)的导线(W1、W2)。卷芯部(23)包含卷绕区域(A1、A2)和位于其间的卷绕区域(A3)。导线(W1、W2)构成分别卷绕于卷绕区域(A1、A2)的卷绕块(B1、B2)，导线(W1)和导线(W2)在卷绕区域(A3)相互交叉。卷绕块(B1)中的卷绕层(S1)的匝数与卷绕层(S2)的匝数的差比卷绕块(B2)中的卷绕层(S1)的匝数与卷绕层(S2)的匝数的差多。根据本发明，与卷绕块(B1)和卷绕块(B2)为完全对称形状的情况相比，产生于导线(W1、W2)间的电容成分的附加方式变化。通过该变化缓和了不平衡，其结果，改善了反射特性。

Description

共模滤波器

技术领域

本发明涉及一种共模滤波器，特别是涉及一对导线在中途交叉的类型的共模滤波器及其制造方法。

背景技术

共模滤波器作为用于除去与差分信号线路重叠的共模噪声的元件，广泛用于便携式电子设备或车载用LAN等许多电子设备中。近年来，代替使用了环型磁芯的共模滤波器，主流是使用了能够进行表面安装的鼓型磁芯的共模滤波器(参照专利文献1)。

专利文献1所记载的共模滤波器通过使一对导线在中途交叉，从而提高高频区域中的差分信号的对称性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-199904号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，当使导线在中途交叉时，一对导线的位置关系颠倒，因此，为了将其恢复到原来，需要使导线再一次交叉。而且，当将这样的第二次交叉在导线的端部附近进行时，会产生一对导线在一端部交叉且一对导线在另一端部未交叉的差异，根据情况判明了这会成为使反射特性(回波损耗)恶化的原因。

因此，本发明的目的在于在使一对导线在中途交叉的共模滤波器中进一步提高反射特性。

用于解决课题的技术方案

本发明所涉及的共模滤波器，其特征在于，具备：卷芯部和沿着相同方向卷绕于卷芯部的第一及第二导线，卷芯部包含：位于轴向的一端侧的第一卷绕区域、位于轴向的另一端侧的第二卷绕区域、和位于第一及第二卷绕区域之间的第三卷绕区域，第一及第二导线构成卷绕于第一卷绕区域的第一卷绕块和卷绕于第二卷绕区域的第二卷绕块，第一导线和第二导线在第三卷绕区域中相互交叉，第一及第二卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于第一卷绕层的上层的第二卷绕层，第一卷绕块中的第一卷绕层的匝数与第二卷绕层的匝数的差比第二卷绕块中的第一卷绕层的匝数与第二卷绕层的匝数的差多。

根据本发明，与第一卷绕块和第二卷绕块为完全对称形状的情况相比，产生于第一导线与第二导线之间的电容成分的附加方式变化。具体的机理不明确，但通过该变化，即使是存在一对导线在一端部交叉，且一对导线在另一端部未交叉这样的差异的情况下，也可以缓和该差异引起的不平衡，其结果，可以改善反射特性。

本发明中，第一卷绕块也可以包含：第一及第二导线的一方位于第一卷绕层，且第一及第二导线的另一方位于第二卷绕层的第一层次部；和第一及第二导线均位于第一卷绕层的非层次部。由此，通过调整非层次部的匝数，可以使反射特性变化。

本发明中，第二卷绕块也可以包含：第一及第二导线的一方位于第一卷绕层，且第一及第二导线的另一方位于第二卷绕层的第二层次部。由此，第一卷绕块与第二卷绕块的对称性变高，因此，可以得到良好的高频特性。

本发明中，第一层次部的匝数和第二层次部的匝数也可以相等。由此，将第一及第二导线交叉的部分作为对称轴，第一层次部和第二层次部成为对称形状，因此，可以得到更优异的高频特性。

本发明中，也可以在第一层次部中，第一导线位于第一卷绕层，且第二导线位于第二卷绕层，在第二层次部中，第一导线位于第二卷绕层，且第二导线位于第一卷绕层。由此，可以缩小第一导线与第二导线的长度的差。

