CN109935537B9 - 基板处理系统 - Google Patents

基板处理系统 Download PDF

Info

Publication number
CN109935537B9
CN109935537B9 CN201810762500.7A CN201810762500A CN109935537B9 CN 109935537 B9 CN109935537 B9 CN 109935537B9 CN 201810762500 A CN201810762500 A CN 201810762500A CN 109935537 B9 CN109935537 B9 CN 109935537B9
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate processing
fluid
substrate
control unit
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810762500.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109935537B (zh
CN109935537A (zh
Inventor
冯傳彰
刘茂林
吴庭宇
林世佳
蔡健智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Scientech Corp
Original Assignee
Scientech Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Scientech Corp filed Critical Scientech Corp
Publication of CN109935537A publication Critical patent/CN109935537A/zh
Publication of CN109935537B publication Critical patent/CN109935537B/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109935537B9 publication Critical patent/CN109935537B9/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明揭露一种基板处理系统,其包括一基板处理装置、一第一控制模块以及一第二控制模块。第一控制模块包括一第一控制单元及一第一监视单元。第一控制单元控制基板处理装置的运作。第一监视单元每间隔一第一预设时间传送一第一判断信号。第二控制模块包括一第二控制单元及一第二监视单元。第二监视单元耦接于第一监视单元及第二控制单元,当第二监视单元于第一默认时间未接收到第一判断信号,传送异常信号至第二控制单元。第二控制单元依据异常信号控制基板处理装置的运作,以避免第一控制模块故障时,会造成处理中的基板损坏的情形。

