CN109956939A - 氮杂咔唑衍生物、含有其的有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

一种氮杂咔唑衍生物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构式。另外，本发明还提供含有其的有机电致发光器件。

Description

氮杂咔唑衍生物、含有其的有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种新型有机化合物，尤其涉及一种用于有机电致发光器件的氮杂咔唑衍生物及在有机电致发光器件中的应用。
背景技术
有机电致发光显示器(以下简称OLED)具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、重量轻、组成和工艺简单等一系列的优点，与液晶显示器相比，有机电致发光显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器，因此，有机电致发光器件具有广阔的应用前景。
随着OLED技术在照明和显示两大领域的不断推进，人们对于影响OLED器件性能的高效有机材料的研究更加关注，一个效率好寿命长的有机电致发光器件通常是器件结构与各种有机材料的优化搭配的结果。在最常见的OLED器件结构里，通常包括以下种类的有机材料：空穴注入材料、空穴传输材料、电子传输材料，以及各色的发光材料(染料或者掺杂客体材料)和相应的主体材料等。
目前应用的磷光主体材料往往都是具有单一载流子传输能力，诸如空穴类传输主体以及电子类传输主体。单一的载流子传输能力会造成发光层中电子和空穴的不匹配，从而造成严重的效率滚降以及寿命缩短。双主体材料也就是采用两种主体分别用于电子和空穴的传输搭配使用，可以有效解决载流子传输不平衡的问题，同时双主体材料来源范围更加广泛，能够实现更多可能的搭配。因而针对双主体材料的开发一直在进行中。
现有技术文献
专利文献
专利文献1KR2014078397
专利文献2US20160118601 A1
专利文献3US20140225088 A1
发明内容
专利文献1～3中公开了用于有机电致发光器件的氮杂咔唑的化合物。专利文献KR2014078397和US20160118601 A1公开了氮杂咔唑类化合物，但是二苯并五元环片段上没有取代基，这类化合物存在稳定性差，导致器件寿命偏短的问题；专利文献US20140225088A1专利公开了氮杂咔唑连咔唑类的化合物，其电子传输性能较差，器件效率低。
为了克服以上现有技术中传统主体材料的缺点，希望能够开发出一类新型用于有机电致发光器件的化合物，提高电子和空穴在分子内部的自由传递的能力，同时还具有良好的稳定性，从而能够提供效率更高，寿命更长的有机电致发光器件。
本发明提供一种氮杂咔唑衍生物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构式：
式(I)中，L1选自单键、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，L1的连接位点可以是苯环的任意可连接的位点；
X选自O或者S或者CR1R2；
Y1至Y4各自独立地选自C或者N，且至少一个为N；
R选自C1-C20烷基、C6～C30的芳基氨基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，其中，R的连接位点可以是苯环的任意可连接的位点，R可以同与之相连的苯环稠合成环；
R1、R2各自独立地选自氢、C1～C20烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，且R1、R2间可以连接成环；
Ar选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基；
所述取代的芳基、杂芳基的取代基选自H、C1～C4的烷基、卤素、硝基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、呋喃基、噻吩基。
需要说明的是本发明中的所指的芳基、杂芳基包括形成稠环的基团。
本发明人发现，上述的氮杂咔唑衍生物用于发光层主体材料与染料搭配时，能够表现出很高的激子跃迁的速率和频率使得该类材料的三线态能级较高，能够适用于高效全色的有机电致发光器件，从而完成了本发明。
另外，本发明还提供一种有机电致发光器件，包括位于基板上的第一电极和第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括空穴传输层、发光层以及电子传输层，其特征在于，所述发光层包括发光主体材料，该发光主体材料包含上述的氮杂咔唑衍生物。
具体实施方式
本发明提供一种氮杂咔唑衍生物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构式：
式(I)中，L1选自单键、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，L1的连接位点可以是苯环的任意可连接的位点；
X选自O或者S或者CR1R2；
Y1至Y4各自独立地选自C或者N，且至少一个为N；
R选自C1-C20烷基、C6～C30的芳基氨基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，其中，R的连接位点可以是苯环的任意可连接的位点，R可以同与之相连的苯环稠合成环；
