CN109996768A - 开孔基板的制造方法以及开孔基板制造系统 - Google Patents

开孔基板的制造方法以及开孔基板制造系统 Download PDF

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Abstract

在基板高效地形成微小尺寸的孔。开孔基板的制造方法的一方式具备：析出工序，通过施加电压将配置于基板的表面的一部分的金属注入到该基板内，通过与所述施加电压相同或者不同的施加电压使注入的金属在该基板内析出；以及孔形成工序，通过蚀刻将在所述基板内析出的金属溶解，从而在所述基板形成孔。

Description

开孔基板的制造方法以及开孔基板制造系统
技术领域
本发明涉及开孔基板的制造方法以及开孔基板制造系统。
背景技术
作为对基板(例如玻璃基板)形成孔的方法，已知有使用了钻头的切削加工、基于激光的破碎加工、基于湿式蚀刻的加工(湿式加工)、专利文献1所公开的激光辅助加工等各种方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第4880820号公报
发明内容
发明将要解决的课题
但是，切削加工由于使用钻头而难以使加工面成为平滑面。基于激光的破碎加工由于烧蚀而产生裂纹的可能性较高。在专利文献1的方法中，为了在基板的厚度方向上形成改质区域而使用三维工作台来扫描激光束的焦点位置，因此除了工作台的成本高之外，工作台的位置调整·稳定也需要时间，处理速度存在困难。
湿式加工是将具有开口部与非开口部的掩模设置在基板上、并通过掩模的开口部使蚀刻液侵入基板的方法。由于蚀刻是各向同性地进行的，所以不仅对掩模的开口部正下方的基板进行蚀刻，还对非开口部正下方的基板进入蚀刻。因此在湿式加工中，孔径容易扩大，难以形成微小尺寸的孔。
因此，本发明的课题在于提供一种能够在基板上高效地形成微小尺寸的孔的开孔基板的制造方法以及开孔基板制造系统。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明的开孔基板的制造方法的一方式具备：析出工序，通过施加电压将配置于基板的表面的一部分的金属注入到该基板内，通过与所述施加电压相同或者不同的施加电压使注入的金属在该基板内析出；以及孔形成工序，通过蚀刻将在所述基板内析出的金属溶解，从而在所述基板形成孔。
根据这种开孔基板的制造方法，能够限定在希望的位置地析出金属，从而能够形成微小尺寸的孔，并且析出、蚀刻的处理是对基板整体同时进行的，因此效率较好。
在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，在所述析出工序中，使被注入了所述金属的区域的外缘部分析出该金属，在所述孔形成工序中，通过蚀刻溶解在所述外缘部分析出的金属，从而将所述区域从所述基板去除，在该基板形成孔。
根据这种开孔基板的制造方法，金属的注入区域以从基板集中剥离的方式被去除，因此处理的效率良好。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，在所述析出工序中，使所述金属作为延伸到被注入了该金属的区域的内部的树枝状结晶而析出。
根据这种开孔基板的制造方法，通过沿树枝状结晶进行蚀刻，使得蚀刻剂迅速地浸透到基板内部，处理的效率良好。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，在所述析出工序中，在所述金属的注入时与析出时，施加相反极性的电压，也可以是，在所述金属的注入时与析出时，施加相同极性的电压。在析出工序中施加相反极性的电压的情况下，在基板形成有底的孔，在析出工序中施加相同极性的电压的情况下，在基板形成贯通孔。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述析出工序中包含如下工序部分：将层叠有多个副基板的层叠基板用作所述基板，将所述金属注入到比配置有该金属的表面的副基板深的位置，在所述孔形成工序之后，具备将所述层叠基板分离成所述副基板的分离工序。