Description

基板处理系统
技术领域
本发明是关于一种基板处理系统,特别是关于一种具有控制装置的基板处理系统。
背景技术
在半导体工艺中,需先对基板(如晶圆)进行多道清洁程序,以移除基板表面的杂质。抑或是,以微影蚀刻于基板(如晶圆)形成图案后,也必须藉由多道清洁程序以去除光阻(Photo Resistor,PR)或金属膜(Metal Film)。一般而言,基板处理系统包括多个执行不同功能的基板处理装置,例如浸泡槽、喷洗槽或旋转基台等,可将基板浸泡于化学液,并可利用喷洗的方式清洗基板,再以旋转的方式干燥基板。
然而,现有的基板处理系统是由单一控制单元控制整个基板处理系统的运作,亦即,通过一个控制单元控制多个基板处理装置的运作。当该控制单元出现异常时,将导致基板的处理程序完全停摆,并使得进行到一半的基板处理程序中止,此将会使处理中的基板几乎全数报废。举例而言,若基板正在进行化学液(例如酸液)处理或浸泡的程序中,因控制单元故障而使整个系统突然中止时,基板与化学液作用的时间会超出预设的处理时间,会造成基板的损坏而报废,进而提升工艺成本,实有改良的必要。
发明内容
本发明的主要目的是在提供一种基板处理系统,其包括基板处理装置、第一控制模块及第二控制模块,藉由第二控制模块于第一默认时间未接收到第一控制模块所传送的第一判断信号,即可依据异常信号控制基板处理装置的运作,以解决现有基板处理系统的控制单元一旦故障,便会造成处理中的基板损坏的问题。
为达成上述的目的,本发明提供一种基板处理系统,其包括至少一基板处理装置、一第一控制模块以及一第二控制模块。第一控制模块包括一第一控制单元及一第一监视单元。第一控制单元耦接于基板处理装置,并控制基板处理装置的运作。第一监视单元每间隔一第一预设时间传送一第一判断信号。第二控制模块包括一第二控制单元及一第二监视单元。第二控制单元耦接于基板处理装置。第二监视单元耦接于第一监视单元及第二控制单元,自第一监视单元接收第一判断信号。当第二监视单元于第一默认时间未接收到第一判断信号,传送一异常信号至第二控制单元,第二控制单元依据异常信号控制基板处理装置的运作。
依据本发明的一实施例,第二监视单元每间隔一第二预设时间传送一第二判断信号至第一监视单元,当第一监视单元于第二默认时间未接收到第二判断信号,第一监视单元传送一警示信号。
依据本发明的一实施例,第一控制模块更包括一第一警示单元,其耦接于第一监视单元,当第一警示单元自第一监视单元接收警示信号,执行一警示程序。
依据本发明的一实施例,基板处理装置包括一承载件,第二控制单元依据异常信号,执行判断承载件是否承载一基板,当承载件承载基板,执行一救货程序。
依据本发明的一实施例,基板处理装置更包括一检测单元,检测承载件的一气体压力,以判断承载件是否承载基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置更包括一流体喷嘴,第二控制单元控制流体喷嘴提供一流体至基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置更包括至少一流体收集槽,其设置于承载件的外侧,第二控制单元控制流体收集槽移动至一流体收集位置,且控制流体喷嘴提供流体至基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置包括多个流体收集槽,分别设置于承载件的外侧,第二控制单元控制多个流体收集槽分别移动至其所属的流体收集位置,且控制流体喷嘴提供流体至基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置更包括至少一流体收集槽,其设置于承载件的外侧,第二控制单元判断流体收集槽无法移动至所属的一流体收集位置,第二控制单元控制流体喷嘴停止提供流体至基板。
依据本发明的一实施例,承载件包括一旋转部,第二控制单元于一第一供应时间内控制旋转部旋转以及控制流体喷嘴提供流体至基板,经第一供应时间后,该第二控制单元控制流体喷嘴停止提供流体以及控制旋转部于一干燥时间内持续旋转。
依据本发明的一实施例,第二控制单元判断旋转部为一非可受控制状态,第二控制单元控制旋转部停止旋转,且于一第二供应时间内控制流体喷嘴提供流体至基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置更包括至少一流体收集槽,其设置于承载件的外侧,第二控制单元判断流体收集槽无法移动至所属的一流体收集位置以及旋转部为非可受控制状态时,第二控制单元分别控制旋转部停止旋转以及流体喷嘴于第二供应时间内提供流体至基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置包括一第一处理槽及一流体供应单元,承载件可移动地设置于第一处理槽,流体供应单元与第一处理槽连通。
依据本发明的一实施例,基板处理装置包括一移动件,第二控制单元控制移动件自第一处理槽取出基板。
依据本发明的一实施例,基板处理装置包括一第二处理槽,其内部具有一流体,第二控制单元控制移动件自第一处理槽取出基板,并移动至第二处理槽。