本发明所涉及的共模滤波器也可以进一步具备：第一凸缘部，其设置于卷芯部的轴向的一端；第二凸缘部，其设置于卷芯部的轴向的另一端；第一及第二端子电极，其设置于第一凸缘部，且分别连接有第一及第二导线的一端；和第三及第四端子电极，其设置于第二凸缘部，且分别连接有第一及第二导线的另一端，非层次部位于第一及第二导线的一端与第一层次部之间。由此，可以使第一及第二导线的一端附近的电容成分的附加方式变化。

本发明中，对于非层次部的匝数，也可以第一及第二导线均为1匝，且以相互顺沿的方式卷绕。由此，可以改善10MHz～400MHz的频带中的反射特性。

本发明中，也可以第一导线和第二导线不在第一卷绕块交叉，第一导线和第二导线在第二卷绕块交叉。由此，在第二及第三卷绕区域中，导线分别交叉，因此，可以使一端侧的一对导线的位置关系与另一端侧的一对导线的位置关系一致。

本发明中，在第二卷绕块中，也可以第一导线和第二导线在最接近第一及第二导线的另一端的最终匝交叉。由此，第一卷绕块和第二卷绕块的对称性变高，因此，可以得到良好的高频特性。

发明的效果

这样，根据本发明，可以提高使一对导线在中途交叉的共模滤波器的反射特性。

附图说明

图1是表示本发明的优选的实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图；

图2是用于更详细地说明第一及第二导线W1、W2的卷绕布局的示意图；

图3是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的示意图；

图4是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的另一示意图；

图5是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的又一示意图；

图6是用于说明比较例的共模滤波器10X的卷绕布局的示意图；

图7是表示实施方式的共模滤波器10和比较例的共模滤波器10X的反射特性(Sdd11特性)的图表；

图8是用于说明第一变形例的共模滤波器10A的卷绕布局的示意图；

图9是用于说明第二变形例的共模滤波器10B的卷绕布局的示意图；

图10是用于说明第三变形例的共模滤波器10C的卷绕布局的示意图；

图11是用于说明第四变形例的共模滤波器10D的卷绕布局的示意图；

图12是用于说明第五变形例的共模滤波器10E的卷绕布局的示意图。

符号的说明：

10、10A～10E、10X 共模滤波器

20 鼓型磁芯

21 第一凸缘部

22 第二凸缘部

21b、22b 安装面

21s、22s 外侧面

21t、22t 上表面

23 卷芯部

30 板状磁芯

41 第一端子电极

42 第二端子电极

43 第三端子电极

44 第四端子电极

A1 第一卷绕区域

A2 第二卷绕区域

A3 第三卷绕区域

B1 第一卷绕块

B2 第二卷绕块

L1 第一层次部

L2 第二层次部

NL 非层次部

S1 第一卷绕层

S2 第二卷绕层

W1 第一导线

W2 第二导线

具体实施方式

以下，一边参照附图，一边详细地说明本发明的优选的实施方式。

图1是表示本发明的优选的实施方式的共模滤波器10的外观的大致立体图。

如图1所示，本实施方式的共模滤波器10具备：鼓型磁芯20、板状磁芯30、第一～第四端子电极41～44、第一及第二导线W1、W2。鼓型磁芯20及板状磁芯30由Ni-Zn系铁氧体等导磁率比较高的磁性材料构成。另外，第一～第四端子电极41～44是由铜等的良导体构成的金属零件。第一～第四端子电极41～44也可以在鼓型磁芯20上直接烧接银浆等。

鼓型磁芯20具有：第一凸缘部21、第二凸缘部22、和设置于它们之间的卷芯部23。卷芯部23具有将x方向设为轴向，在其两端分别设置第一及第二凸缘部21、22，且它们一体化而成的结构。板状磁芯30粘接于凸缘部21、22的上表面21t、22t。凸缘部21、22的上表面21t、22t构成xy平面，其相反侧的面用作安装面21b、22b。而且，第一及第二端子电极41、42设置于第一凸缘部21的安装面21b及外侧面21s，第三及第四端子电极43、44设置于第二凸缘部22的安装面22b及外侧面22s。外侧面21s、22s构成yz面。第一～第四端子电极41～44的固定通过粘接剂等进行。

