SE1930124A1 - Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt - Google Patents

Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Info

Publication number
SE1930124A1
SE1930124A1 SE1930124A SE1930124A SE1930124A1 SE 1930124 A1 SE1930124 A1 SE 1930124A1 SE 1930124 A SE1930124 A SE 1930124A SE 1930124 A SE1930124 A SE 1930124A SE 1930124 A1 SE1930124 A1 SE 1930124A1
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
wafer
growth chamber
heaters
bending
temperature
Prior art date
Application number
SE1930124A
Other languages
English (en)
Other versions
SE543143C2 (sv
Inventor
Richard Spengler
Roger Nilsson
Original Assignee
Epiluvac Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epiluvac Ab filed Critical Epiluvac Ab
Priority to SE1930124A priority Critical patent/SE543143C2/sv
Priority to PCT/SE2020/050367 priority patent/WO2020209780A1/en
Priority to US17/594,235 priority patent/US20220136109A1/en
Priority to EP20787524.6A priority patent/EP3931369A4/en
Priority to JP2021560636A priority patent/JP2022528476A/ja
Publication of SE1930124A1 publication Critical patent/SE1930124A1/sv
Publication of SE543143C2 publication Critical patent/SE543143C2/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

SAMMANFATTNINGAnordning för att tillförsäkra planhet hos en halvledarwafer (4) under tillväxt vid förhöjd temperatur i en tillväxtkammare (14) inrättad i ett reaktorhölje (11, 12, 13) där anordningen (1) innefattar en tillväxtkammare (14) som har en port för att medge insättning av åtminstone en wafer (4) på en roterande bärarplatta (2) i tillväxtkammaren (14) och för uttag av wafern (4) ur denna, där tillväxtkammaren (14) vidare har en inloppskanal (17) för tillförsel av processgaser (5) och en utloppskanal (18) för utsläpp av ej förbrukade processgaser (5) för att skapa ett processgasflöde mellan nämnda kanaler, och där vidare separata värmare (V1 - V6) är arrangerade intill tillväxtkammaren (14) för att värma den roterande wafern (4) medelst individuellt kontrollerade värmarszoner både över och under wafern (4), varvid ett instrument(6) mäter waferns (4) böjning genom att en automatisk reglerkrets är anordnad att använda data från någon av en temperaturgivare (20) eller uppmätta data för effekt tillförd värmarna, och instrumentet (6) som mäter waferns böjning för att ändra temperatur i nämnda temperaturzoner så att böjning hos wafern (4) minimeras.

