CN109962126B - N型钝化接触电池的制作系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明技术方案公开了一种N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法，通过PECVD组合边缘隔离技术，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀以及PECVD沉积第二掩膜层造成的正面多晶硅薄膜边缘残留的问题，该技术方案可兼容于常规制作P型电池的产线，促进了N型钝化接触高效电池量产推进。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体的说，涉及一种N型钝化接触电池的制作系统及方法。
背景技术
N型电池得益于其高效率、低衰减等优势，成为当今光伏行业内新的研发热点，尤其目前PERC(Passivated Emitterand Rear Cell，钝化发射极和背面电池)电池可能面临着严重的LeTID(Light elevated Temperature Induce Degradation，热辅助光衰减)等衰减问题，许多光伏产品供应商都将N型产品列入了量产规划中。在高效N型技术方面，最典型的代表是IBC(Interdigitated back contact，指交叉背接触)电池和HIT(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm，本征薄膜的异质结构)电池。但这两种电池技术的缺点是生产设备非常昂贵、工艺复杂、制造成本很高，另外也具有很高的技术壁垒。而光伏行业的最终目标是降低发电成本，N型高效电池的研发必须避开复杂的技术路线以降低工艺成本。
发明人研究发现，与常规P型产线兼容度最高的是N型常规双面电池，除了硼扩散工艺，其他设备均可采用现有量产设备进行开发。而N型钝化接触电池是N型常规双面电池的下一代升级产品，只需要在其基础上再添加一台LPCVD(低压化学气相沉积)设备。升级后，N型双面电池的开路电压可提高30mV，转换效率提升1.5-2.5％，效率增益远大于设备投资成本的增加。对于N型钝化接触电池而言，其量产的核心是如何解决LPCVD沉积多晶硅薄膜所带来的绕镀问题。
发明内容
有鉴于此，本发明技术方案提供了一种N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种N型钝化接触电池的制作系统，所述制作系统包括：
氧化设备，所述氧化设备用于对电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于所述n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；
LPCVD设备，所述LPCVD设备用于在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；
PECVD设备，所述PECVD设备用于形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；
等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备用于通过边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；
第一刻蚀设备，所述第一刻蚀设备用于基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；
第二刻蚀设备，所述第二刻蚀设备用于去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；
钝化设备，所述钝化设备用于在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；
金属化设备，所述金属化设备用于形成正面电极和背面电极。
优选的，在上述制作系统中，还包括：
高温扩散炉管，所述高温扩散炉管用于对n型基底的正面依次形成所述p+扩散层和所述第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；
单面刻蚀设备，所述单面刻蚀设备用于对所述n型基底进行单面刻蚀，以去除位于所述n型基底侧面的所述p+扩散层和所述第一掩膜层。
优选的，在上述制作系统中，所述氧化设备为热氧化设备、或臭氧氧化设备、或热硝酸氧化设备。
优选的，在上述制作系统中，所述等离子刻蚀设备用于放置多个堆叠在一起的所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀。
优选的，在上述制作系统中，所述第一刻蚀设备为槽式清洗机或是链式刻蚀机，所述第一刻蚀设备通过碱溶液或是酸溶液刻蚀去除位于所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层。
优选的，在上述制作系统中，所述第二刻蚀设备为槽式清洗机，通过酸性溶液去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。
优选的，在上述制作系统中，所述金属化设备包括：