R1、R2各自独立地选自氢、C1～C20烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，且R1、R2间可以连接成环；
Ar选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基；
所述取代的芳基、杂芳基的取代基选自H、C1～C4的烷基、卤素、硝基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、呋喃基、噻吩基。
作为Ar基团，可以是选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、咔唑基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基中的基团，或者为它们中的任意之组合。
本发明的发明人发现该化合物作为主体材料使用时，能够实现良好的器件效率。这类化合物能够良好的实现主体材料的功能的原因并不明确，可能是多方面综合的结果，发明人认为，有可能是以下原因：
本发明的氮杂咔唑衍生物所具有的氮杂咔唑片段具有非常强的吸电子能力和更高的三线态能级，而且氮杂咔唑片段本身对于空穴和电子都具有很好的传输性能，同时二苯并五元环片段具有部分吸电能力，这样同时会促进材料对电子的传输性能，因而该氮杂咔唑取代的化合物具备同时传输空穴和电子的双极性传输的性能。另外，该类氮杂咔唑取代化合物，由于采用的是供电基团和吸电基团相连的方式(以下也称为D-A形式)，因而通过调节两类不同基团的连接方式(通过中间连接基团或者D和A两部分基团直接相连)，在空间结构上实现了很高的扭曲性，通过氮杂咔唑与二苯并杂环的桥连结构，实现了电子在分子内部的自由传递，这些都可能是发挥其高效均衡的传输载流子的性能的原因。
进而，氮杂咔唑结构具有较高的玻璃化转变温度和很好的热力学稳定性，为实现器件的长寿命提供了可能。
另外，本发明的氮杂咔唑衍生物的制备工艺简单易行，原料易得，适合于量产放大。
上述式(I)中，可能是由于D-A形式的结构的原因，上述化合物中的二苯并五元环片段并不是很稳定，本发明人发现对其进行取代基团的取代设计能够提高化合物的稳定性，这使得延长器件寿命成为可能。其中的R在上述例举的基团中，R优选为选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基或环己基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、三嗪基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基中的基团。R还优选为下述式(II)所示的结构：
式(II)中，L2选自单键、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基。发明人发现R为上述式(II)的基团时，本发明化合物能够提供特别优良的发光效率，显著降低器件的启动电压和提高电流效率。原因尚不清楚，可能是式(II)的二芳基胺结构的电子云排布能够很好的与D-A形式的化合物匹配，使得本发明的化合物能够更好的实现既传递电子又传递空穴的属性，从而实现更好的器件发光效率。
包含式(II)所示的基团的氮杂咔唑衍生物中，优选Ar2、Ar3各自独立地选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，作为这些基团的例子，可举出选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、9,9-二甲基芴基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基及这些基团任意顺序相连接组成的C10～C30的基团。
包含式(II)所示的基团的氮杂咔唑衍生物中，优选L1、L2各自独立地为单键、或者任选地被1个或2个选自H、C1～C4或苯基中的基团所取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、三嗪基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基或氮杂-二苯并噻吩基、或者它们与苯基或萘基以任意顺序连接而成的连接基团。
另外，式(I)所示的氮杂咔唑衍生物中，R可以同与R相连的苯环形成任选地被1个或2个选自H、C1～C4的烷基或苯基取代的、萘基、芴基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基。
式(I)或(II)所示的氮杂咔唑衍生物的具体例如下所示，但并不限于下述化合物：
下面将以多个合成实施例为例来详述本发明的氮杂咔唑衍生物的具体制备方法，但本发明的制备方法并不限于下述合成实施例，本领域技术人员可以在其基础上在不悖离本发明原则的前提下进行任何修改、等同替换、改进等。
代表性合成路径1：
代表性合成路径2：
通过替换不同的Cl-L-B(OH)2(本领域中有时称为硼酸)可以获得不同的目标化合物。需要说明的是，上述合成方法中使用Suzuki偶联，但是并不限于该偶联方法，本领域技术人员也可以选取其他方法，例如Stille偶联法、格氏试剂法、Kumada-Tamao等已知的方法,但不限定于这些方法，都可以根据需要选择。
更具体地，以下给出本发明的代表性化合物的合成方法。
合成例1：化合物A1的合成
