CN109980098B - 一种基底及其制备方法、发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基底及其制备方法、发光器件，其在，方法包括步骤：提供六方氮化硼，对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；提供有机配体，所述有机配体带有胺基及用于与所述羟基化的六方氮化硼的羟基反应的功能基团，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；提供聚乙烯醇，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜；提供有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜填充在所述有机聚合物基材材料中，固化处理，制得基底。本发明解决了现有发光器件中基底导热不佳的问题。

Description

一种基底及其制备方法、发光器件
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管技术领域，尤其涉及一种基底及其制备方法、发光器件。
背景技术
随着显示技术的不断发展，人们对显示装置的显示质量要求也越来越高。量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED）以及有机发光二极管（OrganicLight Emitting Diodes, OLED），是两种结构相似新型的发光器件。QLED采用量子点材料（Quantum dots, QDs）作为发光层，相比其他发光材料具有难以比拟的优势，如可控的小尺寸效应、超高的内量子效率、优异的色纯度等；OLED采用有机物作为发光层，具有驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽以及大面积全色显示等诸多优点。因此两种显示器件在未来显示技术领域均具有巨大的应用前景。
因为显示器件使用寿命很容易受到周围环境中水汽、氧气等因素的影响，因此一般需要将器件密封在无水氧的环境中，以延长器件的寿命，然而，将器件封装在一个密闭环境中虽然起到的阻隔空气中水氧的进入，也导致器件在使用过程中散发出来的热量不能及时的扩散出去，使得整个显示器的温度升高，从而影响器件的效率及寿命。使用导热性能良好的基底有助于器件产生热量的及时散出，从而提高器件的效率和使用寿命。
因此，现有技术还有待改进。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种基底及其制备方法、发光器件，旨在解决现有发光器件中基底导热不佳的问题。
本发明的技术方案如下：
一种基底的制备方法，其中，包括步骤：
提供六方氮化硼，对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；
提供有机配体，所述有机配体带有胺基及用于与所述羟基化的六方氮化硼的羟基反应的功能基团，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；
提供聚乙烯醇，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜；
提供有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜填充在所述有机聚合物基材材料中，固化处理，制得基底。
所述的基底的制备方法，其中，所述功能基团为酯基、乙烯基、亚胺基、醚基、硅氧烷基和酮基中的一种或多种。
所述的基底的制备方法，其中，所述六方氮化硼的尺寸为5~8000 nm；和/或
所述聚乙烯醇的重均分子量为15000~40000。
所述的基底的制备方法，其中，所述将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇混合，制成纤维薄膜的步骤，包括：
将表面修饰后的六方氮化硼分散在有机醇中，得分散液；
将聚乙烯醇溶解在去离子水中，再加入分散液，进行混合反应，并制成薄膜，即得纤维薄膜。
所述的基底的制备方法，其中，所述分散液中，表面修饰后的六方氮化硼的质量百分比为1.2~37.8wt%。
所述的基底的制备方法，其中，所述将所述纤维薄膜填充在所述有机聚合物基材材料中的步骤之前，还包括将纤维薄膜预先卷叠成圆柱形的步骤。
所述的基底的制备方法，其中，所述将所述纤维薄膜填充在所述有机聚合物基材材料中的步骤中，所述纤维薄膜以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基材材料中。
所述的基底的制备方法，其中，所述纤维薄膜按体积百分比为6.0~71.0 vol%进行填充。
所述的基底的制备方法，其中，在固化处理后，还包括对基底的上下表面进行切边处理，以显露纤维薄膜。
所述的基底的制备方法，其中，所述有机聚合物基底材料为聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。
所述的基底的制备方法，其中，所述对六方氮化硼进行醇化处理的步骤中，利用乙醇胺和乙醇对六方氮化硼进行醇化处理。