第一及第二导线W1、W2沿着相同方向卷绕于卷芯部23。而且，第一导线W1的一端及另一端分别连接于第一及第三端子电极41、43，第二导线W2的一端及另一端分别连接于第二及第四端子电极42、44。第一及第二导线W1、W2的匝数彼此相同。

如图1所示，鼓型磁芯20的卷芯部23包含：位于第一凸缘部21侧的第一卷绕区域A1、位于第二凸缘部22侧的第二卷绕区域A2、和位于第一及第二卷绕区域A1、A2之间的第三卷绕区域A3。而且，第一及第二导线W1、W2在第一及第二卷绕区域A1、A2排列并卷绕，并且在第三卷绕区域A3相互交叉。第一及第二导线W1、W2交叉时，在其前后，第一及第二导线W1、W2的位置关系发生变化。

图2是用于更详细地说明第一及第二导线W1、W2的卷绕布局的示意图。

如图2所示，第一及第二导线W1、W2构成卷绕于第一卷绕区域A1的第一卷绕块B1和卷绕于第二卷绕区域A2的第二卷绕块B2，如上述，在第三卷绕区域A3相互交叉。图2所示的例子中，第一及第二导线W1、W2均为由第1匝～第24匝构成的24匝结构，但本发明不限定于此。另外，第一及第二卷绕块B1、B2均具有双层结构。即，具有位于下层且直接卷绕于卷芯部23的第一卷绕层S1、和位于第一卷绕层S1的上层且经由第一卷绕层S1卷绕于卷芯部23的第二卷绕层S2。

而且，第一卷绕块B1包含第一导线W1位于第一卷绕层S1(下层)且第二导线W2位于第二卷绕层S2(上层)的第一层次部L1、和第一及第二导线W1、W2均位于第一卷绕层S1(下层)的非层次部NL。在本实施方式中，在以第一及第二端子电极41、42为起点计数匝数的情况下，第一及第二导线W1、W2的第1匝构成非层次部NL，第一导线W1的第2匝～第12匝和第二导线W2的第2匝～第11匝构成第一层次部L1。在非层次部NL中，第一导线W1和第二导线W2以相互顺沿的方式卷绕。这样的卷绕图案一般被称为双线绕组。另外，第二导线W2的第12匝位于第一卷绕层S1，但也可以将第二导线W2的第12匝看作第一层次部L1的一部分。这是由于为了使双层结构的导线稳定，需要沿着位于下层的导线的谷线卷绕上层的导线，因此，位于上层的导线的匝数比位于下层的导线的匝数变少1匝，因此，第二导线W2的第12匝与其符合。

另一方面，第二卷绕块B2具有第一导线W1位于第一卷绕层S1(下层)，且第二导线W2位于第二卷绕层S2(上层)的第二层次部L2，并且不具有非层次部。第二层次部L2由第一导线W1的第14匝～第24匝和第二导线W2的第15匝～第24匝构成。另外，第二导线W2的第14匝位于第一卷绕层S1，但由于上述的原因，也可以将其看作第二层次部L2的一部分。

通过上述的结构，在第一卷绕块B1中，第一卷绕层S1(下层)的匝数为14，第二卷绕层S2(上层)的匝数为10，其差为4。另一方面，在第二卷绕块B2中，第一卷绕层S1(下层)的匝数为12，第二卷绕层S2(上层)的匝数为10，其差为2。这样，在本实施方式中，就第一卷绕层S1与第二卷绕层S2的匝数的差而言，第一卷绕块B1比第二卷绕块B2多2匝。该2匝的差是由即非层次部NL的存在所造成的。在非层次部NL中，在第一导线W1与第二导线W2之间产生的电容成分的附加方式与第一及第二层次部L1、L2不同。

