CN109964309B - 加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统 - Google Patents

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Abstract

提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：加热平面(E1)，所述加热平面在制造半导体芯片时能够平行于晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置。加热设备(100)还具有第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上径向地在加热平面(E1)中延伸，其中第一加热单元(110)具有至少一个感应加热元件(111，112，113，114，115)用于加热晶片复合件(201)的载体(203)。此外，加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点(x)延伸并且设置在加热平面(E1)中，其中第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。此外，提出一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的对应的方法和系统(300)。

Description

加热设备、在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和系统
本专利申请要求德国专利申请102016119328.3的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
技术领域
本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备以及用于在晶片复合件中制造半导体芯片的对应的方法和系统。
背景技术
在晶片复合件中制造半导体芯片时晶片复合件的局部温差会导致半导体芯片的不均匀的性能。例如，在不均匀的温度分布下制造发光二极管芯片的情况下预期这样制造的发光二极管芯片在运行中波长的移动和/或亮度的影响。
发明内容
本发明所基于的目的因此是，实现用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备以及对应的方法和系统，所述加热设备和方法或系统有助于在制造时局部精确地影响晶片复合件的温度。
所述目的通过一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备，一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的方法和一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统来实现。有利的设计方案的特征在于下面的描述。
根据第一方面，本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的加热设备。半导体芯片尤其可以是光电子半导体芯片，如发光二极管芯片。晶片复合件包括至少一个半导体芯片，优选多个半导体芯片，所述半导体芯片在制造的过程中设置在示例性为盘状的复合件中。
加热设备尤其是用于在制造至少一个半导体芯片时影响晶片复合件的温度的设备。加热设备有利地可以构成用于在制造的过程步骤中同时影响多个晶片复合件的温度。示例性地，在此上下文中一个或多个晶片复合件设置在载体上，该载体通过加热设备加热。过程步骤例如可以是在制造至少一个半导体芯片时施加一个或多个外延层。
在根据第一方面的一个有利的设计方案中，加热设备具有加热平面并且构成为，在制造半导体芯片时加热平面可以与晶片复合件中的半导体芯片的平面平行地设置。
加热平面在此情况下尤其理解为加热设备的横向延伸的平面。用晶片复合件中的半导体芯片的平面表示晶片复合件的横向延伸的平面，在晶片复合件盘状构成的情况下即为盘的平面。通过将晶片复合件平行于加热平面设置，尤其实现晶片复合件的温度的面状的影响。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，加热设备还具有第一加热单元，所述第一加热单元关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸。