Description

Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos Wafer under tillväxt TEKNISKT OMRÅDE[0001] Den föreliggande uppfinningen hänför sig till en anordning som vid tillväxt aven Wafer av ett halvledarmaterial i en tillväxtkammare under hög temperatur övervakar att förutbestämd planhet uppnås hos Wafern under tillväxtprocessen.
TEKNIKENS STÃNDPUNKT id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2" id="p-2"
[0002] Vid tillverkning av halvledarmaterial genom gasfasepitaxi (engg ChemicalVapour Deposition, CVD) är det viktigt att materialet får homogena egenskaper. Deerhållna egenskaperna är beroende av olika förhållanden under tillverkningsprocessen, ofta kallad tillväxten av materialet. id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3" id="p-3"
[0003] Tillväxten sker på en Wafer som vanligen placeras på en cirkulär bärarplattasom i sin tur är placerad på botten av en tillväxtkammare. Bärarplattan och tillväxtkamma-ren är tillverkade av ett fast material, exempelvis grafit. Under tillväxten, som sker vid enförhöjd temperatur i en tillväxtkammare, så värms Wafem främst genom bärarplattan ochtillväxtkamaren. Gaser, inklusive de gaser som innehåller de grundämnen som behövs förtillväxten, dvs. för skapandet av den kristallstruktur som eftersträvas i Wafems halvledar-material, släpps in i kammaren på ett kontrollerat sätt. Vanligen roteras bärarplattan ochWafem under tillväxten. I vissa fall kommer Wafern att böja sig under tillväxtprocessen.Detta kan orsakas av ojämn temperatur kring Wafem, inre spänningar i Wafem ellerspänningar som genereras av den tillväxt som skett på Wafern. De inre spänningama är en materialegenskap som vanligtvis inte kan bestämmas före tillväxtprocessen startar. id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4" id="p-4"
[0004] För en Wafer med större diameter så kan böjningen förorsaka förödande sprickornär Wafem kyls ner igen till rumstemperatur när tillväxtprocessen har avslutats. När Wafemförsöker återgå till sin ursprungliga form så ökar de inre spänningarna på grund av dettillkomna tillväxtlagret och de inre spänningarna kan inte kompenseras av ändrade avståndmellan kristallplanen som byggts av atomer från gaserna som används för att åstadkomma ett förutbestämt halvledarmaterial. Detta leder till att sprickor uppkommer. id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5" id="p-5"
[0005] Det finns metoder för att mäta böjningen hos Wafern och kontrollera den under tillväxtprocessen. Böjningen kan kompenseras t. ex. genom att man genererar en kraft som ger en böjning i motsatt riktning med hjälp av att ändra fördelningen mellan olika gaser itillväxtkammaren. Men nar fördelningen mellan olika gaser andras så andras också egen- skaperna för det halvledarmaterial man tillverkar på ett oönskat satt. id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6" id="p-6"
[0006] Patentskriften EP 1275135 förutsätts utgöra den närmaste kända tekniken inomområdet. I denna skrift nämns något om att åstadkomma olika temperaturzoner i gasernaföre och efter flödet över Wafern för att skapa förutsättningar för att undvika böjning hosWafem. Däremot nämns inte något i denna skrift om någon teknik eller metod för attdetektera eventuell avvikelse i Waferns planhet under tillväxtprocessen och åtgärder för att i realtid motverka böjning av Wafem baserad på detekterad avvikelse från dess planhet.
BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7" id="p-7"