依据本发明的一实施例,第二控制单元控制流体供应单元提供一流体至第一处理槽。
依据本发明的一实施例,第二控制单元依据异常信号控制基板处理装置继续执行一基板处理程序。
承上所述,依据本发明的基板处理系统,其包括基板处理装置、第一控制模块及第二控制模块。第一控制模块具有第一监视单元,且每间隔一第一预设时间传送一第一判断信号。第二控制模块包括相互耦接的第二控制单元及第二监视单元,且第二监视单元耦接于第一监视单元。当第二监视单元于第一默认时间未接收到第一判断信号,即可依据异常信号控制基板处理装置的运作,以对基板进行紧急处理,避免正在处理中的基板受到损坏。
附图说明
图1为本发明的一实施例的基板处理系统的方块示意图。
图2为本发明的第一实施例的基板处理装置的示意图。
图3为本发明的第二实施例、第三实施例的基板处理装置的示意图。
其中,附图标记:
基板处理系统1 第一控制模块10
第一控制单元11 第一监视单元12
第一警示单元13 第二控制模块20
第二控制单元21 第二监视单元22
基板处理装置30、40 承载件31、41、41a
旋转部311 流体收集槽32、32a
流体喷嘴33、33a 检测单元34
第一处理槽42 流体供应单元43、43a
移动件44 第二处理槽45
基板S
具体实施方式
为能让贵审查委员能更了解本发明的技术内容,特举较佳具体实施例说明如下。
图1为本发明的一实施例的基板处理系统1的方块示意图,请参考图1 所示。本实施例的基板处理系统1,其包括一第一控制模块10、一第二控制模块20以及至少一基板处理装置30、40,该基板处理装置30、40分别以基板湿式处理系统的单晶圆旋转处理机台及批式晶圆处理槽为例说明。其中,本实施例的第一控制模块10包括一第一控制单元11及一第一监视单元12,第一控制单元11耦接于基板处理装置30、40,并可控制基板处理装置30、40的运作。第二控制模块20包括一第二控制单元21及一第二监视单元22,第二控制单元21耦接于基板处理装置30、40,并可于第一控制单元11发生异常时,作为紧急救援控制模块,以控制基板处理装置30、40的运作。
具体而言,本实施例的第一控制模块10作为主要的控制模块,于正常运作的状态下,皆由第一控制模块10控制各个基板处理装置30、40的运作。又,第一监视单元12与第二监视单元22相互耦接,且第一监视单元11每间隔一第一预设时间即传送一第一判断信号,并由第二监视单元22所接收。换言之,第一监视单元12每间隔第一预设时间传送一次第一判断信号,亦即可依固定的频率持续性的发送第一判断信号至第二监视单元22。因此,第二监视单元 22每间隔第一预设时间可自第一监视单元12接收第一判断信号,此时,第二监视单元22判断第一控制模块10为正常运作状态。当第一控制模块10发生故障,第一监视单元12停止运作而无法传送第一判断信号,抑或是第一控制单元11与第一监视单元12相互耦接,当第一控制单元11故障时,第一监视单元12检测到第一控制单元11无法运作而停止传送第一判断信号。因此,当第二监视单元22于第一默认时间未接收到第一判断信号时,第二监视单元22 即可判断第一控制模块10为异常状态,使第二控制模块20开始控制基板处理装置30、40的运作。
详细而言,第二监视单元22耦接于第二控制单元21,当第二监视单元22 于第一默认时间未接收到第一判断信号时,即可传送一异常信号至第二控制单元21,使第二控制单元21依据异常信号控制基板处理装置30、40的运作,亦即执行一救货程序。在本实施例中,救货程序是为避免正在处理中的基板受到损坏而进行的紧急处理,例如基板长时间接触酸液,而针对不同类型的基板处理装置30、40,其处理方式可有所不同,于后进一步举例说明。
本实施例的第二监视单元22藉由自第一监视单元12接收第一判断信号,以判断第一控制模块10的运作情形,较佳的,本实施例的第一监视单元12 亦可判断第二控制模块20的运作情形。具体而言,本实施例的第二监视单元 22可每间隔一第二预设时间传送一第二判断信号至第一监视单元12,当第一监视单元12于第二默认时间未接收到第二判断信号,即可判断第二控制模块 20为异常、或损坏的状态,且第一监视单元12可进一步传送一警示信号,以通知进行确认与修缮。详细而言,第一控制模块10更包括一第一警示单元13,其耦接于第一监视单元12,以接收警示信号。第一警示单元13可例如但不限于警示灯、扬声器或显示屏幕等组件,当第一警示单元13自第一监视单元12 接收警示信号后,可执行一警示程序,例如闪灯、鸣声或是显示警示信号等。
换言之,第一控制单元11与第二控制单元21可互相发送确认的信号(第一判断信号及第二判断信号),并相互监控运作状态。若第二控制单元21于第一默认时间后,无收到第一监视单元12所发出的第一判断信号,则判定第一控制模块10已失效,由第二控制模块20实时介入,以执行救货程序。又,若第一控制单元11于第二默认时间后,无收到第二监视单元22所发出的第二判断信号,判定第二控制模块20损坏,并发出警示信号以通知即早修缮第二控制模块20。