反应瓶中，加入4-溴二苯并噻吩39.3g(173mmol)，4-联苯硼酸30g(157mmol)，四(三苯基膦钯)0.9g(0.785mmol，0.5％)，甲苯1500mL、乙醇1000mL，碳酸钾43.3g(314mmol)/水1000mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到白色粉末。
N2保护下加入36g(190mmol)4-联苯基-二苯并噻吩，2500mL THF，冰乙醇浴，用液氮降温至-40℃，反应液澄清，开始滴加正丁基锂95mL(228mmol)，滴加过程中未观察到明显升温，反应液颜色变深至红棕色，有少量固体析出。滴加1/2，撤去冷浴，滴毕，反应液温度-20℃，自然升温至室温后继续反应5h，反应液保持红棕色。降温至-80℃，加入硼酸三异丙酯50g(266mmol)，自然升温，反应过夜(18h)。反应液加水，分液，有机相浓缩，得到白色粉末，用石油醚煮洗，得到M1中间体。
反应瓶中，加入N-苯基-2-N-3-溴咔唑3.8g(11mmol)，中间体M1 4.2g(10mmol)，四(三苯基膦钯)0.9g(0.05％)，甲苯150mL、乙醇100mL，碳酸钾10g(31mmol)、水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到化合物A1。
化合物A1的波谱核磁数据：
1H NMR(400MHz,Chloroform)δ8.74–8.28(m,5H),7.78(t,J＝32.0Hz,3H),7.98–7.56(m,5H),7.98–7.30(m,10H),7.25(s,3H),7.07(s,3H).
MS：578.5
合成例2：化合物A13的合成
反应瓶中，加入2-溴二苯并噻吩39.3g(173mmol)，间氯苯硼酸42g(157mmol)，四(三苯基膦钯)0.9g(0.785mmol，0.5％)，甲苯1500mL、乙醇1000mL，碳酸钾43.3g(314mmol)/水1000mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到白色粉末。
N2保护。加入36g(190mmol)2-(3-氯苯基)-二苯并噻吩，2500mLTHF，冰乙醇浴，用液氮降温至-40℃，反应液澄清，开始滴加正丁基锂95mL(228mmol)，滴加过程中未观察到明显升温，反应液颜色变深至红棕色，有少量固体析出。滴加1/2，撤去冷浴，滴毕，反应液温度-20℃，自然升温至室温后继续反应5h，反应液保持红棕色。降温至-80℃，加入硼酸三异丙酯50g(266mmol)，自然升温，反应过夜(18h)。反应液加水，分液，有机相浓缩，得到白色粉末，用石油醚煮洗，得到2-(3-氯苯基)-二苯并噻吩-4-硼酸。
反应瓶中，加入2-(3-氯苯基)-二苯并噻吩-4-硼酸7g(20mmol)，2-溴-9,9-二甲基芴6g(22mmol)，四(三苯基膦钯)0.1g(0.5％)，甲苯150mL、乙醇100mL，碳酸钾12g(40mmol)/水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到中间体M13。
反应瓶中，加入N-苯基-2-N-2-溴咔唑3.8g(11mmol)，中间体M135.3g(10mmol)，四(三苯基膦钯)0.9g(0.05％)，甲苯150mL、乙醇100mL，碳酸钾(31mmol)、水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到化合物A13。
化合物A13的波谱核磁数据：
1H NMR(400MHz,Chloroform)δ8.64–8.37(m,6H),8.32(s,1H),8.24–8.02(m,6H),7.99(s,1H),7.90(s,2H),7.79(d,J＝4.0Hz,2H),7.70(s,2H),7.60(dd,J＝10.0,4.8Hz,6H),7.51(d,J＝8.0Hz,2H),7.34(s,3H),7.24(s,2H),7.07(s,2H),1.69(s,6H).
MS：694.2
合成例3：化合物A19的合成
反应瓶中，加入2,7-二溴二甲基芴3.4g(10mmol)，3-吡啶硼酸4.2g(10mmol)、对氯苯硼酸1.6g(10mmol)，四(三苯基膦钯)0.2g(1％)，甲苯150mL、乙醇100mL，碳酸钾10g(30mmol)、水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到白色粉末M19。
反应瓶中，加入N-苯基-2-N-2-溴咔唑3.8g(11mmol)，中间体M194.1g(10mmol)，四(三苯基膦钯)0.2g(0.05％)，甲苯150ml、乙醇100mL，碳酸钾(31mmol)、水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到化合物A19。
化合物A19的波谱核磁数据：
1H NMR(400MHz,Chloroform)δ9.24(s,2H),8.70(s,2H),8.49–8.30(m,6H),8.19(d,J＝1.4Hz,4H),8.12–7.77(m,12H),7.79(d,J＝4.0Hz,4H),7.79(d,J＝4.0Hz,7H),7.60(d,J＝16.0Hz,6H),7.48(d,J＝12.0Hz,6H),7.25(s,8H),7.07(s,1H),1.69(s,12H).