[0007] Enligt en aspekt av uppfinningen utgörs denna av en anordning för att tillför-säkra planhet hos en halvledarWafer under tillväxt vid förhöjd temperatur i en tillväxt-kammare där anordningen är innesluten i ett reaktorhölje som omger tillväxtkammaren,och där tillväxtkammaren har en port för att medge insättning av åtminstone en Wafer på enroterande bärplatta i tillväxtkammaren och för uttag av Wafem ur denna, där tillväxt-kammaren vidare har en inloppskanal för tillförsel av processgaser och en utloppskanal förutsläpp av ej förbrukade processgaser för att skapa ett processgasflöde mellan dessakanaler, där separata värmare är arrangerade intill tillväxtkammaren för att värma denroterande Wafern medelst individuellt kontrollerade värmarszoner både över och underWafem. Vidare är ett instrument anordnat för att mäta Waferns böjning i minst en position.En automatisk reglerkrets använder som ett alternativ data från temperaturgivare ochinstrumentet som mäter Waferns böjning och ändrar temperatur i nämnda temperaturzonerså att böjning hos Wafern minimeras. Vid ett annat altemativ används i stället för indatafrån temperaturgivare till reglerkretsen mätning av effekttillförsel till värrnama och matning av uppmätta effektdata till reglerkretsen id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8" id="p-8"
[0008] Mätningen av Waferns böjning kan ske med en optisk metod, exempelvis medmetoden enligt EpiCurve®TT Gen 3. Eftersom böjningens storlek beror på diametem påWafem pratar man ofta om böjningens radie, uttryckt i km-l. Ju större värde på radien destomindre är böjningen. Den mätmetod som prövats i denna uppfinning klarar idag att mätakonvexa radier som uppgår till 7000 km-l och i fallet med konkava radier upp till 800 km-l.
I tillväxtprocess är böjradien ofta runt 50 km-l, dvs. väl inom vad mätmetoden klarar av att fastställa. Mätning av höjningen sker vid av varandra oberoende positioner på olikaavstånd från Wafems centrum genom mätning av reflexionen hos laserstrålar som sändsmot Wafem. Genom att mata skillnaden mellan reflekterade strålars vinkel vid dessasreflexion från två olika positioner på Wafem kan böjningen bestämmas. Waferns böjning mäts kontinuerligt. id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9" id="p-9"
[0009] Temperaturen hos värmama justeras medelst den automatiska reglerkretsen vid givna tidsintervall, vilka kan utgöras av perioder om 30:e sekunder. Justeringen görs efter ett tabellvärde i förhållande till den uppmätta böjningen. Om böjningen är konkav, dvs. attkantema hos Wafern är högre än de centrala delarna av denna, så ska generellt ovansidans temperatur höj as i förhållande till undersidans. Det har här nämnts att separata värmare är arrangerade intill tillväXtkammaren. Med begreppet separata värmare avses här värmare vars temperatur mäts och effekt styrs individuellt i förhållande till varandra. [00 10] Bärarplattan roterar kring en axel som är vinkelrätt inrättad i förhållande tillgasflödet över denna. Utformningen av värrnama är inte given utan kan inrättas uteftergasflödets uppträdande i tillväXtkammaren. I den här presenterade lösningen visas etthorisontellt gasflöde där flödet av processgaser passerar i princip horisontellt över denvågrätt placerade bärplattan med en eller flera Wafers på dess yta. Processgaserna kan iandra tillämpningar introduceras centralt över bärplattan och pumpas bort mot dess periferi. Idag används ett flertal metoder för konfiguration av processgasflöde. [00 1 1] De i tillväXtkammaren inkommande processgaserna kyler tillväXtkammarenvarigenom värrnama måste utformas efter gasflödets uppträdande. Värmare över och underbärarplattan kan styras individuellt. I föreliggande uppfinning används i det visadeutförandet raka värmare som sträcker sig vinkelrätt mot den horisontella gasströmmengenom tillväXtkammaren och är belägna både över och under bärarplattan. Principen föranordningen enligt uppfinningen kan likväl användas för andra utforrnningar avtillväXtkammaren, bärarplattans placering och processgasernas flöden genom att anordnavärrnarna så att deras design ger möjlighet att skapa individuellt kontrollerade värrnezoner över och under bärarplattan och därigenom över och under Wafer under tillväxt. [00 12] När Wafern tenderar att böja sig på grund av inre spänningar eller spänningar genererade av det tillkomna tillväxtlagret så kan detta hållas plant genom att skapa en kontrollerad ändring i temperaturprofilen över hela Waferns yta. Detta görs i en automatiskt kontrollerad återkopplad reglerkrets.