所述的基底的制备方法，其中，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。
一种发光器件，其中，包括如上所述的基底。
所述的发光器件，其中，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。
有益效果：本发明利用六方氮化硼材料具有较高的导热率、优良的电绝缘性以及良好的耐腐蚀性和较低的热膨胀系数的特点，将其表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇制备而成的纤维薄膜，再将该纤维薄膜填充在基底内部，因为所述纤维薄膜上排列有众多规整的经表面修饰的六方氮化硼，使得所述基底也具有优良的导热性能和电绝缘性能，因而在通过所述基底连接发光器件的内部以与外部时，所述基底能够直接且有效地把热量及时散离，从而从真正意义上达到将器件热量导出的作用，而且无论器件以何种方式弯曲，都能实现致密多点的热导向接触，使热量传递更高效。
附图说明
图1为本发明所述基底的制备方法的较佳实施例流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种基底及其制备方法、发光器件，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
因为六方氮化硼（h-BN）的结构与石墨类似，具有六方层状结构， h-BN在常压环境是稳定相，层内原子之间以很强的共价键结合起来，层间则以范德华力结合，结合力比较弱，使层与层之间容易滑动。而在传统的有应用六方氮化硼材料的基底中，往往是直接将氮化硼（而且不一定是传热性能更好的六方氮化硼）直接与基底材料混合，因为各个导热填充物之间并不关联，而且是衬底内部的导热填充物根本没有与器件的功能层（主要是指电极）直接接触，使得器件产生的热量是先通过不导热衬底材料后才到达导热填充物的，而导热填充物中的热量要传递出去，也需要先传递给不导热衬底材料，使得该结构的导热效果非常有限。
本发明所述的基底的制备方法，如图1所示，包括步骤：
100、提供六方氮化硼，对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；
200、提供有机配体，所述有机配体带有胺基及用于与所述羟基化的六方氮化硼的羟基反应的功能基团，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；
300、提供聚乙烯醇，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜；
400、提供有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜填充在所述有机聚合物基材材料中，固化处理，制得基底。
本发明通过对六方氮化硼进行醇化及表面修饰后，以聚乙烯醇为基材，制成纤维薄膜结构，该纤维薄膜上均匀、连续且稳定分布有表面修饰后的六方氮化硼，形成类似糖葫芦的导热链条，能够作为优异的热通道，并且借助聚乙烯醇与聚合物基底材料的亲和性，以及经表面修饰后六方氮化硼上的官能团，导热链条能够以紧密的方式与聚合物基底材料贴合，形成优异的高导热基底。
下面通过具体的实施方式对上述步骤进行详细说明。
所述步骤100中，提供六方氮化硼，并对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼，以便于通过所述羟基对六方氮化硼作进一步表面修饰。具体地，将六方氮化硼与醇胺、有机醇混合，调节pH，浸泡反应即可得到羟基氮化硼。
优选地，所述醇胺为乙醇胺，所述有机醇为乙醇，将六方氮化硼纳米片与乙醇胺、乙醇溶剂混合，调节PH为8.5，并在常温下搅拌24小时，后用去离子水清洗干燥，即得到表面醇化处理过的六方氮化硼纳米片。
优选地，所述六方氮化硼的粒径尺寸为5~8000 nm。
所述步骤200中，提供有机配体，所述有机配体带有与羟基反应的功能基团及胺基等能够促进六方氮化硼分散在聚乙烯醇中的基团的有机配体，然后通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰，所述有机配体结构为：X-R-NH2，其中X基团通过与醇化处理后的六方氮化硼表面的羟基反应形成化学键合，从而将有机配体接枝在六方氮化硼上。，其中，所述X基团包括但不限于：酯基，乙烯基，亚胺基，醚基，硅氧烷基或酮基中的一种或多种；-NH2为可选择的表面改性基团， R为连接改性基团-X和-NH2的有机基团。优选地，所述X基团为硅氧烷基。更优选地，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。
所述步骤300中，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇混合，采用滚动喷涂、静电纺丝、电沉积等方式制成表面修饰六方氮化硼-PVA纤维薄膜，获得均匀排布有众多线性的表面改性六方氮化硼-PVA链条。其中，经过表面改性的六方氮化硼，由于其表面具有大量的功能性官能团，能够使六方氮化硼纳米片紧密有效地锚定在PVA长链上，形成类似糖葫芦的状态，热量能够沿着该长链有效地传导。形成具有多条导热长链的纤维薄膜的优势在于，不仅长链规整排布，并且可以随意裁剪。