用关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸表示在加热平面中的面积部分，所述面积部分具有沿径向方向的第一延伸分量以及横向于径向方向的第二延伸分量，其中第一延伸分量大于或等于第二延伸分量。尤其是，第一延伸分量为第二延伸分量多倍大，即至少两倍大，尤其至少四倍大，优选至少十倍大。在加热设备平行于上述载体以位置固定的方式设置的情况下，第一加热单元因此尤其仅仅覆盖载体的部分区域。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，加热设备具有加热平面，该加热平面在制造半导体芯片时可以与晶片复合件中的半导体芯片的平面平行地设置。此外，加热设备还具有第一加热单元，所述第一加热单元关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸。
有利地，这能够实现晶片复合件沿径向方向的有针对性的加热。与仅具有基本上径向对称地、圆形地、类圆地或螺旋线形地设置的加热元件、如加热线圈的加热设备不同，晶片复合件的温度可以相对快地和局部精确地受影响。尤其是在加热设备可以关于晶片复合件或其载体旋转的情况下，与上述径向对称的、圆形的、类圆的或螺旋线形的加热元件不同，晶片复合件的温度也可以沿切向方向或整面地精确地受影响。
在根据第一方面的一个有利的设计方案中，第一加热单元具有至少一个感应加热元件，用于加热晶片复合件的载体。
尤其是，第一加热单元具有多个感应加热元件，使得第一加热单元基本上沿径向方向延伸。示例性地，感应加热元件为此设置在加热平面的长形的面积部分中，该面积部分从参考点朝向加热设备的边缘延伸。
例如，至少一个感应加热元件是电磁体或永磁体。至少一个感应加热元件尤其构成为，提供关于晶片复合件随时间变化的磁场。示例性地，构成为电磁体的至少一个感应加热元件为此构成为可高频调制。替选地或补充地，也可以考虑多个感应加热元件在横向上相邻地设置，通过所述设置在加热设备关于晶片复合件或载体旋转时实现上述调制。示例性地，对此在横向上沿着旋转方向相邻的感应加热元件分别极性相反地定向。
有利地，这能够实现在平行于加热设备设置的能导电的材料中产生涡流损耗。在晶片复合件的载体由能导电的材料构成的情况下，载体和晶片复合件可以有效地加热。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，至少一个感应加热元件构成为电磁体，用于在晶片复合件的载体中产生涡流，并且借助其磁极垂直于或基本上垂直于加热平面定向。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，第一加热单元包括多个感应加热元件，所述感应加热元件在径向方向上彼此相邻地设置。感应加热元件分别距参考点具有预设的间距。
有利地，这能够实现在径向方向上有针对性地加热晶片复合件或载体。尤其是，在此情况下可以实现沿着径向方向的加热的非常精细的位置分辨率，例如在5mm与20mm之间的分辨率。通过各个感应加热元件分别提供的磁场的强度和/或调制频率在此情况下可以与预设的间距有关地单独地选择。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，第一加热单元包括多个感应加热元件，所述感应加热元件横向于径向方向彼此相邻地设置。感应加热元件在此设置为，使得分别相邻的加热元件在径向方向上彼此间具有预设的偏移。
有利地，这能够实现在径向方向上的加热的极其精细的位置分辨率。例如，加热设备具有两列或更多列的在径向方向上相邻的感应加热元件，所述感应加热元件彼此间分别具有预设的偏移。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，加热设备具有第二加热单元，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点延伸并且设置在加热平面中。
尤其是，第二加热单元可以具有一个或多个基本上圆形地、椭圆形地、柱形地或螺旋线形地构成的加热元件或由其构成。例如，第二加热单元的加热元件相对于参考点径向对称地或基本上径向对称地设置。与第一加热单元相反地，第二加热单元在加热设备平行于载体以位置固定的方式设置时覆盖载体的至少大部分。
有利地，这能够实现对晶片复合件或其载体的低耗费的、恒定的和面状的加热。
在根据第一方面的另一有利的设计方案中，第二加热单元包括至少一个加热螺旋线圈。