FIGURBESKRIVNING Figur l visar schematiskt en principskiss över anordningen enligt uppfinningsaspekten.Figur 2 illustrerar schematiskt i en perspektivvy en anordning enligt uppfinningen darreaktorn, tillväxtkammaren samt processgasernas kanaler är givna i ett längsgåendetvärsnitt genom tillväxtkammaren när anordningen är anbringad i en exemplifierad reaktor.Figur 3 visar ett längsgående tvärsnitt genom tillväxtkammaren enligt figur 2, därvärrnarnas placering i förhållande till tillväxtkammare och Wafer åskådliggörs.
Figur 4 visar i en planvy från ovan den undre halvan av tillväxtkammaren enligt figur 3, där bärarplatta, Wafer och gruppema av värmare under tillväxtkammaren framkommer.
BESKRIVNING Av UTFöRANDEN[00 13] I det följ ande beskrivs ett antal utföranden av uppfinningen med stöd av debilagda ritningarna. Ritningarna visar endast schematiskt principen för anordningen och gör ej anspråk på att skalenligt visa några proportioner mellan olika element av denna. id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14" id="p-14"
[0014] Här redovisas ett utförande av en anordning enligt uppfinningen. Som nämnts kankonfiguration av tillväxtkammare och kanaler för processgaser designas på olika sätt.Genom att anpassa de element som visas i det här redovisade utförandet till andra designer av reaktorer kan principen för uppfinningen överföras till dessa. [00 15] Figur l visar endast de inre elementen som används i en reaktor för att odlatillväxtlager av ett halvledarrnaterial på en Wafer. Det visade exemplet av anordningenanvänds i en reaktor för odling av galliumnitrid på kisel . Denna typ av odling krävermycket höga temperaturer, vanligen mellan 900 och 1500 grader Celsius, varigenom dedefekter i kristallmaterialet som diskuterats ovan kan uppkomma. Anordningen enligtuppfinningen betecknas med l. I denna illustreras en bärplatta 2, som är inrättad att roterarunt en axel 3. På bärplatta 2 placeras en Wafer 4 som sålunda roterar med bärarplattan.Tillväxten av ett halvledarrnaterial sker på Wafems 4 ovansida. Processgaser som nyttjasför odlingen av halvledarmaterialet är i figuren visade strömmande från vänster ihorisontell led mot ett utlopp till höger i figuren. Processgasflödet är betecknat medhänvisningen 5. Både under och över bärplattan 2 är värmare anordnade, i det visade exemplet anordnade som 6 skilda värmeelement betecknade med Vl, V2, V3, V4, V5, V6.
Värrneelementen är exempelvis utförda som grafitelement. Mätningen av böjning hosWafem sker som nämnts medelst laserljus 6 som riktas in mellan värrnarna mot åtminstoneen mer central punkt på Wafem och en mer perifer punkt på denna, dock med mycket litet avstånd mellan punktema. id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16" id="p-16"
[0016] Anordningen l är visad, mycket schematiskt, inuti en reaktor l0 i figur 2, därreaktorn är gestaltad med ett cylinderformat hölje utformat med botten ll, lock l2 och cy-lindrisk vägg l3. En reaktor enligt figur 2 är vanligen utförd i rostfritt stål. Figuren visar etttvärsnitt genom reaktorn l0, varigenom öppet framkommer inuti denna en tillväXtkammarel4 öppnad i ett längsgående tvärsnitt. Tillväxtkammaren är tillverkad i ett mycket värme-tåligt material. Tillväxtkammaren l4 ses här med en botten l5 och en övre vägg l6.Bärarplattan 2 visas nedsänkt i tillväXtkammarens botten l5, där den är roterbart anordnadi samma plan som denna. Reaktorn l0 har en port för tillförsel av processgaser, vilka försin till tillväXtkammaren l4 via en inloppskanal l7, där processgaserna symboliseras meden pil i inloppskanalen l7. Vidare har reaktorn l0 en port för utförsel av icke förbrukadeprocessgaser, där dessa leds ut via en utloppskanal 18 från tillväXtkammaren l4. I dennautloppskanal 18 är detta flöde av icke förbrukade processgaser visat medelst en pil inuti utloppskanalen 18. Värmarna Vl - V6 är för tydlighetens skull icke visade i figur 2. id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17" id="p-17"