优选地，所述聚乙烯醇的重均分子量为15000~40000，表面修饰的六方氮化硼能够更均匀分散在聚乙烯醇中并有效形成化学键以牢牢锚定。
具体地，所述步骤将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇混合，制成纤维薄膜，包括：
将表面修饰后的六方氮化硼分散在乙醇等有机醇中，得分散液；将聚乙烯醇溶解在去离子水中，形成聚乙烯醇溶液，再向聚乙烯醇溶液加入分散有表面修饰后的六方氮化硼分散的分散液，并在25~60℃下持续搅拌1~24h，得到均一稳定的混合溶液，修饰过的BN上面的羟基基团和胺基基基团能够使得BN更容易分散在PVA中，并且会产生结合力较强的氢键，且修饰后的氮化硼上的氨基能与聚乙烯醇上的羟基反应，使氮化硼连接在聚乙烯醇分子链上混合并反应，然后制成薄膜，即得纤维薄膜。
其中，所述分散液中，表面修饰后的六方氮化硼的质量百分比为1.2~37.8wt%，优选地为7.0~22.7 wt%。
其中，所述聚乙烯醇溶液中，聚乙烯醇的质量百分比为11.0~45.3 wt%，经过实验优化，优选的加入质量百分比为11.0~25.4 wt%。
所述步骤400中，提供作为基材骨架的有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜剪裁为所需的长度和宽度，再以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基材材料中，也即纤维薄膜是以竖直上下的方向填充在有机物基材材料中，然后固化处理，即得到基底。所述基底中，因为贯穿填充有具有多条导热长链的纤维薄膜，也即纤维薄膜连接基底的上表面于下表面，使得该原始基底具有优良的导热性能；而且，PVA与有机聚合物基材材料具有良好的亲和性，同时，六方氮化硼表面的改性官能团作用，该导热链条能够以非常紧密的方式与聚合物基底材料贴合，最终形成优异的高导热基底。在该结构中，具有众多的纵向排列的导热链条，因而在通过所述基底连接发光器件的内部以与外部时，所述基底能够直接且有效地把热量及时散离，而且因为所述纤维薄膜具有很好的柔性，无论器件以何种方式弯曲，都能实现致密多点的热导向接触，使热量传递更高效。
优选地，所述步骤将所述纤维薄膜以纵向填充在所述有机聚合物基材材料中，纤维薄膜预先卷叠成圆柱形，然后竖直、纵向地贯穿填充在有机聚合物基材材料中，能够增大纤维薄膜的韧性，也便于填充操作。
优选地，所述纤维薄膜按体积百分比为6.0~71.0 vol%进行填充。
优选地，在固化处理后，还需对基底的上下表面进行切边处理，以显露纤维薄膜，以避免表面的有机聚合物基材料对纤维薄膜的导热性能造成影响。
优选地，所述有机聚合物基底材料为聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。
本发明还提供了一种基底，其中，由如上所述的基底的制备方法制备而成。
本发明还提供了一种发光器件，其中，包括如上所述的基底，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。
所述的OLED器件，包括依次设置的所述的基底、底电极、第一功能层、有机发光层、第二功能层、顶电极。其中，所述有机发光二极管可以是正型OLED器件或反型OLED器件。其中，对于正型OLED器件，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述第二功能层为层叠结合在所述有机发光层上的电子注入/传输层；对于反型OLED器件，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述第一功能层为电子注入/传输层，所述第二功能层为依次层叠结合在所述有机发光层上的空穴注入层和空穴传输层。
所述的底电极和顶电极材料包括但不限于掺杂或非掺杂的金属氧化物、金属、和/或导电非金属材料。其中，所述的掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种；所述的金属包括但不限于Al、Ag、Mg、Cu、Mo、Au、或它们的合金；所述的导电非金属材料包括但不限于石墨烯、石墨、碳纳米管、富勒烯、碳纤维中的一种或多种。此外，所述的底电极和顶电极电极材料还可选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
所述的空穴注入层选自PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
所述的空穴传输层选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、 4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、 4,4'-二(9-咔唑)联苯、 N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15 N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的至少一种。
所述的有机发光材料选自9,10-二-2-蔡基蒽(ADN)、2,3,6,7-四甲基-9,10-二萘基蒽(TMADN)、PPV、Alq3、DCM、C540、Rubrene、Bebq2、OXD-7等。