MS：589.6
合成例4：化合物A29的合成
反应瓶中，加入4-溴二苯并噻吩39.3g(173mmol)，4-联苯硼酸30g(157mmol)，四(三苯基膦钯)0.9g(0.785mmol，0.5％)，甲苯1500mL、乙醇1000mL，碳酸钾43.3g(314mmol)/水1000mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到白色粉末。
N2保护。加入36g(190mmol)4-联苯基-二苯并噻吩，2500mL THF，冰乙醇浴，用液氮降温至-40℃，反应液澄清，开始滴加正丁基锂95mL(228mmol)，滴加过程中未观察到明显升温，反应液颜色变深至红棕色，有少量固体析出。滴加1/2，撤去冷浴，滴毕，反应液温度-20℃，自然升温至室温后继续反应5h，反应液保持红棕色。降温至-80℃，加入硼酸三异丙酯50g(266mmol)，自然升温，反应过夜(18h)。反应液加水，分液，有机相浓缩，得到白色粉末，用石油醚煮洗，得到M29中间体。
反应瓶中，加入N-4-联苯基-2-N-3-溴咔唑4.5g(11mmol)，中间体M29 4.5g(10mmol)，四(三苯基膦钯)0.2g(0.05％)，甲苯150mL、乙醇100mL，碳酸钾(31mmol)、水100mL，80℃反应3.5h。反应完毕，停反应。冷却至室温，过滤，所得到的固体通过甲苯中重结晶纯化，得到化合物A29。
化合物A29的波谱核磁数据：
1H NMR(400MHz,Chloroform)δ8.87(s,2H),8.84–8.23(m,11H),8.32(s,4H),8.32(s,5H),8.23(s,2H),8.13(s,2H),7.90(t,J＝10.0Hz,10H),7.75(s,2H),7.71(s,4H),7.74–7.35(m,22H),7.24(s,5H),7.08(s,10H),7.00(s,3H).
MS：745.5
以下对本发明的有机电致发光器件进行说明。
本发明的有机电致发光器件包括位于基板上的第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间有机层；该有机层至少包括空穴传输层、发光层、电子传输层，上述发光层包括发光主体材料，该发光主体材料包含本发明的氮杂咔唑衍生物。
上述基板可以使用有机发光显示器所用的基板，例如：玻璃、聚合物材料以及带有TFT元器件的玻璃和聚合物材料等。
第一电极材料可以采用铟锡氧(ITO)、铟锌氧(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料，也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料，也可以是聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)等有机导电材料、上述材料的多层结构。
第二电极例如为镁银混合物、LiF/Al、ITO等金属、金属混合物、氧化物等。
本发明的有机电致发光器件例如为有机发光二极管。
本发明的有机电致发光器件中，空穴传输层包括但不限于如下所罗列的空穴传输材料HT1-HT31。
本发明的氮杂咔唑衍生物可以但不限于和以下的磷光主体材料GPH1-GPH80搭配使用。
上述发光主体材料可以包含但不限于以下所罗列的磷光掺杂剂GPD1-GPD57等。
上述电子传输层包括但是不限于以下所罗列的ET1-ET57等。
本发明的有机电致发光器件还可以包括位于空穴传输层与第一电极之间的空穴注入层。
本发明的有机电致发光器件中还可以包括位于电子传输层与第二电极之间的电子注入层。
需要说明的是，本发明的氮杂咔唑衍生物可以但不限于在有机电致发光器件中用作发光层材料。
实施例
如下所述制备有机电致发光器件，并对其性能进行测定。
将涂布了ITO透明导电层的玻璃板在商用清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮：乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水份，用紫外光和臭氧清洗，并用低能阳离子束轰击表面；
把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5～9×10-3Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HT-11作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为10nm；
在空穴注入层之上真空蒸镀HT-5作为器件的空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm；
在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和染料材料，本发明的氮杂咔唑衍生物作为主体材料与染料GPD-1搭配使用。
在对比实施例中，发光层主体材料选择GPH-8、R-1或R-2，染料同样选择GPD-1。利用多源共蒸的方法，调节主体材料GPH-8蒸镀速率为0.1nm/s，染料GPD-1浓度3％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层材料ET42，其蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
对由上述过程制备的有机电致发光器件进行如下性能测定：
在同样亮度下，使用数字源表及亮度计测定实施例1～8以及对比例1～3中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率以及器件的寿命。具体而言，以每秒0.1V的速率提升电压，测定当有机电致发光器件的亮度达到10000cd/m2时的电压即驱动电压，同时测出此时的电流密度；亮度与电流密度的比值即为电流效率；LT95的寿命测试如下：使用亮度计在10000cd/m2亮度下，保持恒定的电流，测量有机电致发光器件的亮度降为9500cd/m2的时间，单位为小时。
有机电致发光器件性能如表1所示
表1
以上结果表明，通过将本发明的氮杂咔唑衍生物用于有机电致发光器件，可以有效的降低驱动电压，提高电流效率，延长器件寿命，是性能良好的主体材料。