丝网印刷装置，所述丝网印刷装置用于印刷正面电极和背面电极；
烧结装置，所述烧结装置用于对正面电极和背面电极进行烧结。
本发明还提供了一种N型钝化接触电池的制作方法，所述制作方法包括：
提供一电池基片；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；
对所述电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；
形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；
利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；
基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；
去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；
在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；
形成正面电极和背面电极。
优选的，在上述制作方法中，所述提供一电池基片包括：
对所述n型基底进行高温扩散，在所述n型基底的正面依次形成p+扩散层和第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；
通过单面刻蚀，去除位于所述n型基底侧面的所述p+扩散层和所述第一掩膜层。
优选的，在上述制作方法中，所述利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层包括：
在所述等离子刻蚀设备内堆叠放置多个所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀。
通过上述描述可知，本发明技术方案提供的N型钝化接触电池的制作系统以及制作方法中，通过PECVD组合边缘隔离技术，解决了LPCVD方法沉积n+多晶硅层绕镀以及PECVD沉积第二掩膜层造成的正面多晶硅薄膜边缘残留的问题，该技术方案可兼容于常规制作P型电池的产线，促进了N型钝化接触高效电池量产推进。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种N型钝化接触电池的制作系统的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种N型钝化接触电池的制作系统的结构示意图；
图3-图12为本发明实施例提供的一种制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种N型钝化接触电池的制作系统的结构示意图，该制作系统包括：氧化设备11、LPCVD(低压化学气相沉积)设备12、PECVD(等离子体化学气相沉积)设备13、等离子刻蚀设备14、第一刻蚀设备15、第二刻蚀设备16、钝化设备17以及金属化设备18。
所述氧化设备11用于对电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层。所述电池基片包括n型基底以及依次形成于n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层。所述n型基底为n型硅基底，所述隧穿氧化层为氧化硅(SiOx)。
所述氧化设备11为热氧化设备，可以通过热氧化工艺直接氧化所述n型基底的表面，在其背面形成氧化硅作为所述隧穿氧化层，或所述氧化设备11为臭氧氧化设备，可以通过臭氧氧化工艺直接氧化所述n型基底的表面，在其背面形成氧化硅作为所述隧穿氧化层，或所述氧化设备11为热硝酸氧化设备，可以通过热硝酸氧化工艺直接氧化所述n型基底的表面，在其背面形成氧化硅作为所述隧穿氧化层。所述隧穿氧化层的厚度为1.2nm-2.0nm。直接对n型基底背面进行氧化，形成隧穿氧化层，没有隧穿氧化层绕镀问题。
所述LPCVD设备12用于在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域。所述n+多晶硅层为磷掺杂多晶硅薄膜。将两个所述电池基片作为一组同时形成n+多晶硅层。同一组中，两个电池基片的正面相对接触设置，二者具有所述隧穿氧化层的背面均朝外，且竖直放置。在电池基片背面的隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层时，n+多晶硅层会同时形成在其侧面，且由于同一组两个电池基片的正面不能无缝隙接触，故n+多晶硅层会绕镀到电池基片的正面四周区域。可以对一组电池片沉积n+多晶硅层，或是同时对多组电池片沉积n+多晶硅层，相邻两组之间具有间隙。n+多晶硅层的厚度为50nm-200nm。一般LPCVD设备12会在电池基片正面四周形成宽度为1cm-10cm的环形绕镀区域，正面绕镀宽度较大。