如前述,本实施例的救货程序是为避免正在处理中的基板受到损坏而进行的紧急处理,针对不同类型的基板处理装置30、40,第二控制模块20介入控制的时间点可依据设计需求而有所不同,但可先判断基板处理装置30、40上是否具有基板S,若有再介入控制基板处理装置30、40执行救货程序。另外,第二控制模块20针对基板处理装置30、40的控制方式亦可依据设计需求而有所不同,本发明并不限制,以下仅为举例说明。
图2为本发明的第一实施例的基板处理装置30的示意图,请搭配图2所示。本实施例的基板处理装置30是以单晶圆旋转处理机台为例,基板处理装置30包括承载件31、至少一流体收集槽32、流体喷嘴33,承载件31用以承载基板S,承载件31可以真空吸附、吹气悬浮、爪夹夹持等方式固定基板S,图2所示的承载件31是以真空吸附的方式为例,且承载件31可为固定式或可移动式,本发明并不特别限制。本实施例的流体喷嘴33设置于承载件31的上方,主要对基板S进行湿式处理。
又,本实施例的承载件31包括旋转部311,其可带动承载件31的整体及其承载的基板S旋转,以进行基板S的湿处理或干燥等程序。又,本实施例的流体收集槽32是设置于承载件31的外侧,位于基板S的外周围,并可移动至一流体收集位置。例如,流体收集槽32可上升或下降至承载件31及其承载的基板S相对应位置的上方,以接收自基板S旋出的化学液或清洗液,于此称为流体收集位置。在其他实施例中,流体喷嘴33亦可设置于其他位置,例如基板S的下方,对应的,流体收集位置亦可位于基板S相对应位置的下方,本发明并不限制。另外,本发明亦不限制流体收集槽32的数量,例如图2是以两个流体收集槽32、32a为例,两个流体收集槽32、32a亦可分别被移动至其所属的流体收集位置,以下仅以流体收集槽32为例说明救货程序的作动。
当第二监视单元22未接收到第一判断信号,进而传送异常信号至第二控制单元21时,第二控制单元21可依据异常信号先判断承载件31是否承载一基板S。具体而言,基板处理装置30更包括一检测单元34,若承载件31是以真空吸附、或吹气悬浮的方式固定,检测单元34可检测于承载件31的气体压力,以判断承载件31是否承载基板S。又,第二控制单元21可与检测单元34 耦接,藉由检测单元34的作用判断承载件31是否承载基板S。若承载件31 承载基板S,表示目前有基板S正在进行湿式处理程序,第二控制单元21进一步控制基板处理装置30执行救货程序。
在一实施例中,救货程序可以是流体喷嘴33提供流体至基板S,较佳的,流体可以为清洗液,例如去离子水。不论基板S是在喷洗化学液或清洗液时因第一控制模块10故障而被中止,第二控制单元21皆可依据异常信号控制流体喷嘴33提供清洗液至基板S,避免基板S继续与化学液反应,作为紧急的补救处理。需说明的是,本实施例并不限定流体喷嘴33的数量及其设置位置,如图2所示,更可另外具有流体喷嘴33a,其设置于流体收集槽32a上方。在一实施例中,于正常的湿式处理程序时,可藉由流体喷嘴33提供化学液或清洗液至基板S;于救货程序时,可使流体喷嘴33提供清洗液至基板S,或改由流体喷嘴33a提供清洗液至基板S。当然,于救货程序时,亦可控制流体喷嘴 33、及流体喷嘴33a同时提供清洗液至基板S,本发明并不限制。
在一实施例中,第二控制模块20确认承载件31具有基板S后,可再进一步判断流体收集槽32是否可移动,例如检测流体收集槽32的上定位检知开关或上定位电磁阀等。若流体收集槽32可正常移动,第二控制单元21可依据异常信号控制流体收集槽32移动至流体收集位置。当然,若有多个个流体收集槽32、32a,第二控制单元21控制流体收集槽32、32a分别移动至其所属的流体收集位置。同时,第二控制单元21亦控制流体喷嘴33提供流体至基板 S。同样的,流体较佳为清洗液,亦即,流体喷嘴33对基板S喷洗清洗液时,外侧的流体收集槽32可接收自基板S旋出的清洗液。
若第二控制单元21判断其中一个流体收集槽32、32a无法移动至所属的流体收集位置,第二控制单元21则可控制另一个流体收集槽32、32a移动至所属的流体收集位置。举例来说,以欲移动流体收集槽32为例,当流体收集槽32无法移动时,第二控制单元21改控制流体收集槽32a移动至流体收集位置。
若第二控制单元21判断所有流体收集槽32、32a无法移动至所属的流体收集位置,第二控制单元21则可依据异常信号控制流体喷嘴33停止提供流体至基板S。亦即,若流体收集槽32、32a有异常而无法移动,可停止正在喷洒的化学液或清洗液(流体)。换言之,若第一控制模块10坏损时,基板处理装置30正在进行喷洒化学液或清洗液的处理程序,且第二控制模块20介入控制基板处理装置30时,判断流体收集槽32无法移动,则可直接停止流体喷嘴 33继续喷洒化学液或清洗液,可避免化学液或清洗液喷洒至其他区域,造成基板处理装置30的毁损。
