CN109962229A - 一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法 - Google Patents
一种钼掺杂片状二硒化钴/石墨烯复合电极材料的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。通过水热反应,以硝酸钴为钴源,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,一步反应得到CoSe2前驱体,再通过煅烧法,首先在熔融状态下将钼离子掺杂进入CoSe2前驱体内,接着通过硒蒸汽对前驱体进行硒化,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,得到钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。本发明中所制备的电极材料将其组装成锂离子电池时,其所展现出的比电容高达996 mAh g‑1,可用于锂离子电池负极材料。
Description
技术领域
本发明属于复合电极材料制备技术领域,具体涉及一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。
背景技术
随着现代社会的快速发展,社会对能源供应的需求不断增加,人类需要减少对化石燃料的依赖,而转向可持续的清洁能源。可充电电池由于具备高能量密度和长循环寿命,在提供清洁能源的同时,还能将能源进行重复利用,因此为人类减少环境依赖及环境破坏提供了一种解决思路。在过去的几十年中,锂离子电池(LIB)已被广泛用作便携式电子设备的电源。目前,该技术的核心问题是进一步提高LIB的能量密度,以实现与燃油汽车相当的使用效果。
近年来,多种过渡金属化合物已经被证明具有较高的比电容性质,例如MoSe2,CoSe2, ReSe2, WSe2等等。相比于单金属硒化物,双金属硒化物因其具备特殊的协同效应,而展现出比单金属硒化物更加优异的电化学性能。然而,目前双金属硒化物的制备方法较为复杂,因此需要对制备方法进行优化,以达到便捷,节能的目的。另外,许多金属硒化物在制备过程中容易出现团聚现象,这将减少其表面活性位点数目,继而降低电化学性能。因此,制备具有较大比表面积的金属硒化物也同样重要。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术不足,提供一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法和应用。本发明通过水热反应,以硝酸钴为钴源,十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂,一步反应得到CoSe2前驱体,再通过煅烧法,首先在熔融状态下将钼离子掺杂进入CoSe2前驱体内,接着通过硒蒸汽对前驱体进行硒化,同时将氧化石墨烯还原为石墨烯,得到钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料,使得复合电极材料具备更大的比电容和能量密度。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
所述一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将钴源、表面活性剂、40mg氧化石墨烯在水中超声分散均匀,并将混合溶液转移至水热反应釜内;
(2)将步骤(1)所述体系在聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应;
(3)将步骤(2)所得产物用去离子水和乙醇清洗,真空干燥后将其与0.2 mmol~1mmol的钼源共同至于瓷舟中,在在氩气气氛下煅烧;
(4)在步骤(3)的基础上,在另一个瓷舟中放入过量硒粉,将煅烧温度提高至700℃,气氛改为氩气和氢气的混合气体,继续煅烧1小时,步骤(3)瓷舟所得产物经过硒化制得钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。
步骤(1)中钴源为硝酸钴,表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。
硝酸钴、十六烷基三甲基溴化铵的摩尔比为:2:1。
步骤(2)所述水热反应温度为140~220℃,反应时间为24 h。
步骤(3)中钼源为钼酸铵,并且在熔融状态下进行离子交换反应。
步骤(3)中煅烧具体为1小时,温度为200℃。
如上所述的制备方法制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合材料作为锂离子电池负极材料。
本发明的有益效果在于:
(1)本发明只进行一次水热反应,步骤简单节能;
(2)加入表面活性剂后,有利于片状CoSe2前驱体的成形,能够避免团聚现象;
(3)将钼酸铵加热至熔融状态,再与CoSe2前驱体进行离子交换,保证了钼离子与钴离子的充分接触与反应;
(4)相比于传统的液相硒化反应,煅烧硒化所需时间更短,步骤简单;
(5)制备的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料中,片状CoSe2具有较大的比表面积,使电解液更容易与电极接触,钼掺杂后能够增加反应位点,从而提高电极电化学性能,最终复合材料的比电容高达996 mAh g-1。
附图说明
图1为本发明制备的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的SEM图;
图2为本发明制备的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的XRD光谱图;
图3为本发明制备的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的锂离子电池恒电流放电曲线。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明做进一步说明,但本发明不仅仅限于这些实施例。
实施例1
一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,具体过程如下:
(1)配制反应溶液
按摩尔比为2:1的比例在50 mL去离子水中溶解硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵,硝酸钴的摩尔数为1 mmol,并且加入40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在140℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与0.5 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为520 mAh g-1。