根据这种开孔基板的制造方法，能够制造具有贯通孔的开孔基板。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，在所述孔形成工序中，将溶解了从氢氟酸、碱金属氢氧化物以及碱土类金属氢氧化物中选择出的一种以上的介质的水溶液使用于所述蚀刻。根据这种开孔基板的制造方法，也可在玻璃的基板高效地形成孔。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述基板是包含碱金属的基板。根据这种开孔基板的制造方法，可在注入工序中将金属高效地注入基板内。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述基板是玻璃基板。玻璃基板的通用性较高，因此优选。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述金属选自于银、铜以及它们的合金。若使用这些金属，则可迅速地向基板内注入金属。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述金属由糊状的金属材料形成，而且，也可以是，所述金属通过纳米墨的涂覆而形成。根据这种开孔基板的制造方法，金属与基板表面的紧贴性较高，金属向基板的注入时间缩短。特别是，在使用纳米墨的情况下，可在基板表面的微小位置高精度地形成金属，并且关于金属的厚度的精度也较高。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述金属通过将在所述基板的表面成膜的金属膜的一部分去除而形成。根据这种开孔基板的制造方法，金属与基板表面的紧贴性较高，并且可通过蚀刻等高效地执行金属膜的去除。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述金属形成于局部地覆盖所述基板的表面的掩模的开口位置。根据这种开孔基板的制造方法，金属被限定地形成于希望的位置。
另外，在所述开孔基板的制造方法中，也可以是，所述金属经由图案形成工序、成膜工序以及图案去除工序而形成，在所述图案形成工序中，在所述基板的表面形成抗蚀剂层，选择性地去除该抗蚀剂层的一部分，形成作为所述掩模的抗蚀剂图案，在所述成膜工序中，在所述基板的表面上的、未被所述抗蚀剂图案覆盖的位置成膜出金属膜，在所述图案去除工序中，从所述基板的表面去除所述抗蚀剂图案。
根据这种开孔基板的制造方法，可通过抗蚀剂图案获得精度较高的掩模，因此金属的形成精度也较高。
而且，为了解决上述课题，本发明的开孔基板制造系统的一方式具备：析出装置，通过施加电压将配置于基板的表面的一部分的金属注入到该基板内，通过与所述施加电压相同或者不同的施加电压使注入的金属在该基板内析出；以及蚀刻装置，通过蚀刻将在所述基板内析出的金属溶解，从而在所述基板形成孔。
根据这种开孔基板制造系统，通过析出装置限定在希望的位置地析出金属，从而能够形成微小尺寸的孔，并且析出装置以及蚀刻装置的处理是对基板整体同时进行的，因此效率较好。
发明效果
根据本发明，能够在基板上高效地形成微小尺寸的孔。
附图说明
图1是表示本发明的开孔基板制造系统的一实施方式的图。
图2是表示开孔加工的工序A与工序B的工序图。
图3是表示开孔加工的工序C与工序D的工序图。
图4是表示开孔加工的工序E、工序F、以及工序G的工序图。
图5是表示利用糊状的金属材料形成金属层的图。
图6是表示利用图案化形成金属层的方法的图。
图7是表示通过剥离形成金属层的方法的图。
图8是表示形成贯通孔的第一形成方法的图。
图9是表示形成贯通孔的第二形成方法的图。
图10是表示形成深度不同的有底的孔的形成方法的图。
图11是表示注入区域的渗出的图。
图12是表示抑制注入区域的渗出的方法的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
图1是表示本发明的开孔基板制造系统的一实施方式的图。