在一实施例中,第二控制模块20确认承载件31具有基板S后,可再进一步判断承载件31的旋转部311是否可受控制地旋转。需说明的是,若旋转部311异常,仍可能缓慢地旋转,故第二控制模块20是检测并判断旋转部311 是否可受控制地旋转,例如达到预设的转速或转速控制。若旋转部311可受控制地旋转,第二控制单元21可进一步依据异常信号控制旋转部311旋转,且控制流体喷嘴33提供流体至基板S,并经一第一供应时间后,控制流体喷嘴 33停止提供流体。换言之,第二控制单元21控制旋转部311旋转及控制流体喷嘴33提供化学液或清洗液,较佳为清洗液,并持续第一供应时间。其中,第一供应时间可依据工艺需求调整,本发明并不限制。接着,第二控制单元 21可进一步控制旋转部311于一干燥时间内持续旋转。亦即,第二控制单元 21控制流体喷嘴33停止提供流体,并控制旋转部311旋转,且持续前述的干燥时间,以使基板S干燥。同样的,干燥时间可依据工艺需求调整,本发明并不限制。
若第二控制单元21判断旋转部311为非可受控制状态,第二控制单元21 则可进一步依据异常信号控制旋转部311停止旋转,亦即,强制停止旋转部 311的转动。同时,第二控制单元21亦控制流体喷嘴33提供流体至基板S,并持续一第二供应时间。较佳的,于此状态下,流体喷嘴33可提供清洗液至基板S,并持续100秒至140秒之间,亦即,本实施例的第二供应时间可以介于100秒至140秒之间,较佳可为120秒。通过提供清洗液并持续120秒,以对基板S作紧急处理。又,限定第二供应时间(100秒~140秒)为避免提供清洗液的时间过长,清洗液(或其他流体)会流入基板处理装置30的其他重要部位,例如设置马达处,进而造成其他构件的毁损。
若第二控制单元21判断旋转部311为非可受控制状态且流体收集槽32、 32a亦无法动作时,第二控制单元21则可进一步依据异常信号控制旋转部311 停止旋转以及控制流体喷嘴33于一第二供应时间内提供流体至基板S。
图3为本发明的第二实施例、第三实施例的基板处理装置40的示意图,其中,基板处理装置40是以批式晶圆处理槽为例,请同时参考图1及图3所示。本实施例的基板处理装置40包含承载件41、第一处理槽42、流体供应单元43及移动件44,承载件41为承载基板S的承载架,其设置于第一处理槽 42,而流体供应单元43与第一处理槽42连通,以提供化学液或清洗液等流体至第一处理槽42。移动件44用于持取承载件41,可将基板S自各处理槽间移动。在一实施例中,基板处理装置40更包含第二处理槽45,其与另一流体供应单元43a连通。
当第二监视单元22未接收到第一判断信号,进而传送异常信号至第二控制单元21时,第二控制单元21可依据异常信号先判断承载件41、41a是否承载基板S。先以第一处理槽42为例说明,若第一处理槽42内的承载件41具有基板S,第二控制单元21介入控制基板处理装置40,例如,先判断移动件 44是否可移动,若移动件44可移动,第二控制单元21则可依据异常信号控制移动件44自第一处理槽42取出基板S。进一步地,当第一处理槽42内具有化学液,第二控制单元21可直接控制移动件44自第一处理槽42取出基板 S,若第二处理槽45内为清洗液,则可进一步移动至第二处理槽45。又,当第一处理槽42内具有清洗液时,可浸泡一段时间后,再控制移动件44自第一处理槽42取出基板S。
反之,若移动件44已损坏而无法移动,第二控制单元21可依据异常信号控制流体供应单元43提供一流体至第一处理槽42,流体较佳可以为清洗液。若第一处理槽42内已具有流体(可以为化学液或清洗液),可先行排除再注入清洗液,亦可直接注入清洗液进行稀释,本发明并不限制。
另以第二处理槽45为例说明,且本实施例的第二处理槽45内具有清洁液。若第二处理槽45内的承载件41a具有基板S,同样的,第二控制单元21介入控制基板处理装置40,先判断移动件44是否可移动,若移动件44可移动,待基板S浸泡一段时间后,第二控制单元21进一步控制移动件44自第二处理槽45取出基板S。反之,若移动件44已损坏而无法移动,第二控制单元21 可控制流体供应单元43a持续地提供清洗液至第二处理槽45;抑或是,先行排除第二处理槽45内的流体后,再注入清洗液,本发明并不限制。
另需说明的是,基板处理装置40的第一处理槽42及第二处理槽45,其上位概念皆是供基板S进行湿式处理的槽体,“第一、第二”仅为清楚说明的命名方式,非可用于限制本发明的范围。
以上实施例是当第一控制模块10无法正常运作时,第二控制模块20实时介入,并由第二控制单元21分别控制基板处理装置30、40进行救货程序,以紧急故障处置为例。在其他实施例中,若基板处理装置30、40无损坏的情形,第二控制单元21依据异常信号控制基板处理装置30、40继续执行基板处理程序。亦即,接手控制第一控制模块10故障前所执行的基板处理程序。
综上所述,依据本发明的基板处理系统,其包括基板处理装置、第一控制模块及第二控制模块。第一控制模块具有第一监视单元,且每间隔一第一预设时间传送一第一判断信号。第二控制模块包括相互耦接的第二控制单元及第二监视单元,且第二监视单元耦接于第一监视单元。当第二监视单元于第一默认时间未接收到第一判断信号,即可依据异常信号控制基板处理装置的运作,以对基板进行紧急处理,避免正在处理中的基板受到损坏。
需注意的是,上述仅为实施例,而非限制于实施例。譬如此不脱离本发明基本架构者,皆应为本专利所主张的权利范围,而应以本发明所附权利要求的保护范围为准。