根据第二方面，本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的方法。在该方法中，提供载体，所述载体具有晶片平面和参考点。载体构成用于在晶片平面中容纳至少一个晶片复合件。
此外提供加热设备，所述加热设备具有加热平面和第一加热单元。第一加热单元在横向上与参考点错开地设置在加热平面中。加热设备借助其加热平面平行于晶片平面设置。
在该方法中，将至少一个晶片复合件设置在载体的晶片平面中。载体和加热设备相对于彼此围绕穿过参考点的垂直于加热平面和晶片平面的轴线旋转。第一加热单元控制为，使得影响载体的温度。
加热设备例如可以具有第一加热单元，所述第一加热单元具有仅一个唯一的电磁体，所述电磁体在横向上关于参考点以预设的偏移设置，以便补偿晶片复合件沿着围绕参考点的偏移的温度不均匀性。然而尤其地，第一加热单元具有多个感应加热元件，所述感应加热元件关于参考点在径向方向上相邻地设置。对于根据第二方面的方法，根据第一方面的加热设备特别有利地适合作为加热单元。所有结合根据第一方面的加热设备公开的特征因此也可转用于根据第二方面的方法，反之亦然。
有利地，所述方法能够实现在切向方向上有针对性地加热晶片复合件。与仅具有基本上径向对称地、圆形地、类圆地或螺旋线形地设置的加热元件、如加热线圈的加热设备不同地，在此情况下可以相对快地影响晶片复合件的温度。尤其在第一加热单元可以关于加热平面中的参考点基本上沿径向方向延伸的情况下，可以整面地精确地影响晶片复合件的温度。
在根据第二方面的一个有利的设计方案中，加热设备具有第二加热单元，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点延伸并且设置在加热平面中。第二加热单元在此包括至少一个加热螺旋线圈。在该方法中，第二加热单元控制为，使得影响载体的温度。
在根据第二方面的一个有利的设计方案中，提供温度特征值，所述温度特征值代表载体的晶片平面中的至少一个局部温度。与温度特征值有关地控制第一加热单元。
温度特征值例如可以是在制造半导体芯片的相应的过程步骤中对温度测量的统计学评估的结果或估计值。有利地，根据温度特征值来控制第一加热单元能够实现有针对性地设定至少一个晶片复合件的局部温度。尤其是，因此可以补偿典型的温差，如例如在至少一个晶片复合件在载体上的安放区域中相对于相应的晶片复合件的其余区域出现所述温差。
在根据第二方面的另一有利的设计方案中，提供温度传感器，借助于所述温度传感器确定温度特征值。
有利地，这样可以精确地设定至少一个晶片复合件的局部温度。温度传感器例如可以是红外相机。
在根据第二方面的另一有利的设计方案中，提供弯曲传感器，用于确定弯曲特征值。弯曲特征值代表至少一个晶片复合件相对于晶片平面的弯曲。在该方法中，与弯曲特征值有关地控制第一加热单元。
有利地，这能够实现精确地设定至少一个晶片复合件的局部温度，更确切地说基本上与其弯曲无关。这里尤其将相应的晶片复合件的朝向或背离载体的拱曲视为弯曲。典型地，这种弯曲与在施加外延层时相应的过程步骤有关地变化。
例如，对准相应的晶片复合件的激光束的偏转可以用于确定弯曲特征值。尤其是，控制设备为了控制第一加热单元在该上下文中与测量系统耦合，所述测量系统具有光学模块，用于产生和测量激光束。随着相应的晶片复合件的拱曲增大，由相应的晶片复合件的表面反射的激光束示例性地与静止位置更远地偏转，由平面的晶片平面反射的激光束会射到所述静止位置上。与激光束的偏转、即所反射的激光束距静止位置的间距有关地，因此可以推断出相应的晶片复合件的弯曲。尤其地，在此情况下确定相应的晶片复合件的平均弯曲或总弯曲。替选地，也可以确定局部拱曲，示例性地通过产生和测量平行激光束的阵列来确定。
在根据第二方面的另一设计方案中，载体和加热设备相对于彼此以预设的转动速度旋转。在该方法中，与转动速度有关地控制第一加热单元。
有利地，这能够实现精确地设定至少一个晶片复合件的局部温度。在此情况下，也可以利用上述的在径向方向上加热的精细的位置分辨率并且将其通过转动运动传递到整个载体上。预设的转动速度例如可以是对于制造半导体芯片常见的在从1000转/分钟到3000转/分钟的范围中的转动速度。对第一加热单元、尤其各个感应加热元件的控制优选与转动速度同步地进行。
在根据第二方面的另一有利的设计方案中，第一加热单元包括多个感应加热元件，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向上彼此相邻地设置并且分别距参考点具有预设的间距。在该方法中，对感应加热元件与其距参考点的相应的预设的间距有关地进行控制。