图1所示的开孔基板制造系统1是具备电压施加装置10与蚀刻装置20的系统。
电压施加装置10是通过对例如玻璃基板那样的工件W施加电压而使工件W内部局部地析出金属的装置。
蚀刻装置20是通过对局部地析出了金属的工件W实施蚀刻处理而在工件W形成孔的装置。
工件W通过省略了图示的处理器从电压施加装置10向蚀刻装置20搬运。
电压施加装置10具备真空腔室101与真空泵102，真空腔室101的内部成为例如10－3Pa这样的低压环境。
另外，电压施加装置10具备直流电源103、104和例如铜的电极105、106，通过直流电源103、104对电极105、106间施加直流电压。
在本实施方式中，作为直流电源103、104，具备极性相互不同的两个直流电源103、104，通过开关107切换这些直流电源103、104，从而切换施加到电极105、106间的电压的极性。
在电极105、106之间配置有工件(基板)W，在工件W的表面上的希望位置形成有例如银、铜等这样的金属层M。
电压施加装置10具备板加热器108与钨加热器109，工件W等被加热到适于处理的温度。
在本实施方式中，由于使用导电性优异的铜的电极106，因此若工件W与电极106接触，则电极106的铜与金属层M相同地发挥作用。因此，本实施方式的电压施加装置10具备防止工件W与电极106的接触的铝片110。
另外，在电压施加装置10设有用于将工件W、金属层M固定于电极105、106间的固定器具111，固定器具111经由绝缘体112向下方按压电极105而固定工件W、金属层M。
电压施加装置10作为本发明中所说的析出装置发挥功能，执行本发明中所说的注入工序与析出工序。关于电压施加装置10的功能等将在后面详细叙述，在由电压施加装置10处理后的工件W中，在希望形成孔的位置局部地注入金属层M的金属并析出。
蚀刻装置20具备在内部储存蚀刻剂201的处理槽202、以及将蚀刻剂201的温度保持在适当温度的温度控制器203。作为蚀刻剂201，例如使用HF、KOH等水溶液。
由电压施加装置10处理后的工件W在处理槽202内浸渍于蚀刻剂201，由此对工件W进行蚀刻处理，在希望的位置形成孔。
接下来，对图1所示的开孔基板制造系统1中的开孔加工的详细情况进行说明。
图2～图4是表示图1所示的开孔基板制造系统1中的开孔加工的工序的工序图。图2中示出了开孔加工中的工序A与工序B，图3中示出了工序C与工序D，图4中示出了工序E、工序F以及工序G。
在图2所示的工序A中，在图1所示的电压施加装置10中，例如作为玻璃基板的工件W被夹在电极105、106之间而被施加电压。在该工件W上，在希望形成孔的位置局部地形成有金属层M，作为电压的极性，如图2的箭头所示，成为从金属层M侧朝向工件W侧的极性。
作为工件W的玻璃基板例如含有Na+这样的碱金属离子。若被施加电压，则金属层M的金属(例如银)成为金属离子(例如Ag+)而注入到工件W内，以推出碱金属离子。其结果，在图2所示的工序B中，在工件W内形成金属离子的注入区域120。通过在工件W内含有碱金属离子，金属层M的金属被高效地注入到工件W内。
另外，金属层M的金属除了银、铜之外，即使是银与铜的合金、金、钴、铬等也可注入到工件W内，但如果是银、铜、它们的合金，则注入的速度快，到达工件W内的深处。另外，银的注入速度比铜的注入速度快。
图2所示的工序A以及工序B相当于本发明中所说的注入工序的一个例子。
这种注入区域120的形成即使在工件W表面的多个位置形成有金属层M的情况下，也由于在工件W整体中同时进行形成而处理的效率良好。
另外，由于金属层M的金属通过形成于电极105、106之间的电场而注入到工件W内，因此注入区域120局部地形成在配置有金属层M的位置的正下方，注入区域120由于扩散等而扩散到金属层M的范围外的作用较小。
接下来，在图3所示的工序C中，施加到电极105、106之间的电压的极性被反转，成为从工件W侧朝向金属层M侧的极性。由此，金属层M侧成为阴极，注入区域120被供给电子，在工件W内析出金属。