所述PECVD设备13用于形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层。所述第二掩膜层可以为氮化硅层。电池基片水平放置，且正面朝下设置，其下方具有两个支撑基板拖着电池基片，在其背面形成第二掩膜层。可以采用管式PECVD设备沉积所述第二掩膜层，厚度为80nm-200nm。也可以采用SiOx、SiOxNy以及SiOxCy作为所述第二掩膜层。第二掩膜层还覆盖电池基片侧面的n+多晶硅层，且覆盖电池基片正面的n+多晶硅层的四周边缘区域，露出电池基片正面的n+多晶硅层部分区域。管式PECVD设备沉积第二掩膜层时，会在电池基片正面四周形成宽度为1mm-5mm的环形绕镀区域，一般小于3mm。所述PECVD设备13D形成的正面绕镀区小于LPCVD设备12形成的正面绕镀区，这样可以使得正面上第二掩膜层仅仅覆盖正面上的n+多晶硅层的四周边缘区域，在后续通过边缘隔离方法去除侧面第二掩膜层时，可以通过设置等离子刻蚀设备的功率以及时间，同步去除位于正面的绕镀宽度较窄的第二掩膜层，这样可以在后续基于第一掩膜层和第二掩膜层去除侧面的多晶硅层以及正面绕镀宽度较大的多晶硅层。
所述等离子刻蚀设备14用于通过边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层。由于绕镀到正面四周区域的第二掩膜层的环形绕镀区域宽度较小，在通过等离子刻蚀电池基片的侧面时，可以同时去除绕镀到侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层。边缘隔离等离子刻蚀时，功率是100W-1000W，工艺时间是3min-30min。可选的，所述等离子刻蚀设备14用于放置多个堆叠在一起的所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀，以去除侧面和正面绕镀的第二掩膜层，这样，可以增大侧面刻蚀面积，提高等离子利用率，大大提高效率，还可以避免对正面和背面造成过刻蚀。
所述第一刻蚀设备15用于基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层。所述第一刻蚀设备15为槽式清洗机或是链式刻蚀机，所述第一刻蚀设备15通过碱溶液或是酸溶液刻蚀去除位于所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层。如可以采用0.1％-5％质量浓度的碱溶液进行刻蚀，刻蚀时间是5min-30min，以去除侧面和正面四周边缘区域绕镀的n+多晶硅层。由于第一掩膜层和第二掩膜层的保护，可以直接使得侧面和正面绕镀的n+多晶硅层完全处于刻蚀环境中进行刻蚀消除，仅保留第二掩膜层覆盖的位于背面的n+多晶硅层。
所述第二刻蚀设备16用于去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。所述第二刻蚀设备16为槽式清洗机，通过酸性溶液去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。如可以采用质量浓度为5％-20％的氢氟酸溶液进行刻蚀，刻蚀时间为2min-30min，以去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。
所述钝化设备17用于在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层。如在具体实施例中，正面钝化采用SiOx膜层、AlOx膜层、SiNx膜层中的任一种膜层或是多种膜层叠加，背面钝化采用SiOx膜层、AlOx膜层、SiNx膜层中的任一种膜层或是多种膜层叠加。
所述金属化设备18用于形成正面电极和背面电极。具体的，所述金属化设备包括：丝网印刷装置，所述丝网印刷装置用于印刷正面电极和背面电极；烧结装置，所述烧结装置用于对正面电极和背面电极进行烧结。正面电极和背面电极可以，通过两次丝网印刷和一次烧结制备，也就是说通过两次丝网印刷工程分别形成正面电极和背面电极后，对正面电极和背面电极同时烧结，或是通过两次丝网印刷和两次烧结制备，也就是说，先通过一次丝网印刷和一次烧结形成一面电极，再通过另一次丝网印刷和另一次烧结形成另一面电极。
参考图2，图2为本发明实施例提供的另一种N型钝化接触电池的制作系统的结构示意图，在图1所示制作系统基础上，图2所示制作系统还包括：高温扩散炉管21和单面刻蚀设备22。
所述高温扩散炉管21用于对n型基底的正面依次形成所述p+扩散层和所述第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；所述p+扩散层的厚度为0.5μm-1.5μm。所述p+扩散层可以为p+硼扩散层，所示第一掩膜层可以为硼硅玻璃层(BSG)。可以直接通过热扩散方式形成所述p+扩散层和所述第一掩膜层。在通过硼扩散过程在n型基底正面形成p+硼扩散层时，会在p+硼扩散层表面形成硼硅玻璃作为第一掩膜层，无需单独工艺步骤制备第一掩膜层。硼扩散的方阻为60ohm/sq-150ohm/sq。硼硅玻璃层厚度为50nm-140nm。通过所述高温扩散炉管21可以同时对多个n型基底进行扩散处理，多个n型基底垂直放置于高温扩散炉管21内，相邻两个n型基底之间具有间隙。
所述单面刻蚀设备22用于对所述n型基底进行单面刻蚀，以去除位于所述n型基底侧面的所述p+扩散层和所述第一掩膜层。所述单面刻蚀设备22为链式设备。n型基底逐一通过所述单面刻蚀设备22进行刻蚀，n型基底在所述单面刻蚀设备22内进行刻蚀时，水平放置，且背面朝下，其侧面和背面均浸没在液体刻蚀试剂中。正面可以喷覆保护水膜。