所述的电子传输层选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。
所述的OLED器件可以是正型结构或反型结构。
所述的所述的QLED器件，包括依次设置的所述基底、底电极、第一功能层、量子点发光层、第二功能层、顶电极。其中，所述量子点发光二极管可以是正型QLED器件或反型QLED器件。其中，对于正型QLED器件，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极，所述第一功能层为依次层叠结合在所述阳极上的空穴注入层和空穴传输层，所述第二功能层为层叠结合在所述量子点发光层上的电子注入/传输层；对于反型QLED器件，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极，所述第一功能层为电子注入/传输层，所述第二功能层为依次层叠结合在所述量子点发光层上的空穴注入层和空穴传输层。
所述的底电极和顶电极材料包括但不限于掺杂或非掺杂的金属氧化物、金属、和/或导电非金属材料。其中，所述的掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种；所述的金属包括但不限于Al、Ag、Mg、Cu、Mo、Au、或它们的合金；所述的导电非金属材料包括但不限于石墨烯、石墨、碳纳米管、富勒烯、碳纤维中的一种或多种。此外，所述的顶电极和底电极材料还可选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
所述的空穴注入层选自PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种；所述金属硫系化合物包括MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
所述的空穴传输层选自聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、 4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、 4,4'-二(9-咔唑)联苯、 N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15 N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯、C60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的至少一种。
所述的量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等；
所述的量子点包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述的无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+，X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；所述的有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3+ (n≥2)或NH3(CH2)nNH32+ (n≥2)。当n=2时，无机金属卤化物八面体MX64-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当 n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX64-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层（质子化单胺）或有机胺阳离子单分子层（质子化双胺），有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-；
所述的电子传输层选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。
所述的QLED器件可以是正型结构或反型结构。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
（1）、将六方氮化硼颗粒球磨48h后超声5h制备成纳米片。
（2）、将上述六方氮化硼纳米片与乙醇胺、乙醇溶剂混合，调节PH为8.5，并在常温下搅拌24小时，后用去离子水清洗干燥，得到表面醇化处理过的六方氮化硼纳米片。其中，醇化处理后六方氮化硼表面的-H羟基化形成羟基氮化硼。
（3）、将步骤（2）中得到的表面醇化处理过的六方氮化硼纳米片加入5 wt% 3-氨丙基三乙氧基硅烷水溶液（APTS）中，并在常温下搅拌24小时，后用去离子水清洗干燥，APTS与羟基化氮化硼中的-OH反应，得到经APTS表面修饰的氮化硼纳米片，并分散在乙醇中，其中六方氮化硼纳米片的质量百分比为12.5 wt%。
（4）、将重均分子量为17000的PVA按质量百分比为21.0 wt%溶解在去离子水中，然后将该溶液与步骤（3）中的经APTS表面修饰的氮化硼纳米片的乙醇溶液混合均匀，并在25℃下搅拌3h，得到均一的混合溶液。