实施例2
一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,具体过程如下:
(1)配制反应溶液
按摩尔比为2:1的比例在50 mL去离子水中溶解硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵,硝酸钴的摩尔数为1 mmol,并且加入40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在180℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与0.5 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为996 mAh g-1。
实施例3
一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,具体过程如下:
(1)配制反应溶液
按摩尔比为2:1的比例在50 mL去离子水中溶解硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵,硝酸钴的摩尔数为1 mmol,并且加入40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在220℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与0.5 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为797 mAh g-1。
实施例4
一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,具体过程如下:
(1)配制反应溶液
按摩尔比为2:1的比例在50 mL去离子水中溶解硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵,硝酸钴的摩尔数为1 mmol,并且加入40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在180℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与0.2 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为622 mAh g-1。
实施例5
一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,具体过程如下:
(1)配制反应溶液
按摩尔比为2:1的比例在50 mL去离子水中溶解硝酸钴和十六烷基三甲基溴化铵,硝酸钴的摩尔数为1 mmol,并且加入40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在180℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与1 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为821 mAh g-1。
对比例(未添加表面活性剂)
(1)配制反应溶液
在50 mL去离子水中溶解1 mmol硝酸钴、40 mg氧化石墨烯,超声分散1小时。
(2)水热反应制备CoSe2前驱体
将上述体系倒入容积为80 mL的聚四氟乙烯反应釜,在180℃下水热反应24 h,控制升温速度为2℃/min。反应结束后,所得产物用去离子水和乙醇洗涤,60℃真空干燥。
(3)钼离子掺杂反应
将前驱体与0.5 mmol钼酸铵置于瓷舟中,在氩气气氛下加热至200℃,反应1小时。
(4)硒化反应
在另一个瓷舟中加入过量的硒粉,将其置于上述体系中,并在氩气和氢气的混合气氛下加热至700℃,反应1小时。经测试,制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的比电容为703 mAh g-1。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰,皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (8)
1.一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于:所述的CoSe2/石墨烯复合电极以石墨烯为基底,在其表面均匀生长片状CoSe2,并通过离子交换反应获得钼掺杂,进一步提高电化学性能。
2.根据权利要求1所述的一种钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将钴源、表面活性剂、40mg氧化石墨烯在水中超声分散均匀,并将混合溶液转移至水热反应釜内;
(2)将步骤(1)所述体系在聚四氟乙烯反应釜中进行水热反应;
(3)将步骤(2)所得产物用去离子水和乙醇清洗,真空干燥后将其与0.2 mmol~1mmol的钼源共同至于瓷舟中,在在氩气气氛下煅烧;
(4)在步骤(3)的基础上,在另一个瓷舟中放入硒粉,将煅烧温度提高至700℃,气氛改为氩气和氢气的混合气体,继续煅烧1小时,步骤(3)瓷舟所得产物经过硒化制得钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中钴源为硝酸钴,表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:硝酸钴、十六烷基三甲基溴化铵的摩尔比为:2:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述水热反应温度为140~220℃,反应时间为24 h。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中钼源为钼酸铵,并且在熔融状态下进行离子交换反应。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:步骤(3)中煅烧具体为1小时,温度为200℃。
8.一种如权利要求1所述的制备方法制得的钼掺杂片状CoSe2/石墨烯复合电极材料的应用,其特征在于:所述复合电极材料作为锂离子电池电极材料。
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