[0017] En konfiguration med värmare Vl - V6 inrättade i anordningen l applicerad i enreaktor l0 enligt exemplet i figur 2 åskådliggörs i figur 3. I denna figur kan utläsas att 3grupper av värmare är anordnade med värrnarelement både under tillväXtkammarens bottenl5 och över tillväXtkammarens övre vägg l6. Värmama Vl - V6 är ordnade gruppvis.Sålunda värms tillväXtkammaren vid processgasernas inflöde i denna med värrnarna Vloch V4 i en första grupp. En andra grupp värrnare, V2 och V5, värmer tillväXtkammarenl4 i dess centrala del, medan en tredje grupp värrnare, V3 och V6, värmer tillväXtkamma-ren l4 vid utflödet av processgaser från denna. Processgaserna betecknas här med 5 vidpilama. Genom placeringen av dessa värmare Vl - V6 vid olika positioner i förhållandetill tillväXtkammarens l4 utsträckning i längdled kan härigenom tillförsel av värme tillWafems 4 centrala och perifera delar styras och varieras oberoende av varandra i och medatt värmargrupperna är individuellt styrbara med avseende på energitillförsel till dessa.Temperaturen hos övre eller undre del av tillväXtkammaren l4 kan även styras vidrespektive värmargrupp genom att övre resp. undre värmare i en värmargrupp kan styras oberoende av varandra. Värmama Vl - V6 utgörs i utförandet av grafitelement. id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18" id="p-18"
[0018] Figur 4 visar tillväxtkammarens 14 botten 15 i en planvy från ovan. Här kantydligt utläsas hur de olika värmargruppema värmer olika delar av tillväXtkammaren 14och sålunda påvisar hur ändringar av tillförsel av värme till Wafer 4 kan åstadkommas. Enautomatisk reglerkrets (ej visad) detekterar böjningsvärden och styr därefter matning avenergi till värrnama V1 - V6 så att det skapas en kontrollerad temperaturprofil över helaWafems 4 yta för att bibehålla Wafem plan. Om exempelvis mätningar av böjning hos enWafer 4 lokaliserad på bärplattan 2 indikerar att kantema hos Wafem 4 är högre än decentrala delarna av denna kommer den automatiska reglerkretsen att höja temperaturen påovansidan av Wafern i de yttre delama av denna varvid böjning uppåt motverkas hoskantema på Wafern. Detta kan ske genom ökad energitillförsel i värmarna V4 och V6. eller sänkning av värmetillförsel via värmarna V1 och V3. [00 19] I figur 3 visas hur laserljus enligt mätmetoden enligt känd teknik riktas mot enposition på Wafern. Genom mätning av vinkeln som skapas mellan den mot Wafeminfallande ljusstrålen och den reflekterade ljusstrålen enligt hänvisning 6 och jämförelsemed motsvarande vinkel för en annan ljusstråle riktad mot en annan position på Wafern kaneventuell böjning av Wafern bestämmas och sålunda genom automatisk justering avenergitillförsel till de olika värmarna motverkas. Denna reglering sköts via den nämnda reglerkretsen. Böjningsvärden erhålls medelst mätmetoden. id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20" id="p-20"
[0020] Temperaturmätning sker med optisk metod (pyrometrar). Det finns en tempera-turgivare 20 i form av en pyrometer för varje värmare. Pyrometem mäter vinkelrätt motgasernas flödesriktning. Pyrometem är placerad utanför tillväxtkammaren och mätergenom ett optiskt fönster. Detta illustreras med pilar från temperaturgivama 20 som ärbefintliga utanför tillväXtkammaren. Mätningen sker inte direkt mot värmaren utan mot botten 15 respektive ovandel 16. id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21" id="p-21"
[0021] I stället för mätning av temperatur i tillväXtkammaren kan data avseende tillfördeffekt till värrnama bestämmas. Uppmätta effektdata används härvid som ett styrmedel till reglerkretsen tillsammans med böjningsvärden.
Den elektriska energin till värmama V1 - V6 förs in genom reaktoms 10 yttre vägg 13 viavacuumtäta elektriska genomföringar. Dessa genomföringar håller också värmarna påplats. Mellan värmama och den kalla ytterväggen finns isolering som tål processgaserna och den höga temperaturen i reaktom.