有利地，这能够实现特别精确地设定至少一个晶片复合件的局部温度。例如，在该上下文中，可以补偿安放区域的温差和/或由于相应的晶片复合件的弯曲造成的温差。
在根据第二方面的另一有利的设计方案中，将第一加热单元控制成，使得使至少一个晶片复合件的局部的温度不均匀性最小化。
尤其地，将第一加热单元控制成，使得至少一个晶片复合件具有基本上局部恒定的温度。有利地，这能够实现制造的半导体芯片的基本上均匀的性能。尤其是，在制造发光二极管芯片时，因此可以防止所制造的发光二极管芯片在运行时亮度的影响和/或波长的移动。
在根据第二方面的另一有利的设计方案中，相应的晶片复合件在径向方向上划分成虚拟的区段，其中每个区段分配有温度特征值和/或弯曲特征值，这代表至少一个晶片复合件的切向的温度或弯曲变化曲线。每个区段关联有感应加热元件。与载体相对于加热设备的定向有关地以及与相应的温度特征值和/或弯曲特征值有关地，控制至少一个感应加热元件，所述感应加热元件以如下强度加热在与相应的感应加热元件的位置对应的位置处的相应的区段，所述强度将相应的温度特征值和/或弯曲特征值局部补偿为预设的期望值。
在径向方向上的划分例如取决于感应加热元件的数量和其关于相应的晶片复合件的影响区域。从中示例性地得到至少一个晶片复合件的与感应加热元件的数量对应的数量的切向的温度变化曲线或弯曲变化曲线，所述加热元件围绕参考点延伸并且在径向方向上交错地设置。
根据第三方面，本发明涉及一种用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统。该系统包括载体，该载体具有晶片平面和参考点，其中载体构成用于在晶片平面中容纳至少一个晶片复合件。
此外，该系统包括加热设备，所述加热设备具有加热平面和第一加热单元。第一加热单元在横向上与参考点偏移地设置在加热平面中。加热设备以其加热平面平行于晶片平面设置。
此外，该系统包括：旋转元件，所述旋转元件构成为，引起载体和加热设备相对于彼此围绕穿过参考点的垂直于加热平面和晶片复合件的轴线旋转；和控制设备，所述控制设备构成为控制第一加热单元，使得影响载体的温度。
加热设备例如可以具有第一加热单元，所述第一加热单元具有仅一个唯一的电磁体，所述电磁体在横向上关于参考点以预设的偏移设置，以便补偿晶片复合件沿着围绕参考点的偏移的温度不均匀性。然而尤其地，第一加热单元具有多个感应加热元件，所述感应加热元件关于参考点在径向方向上相邻地设置。对于根据第三方面的系统，根据第一方面的加热设备特别有利地适合作为加热单元。所有结合根据第一方面的加热设备公开的特征因此也可转用于根据第三方面的系统，反之亦然。
控制设备尤其构成为，执行根据第二方面的方法步骤。所有结合根据第二方面的方法公开的特征因此也可转用于根据第三方面的系统，反之亦然。
在根据第三方面的一个有利的设计方案中，加热设备具有第二加热单元，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕参考点延伸并且设置在加热平面中。第二加热单元在此包括至少一个加热螺旋线圈。在此情况下，控制设备还构成，控制第二加热单元，使得影响载体的温度。
在根据第三方面的一个有利的设计方案中，载体由能导电的材料构成。尤其是，载体至少在至少一个晶片复合件的区域中具有石墨或者由其构成。有利地，因此在载体中通过第一加热元件引起涡流损耗并且由此有针对性地加热相应的晶片复合件。
附图说明
本发明的实施例在下文中参照示意图更为详细地阐述。
附图示出：
图1a-1c示出示例性的用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统；
图2a-2c示出用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统的第一实施例；
图3a、图3b示出根据第一实施例的晶片复合件的局部温度变化曲线；
图4a、图4b示出根据第一实施例的晶片复合件的弯曲；以及图5示出用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统的第三实施例。
相同构造或功能的元件在全部附图中都设有相同的附图标记。
具体实施方式
根据图1a至1c示出示例性的用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统。该系统包括盘状的载体203(图1a)，所述载体具有六个凹进部205，所述凹进部分别构成用于容纳盘状的晶片复合件201(图1c)。相应的晶片复合件201在此仅借助其外部边缘平放在相应的凹进部205的突起部上。在该边缘之内，在载体203和相应的晶片复合件201之间有气隙，即在载体203和相应的晶片复合件201之间不存在直接接触。