在工件W内析出的金属成为沿着注入区域120的外缘的析出层121、沿电场的朝向延伸到注入区域120的内部的树枝状结晶122等这类形态。
随着金属的析出进行，如工序D那样，析出层121以覆盖注入区域120整体的方式扩展，树枝状结晶122以连接工件W的表面与析出层121的方式延伸，在注入区域120的外侧不会产生析出。
图3所示的工序C以及工序D相当于本发明中所说的析出工序的一个例子。
接下来，在图4所示的工序E中，工件W被输送到图1所示的蚀刻装置20并浸渍于蚀刻剂201。蚀刻剂201的蚀刻速率在沿着析出层121、树枝状结晶122的位置较高，选择性地进行蚀刻。其结果，如工序F那样，沿注入区域120的外缘的析出层121迅速地进行蚀刻，大量的蚀刻剂201被导入工件W内部。
另外，关于注入区域120的内部，在沿着树枝状结晶122的位置也迅速地进行蚀刻，蚀刻剂201迅速地向注入区域120内浸透。与此相对，在注入区域120的外部，几乎不进行蚀刻。
如果蚀刻剂201是溶解有从氢氟酸、碱金属氢氧化物以及碱土类金属氢氧化物中选择出的一种以上的介质的水溶液，则迅速地溶解析出层121、树枝状结晶122，并且也溶解因析出层121、树枝状结晶122的存在而变细的玻璃部分，因此蚀刻处理的效率良好。
若像这样进行蚀刻，则如工序G那样，被析出层121覆盖的内侧部分123以被剥离的方式被从工件W去除，在工件W形成孔H。在这里所示的例子中，孔H成为有底的孔。
由于这样的蚀刻处理对于工件W整体同时进行，所以即使在工件W上的多个位置形成孔H的情况下，也可一次进行处理，处理的效率良好。
图4所示的工序E～工序G相当于本发明中所说的孔形成工序的一个例子。
然而，关于图2所示的工序A以及工序B中的金属的注入，若金属层M紧贴于工件W的表面，则能够在高电压的施加、温度上升、或者这两方的作用下，大幅缩短注入时间。虽然在例如使用金属箔作为金属层M而按压于工件W的表面的状态下也会实现金属的注入，但为了更顺利地注入，优选的是利用例如糊状的金属材料形成紧贴的金属层M。
图5是表示利用糊状的金属材料形成金属层的图。
作为糊状的金属材料，例如也有银糊等，但这里使用了纳米墨。与其他糊状的金属材料比较，根据基于纳米墨的印刷，能够针对形成场所以及厚度实现高精度的形成。
纳米墨301通过喷嘴302印刷到工件W上，在希望的位置高精度地形成金属层M。另外，由于纳米墨301能够以微小的液滴进行印刷，因此也能够形成例如亚毫米以下这样的微小尺寸的金属层M，由此能够形成微小尺寸的孔。进而，通过喷嘴302的排出量的调整、重叠的印刷等，也可高精度地实现金属层M的厚度，由此可获得希望深度的孔。另外，通过纳米墨301的滴下，可容易地形成圆形的金属层M，抑制基板的破裂。
作为与工件W的表面紧贴的金属层M的形成方法，也优选在工件W的表面上形成成膜层之后将该成膜层图案化(局部地去除成膜层)的形成方法。作为形成成膜层的方法，可考虑镀敷、溅射、蒸镀、CVD等。以下，设为通过镀敷形成成膜层，对以图案化形成金属层M的方法进行说明。
图6是表示利用图案化形成金属层M的方法的图。
首先，在工序A中，在基板301的整个表面成膜出镀层302。这种镀层302与基板301表面的紧贴性较高。另外，镀层302以均匀的厚度成膜。
在接下来的工序B中，在镀层302上局部地形成保护层303。保护层303的形成位置与孔相对于基板301的形成位置对应。
在工序C中，实施蚀刻，从基板301的表面去除镀层302中的、除了被保护层303保护的位置之外的部分。通过这样的蚀刻进行的镀层302的去除在基板301的整个表面上同时进行，因此处理的效率良好。
最后，在工序D中去除保护层303，从而获得与孔的形成位置对应的金属层M。
作为与工件W的表面紧贴的金属层M的形成方法，也能够使用仅在希望的部分形成金属层的剥离工序。作为剥离工序的一个例子，也优选使用了溅射的形成方法。
图7是表示利用剥离形成金属层M的形成方法的图。
在利用剥离形成金属层M时，如以下说明那样，通过掩模限制成膜位置，从而在希望的位置形成金属层M。
首先，在工序A中，在基板301上利用抗蚀剂图案形成掩模304。该掩模304的形成位置是除去了孔相对于基板301的形成位置的位置。