现有工艺制备N型钝化接触电池时，如果采用LPCVD工艺制备多晶硅薄膜，多晶硅薄膜会在电池基片正面形成绕镀区域，无法形成大面积高效N型钝化接触电池，本发明实施例所述制作系统，将管式PECVD与边缘隔离技术组合使用，解决了多晶硅薄膜正面绕镀以及管式PECVD掩膜绕镀造成的碱刻蚀工艺后，正面多晶硅薄膜残留问题，有效改善了N型钝化接触电池的外观，适用于N型钝化接触电池的大规模量产。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种N型钝化接触电池的制作方法，所述制作方法如图3-图12所示，图3-图12为本发明实施例提供的一种制作方法的流程示意图，该制作方法包括：
步骤S11：如图3和图4所示，提供一电池基片。
其中，所述电池基片包括n型基底31以及依次形成于n型基底31正面的p+扩散层32和第一掩膜层33。
该步骤中，所述提供一电池基片包括：首先，如图3所示，对所述n型基底进行高温扩散，在所述n型基底的正面依次形成p+扩散层32和第一掩膜层33；所述p+扩散层32和所述第一掩膜层33绕镀到所述n型基底31的侧面和背面四周边缘区域；再如图4所示，通过单面刻蚀，去除位于所述n型基底31侧面的所述p+扩散层32和所述第一掩膜层33，仅保留位于正面的所述p+扩散层32和所述第一掩膜层33。
步骤S12：如图5所示，对所述电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层34。
步骤S13：如图6所示，在所述隧穿氧化层34表面形成n+多晶硅层35；所述n+多晶硅层35绕镀到所述n型基底31的侧面和正面四周边缘区域；图6中，左图为垂直于电池基片的切面图，右图为电池基片的正面俯视图。
步骤S14：如图7所示，形成覆盖所述n+多晶硅层35的第二掩膜层36；第二掩膜层36完全覆盖位于背面和侧面的n+多晶硅层35，且绕镀到位于正面的n+多晶硅层35的四周边缘区域。第二掩膜层36位于正面的绕镀区域的宽度小于n+多晶硅层35位于正面的绕镀区域的宽度。图7中，左图为垂直于电池基片的切面图，右图为电池基片的正面俯视图。
步骤S15：如图8所示，利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底31侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层36；
该步骤中，所述利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底31侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层36包括：在所述等离子刻蚀设备内堆叠放置多个所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀。
步骤S16：如图9所示，基于所述第一掩膜层33和所述第二掩膜层36，去除绕镀到所述n型基底31的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层35。
步骤S17：如图10所示，去除所述第一掩膜层33和所述第二掩膜层36。
步骤S18：如图11所示，在所述p+扩散层32的表面形成正面钝化层37，在所述n+多晶硅层35的表面形成背面钝化层38。
步骤S19：如图12所示，形成正面电极39和背面电极40。通过丝网印刷在钝化层表面形成正面电极39和背面电极40后，通过烧结使得正面电极39和p+扩散层32欧姆接触，使得背面电极40和n+多晶硅层35欧姆接触。
可以通过上述实施例所述制作系统实现该是实施例所述制作方法，各个步骤的实现方式可以参考上述制作系统，在此不再赘述。
本发明实施例所述制作方法，将管式PECVD与边缘隔离技术组合使用，解决了多晶硅薄膜正面绕镀以及管式PECVD掩膜绕镀造成的碱刻蚀工艺后，正面多晶硅薄膜残留问题，有效改善了N型钝化接触电池的外观，适用于N型钝化接触电池的大规模量产。
本发明技术方案利用管式PECVD叠加边缘隔离技术，解决LPCVD方法沉积多晶硅薄膜绕镀、以及管式PECVD掩膜造成的正面多晶硅薄膜边缘残留的问题。既实现了钝化接触技术应用于N型双面电池提升效率，又实现了与常规产线的兼容，促进了N型钝化接触高效电池量产推进。与现有技术相比具有以下明显的优点和有益效果：
1、利用边缘隔离去除管式PECVD掩膜绕镀，确保掩膜在正面及边缘区域无残留。
2、采用管式PECVD方法沉积掩膜保护背面多晶硅薄膜，采用BSG保护正面p+扩散层，然后利用碱刻蚀方法去除LPCVD沉积多晶硅薄膜绕镀。
3、边缘隔离和管式PECVD方法相结合，解决了N型钝化接触电池量产与常规产线之间的兼容性问题，降低了电池量产制备的复杂性和成本。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的方法而言，由于其与实施例公开的系统相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见系统对应部分说明即可。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种N型钝化接触电池的制作系统，其特征在于，所述制作系统包括：