Claims (10)

1. Anordning för att ti11försäkra p1anhet hos en ha1v1edarWafer (4) under tillväxtvid förhöjd temperatur i en ti11väXtkammare (14) inrättad i ett reaktorhö1je (11, 12, 13) däranordningen (1) innefattar: - en ti11väXtkammare (14) som har en port för att medge insättning av åtminstone en Wafer(4) på en roterande bärarp1atta (2) i ti11väXtkammaren (14) och för uttag av Wafern (4) urdenna, där ti11väXtkammaren (14) vidare har en in1oppskana1 (17) för ti11förse1 avprocessgaser (5) och en ut1oppskana1 (18) för utsläpp av ej förbrukade processgaser (5) föratt skapa ett processgasflöde me11an nämnda kanaler, kännetecknad av att: - separata värmare (V1 - V6) är arrangerade inti11 ti11väXtkammaren (14) för att värma denroterande Wafern (4) mede1st individue11t kontro11erade värmarszoner både över och underWafem (4), - ett instrument(6) mäter Waferns (4) böjning, - en automatisk reg1erkrets är anordnad att använda data från någon av a) temperaturgivare (20), b) uppmätta data för effekt ti11 värrnarna,och instrumentet (6) som mäter Waferns böjning, och att ändra temperatur i nämnda temperaturzoner så att böjning hos Wafern (4) minimeras.
2. Anordningen en1igt patentkrav 1, där värmama (V1 - V6) är p1acerade med trevärmare (V1 - V3) under ti11väXtkammaren (14) och med tre värmare (V4 - V6) ovanför ti11väXtkammaren ( 14).
3. Anordningen en1igt patentkrav 2, där värmama V1 - V6 är ordnade gruppvis,varvid ti11väXtkammaren (14) värms vid processgasemas (5) inflöde i denna med värmarnaV1 och V4 i en första grupp; en andra grupp värmare, V2 och V5, värmer ti11väXt-kammaren (14) i dess centra1a de1, medan en tredje grupp värmare, V3 och V6, värmer ti11väXtkammaren (14) vid processgaserna (5) utflöde från denna.
4. Anordningen en1igt patentkrav 1, där böjningen hos Wafern (4) mäts med ettinstrument som beräknar böjningen mede1st1aser1jus (6) sänt mot Wafem (4) och som reflekteras från minst två punkter på Waferns (4) yta.
5. Anordningen en1igt patentkrav 4, där instrumentet (6) är anordnat att beräkna en vinke1 me11an mot Wafern (4) infa11ande 1aserstrå1e (6) och från Wafem reflekterade laserstråle (6) vid minst två punkter på Wafem och att därur beräkna om böjning av Wafern föreligger.
6. Förfarande för att tillförsäkra planhet hos en halvledarwafer (4) under tillväxtvid förhöjd temperatur i en tillväXtkammare (14) enligt patentkrav l, innefattande stegen:- böjning hos Wafern (4) mäts medelst ett instrument som sänder laserstrålar (6) motWafem (4), - en automatisk reglerkrets anpassar tillförsel av energi till något eller några av värrneelementen (Vl - V6) för att motverka påbörjad uppmätt böjning.
7. Förfarandet enligt patentkrav 6, vidare innefattande steget:- enskilda värrnarelement (Vl - V6) styrs individuellt med avseende på energitillförsel till dessa.
8. Förfarande enligt patentkrav 7, vidare innefattande steget:- temperaturen hos övre eller undre del av tillväXtkammaren (14) kan styras genom att övre resp. undre värmare (Vl - V6) styrs oberoende av varandra.
9. Förfarande enligt patentkrav 8, vidare innefattande steget: - vid indikation från mätning av böjning att kanterna hos Wafern (4) är högre än de centraladelama av denna ombesörjer den automatiska reglerkretsen att temperaturen höjs påovansidan av Wafern (4) i de yttre delama av denna genom ökad energitillförsel till någon av värmarna (V4 -V6) placerade ovan Wafem (4) vid de yttre delarna av denna.
10. l0. Förfarande enligt patentkrav 9, vidare innefattande steget: - vid indikation från mätning av böjning att kanterna hos Wafern (4) är lägre än de centraladelama av denna ombesörjer den automatiska reglerkretsen att temperaturen höjs påundersidan av Wafern (4) i de yttre delarna av denna genom ökad energitillförsel till någon av värmarna (Vl -V3) placerade under Wafem (4) vid de yttre delama av denna.
SE1930124A 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt SE543143C2 (sv)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt
PCT/SE2020/050367 WO2020209780A1 (en) 2019-04-12 2020-04-08 Device and method to provide planarity of a wafer during growth
US17/594,235 US20220136109A1 (en) 2019-04-12 2020-04-08 Device and method to provide planarity of a wafer during growth
EP20787524.6A EP3931369A4 (en) 2019-04-12 2020-04-08 DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING SLICE FLATNESS DURING GROWTH
JP2021560636A JP2022528476A (ja) 2019-04-12 2020-04-08 成長中にウェハの平面性を提供する装置および方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Publications (2)