而且，第一及第二导线W1、W2的第13匝在第三卷绕区域A3相互交叉。当第一及第二导线W1、W2交叉时，在其前后，第一导线W1和第二导线W2的位置关系颠倒。具体而言，当着眼于第一导线W1和第二导线W2的同一匝时，在第一卷绕块B1中，第一导线W1位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)，且第二导线W2位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)，与之相对，在第二卷绕块B2中，第一导线W1位于右侧(第二凸缘部22侧)，且第二导线W2位于左侧(第一凸缘部21侧)。由此，以第三卷绕区域A3为对称轴，第一层次部L1和第二层次部L2成为对称形状，因此，在第一导线W1流通的信号和在第二导线W2流通的信号的对称性变高，其结果，可以得到优异的高频特性。而且，在本实施方式中，第一层次部L1的匝数和第二层次部L2的匝数相等，因此，能够得到非常优异的高频特性。

如图1所示，在本实施方式中，第一导线W1连接的第一及第三端子电极41、43的y方向位置相同，且第二导线W2连接的第二及第四端子电极42、44的y方向位置相同。而且，从图1所示的箭头V观察，第一导线W1连接的第一及第三端子电极41、43位于右侧，第二导线W2连接的第二及第四端子电极42、44位于左侧。因此，以第一及第二端子电极41、42为起点，将第一及第二导线W1、W2从箭头V来看向右旋转(顺时针旋转)卷绕时，只要不使导线交叉，第一导线W1和第二导线W2的同一匝中，成为第一导线W1位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)，第二导线W2位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)。在本实施方式中，第一卷绕块B1中，第一导线W1和第二导线W2不交叉，因此，该位置关系在第一卷绕块B1的整个区域维持。

而且，第三卷绕区域A3中使第一导线W1与第二导线W2交叉时，第一导线W1与第二导线W2的位置关系颠倒。因此，在第二卷绕块B2中，第一导线W1和第二导线W2的同一匝中，成为第一导线W1位于图2的右侧(第二凸缘部22侧)，第二导线W2位于图2的左侧(第一凸缘部21侧)。

但是，如上所述，从图1所示的箭头V观察，第三端子电极43位于右侧，第四端子电极44位于左侧，因此，为了将第一导线W1和第二导线W2的终端部分别连接于第三及第四端子电极43、44，需要使第一导线W1和第二导线W2再一次交叉，将两者的位置关系恢复到原来。本实施方式中，构成第二卷绕块B2的第一及第二导线W1、W2中，使第一导线W1和第二导线W2在最接近第三及第四端子电极43、44的最终的第24匝交叉。

图3是用于说明第一导线W1和第二导线W2在第24匝交叉的情形的示意图。

如图3所示，在从箭头V观察的情况下，第一端子电极41位于右侧，第二端子电极42位于左侧，因此，当不使第一及第二导线W1、W2交叉而向右旋转(顺时针旋转)卷绕时，第一导线W1位于第一凸缘部21侧，第二导线W2位于第二凸缘部22侧。该位置关系在第二卷绕块B2颠倒，第一导线W1成为第二凸缘部22侧，第二导线W2成为第一凸缘部21侧。在该状态下，当要将第一及第二导线W1、W2的终端分别连接于第三及第四端子电极43、44时，从箭头V观察，第三端子电极43位于右侧，第四端子电极44位于左侧，因此，如以符号C所示，成为第一导线W1和第二导线W2在最终的第24匝交叉。

在此，如图4所示，在第三端子电极43与第四端子电极44在y方向上的距离分开的情况下，平面地观察时(从z方向观察时)，以第一导线W1和第二导线W2在第24匝一看不交叉的方式观察。但是，在该情况下，如图5所示，成为第一导线W1和第二导线W2在卷芯部23的xz侧面交叉。即，均使第一及第二导线W1、W2在第24匝交叉，由此，第一导线W1和第二导线W2的位置关系恢复到原来的位置关系。

这样，第一及第二导线W1、W2在位于一端侧的第1匝不交叉，而在位于另一端侧的第24匝交叉。因此，第一及第二导线W1、W2在一端侧的电容成分的附加方式与另一端侧的电容成分的附加方式中产生差异，该不平衡可以成为使反射特性恶化的原因。但是，本实施方式的共模滤波器10在第一及第二导线W1、W2的一端侧选择性地设置非层次部NL，因此，可以改善反射特性。虽然对于该机理还不明确，但认为通过设置非层次部NL，在第一及第二导线W1、W2的一端侧的电容成分的附加方式与另一端侧的电容成分的附加方式产生新的差异，这有助于上述不平衡的缓和。