另外，虽然关于基于抗蚀剂图案的掩模304的形成顺序省略图示，但通过经过曝光、清洗等工序的已知的形成顺序，可以较高的精度形成掩模304，也能够形成微小尺寸的孔。另外，作为掩模304，优选的是抗蚀剂图案，但也可以使用抗蚀剂图案以外的掩模。
接着，在工序B中，实施溅射，对于未被掩模304覆盖的位置，在基板301上成膜出金属层M。通过溅射成膜出的金属层M也是与基板301表面的紧贴性较高。另外，在溅射中，与利用镀敷的成膜相比，膜厚的控制更容易，因此具有孔的形状的控制变得容易的优点。
根据溅射，虽然在掩模304的上表面也成膜出金属层M，但在掩模304的侧面难以成膜，基板301上的金属层M与掩模304上表面的金属层M分离。因而，通过在工序C中去除掩模304，可将形成于掩模304的上表面的金属层M去除，可靠地实现在基板301上的希望位置限定性地形成金属层M的剥离。由于在掩模304的下表面从一开始就没有成膜出金属层M，因此也不会产生金属的残留物等。
接下来，对在基板上形成贯通孔的方法进行说明。
图8是表示形成贯通孔的第一形成方法的图。
在该第一形成方法中，将层叠有多个副基板401的层叠基板402用作工件。在位于层叠基板402的最上层的副基板401的表面形成有金属层M。
然后，在工序A中，在电极105、106之间夹住作为工件的层叠基板402，施加图中箭头方向的电压。其结果，如工序B那样，在层叠基板402内形成金属的注入区域403。该注入区域403形成为到达比层叠基板402的最上层的副基板401深的第2个以后的副基板401。在图8所示的例子中，注入区域403到达位于层叠基板402的最下层的副基板401。另外，在该例子中，位于最下层的副基板401为了容易控制注入区域403的到达深度而成为比其他副基板厚的副基板。图8所示的工序A与工序B的组合相当于本发明中所说的注入工序的一个例子。
之后，在工序C中，与图3以及图4所示的各工序相同，通过执行金属的析出与蚀刻处理，对层叠基板402形成有底的孔H。图8所示的工序C相当于本发明中所说的析出工序与孔形成工序的组合的一个例子。
最后，在工序D中，层叠基板402被分割成副基板401。其结果，除了位于孔H的底部的副基板401之外的其他各副基板401成为具有贯通孔TH的开孔基板。图8所示的工序D相当于本发明中所说的分离工序的一个例子。
若使用具有3片以上的副基板401的层叠基板402作为层叠基板402，并且注入区域403形成为到达从层叠基板402的最上层起第3个以后的副基板401，则可同时制作多个张开孔基板，制作的效率良好。
图9是表示形成贯通孔的第二形成方法的图。
在工序A中，将表面形成有金属层M的基板501夹在电极105、106之间而施加图中箭头方向的电压。其结果，如工序B那样，在基板501内形成金属的注入区域502。在图9所示的第二形成方法的情况下，持续注入金属，直至注入区域502到达位于与金属层M相反的一侧的电极106。图9所示的工序A与工序B的组合相当于本发明中所说的注入工序的一个例子。
在工序C中，通过持续施加与工序A以及工序B中的电压相同极性的电压，从位于与金属层M相反的一侧的电极106供给电子而析出金属。其结果，例如在注入区域502的外缘部分形成析出层503。另外，在该工序C中，有时暂时随着金属的析出也同时进行金属的注入。图9所示的工序C相当于本发明中所说的析出工序的一个例子。
之后，在工序D中，与图4所示的工序相同地执行蚀刻处理，在基板501形成贯通孔TH。
通过图8以及图9所示的方法形成的开孔基板例如通过在贯通孔内通过镀敷、填充而设置导体，从而应用于内插板(interposer)等。
接下来，对在基板内形成深度不同的有底的孔的形成方法进行说明。
图10是表示形成深度不同的有底的孔的形成方法的图。
在图10所示的形成方法中，使用在表面形成有各部的厚度不同的金属层601的基板602作为工件。这种金属层601例如通过在图5中说明的那种基于纳米墨的印刷等形成。