此外，该系统包括加热设备100(图1b)。该加热设备具有加热单元120，该加热单元具有三个加热元件121、122、123，所述加热元件在加热平面E1(图1c)中基本上圆形地围绕在加热设备100的中部中的参考点x延伸。加热元件121、122、123尤其是加热螺旋线圈。
在该系统中，载体203连同相应的晶片复合件201在平行于加热平面E1的晶片平面E2中在加热设备100上方间隔开地设置(图1c)。相应的晶片复合件201可以通过加热元件121、122、123的热辐射面状地加热，其中温度在此情况下可以通过相应的加热电流设定，所述加热电流流经加热元件121、122、123。外部的加热元件121、中部的加热元件122和内部的加热元件123在此可以分别彼此独立地运行。然而由于圆形的布置，不可以在切向方向上设定温度。此外，加热元件121-123仅非常缓慢地做出反应并且不允许高频运行。
在晶片复合件201中制造半导体芯片期间，例如在施加外延层时，载体203连同相应的晶片复合件201以预设的转动速度围绕参考点x旋转。
根据图2a至2c示出用于在晶片复合件中制造半导体芯片的系统的第一实施例。该系统类似于前述实例包括载体203，该载体具有六个分别用于容纳晶片复合件201的凹进部205，所述晶片复合件借助其晶片平面E2平行于加热平面E1设置在加热设备100上方(图2c)并且围绕参考点x旋转。
然而与上述实例不同地，根据第一实施例的加热设备100具有从参考点x沿径向方向R延伸的第一加热单元110(图2a、图2b)。此外可选地，加热设备100具有第二加热单元120，类似于上述实例，所述第二加热单元具有加热元件121、122、123。
如在图2a中所示的那样，第一加热单元110包括彼此错开地设置的两列110a、110b的感应加热元件111、112、113、114、115，所述感应加热元件分别距参考点x具有预设的间距。
然而在其他实施例中也可考虑的是，第一加热单元110仅包括一列110a的感应加热元件111-115或甚至仅包括相对于参考点x错开地设置的感应加热元件113。
感应加热元件111-115尤其是电磁体，所述电磁体可控制为，使得由于在载体203和加热设备100之间的相对转动运动在载体203中引起涡流，所述涡流导致对载体203以及相应的晶片复合件201的局部加热。载体203在此情况下由能导电的材料、如石墨构成。
此外，电磁体可控制为，使得所述电磁体产生随时间变化的磁场，尤其高频调制的磁场。由此，可以进一步增强对载体203的局部加热。
在此情况下，可以调制磁场的强度和/或频率，使得与调制有关地实现对载体203的局部精确的与时间有关的加热。电磁体的调制尤其可以与载体203的转动速度同步。特别优选地，在此情况下与电磁体的转动角度和电磁体距参考点x的相应的间距有关地，可以单独地控制每个电磁体，使得可以精确地设定相应的晶片复合件201的局部温度。第一加热单元110示例性地可以用作为对第二加热单元120的补充，以便调整或补偿相应的晶片复合件201的局部的温度变化曲线。
在图3a和图3b中分别示出根据图1a-2c的六个晶片复合件201的这种局部温度变化曲线。
图3a在此情况下示出晶片复合件201在其整个面上的局部温度的瞬时记录，如例如在根据图1a-1c的实例加热晶片复合件201时出现所述局部温度。在此情况下，用201a表示晶片复合件201的较冷区域并且用201b表示晶片复合件201的较热区域。
此外示意性地示出处于距参考点x预设的间距(示例性为130mm)处的温度传感器305，所述温度传感器仅记录晶片复合件201的温度的一部分并且在空间上相对于加热设备100固定地设置。如通过虚线箭头表示的那样，载体203连同晶片复合件201类似之前的图1a-2c旋转，使得与转动角度有关地，通过温度传感器305沿着箭头检测局部的温度变化曲线，该温度变化曲线在图3b中示出。
现在为了补偿各个晶片复合件201的所示的温度不均匀性，可以控制第一加热单元110，使得附加地加热晶片复合件201的相对冷的区域201a。用于调制感应的加热元件113的磁场的控制信号在此可以与在图3b中所示的温度变化曲线成比例地选择，所述感应加热元件距参考点x的预设的间距大致对应于所示的温度传感器305的间距。用于其他感应加热元件111、112、114和115的控制信号在此情况下例如可以基于估计值和/或与所示的温度变化曲线有关地确定。
替选地或补充地，第一加热单元110还可以运行为，使得补偿相应的晶片复合件201的弯曲。在图4a和图4b中示出根据第一实施例的晶片复合件201的这种弯曲。