图6是用于说明比较例的共模滤波器10X的卷绕布局的示意图。图6所示的例子中，非层次部NL不包含于第一卷绕块B1。图7是表示实施方式的共模滤波器10和比较例的共模滤波器10X的反射特性(Sdd11特性)的图表。如图7所示，可知具有1匝的非层次部NL的共模滤波器10在10MHz～400MHz的频带可以得到比比较例的共模滤波器10X优异的反射特性。

如以上所说明的，本实施方式的共模滤波器10使第一导线W1和第二导线W2在第三卷绕区域A3交叉，因此，第一卷绕块B1与第二卷绕块B2的对称性提高。而且，第一卷绕块B1中包含非层次部NL，因此，缓和了由于第二卷绕块B2的第24匝的交叉而产生的不平衡，其结果，可以改善反射特性。

特别是在本实施方式中，非层次部NL的第一及第二导线W1、W2的匝数均为1匝，因此，可以改善10MHz～400MHz的频带的反射特性。而且，本实施方式中，包含于第一卷绕块B1的第一层次部L1与包含于第二卷绕块B2的第二层次部L2的匝数相等，因此，将第一及第二导线W1、W2在第三卷绕区域A3交叉的部分设为对称轴，第一层次部L1和第二层次部L2成为对称形状。其结果，可以得到更优异的高频特性。

以下，对共模滤波器10的几个变形例进行说明。以下说明的变形例的结构均包含于本发明的范围中。

图8是用于说明第一变形例的共模滤波器10A的卷绕布局的示意图。

图8所示的共模滤波器10A在构成非层次部NL的第一及第二导线W1、W2的第1匝不相互接触而分开的方面，与上述实施方式的共模滤波器10不同。如第一变形例所示，构成非层次部NL的第一及第二导线W1、W2只要位于第一卷绕层S1(下层)即可，也可以相互接触，也可以分开。

图9是用于说明第二变形例的共模滤波器10B的卷绕布局的示意图。

图9所示的共模滤波器10B在构成非层次部NL的第一及第二导线W1、W2均为2匝的方面，与上述实施方式的共模滤波器10不同。如第二变形例所示，构成非层次部NL的第一及第二导线W1、W2的匝数没有特别限定。构成非层次部NL的第一及第二导线W1、W2的匝数只要根据整体的匝数及目的的高频特性确定即可。

图10是用于说明第三变形例的共模滤波器10C的卷绕布局的示意图。

图10所示的共模滤波器10C在第二层次部L2中，第二导线W2位于第一卷绕层S1(下层)，第一导线W1位于第二卷绕层S2(上层)的方面，与上述实施方式的共模滤波器10不同。对于第一导线W1的第24匝，位于第一卷绕层S1(下层)，但也可以将其看作第二层次部L2的一部分。如第三变形例所示，第一及第二导线W1、W2的上下关系也可以在第一层次部L1和第二层次部L2颠倒。由此，存在第一导线W1的长度与第二导线W2的长度大致相等的优点。

图11是用于说明第四变形例的共模滤波器10D的卷绕布局的示意图。

图11所示的共模滤波器10D的非层次部NL配置于第二卷绕块B2侧。具体而言，第一导线W1的第1匝～第11匝和第二导线W2的第1匝～第10匝(或第11匝)构成第一层次部L1，第一及第二导线W1、W2的第12匝交叉，第一导线W1的第13匝～第23匝和第二导线W2的第14匝(或第13匝)～第23匝构成第二层次部L2，进一步，第一及第二导线W1、W2的第24匝构成非层次部NL。与上述实施方式的共模滤波器10同样地，第一及第二导线W1、W2的第24匝是在第三及第四端子电极43、44的附近交叉的部分。如第四变形例所示，也可以根据寻求的特性，交叉的匝构成非层次部NL。