氧化设备，所述氧化设备用于对电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于所述n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；
LPCVD设备，所述LPCVD设备用于在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；
PECVD设备，所述PECVD设备用于形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；
等离子刻蚀设备，所述等离子刻蚀设备用于通过边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；
第一刻蚀设备，所述第一刻蚀设备用于基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；
第二刻蚀设备，所述第二刻蚀设备用于去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；
钝化设备，所述钝化设备用于在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；
金属化设备，所述金属化设备用于形成正面电极和背面电极。
2.根据权利要求1所述的制作系统，其特征在于，还包括：
高温扩散炉管，所述高温扩散炉管用于对n型基底的正面依次形成所述p+扩散层和所述第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；
单面刻蚀设备，所述单面刻蚀设备用于对所述n型基底进行单面刻蚀，以去除位于所述n型基底侧面的所述p+扩散层和所述第一掩膜层。
3.根据权利要求1所述的制作系统，其特征在于，所述氧化设备为热氧化设备、或臭氧氧化设备、或热硝酸氧化设备。
4.根据权利要求1所述的制作系统，其特征在于，所述等离子刻蚀设备用于放置多个堆叠在一起的所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀。
5.根据权利要求1所述的制作系统，其特征在于，所述第一刻蚀设备为槽式清洗机或是链式刻蚀机，所述第一刻蚀设备通过碱溶液或是酸溶液刻蚀去除位于所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层。
6.根据权利要求1所述的制作系统，其特征在于，所述第二刻蚀设备为槽式清洗机，通过酸性溶液去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制作系统，其特征在于，所述金属化设备包括：
丝网印刷装置，所述丝网印刷装置用于印刷正面电极和背面电极；
烧结装置，所述烧结装置用于对正面电极和背面电极进行烧结。
8.一种N型钝化接触电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一电池基片；所述电池基片包括n型基底以及依次形成于n型基底正面的p+扩散层和第一掩膜层；
对所述电池基片的背面进行氧化处理，在所述电池基片的背面形成隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层表面形成n+多晶硅层，所述隧穿氧化层和所述n+多晶硅层形成钝化接触；所述n+多晶硅层绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域；
形成覆盖所述n+多晶硅层的第二掩膜层；
利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层；
基于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层，去除绕镀到所述n型基底的侧面和正面四周边缘区域的所述n+多晶硅层；
去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层；
在所述p+扩散层的表面形成正面钝化层，在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层；
形成正面电极和背面电极。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述提供一电池基片包括：
对所述n型基底进行高温扩散，在所述n型基底的正面依次形成p+扩散层和第一掩膜层；所述p+扩散层和所述第一掩膜层绕镀到所述n型基底的侧面和背面四周边缘区域；
通过单面刻蚀，去除位于所述n型基底侧面的所述p+扩散层和所述第一掩膜层。
10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述利用等离子刻蚀设备边缘隔离去除绕镀到所述n型基底侧面和正面四周边缘区域的所述第二掩膜层包括：
在所述等离子刻蚀设备内堆叠放置多个所述电池基片，对所述电池基片的侧面进行等离子刻蚀。
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