KR20070109301A

KR20070109301A - 반도체 설비 파라미터 감시 시스템 및 이를 이용한 반도체설비 시스템

Info

Publication number: KR20070109301A
Application number: KR1020060042087A
Authority: KR
Inventors: 최종원
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-05-10
Filing date: 2006-05-10
Publication date: 2007-11-15

Abstract

본 발명은 반도체 설비 파라미터 감시 시스템에 관한 것으로, 반도체 설비와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 에러를 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제1 감시 체제와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비를 실시간으로 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제2 감시 체제와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 파라미터 변경점을 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제3 감시 체제;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 파라미터 변경점이 발생되었을 때 실시간으로 바로 확인 가능하게 되고, 변경점에 대한 인터록을 설정하여 놓으면 변경점에 의한 공정사고가 발생하기 전에 미연에 예방할 수 있는 효과가 있다.

반도체, CEID, SVID, ECID

Description

반도체 설비 파라미터 감시 시스템 및 이를 이용한 반도체 설비 시스템{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT PARAMETER VISUAL SYSTEM AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS USING THE SAME}

도 1은 종래 기술에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템을 도시한 구성도.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템을 도시한 구성도.

도 3는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템의 응용예를 도시한 구성도.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >

100,230; 반도체 설비 파라미터 감시 시스템(EPVS)

110,210; 반도체 설비

120; 설비에러감시체제(CEID)

130; 실시간설비감시체제(SVID)

140; 설비변경점감시체제(ECID)

200; 반도체 설비 시스템

220; 호스트

230; 설비파라미터감시시스템(EPVS)

240; 오퍼레이터 인터페이스

본 발명은 반도체 제조 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 설비의 파라미터의 감시 시스템에 관한 것이다.

도 1에 나타내듯이, 일반적인 반도체 설비의 인터록 설정 시스템(10)은 CEID(Collection Event ID)를 이용하여 인터록을 설정하는 설비에러감시체제(12)와 SVID(State Variable ID)를 이용하여 인터록을 설정하는 실시간설비감시체제(13)로 구성된다. CEID는 설비의 각종 사건(event), 경고(warning), 장애(fault) 등을 말하며, SVID는 설비에서 순간순간 바뀌는 값들을 말한다.

그런데, 반도체 설비(11)에서 누군가에 의해 자의든 타의든 파라미터 변겸정 발생시 변경점 입력을 해야만 한다. 만일, 기록이 남지 않는다면 웨이퍼 로스(Wafer Loss)와 관련된 민감한 사항이라 하더라도 파라미터 변경점 관리가 되지 않는다. 지금까지는 파라미터 변경점과 관련하여 웨이퍼 로스가 발생된 후 이력을 찾는 시스템이었다. 따라서, 종래에는 반도체 설비 변경점에 대해서는 효율적인 관리를 구현하지 못하는 것이 현실이었다.

본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 설비의 파라미터 변경점을 효율적으로 관리할 수 있는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템 및 이를 이용한 반도체 설비 시스템을 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템은 종래의 인터록 설정 체제 이외에 설비의 변경점 감시 체제를 더 구축한 것을 특징으로 한다.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템은, 반도체 설비와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 에러를 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제1 감시 체제와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비를 실시간으로 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제2 감시 체제와; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 파라미터 변경점을 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제3 감시 체제;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 감시 체제는 상기 반도체 설비의 파라미터 값이 설정된 파라미터 스펙을 벗어나는 경우 인터록을 발생시킨다. 상기 제2 감시 체제는 상기 반도체 설비에서 실시간으로 변화하는 파라미터 값이 설정된 파라미터 값 범위를 벗어나는 경우 인터록을 발생시킨다. 상기 제3 감시 체제는 상기 반도체 설비의 파라미터 변경점을 감시한다.

상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 시스템 은, 반도체 설비; 상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어 상기 반도체 설비의 파라미터 값을 전송받고 확인하는 호스트; 상기 호스트와 통신 가능하게 조합되어 상기 호스트에서 확인된 파라미터 값을 설정된 스펙 값과 비교하여 상기 반도체 설비의 정상 여부를 확인하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템; 및 상기 호스트와 통신 가능하게 조합되어 상기 반도체 설비로의 공정대상물 투입 여부를 규제하는 오퍼레이터 인터페이스;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 설비 파라미터를 감시함으로써 설비 변경점에 대한 감시를 강화할 수 있어서, 파라미터 변경점이 발생되었을 때 실시간으로 바로 확인 가능하게 되고, 변경점에 대한 인터록을 설정하여 놓으면 변경점에 의한 공정사고가 발생하기 전에 미연에 예방할 수 있게 된다.

이하, 본 발명에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.

(실시예)

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템을 도시 한 구성도이다.

도 2를 참조하면, 본 실시예의 반도체 설비 파라미터 감시 시스템(100;Equipment Parameter Visual System)은 CEID(Collection Event ID)를 이용하여 인터록을 설정하는 설비에러감시체제(120)와, SVID(State Variable ID)를 이용하여 인터록을 설정하는 실시간설비감시체제(130)와, ECID(Equipment Constant ID)를 이용하여 인터록을 설정하는 설비변경점감시체제(140)로 구성된다.