图12所示的共模滤波器10E的非层次部NL配置于第一卷绕块B1和第二卷绕块B2双方。具体而言，第一及第二导线W1、W2的第1匝构成非层次部NL，第一导线W1的第2匝～第12匝和第二导线W2的第2匝～第11匝(或第12匝)构成第一层次部L1，第一及第二导线W1、W2的第13匝交叉，第一导线W1的第14匝～第23匝和第二导线W2的第15匝(或第14匝)～第23匝构成第二层次部L2，进一步，第一及第二导线W1、W2的第24匝构成非层次部NL。如第五变形例所示，也可以根据寻求的特性，将非层次部NL配置于第一卷绕块B1和第二卷绕块B2双方。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不限定于上述的实施方式，可以在不脱离本发明宗旨的范围内进行各种变更，当然这些也包含于本发明的范围内。

例如，上述实施方式中，以制造第一及第二导线W1、W2时，从第1匝向第24匝卷绕为前提进行了说明，但也可以与其相反，通过从第24匝向第1匝卷绕来制作。

Claims

1.一种共模滤波器，其特征在于，

具备：

卷芯部；和

沿着相同方向卷绕于所述卷芯部的第一及第二导线，

所述卷芯部包含：位于轴向的一端侧的第一卷绕区域、位于所述轴向的另一端侧的第二卷绕区域、和位于所述第一及第二卷绕区域之间的第三卷绕区域，

所述第一及第二导线构成卷绕于所述第一卷绕区域的第一卷绕块和卷绕于所述第二卷绕区域的第二卷绕块，

所述第一导线和所述第二导线在所述第三卷绕区域中相互交叉，

所述第一及第二卷绕块具有位于下层的第一卷绕层和位于所述第一卷绕层的上层的第二卷绕层，

所述第一卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差比所述第二卷绕块中的所述第一卷绕层的匝数与所述第二卷绕层的匝数的差多，

所述第一卷绕块包含：所述第一及第二导线的一方位于所述第一卷绕层，且所述第一及第二导线的另一方位于所述第二卷绕层的第一层次部；和所述第一及第二导线均位于所述第一卷绕层，且所述第一及第二导线均不存在于所述第二卷绕层的非层次部。

2.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一导线的第一匝和所述第二导线的第一匝属于所述非层次部，

所述第一导线的第二和第三匝及所述第二导线的第二匝属于所述第一层次部，

所述第一导线的所述第二和第三匝位于所述第一卷绕层，

所述第二导线的所述第二匝沿着由所述第一导线的所述第二和第三匝形成的谷线，位于所述第二卷绕层。

3.如权利要求1所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第二卷绕块包含：所述第一及第二导线的一方位于所述第一卷绕层，且所述第一及第二导线的另一方位于所述第二卷绕层的第二层次部。

4.如权利要求3所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一层次部的匝数与所述第二层次部的匝数相等。

5.如权利要求3所述的共模滤波器，其特征在于，

在所述第一层次部中，所述第一导线位于所述第一卷绕层，且所述第二导线位于所述第二卷绕层，

在所述第二层次部中，所述第一导线位于所述第二卷绕层，且所述第二导线位于所述第一卷绕层。

6.如权利要求3～5中任一项所述的共模滤波器，其特征在于，

还具备：

第一凸缘部，其设置于所述卷芯部的所述轴向的所述一端；

第二凸缘部，其设置于所述卷芯部的所述轴向的所述另一端；

第一及第二端子电极，其设置于所述第一凸缘部，且分别连接有所述第一及第二导线的一端；和

第三及第四端子电极，其设置于所述第二凸缘部，且分别连接有所述第一及第二导线的另一端，

所述非层次部位于所述第一及第二导线的所述一端与所述第一层次部之间。

7.如权利要求6所述的共模滤波器，其特征在于，

对于所述非层次部的匝数，所述第一及第二导线均为1匝，且以相互顺沿的方式卷绕。

8.如权利要求6所述的共模滤波器，其特征在于，

所述第一导线和所述第二导线不在所述第一卷绕块交叉，所述第一导线和所述第二导线在所述第二卷绕块交叉。

9.如权利要求8所述的共模滤波器，其特征在于，

在所述第二卷绕块中，所述第一导线和所述第二导线在最接近所述第一及第二导线的所述另一端的最终匝交叉。