（5）、将步骤（4）中的混合溶液采用滚动喷涂的方法形成表面修饰六方氮化硼-PVA纳米纤维链组成的网状薄膜，并通过将其卷曲，得到表面修饰六方氮化硼-PVA纤维薄膜形成的高导热圆柱。
（6）、按13 vol%的体积百分比，将上述高导热圆柱竖直且均匀填充在PDMS材料，固化处理，形成原始基底，然后通过上下裁剪方式，裁剪出最终具有高导热及柔性的基底。
实施例2
制备一种柔性QLED器件，包括步骤：
（1）、在实施例1中的基底上沉积制备ITO电极；
（2）、在ITO阳极上依次打印PEDOT空穴注入层、TFB空穴传输层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层，最后蒸镀Al阴极，形成柔性QLED器件。
综上所述，本发明提供了一种基底及其制备方法、发光器件，本发明所提供的基底，利用六方氮化硼材料具有较高的导热率、优良的电绝缘性以及良好的耐腐蚀性和较低的热膨胀系数的特点，将其表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇制备而成的纤维薄膜，再将该纤维薄膜填充在基底内部，因为所述纤维薄膜上排列有众多规整的经表面修饰的六方氮化硼，使得所述基底也具有优良的导热性能和电绝缘性能，因而在通过所述基底连接发光器件的内部以与外部时，所述基底能够直接且有效地把热量及时散离，从而从真正意义上达到将器件热量导出的作用，而且无论器件以何种方式弯曲，都能实现致密多点的热导向接触，使热量传递更高效。本发明解决了现有发光器件中基底导热不佳的问题。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (13)

1.一种基底的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供六方氮化硼，对六方氮化硼进行醇化处理，得到羟基化的六方氮化硼；
提供有机配体，通过所述有机配体对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰；提供聚乙烯醇，将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜；
提供有机聚合物基底材料，将所述纤维薄膜以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基底材料中，固化处理，制得基底，
其中，所述有机配体的结构为X-R-NH2，X基团为酯基、乙烯基、亚胺基、醚基、硅氧烷基和酮基中的一种或多种，R为连接X基团和-NH2的有机基团，
所述有机配体的X基团能够与所述羟基化的六方氮化硼表面的羟基反应形成化学键合，以实现对羟基化的六方氮化硼进行表面修饰。
2.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述六方氮化硼的尺寸为5～8000nm；和/或
所述聚乙烯醇的重均分子量为15000～40000。
4.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述将表面修饰后的六方氮化硼与聚乙烯醇进行混合反应，并制成纤维薄膜的步骤，包括：
将表面修饰后的六方氮化硼分散在有机醇中，得分散液；
将聚乙烯醇溶解在去离子水中，再加入分散液，混合反应，并制成薄膜，即得纤维薄膜。
5.根据权利要求4所述的基底的制备方法，其特征在于，所述分散液中，表面修饰后的六方氮化硼的质量百分比为1.2～37.8wt％。
6.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述将所述纤维薄膜以纵向贯穿填充在所述有机聚合物基底材料中的步骤之前，还包括将纤维薄膜预先卷叠成圆柱形的步骤。
7.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述纤维薄膜按体积百分比为6.0～71.0vol％进行填充。
8.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，在固化处理后，还包括对基底的上下表面进行切边处理，以显露纤维薄膜。
9.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物基底材料为聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚醚砜、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯和聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。
10.根据权利要求1所述的基底的制备方法，其特征在于，所述对六方氮化硼进行醇化处理的步骤中，利用乙醇胺和乙醇对六方氮化硼进行醇化处理。
11.根据权利要求2所述的基底的制备方法，其特征在于，所述有机配体为3-氨丙基三乙氧基硅烷。
12.一种发光器件，其特征在于，包括如权利要求1～11任一所述的基底的制备方法制备的基底。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为OLED器件或QLED器件。
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