Publication Number Publication Date
SE1930124A1 true SE1930124A1 (sv) 2020-10-13
SE543143C2 SE543143C2 (sv) 2020-10-13

Family

ID=72749525

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE1930124A SE543143C2 (sv) 2019-04-12 2019-04-12 Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220136109A1 (sv)
EP (1) EP3931369A4 (sv)
JP (1) JP2022528476A (sv)
SE (1) SE543143C2 (sv)
WO (1) WO2020209780A1 (sv)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11994807B2 (en) * 2022-05-03 2024-05-28 Tokyo Electron Limited In-situ lithography pattern enhancement with localized stress treatment tuning using heat zones

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851929A (en) * 1996-01-04 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Controlling semiconductor structural warpage in rapid thermal processing by selective and dynamic control of a heating source
TWI225279B (en) * 2002-03-11 2004-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
TWI266104B (en) * 2002-03-14 2006-11-11 Sharp Kk Manufacturing method of liquid crystal display apparatus and substrate assembling apparatus
JP4059694B2 (ja) * 2002-03-27 2008-03-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US7534498B2 (en) * 2002-06-03 2009-05-19 3M Innovative Properties Company Laminate body, method, and apparatus for manufacturing ultrathin substrate using the laminate body
US7570368B2 (en) * 2004-05-12 2009-08-04 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for measuring the curvature of reflective surfaces
US7331583B1 (en) * 2004-12-22 2008-02-19 Hydra-Lock Corporation Workpiece holder with a multi-piece bladder
US7452793B2 (en) * 2005-03-30 2008-11-18 Tokyo Electron Limited Wafer curvature estimation, monitoring, and compensation
JP4301251B2 (ja) * 2006-02-15 2009-07-22 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶基板
US7573004B1 (en) * 2006-02-21 2009-08-11 Structured Materials Inc. Filament support arrangement for substrate heating apparatus
JP5226206B2 (ja) * 2006-12-22 2013-07-03 三井造船株式会社 誘導加熱を用いた熱処理方法および熱処理装置
EP2171134B1 (en) * 2007-06-27 2016-10-19 II-VI Incorporated Fabrication of sic substrates with low warp and bow
JP2009297734A (ja) * 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
US20110073039A1 (en) * 2009-09-28 2011-03-31 Ron Colvin Semiconductor deposition system and method
JP2011246749A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Tokuyama Corp アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物製造装置、およびアルミニウム系ｉｉｉ族窒化物の製造方法
US20120272892A1 (en) * 2011-04-07 2012-11-01 Veeco Instruments Inc. Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy System and Process
US9653340B2 (en) * 2011-05-31 2017-05-16 Veeco Instruments Inc. Heated wafer carrier profiling
US9200965B2 (en) * 2012-06-26 2015-12-01 Veeco Instruments Inc. Temperature control for GaN based materials
SG10201800482RA (en) * 2012-07-03 2018-03-28 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Use of vacuum chucks to hold a wafer or wafer sub-stack
US10167571B2 (en) * 2013-03-15 2019-01-01 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems
US20170077440A1 (en) * 2015-02-04 2017-03-16 Lg Chem, Ltd. Pressure-sensitive adhesive composition
US9627239B2 (en) * 2015-05-29 2017-04-18 Veeco Instruments Inc. Wafer surface 3-D topography mapping based on in-situ tilt measurements in chemical vapor deposition systems
US20160355947A1 (en) * 2015-06-05 2016-12-08 Sensor Electronic Technology, Inc. Susceptor Heating For Epitaxial Growth Process
DE102016119328A1 (de) * 2016-10-11 2018-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Heizvorrichtung, Verfahren und System zur Herstellung von Halbleiterchips im Waferverbund
US11456161B2 (en) * 2018-06-04 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
CN113330543A (zh) * 2019-01-25 2021-08-31 朗姆研究公司 集成晶片翘曲测量

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022528476A (ja) 2022-06-10
US20220136109A1 (en) 2022-05-05
WO2020209780A1 (en) 2020-10-15
EP3931369A1 (en) 2022-01-05
EP3931369A4 (en) 2022-12-14
SE543143C2 (sv) 2020-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019071404A (ja) 半導体加工装置および半導体加工装置を較正する方法
CN1129962C (zh) 在工艺过程中控制半导体晶片温度的温度控制装置和方法
KR101969536B1 (ko) 유리 몰딩 시스템과, 그 연관 장치 및 방법
US7141763B2 (en) Method and apparatus for rapid temperature change and control
US6353209B1 (en) Temperature processing module
US7727780B2 (en) Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
KR101104017B1 (ko) 조절된 온도 균일성
TWI404819B (zh) 成膜裝置及成膜方法
US9698041B2 (en) Substrate temperature control apparatus including optical fiber heating, substrate temperature control systems, electronic device processing systems, and methods
RU2305010C2 (ru) Способ конструирования и устройство термостабильной головки для нанесения покрытия
EP3617351B1 (en) Silicon wafer horizontal growth device and method
CN101111934A (zh) 控制空间温度分布的方法和装置
US20060286807A1 (en) Use of active temperature control to provide emmisivity independent wafer temperature
JP2006086177A (ja) 気相エピタキシャル成長装置および半導体ウェーハの製造方法
SE1930124A1 (sv) Anordning och förfarande för att tillförsäkra planhet hos wafer under tillväxt
US20090101633A1 (en) Reactor with small linear lamps for localized heat control and improved temperature uniformity
JP2010034474A (ja) エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハ製造方法
TW201727205A (zh) 基板加工腔
KR20120040124A (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
JP4079582B2 (ja) 熱処理装置および熱処理方法
TW202245074A (zh) 基板處理設備、溫度量測方法及溫度控制方法
KR101179865B1 (ko) 기판 가열 장치 및 기판 가열 방법
WO2006004783A1 (en) Use of an active wafer temperature control independent from wafer emissivity
KR100331023B1 (ko) 냉각수단을 구비한 히터 조립체
JP2008147656A (ja) 熱処理装置および熱処理方法