需要说明的是，尽管结合实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述实施例，应当理解，在本发明构思的引导下，本领域技术人员可进行各种修改和改进，该修改和改进也包括在本发明的保护范围内。

Claims (12)

1.氮杂咔唑衍生物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构式：
式(I)中，L1选自单键、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基；L1两端的连接位点，可以是苯环的任意可连接的位点；
X选自O或者S或者CR1R2；
Y1至Y4各自独立地选自C或者N，且至少一个为N；
R选自C1-C20烷基、C6～C30的芳基氨基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，其中，R的连接位点可以是苯环的任意可连接的位点，R可以同与之相连的苯环稠合成环；
R1、R2各自独立地选自氢、C1～C20的取代或未取代的烷基、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，且R1、R2间可以连接成环；
Ar选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基；
所述取代的芳基、杂芳基的取代基选自H、C1～C4的烷基、卤素、硝基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、呋喃基、噻吩基或它们中的任意之组合。
2.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，R为下述式(II)所示的结构的芳基氨基：
式(II)中，L2选自单键、C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基；
Ar2、Ar3各自独立地选自C6～C30的取代或未取代的芳基、C3～C30的取代或未取代的杂芳基，其中，虚线表示连接位点。
3.根据权利要求2所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，L1、L2各自独立地为单键、或者取代或未取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、三嗪基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基或氮杂-二苯并噻吩基，这些基团任选地被1个或2个选自C1～C4烷基或苯基中的基团取代，或者这些基团与苯基或萘基中的一个以任意顺序连接而成的连接基团。
4.根据权利要求2所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，Ar2、Ar3各自独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、9,9-二甲基芴基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、吡啶基、喹啉基及这些基团任意顺序相连接组成的C10～C30的基团。
5.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，R为选自甲基、乙基、异丙基、叔丁基、环戊基或环己基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、三嗪基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基中的基团。
6.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，R同与R相连的苯环形成任选地被1个或2个选自H、C1～C4的烷基或苯基取代的萘基、芴基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、氮杂-二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基。
7.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，Ar选自苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三亚苯基、芴基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、萘啶基、吡啶并吡嗪基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、咔唑基、氮杂-二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、氮杂-二苯并噻吩基、菲基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基中的基团，或者为它们中的任意之组合。
8.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，X为CR1R2，两个R1、R2为经由-CH2CH2CH2CH2-或2，2-亚联苯基连接形成的环状结构。
9.根据权利要求1所述的氮杂咔唑衍生物，其特征在于，所述氮杂咔唑衍生物为结构式A1～A52所示的化合物中的一种，
10.权利要求1～9中的化合物在有机电致发光器件制作中的应用。
11.一种有机电致发光器件，包括位于基板上的第一电极和第二电极、以及位于所述第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包含权利要求1～9中任一项所述的氮杂咔唑衍生物。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，所述有机层包括空穴传输层、发光层以及电子传输层，其特征在于，所述发光层包括发光主体材料，该发光主体材料包含权利要求1～8中任一项所述的氮杂咔唑衍生物。
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