Claims (17)

1.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
至少一基板处理装置;
一第一控制模块,包括:
一第一控制单元,耦接于该基板处理装置,并控制该基板处理装置的 运作;及
一第一监视单元,每间隔一第一预设时间传送一第一判断信号;以及 一第二控制模块,包括:
一第二控制单元,耦接于该基板处理装置;及
一第二监视单元,耦接于该第一监视单元及该第二控制单元,自该第 一监视单元接收该第一判断信号,当该第二监视单元于一第一默认时间未 接收到该第一判断信号,传送一异常信号至该第二控制单元,该第二控制 单元依据该异常信号控制该基板处理装置的运作。
2.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该第二监视单元每 间隔一第二预设时间传送一第二判断信号至该第一监视单元,当该第一监视单 元于一第二默认时间未接收到该第二判断信号,该第一监视单元传送一警示信 号。
3.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于,该第一控制模块更 包括一第一警示单元,其耦接于该第一监视单元,当该第一警示单元自该第一 监视单元接收该警示信号,执行一警示程序。
4.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置包 括一承载件,该第二控制单元依据该异常信号,执行判断该承载件是否承载一 基板,当该承载件承载该基板,执行一救货程序。
5.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置更 包括一检测单元,检测该承载件的一气体压力,以判断该承载件是否承载该基 板。
6.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置更 包括一流体喷嘴,该第二控制单元控制该流体喷嘴提供一流体至该基板。
7.如权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置更 包括至少一流体收集槽,其设置于该承载件的外侧,该第二控制单元控制该 流体收集槽移动至一流体收集位置,且控制该流体喷嘴提供该流体至该基板。
8.如权利要求7所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置包 括多个该流体收集槽,分别设置于该承载件的外侧,该第二控制单元控制多个 该流体收集槽分别移动至其所属的该流体收集位置,且控制该流体喷嘴提供该 流体至该基板。
9.如权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置更 包括至少一流体收集槽,其设置于该承载件的外侧,该第二控制单元判断该流 体收集槽无法移动至所属的一流体收集位置,该第二控制单元控制该流体喷嘴 停止提供该流体至该基板。
10.如权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,该承载件包括一旋 转部,该第二控制单元于一第一供应时间内控制该旋转部旋转以及控制该流体 喷嘴提供该流体至该基板,经该第一供应时间后,该第二控制单元控制该流体 喷嘴停止提供该流体以及控制该旋转部于一干燥时间内持续旋转。
11.如权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,该承载件包括一旋 转部,该第二控制单元判断该旋转部为一非可受控制状态,该第二控制单元控 制该旋转部停止旋转,且于一第二供应时间内控制该流体喷嘴提供该流体至该 基板。
12.如权利要求11所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置 更包括至少一流体收集槽,其设置于该承载件的外侧,该第二控制单元判断该 流体收集槽无法移动至所属的一流体收集位置以及该旋转部为该非可受控制 状态时,该第二控制单元分别控制该旋转部停止旋转以及该流体喷嘴于该第二 供应时间内提供该流体至该基板。
13.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置包 括一第一处理槽及一流体供应单元,该承载件可移动地设置于该第一处理槽, 该流体供应单元与该第一处理槽连通。
14.如权利要求13所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置 包括一移动件,该第二控制单元控制该移动件自该第一处理槽取出该基板。
15.如权利要求14所述的基板处理系统,其特征在于,该基板处理装置 包括一第二处理槽,其内部具有一流体,该第二控制单元控制该移动件自该第 一处理槽取出该基板,并移动至该第二处理槽。
16.如权利要求13所述的基板处理系统,其特征在于,该第二控制单元 控制该流体供应单元提供一流体至该第一处理槽。
17.如权利要求4所述的基板处理系统,其特征在于,该第二控制单元依 据该异常信号控制该基板处理装置继续执行一基板处理程序。
CN201810762500.7A 2017-12-15 2018-07-12 基板处理系统 Active CN109935537B9 (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201721749839 2017-12-15
CN2017217498390 2017-12-15