在工序A中，在电极105、106之间夹住基板602而施加电压。然后，如工序B那样在基板602内形成金属的注入区域603。
若继续施加电压，则注入区域603变深，金属层601的厚度减少。然后，工序C那样，金属层601消失时，注入区域603的扩大停止。另外，在图10所示的形成方法中，与金属层601相接的电极105例如使用铝等，即使电极105与基板602接触，电极105的金属也不会注入基板602。图10所示的工序A～工序C的组合相当于本发明中所说的注入工序的一个例子。
之后，在工序D中，与图3以及图4所示的各工序相同地进行金属的析出与蚀刻处理，在基板602形成深度在各部不同的有底的孔H。孔H的各部的深度成为与金属层601中的各部的厚度对应的深度。反过来说，通过调整金属层601中的各部的厚度，在基板602形成具有各希望的深度的孔H。图10所示的工序D相当于本发明中所说的析出工序与孔形成工序的组合的一个例子。
通过图10所示的形成方法形成了孔H的基板602例如被应用于微流路器件等。
接下来，对适合于高宽比高的孔加工的孔的形成方法进行说明。
在图2的说明中，由于以高宽比低(孔径大，玻璃薄)的状况为前提，因此说明了注入区域120形成于金属M的正下方的情况。但是，在高宽比高(孔径小，玻璃厚)的孔加工中，期望针对以下说明的注入区域120的渗出的对策。
图11是表示注入区域120的渗出的图。
电场所作用的玻璃中的金属离子的通量由下述的式(1)给出。
[式1]
这里，J：离子通量，D：扩散系数，q：离子电荷，k：波尔兹曼常数，T：温度，E：电场，C：离子浓度。即，离子被电场以及浓度梯度驱动而在玻璃中移动。其中，基于浓度梯度的扩散(右边第二项)难以抑制，但与基于电场的漂移项(右边第一项)相比，相对于通量整体的比例较小。另一方面，基于电场的漂移项占据通量的比例较大，为了抑制注入区域120的不希望的扩展，需要适当地控制电场。
在工件W的表面局部地配置有金属层M的情况下，由于工件W的背面侧的电极106在背面整体上扩展，因此如图11中虚线的箭头所示那样产生电场的扩展。由于这种电场的扩展，产生从金属层M的正下方朝向外侧的离子漂移，产生超过了金属层M的范围的注入区域120的渗出d。
在高宽比低的情况下，电场的扩展也小，所以可以忽略注入区域120的渗出d，但在进行高宽比高的孔加工的情况下，渗出d变得不能忽略，担心高宽比以及孔形状精度降低。因此，期望仅在金属层M的正下方形成注入区域120来抑制向外侧的渗出d的方法。
图12是表示抑制注入区域120的渗出d的方法的图。
为了抑制注入区域120的渗出d，在金属层M之上，在工件W的整个表面形成由比金属层M的金属更难以向工件W注入的导电物质(例如金属、填料添加树脂等)的膜构成的保护电极G。若如此形成保护电极G，则电场如图12中虚线的箭头所示那样成为均匀的电场。其结果，注入区域120形成于金属层M的正下方，能够进行高宽比高的孔加工。
关于作为保护电极G所期望的导电物质，在工件W是玻璃的情况下，可考虑除银、铜以外的例如铂、镍、铝等这类金属。另外，保护电极G的形成范围不限于工件W的整个表面，只要是覆盖金属层M的配置位置并且比金属层M的配置位置向外侧扩展的范围即可。
另外，作为应用本发明的基板，优选的是通用性较高的玻璃基板，但也可以是树脂基板。
附图标记说明
1…开孔基板制造系统，10…电压施加装置，20…蚀刻装置，103、104…直流电源，105、106…电极，W…工件，M，601…金属层，201…蚀刻剂，202…处理槽，120、403、502、603…注入区域，121、503…析出层，122…树枝状结晶，301…纳米墨，301、501、602…基板，302…镀层，303…保护层，304…掩模，401…副基板，402…层叠基板，H…有底的孔，TH…贯通孔，G…保护电极。

Claims (17)

1.一种开孔基板的制造方法，其特征在于，具备：
析出工序，通过施加电压将配置于基板的表面的一部分的金属注入到该基板内，通过与所述施加电压相同或者不同的施加电压使注入的金属在该基板内析出；以及
孔形成工序，通过蚀刻将在所述基板内析出的金属溶解，从而在所述基板形成孔。