由于晶片复合件201的朝向载体203的拱曲(图4a)，在载体203和晶片复合件201之间的凹进部205中的气隙减小，使得晶片复合件201的中部区域在根据图1a-1c的实例未经补偿地加热的情况下与晶片复合件201的外部区域相比更强地加热。为了补偿所述温度不均匀性，可以控制第一加热单元110，使得附加地加热晶片复合件201的具有更宽的气隙的区域。示例性地，控制感应加热元件111-115，使得通过感应加热元件111、115与通过加热元件112、114相比产生更强的和/或更高频率的磁场，并且感应加热元件113转为关断的运行状态。
在晶片复合件201背离载体203拱曲(图4b)的情况下表现正好相反。示例性地，控制感应加热元件111-115，使得通过感应加热元件112、114与通过感应加热元件113相比产生更弱的和/或更低频率的磁场，并且感应加热元件111、115转为关断的运行状态。
图5示意性地示出用于在晶片复合件201中制造半导体芯片的系统300的第二实施例。在该系统300中，类似于之前的实施例，加热设备100和载体203连带晶片复合件201平行地和彼此可旋转地设置。在此情况下，该系统300配设有旋转元件301，所述旋转元件构成为使载体203以预设的转动速度旋转。此外，该系统300具有控制设备303，所述控制设备构成为控制第一加热单元110。
此外，该系统300包括一个或多个温度传感器305。为了确定根据图4a和图4b的弯曲还可以使用弯曲传感器307。传感器305、307在输出侧与控制设备303耦合。对感应加热元件111-115的控制例如与所检测到的温度和弯曲、尤其与转动速度同步地进行。
本发明并不因根据实施例的描述而局限于此。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，即使这些特征或组合本身并未明确地在实施例中予以说明时也如此。
附图标记列表：
100 加热设备
110 第一加热单元
110a、110b 电磁体列
111-115 加热元件
120 第二加热单元
121-123 加热元件
E1 加热平面
E2 晶片平面
201 晶片复合件
201a 冷区域
201b 热区域
203 载体
x 参考点
300 系统
301 旋转元件
303 控制设备
305 温度传感器
307 弯曲传感器

Claims (14)

1.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的加热设备(100)，所述加热设备具有：
-加热平面(E1)，所述加热平面在制造所述半导体芯片时能够平行于所述晶片复合件(201)中的半导体芯片的平面(E2)设置，以及
-第一加热单元(110)，所述第一加热单元关于参考点(x)基本上沿径向方向在所述加热平面(E1)中延伸，和
-第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕所述参考点(x)延伸并且设置在所述加热平面(E1)中，
其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向(R)上彼此相邻地设置，并且分别距所述参考点(x)具有预设的间距，以及
-所述感应加热元件(111，112，113，114，115)构成为电磁体或永磁体，用于在所述晶片复合件(201)的载体(203)中产生涡流。
2.根据权利要求1所述的加热设备(100)，
其中所述感应加热元件(111，112，113，114，115)以其磁极垂直于或基本上垂直于所述加热平面(E1)定向。
3.根据权利要求1或2所述的加热设备(100)，
其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件横向于径向方向(R)彼此相邻地设置，使得分别相邻的加热元件(111，112，113，114，115)在径向方向(R)上彼此间具有预设的偏移。
4.根据权利要求1或2所述的加热设备(100)，
其中所述第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)。
5.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的方法，其中
-提供载体(203)，所述载体具有晶片平面(E2)和参考点(x)，其中所述载体(203)构成用于在所述晶片平面(E2)中容纳至少一个晶片复合件(201)，