Publications (3)

Publication Number Publication Date
CN109935537A CN109935537A (zh) 2019-06-25
CN109935537B CN109935537B (zh) 2020-12-08
CN109935537B9 true CN109935537B9 (zh) 2021-03-19

Family

ID=66984435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810762500.7A Active CN109935537B9 (zh) 2017-12-15 2018-07-12 基板处理系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109935537B9 (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111637A (en) * 1995-12-29 2000-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for examining wafers
KR20030053362A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 반도체설비 시스템
CN1178274C (zh) * 2000-06-16 2004-12-01 东京毅力科创株式会社 半导体制造装置及其控制系统的引导方法和联锁方法
KR20070109301A (ko) * 2006-05-10 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 설비 파라미터 감시 시스템 및 이를 이용한 반도체설비 시스템
CN102386117A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆位置的检测装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6111637A (en) * 1995-12-29 2000-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus and method for examining wafers
CN1178274C (zh) * 2000-06-16 2004-12-01 东京毅力科创株式会社 半导体制造装置及其控制系统的引导方法和联锁方法
KR20030053362A (ko) * 2001-12-22 2003-06-28 동부전자 주식회사 반도체설비 시스템
KR20070109301A (ko) * 2006-05-10 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 설비 파라미터 감시 시스템 및 이를 이용한 반도체설비 시스템
CN102386117A (zh) * 2010-09-01 2012-03-21 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆位置的检测装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109935537B (zh) 2020-12-08
CN109935537A (zh) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWM563654U (zh) 基板處理系統
KR100930005B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
US11123774B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and composite processing apparatus
TWI820065B (zh) 液供給裝置及液供給方法
JP2010109347A (ja) 基板処理装置および異常処理方法
CN109935537B9 (zh) 基板处理系统
JP4068404B2 (ja) 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体
CN209947802U (zh) 显影处理装置
TWI697976B (zh) 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
JP2004273838A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4173349B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20180128957A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN111540697B (zh) 清洗装置及其故障停机的处理方法、半导体加工设备
JPH11165116A (ja) 処理液塗布装置
KR20100052658A (ko) 기판 세정 장치 및 방법
JP2018046293A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN210516680U (zh) 一种晶片清洗腔
KR100666467B1 (ko) 버블 제거 장치를 포함하는 코터 설비
WO2022052550A1 (zh) 湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法
JPH0770507B2 (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP6468213B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2803458B2 (ja) 自動半導体基板浸漬処理装置
CN116666268B (zh) 一种槽内晶圆篮故障排除方法及装置
CN217767182U (zh) 一种电子束维修设备和光罩生产系统
KR20030095107A (ko) 매엽식 스핀 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CI03 Correction of invention patent

Correction item: Claims

Correct: Claim submitted on February 2, 2021

False: Claim submitted on October 16, 2020

Number: 50-01

Page: ??

Volume: 36

CI03 Correction of invention patent