2.根据权利要求1所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述析出工序中，使被注入了所述金属的区域的外缘部分析出该金属，
在所述孔形成工序中，通过蚀刻溶解在所述外缘部分析出的金属，从而将所述区域从所述基板去除，在该基板形成孔。
3.根据权利要求1或2所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述析出工序中，使所述金属作为延伸到被注入了该金属的区域的内部的树枝状结晶而析出。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述析出工序中，在所述金属的注入时与析出时，施加相反极性的电压。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述析出工序中，在所述金属的注入时与析出时，施加相同极性的电压。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述析出工序中包含如下工序部分：将层叠有多个副基板的层叠基板用作所述基板，将所述金属注入到比配置有该金属的表面的副基板深的位置，
在所述孔形成工序之后，具备将所述层叠基板分离成所述副基板的分离工序。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述孔形成工序中，将溶解了从氢氟酸、碱金属氢氧化物以及碱土类金属氢氧化物中选择出的一种以上的介质的水溶液使用于所述蚀刻。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述基板是包含碱金属的基板。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述基板是玻璃基板。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属选自于银、铜以及它们的合金。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属由糊状的金属材料形成。
12.根据权利要求11所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属通过纳米墨的涂覆而形成。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属通过将在所述基板的表面成膜的金属膜的一部分去除而形成。
14.根据权利要求1至10任一项所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属形成于局部地覆盖所述基板的表面的掩模的开口位置。
15.根据权利要求14所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
所述金属经由图案形成工序、成膜工序以及图案去除工序而形成，
在所述图案形成工序中，在所述基板的表面形成抗蚀剂层，选择性地去除该抗蚀剂层的一部分，形成作为所述掩模的抗蚀剂图案，
在所述成膜工序中，在所述基板的表面上的、未被所述抗蚀剂图案覆盖的位置成膜出金属膜，
在所述图案去除工序中，从所述基板的表面去除所述抗蚀剂图案。
16.根据权利要求1所述的开孔基板的制造方法，其特征在于，
在所述析出工序之前，具备配置工序，在该配置工序中，将比所述金属更难以注入到所述基板的导电物质覆盖该金属，并且配置于比该金属大的范围内。
17.一种开孔基板制造系统，其特征在于，具备：
析出装置，通过施加电压将配置于基板的表面的一部分的金属注入到该基板内，通过与所述施加电压相同或者不同的施加电压使注入的金属在该基板内析出；以及
蚀刻装置，通过蚀刻将在所述基板内析出的金属溶解，从而在所述基板形成孔。
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