-提供加热设备(100)，所述加热设备具有加热平面(E1)和第一加热单元(110)，所述第一加热单元相对于参考点(x)横向错开地设置在所述加热平面(E1)中，其中所述加热设备(100)以其加热平面(E1)平行于所述晶片平面(E2)设置，
-将至少一个晶片复合件(201)设置在所述载体(203)的所述晶片平面(E2)中，
-将所述载体(203)和所述加热设备(100)相对于彼此围绕穿过所述参考点(x)的垂直于所述加热平面(E1)和所述晶片平面(E2)的轴线旋转，
-控制所述第一加热单元(110)，使得影响所述载体(203)的温度，
-提供弯曲传感器，用于确定弯曲特征值，其中所述弯曲特征值代表所述至少一个晶片复合件(201)相对于所述晶片平面(E2)的弯曲，以及
-根据弯曲特征值来控制所述第一加热单元(110)。
6.根据权利要求5所述的方法，
其中所述加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕所述参考点(x)延伸并且设置在所述加热平面(E1)中，其中所述第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)，并且在所述方法中
-控制所述第二加热单元(120)，使得影响所述载体(203)的温度。
7.根据权利要求5或6所述的方法，其中
-提供温度特征值，所述温度特征值代表所述载体(203)的所述晶片平面(E2)中的至少一个局部温度，以及
-根据所述温度特征值来控制所述第一加热单元(110)。
8.根据权利要求7所述的方法，
其中提供温度传感器，借助于所述温度传感器来确定所述温度特征值。
9.根据权利要求5或6所述的方法，
其中将所述载体(203)和所述加热设备(100)相对于彼此以预设的转动速度旋转，并且在所述方法中
-根据所述转动速度来控制所述第一加热单元(110)。
10.根据权利要求5或6所述的方法，
其中所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向(R)上彼此相邻地设置，并且分别距所述参考点(x)具有预设的间距，以及在所述方法中
-根据所述加热元件(111，112，113，114，115)距所述参考点(x)的相应的预设的间距来控制所述感应加热元件(111，112，113，114，115)。
11.根据权利要求5或6所述的方法，其中
-控制所述第一加热单元(110)，使得所述至少一个晶片复合件(201)的局部温度不均匀性最小化。
12.一种用于在晶片复合件(201)中制造半导体芯片的系统(300)，所述系统包括：
-载体(203)，所述载体具有晶片平面(E2)和参考点(x)，其中所述载体(203)构成用于在所述晶片平面(E2)中容纳至少一个晶片复合件(201)，
-加热设备(100)，所述加热设备具有加热平面(E1)和第一加热单元(110)，所述第一加热单元相对于所述参考点横向错开地设置在所述加热平面(E1)，其中所述加热设备(100)以其加热平面(E1)平行于所述晶片平面(E2)设置，
-旋转元件(301)，所述旋转元件构成为，引起所述载体(203)和所述加热设备(100)相对于彼此围绕穿过所述参考点(x)的垂直于所述加热平面(E1)和所述晶片平面(E2)的轴线旋转，以及
-控制设备(303)，所述控制设备构成为控制所述第一加热单元(110)，使得影响所述载体(203)的温度，其中
-所述第一加热单元(110)关于所述参考点(x)基本上沿径向方向在所述加热平面(E1)中延伸，
-所述第一加热单元(110)包括多个感应加热元件(111，112，113，114，115)，所述感应加热元件在径向方向上或基本上在径向方向(R)上彼此相邻地设置，并且分别距所述参考点(x)具有预设的间距，
-所述感应加热元件(111，112，113，114，115)构成为电磁体或永磁体，用于在所述晶片复合件(201)的所述载体(203)中产生涡流，其中所述加热设备(100)具有第二加热单元(120)，所述第二加热单元圆形地、类圆地或螺旋线形地围绕所述参考点(x)延伸并且设置在所述加热平面(E1)中。
13.根据权利要求12所述的系统(300)，
其中所述第二加热单元(120)包括至少一个加热螺旋线圈(121，122，123)，并且其中所述控制设备(303)构成为控制所述第二加热单元(120)，使得影响所述载体(203)的温度。
14.根据上述权利要求12或13所述的系统(300)，
其中所述载体由能导电的材料构成。
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