각 감시체제(110-140)는 유무선 또는 기타 통신 가능한 방법으로 반도체 설비(110)와 조합된다. CEID는 설비의 각종 사건(event), 경고(warning), 장애(fault) 등을 말하며, SVID는 설비에서 순간순간 바뀌는 값들을 말하며, ECID는 설비에서의 변하지 않는 파라미터 데이터를 말한다.

일 예를 들면, 소정의 공정에 있어서 온도의 셋팅값이 80°로 지정하고 과열장애(overheating fault) 온도를 100°로 지정했을 경우, 이들 두 가지의 온도값 80°및 100°를 ECID로 표시할 수 있다. 그런데, 실제 온도는 80°근처에서 움직일 것인데, 이때의 온도값을 SVID로 표시할 수 있다. 만일, 공정 진행 도중에 과열되는 경우가 생겨 실제 온도가 100°이상이 되면 설비에서 이를 알람으로 표시해야 되는데, 이때의 온도값을 CEID로 표시할 수 있는 것이다.

다른 예를 들면, 소정의 공정챔버의 파라미터 항목 중에서 페디스틀(pedestal) 온도의 노멀 표준 셋 포인트(normal standard set point)를 220°로 지정하고, 하이 알람 셋 포인트(high alarm set point)를 240°로 지정하고, 로우 알람 셋 포인트(low alarm set point)를 200°로 지정한 경우, 이들 3가지의 값을 ECID로 나타낼 수 있다. 챔버 내부의 페디스틀 히터 온도는 대략 215°내지 225°사이에서 실제 온도로 나타내는데, 이들 값을 SVID로 나타낼 수 있다. 만일, 온도가 240°이상이거나 200°이하일 경우 설비에선 알람이 발생하게 되는데, 이들 값을 CEID로 나타낼 수 있는 것이다.

위에서 든 항목 이외에도 모든 파라미터 항목에도 이와 같은 방식으로 나타낼 수 있는 것이며, ECID는 설비에서 지정해준 파리미터 값들의 주소라고 할 수 있다.

도 3는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 설비 파라미터 감시 시스템을 응용한 반도체 설비 시스템의 예를 나타낸 구성도이다.

도 3을 참조하면, 반도체 설비 시스템(200)은 소정의 반도체 설비(210)에서 호스트(220)로 ECID에 의한 파라미터 값을 전송한다(①). 호스트(220)에서 일괄적으로 확인된 설비 파라미터 값을 반도체 설비 파라미터 감시 시스템(230;EPVS)으로 보낸다(②). 이 시스템(230)에서는 전송된 설비 파라미터 값을 기존 파라미터 스펙 값과 비교하여 반도체 설비(210)의 정상 유무를 확인한다(③).

만일, 전송된 설비 파라미터 값이 스펙 아웃(spec out)되어 비정상으로 확인되면 해당 설비(210)에 대한 인터록을 발생시킨다(④). 인터록이 발생되면 오퍼레이터 인터페이스(240)에서 로트(lot)에 대한 트랙 인(track in)을 규제한다(⑤). 인터록이 발생된 설비(210)의 파라미터 확인 및 유지보수를 진행한다(⑥).

이외에, 설비의 하드웨워 교체후 파라미터 백업 작업 이후, 또는 공정 변경으로 인한 설비의 파라미터 변경시, 또는 설비의 로봇 티칭 값 및 파라미터 범위 변경 변경시, 또는 설비의 소프트 웨어 버그 또는 시스템 문제 발생시 백업 데이터로 활용 가능하는 등, 전반적인 설비의 변경점 및 공정에 영향을 줄 수 있는 중요 파라미터를 관리 가능하며 기계적 요인을 관리하는데 응용될 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, ECID를 포함하여 설비 파라미터를 감시함으로써 설비 변경점에 대한 감시를 강화할 수 있다. 따라서, 파라미터 변경점이 발생되었을 때 실시간으로 바로 확인 가능하게 되고, 변경점에 대한 인터록을 설정하여 놓으면 변경점에 의한 공정사고가 발생하기 전에 미연에 예방할 수 있는 효과가 있다.

Claims

반도체 설비와;

상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 에러를 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제1 감시 체제와;

상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비를 실시간으로 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제2 감시 체제와;

상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어, 상기 반도체 설비의 파라미터 변경점을 감시하여 필요에 따라 인터록을 발생시키는 제3 감시 체제;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템.
제1항에 있어서,

상기 제1 감시 체제는 상기 반도체 설비의 파라미터 값이 설정된 파라미터 스펙을 벗어나는 경우 인터록을 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템.
제1항에 있어서,

상기 제2 감시 체제는 상기 반도체 설비에서 실시간으로 변화하는 파라미터 값이 설정된 파라미터 값 범위를 벗어나는 경우 인터록을 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템.
제1항에 있어서,

상기 제3 감시 체제는 상기 반도체 설비의 파라미터 변경점을 감시하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템.
반도체 설비;

상기 반도체 설비와 통신 가능하게 조합되어 상기 반도체 설비의 파라미터 값을 전송받고 확인하는 호스트;

상기 호스트와 통신 가능하게 조합되어 상기 호스트에서 확인된 파라미터 값을 설정된 스펙 값과 비교하여 상기 반도체 설비의 정상 여부를 확인하는 반도체 설비 파라미터 감시 시스템; 및

상기 호스트와 통신 가능하게 조합되어 상기 반도체 설비로의 공정대상물 투입 여부를 규제하는 오퍼레이터 인터페이스;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비 시스템.