CN109909870A - 制造半导体器件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种制造半导体器件的方法,具体地,提供了一种装载杯,所述装载杯包括:具有内部空间的杯;基座,所述基座设置在所述内部空间中,能够上升或下降,并且将晶片装载到抛光头上或将所述晶片从所述抛光头卸载;以及多个布置部件,所述多个布置部件具有多个紧固部分和布置部件主体,所述多个紧固部分围绕所述基座设置并沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动,所述布置部件主体分别结合到所述多个紧固部分并且能够旋转或往复运动以接触所述抛光头的侧表面,从而调整所述晶片的中心与所述抛光头的中心对准。

Description

制造半导体器件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0171130的优先权权益,上述韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及一种装载杯和包括该装载杯的化学机械抛光设备和方法。
背景技术
化学机械抛光(CMP)工艺是将通过晶片与抛光垫之间的摩擦而实现的机械抛光效果与浆料、包含磨料的化学化合物的化学反应效果相结合来使基板的表面平坦化的工艺。
这种CMP工艺已广泛用于在以下过程中对各种类型的材料进行平坦化:出于形成层间电介质(ILD)或浅沟槽隔离(STI)结构的目的而抛光氧化硅膜的过程、钨(W)插塞形成过程、铜(Cu)布线过程等。如上所述,由于CMP工艺已广泛用于半导体器件的生产过程中,因此通过提高在这种CMP工艺中使用的设备的效率来改善半导体器件的生产效率的需求日益增加。
发明内容
本发明构思的一方面可以提高化学机械抛光(CMP)工艺中使用的设备的效率。
在一个实施例中,一种制造半导体器件的方法包括:在具有内部空间的杯中的基座上放置晶片,其中,所述基座设置在所述内部空间中,且配置为能够升高和降低,并且多个布置部件围绕所述基座而设置,每个所述布置部件具有相应的基体部分和结合到所述基体部分的相应的布置部件主体。所述方法还包括:使所述基座在所述杯内降低,使得所述晶片设置在所述布置部件主体的晶片固定部分之间;将抛光头降低到所述杯中,使得所述抛光头的至少一部分设置在所述布置部件主体的抛光头连接部分之间;以及将所述多个布置部件中的至少一个布置部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动。作为所述移动的结果,相应的布置部件主体旋转或往复运动,以接触所述抛光头的侧表面,由此调整所述晶片的中心使之与所述抛光头的中心对准。
在一个实施例中,一种使用化学机械抛光制造半导体器件的方法包括:提供具有抛光垫和装载杯的基体部件;以及提供抛光头。所述装载杯包括:基座,所述基座具有用于安置晶片的安置表面;杯,所述基座设置在所述杯中;以及围绕所述基座设置的多个布置部件。所述方法另外包括:将晶片放置在所述基座上;降低所述装载杯内的所述基座;以及将所述布置部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动。作为所述移动的结果,每个布置部分的抛光头连接部分接触所述抛光头的侧表面,每个布置部件的晶片固定部分接触所述晶片的侧表面,并且所述晶片与所述抛光头对准。
一种使用化学机械抛光设备制造半导体器件的方法包括:提供具有装载杯的基体部件,所述装载杯包括基座,所述基座具有用于安装晶片的安置部件和容纳所述基座的杯,并且所述杯的上表面具有通孔;将抛光头插入在所述通孔中;提供多个对准部件,每个所述对准部件具有围绕所述基座设置的相应的紧固部分和相应的对准部分主体;使用相应的驱动部件,将相应的对准部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动;以及使分别结合到所述多个紧固部分的对准部件主体旋转或往复运动,以接触所述抛光头的侧表面,并调整所述晶片的中心使之与所述抛光头的中心对准。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征及优点,其中:
图1是示意性地示出了根据示例实施例的可以采用装载杯的化学机械抛光设备的透视图;
图2是示意性地示出了根据示例实施例的化学机械抛光设备的装载杯的透视图;
图3是图2的化学机械抛光设备的装载杯的局部分解透视图;
图4是沿图2的方向“I”获得的俯视图;
图5是沿图4的线II-II'截取的剖视图;
图6A是示意性地示出了图2的布置部件的透视图;
图6B是图6A的俯视图;
图7A是示出了与图6B的布置部件接触的晶片的平坦区域的视图;
图7B是沿图6B的线IV-IV'截取的剖视图;
图8和图9是图6A的布置部件的变型例;
图10是沿图4的线III-III'截取的剖视图;
图11是图10的支撑部件的透视图;
图12是图10的喷嘴部件的透视图;
图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A和图16B是示意性地示出了图2的化学机械抛光设备的装载杯的操作的视图;
图17是显示出根据示例实施例的对半导体器件执行化学机械抛光工艺的方法的框图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明构思的示例实施例。
参照图1,将描述根据示例实施例的可以采用装载杯200的化学机械抛光设备。化学机械抛光设备10可以包括抛光头旋转部件12和基体部件11。基体部件11可以包括基体106、设置在基体106上的多个抛光垫110、设置为分别与抛光垫110相邻并调整每个抛光垫110的表面状况的多个垫调节器111、设置为分别与抛光垫110相邻并将浆料供应到抛光垫110的表面的多个浆料供应臂112以及装载或卸载晶片的装载杯200。抛光头旋转部件12可以包括:框架115;多个抛光头300,设置在框架115下方,并使由装载杯200装载的晶片与抛光垫110的上表面接触并使晶片旋转;以及多个旋转轴120,设置在框架115与抛光垫110之间且分别使抛光头300旋转。这里,框架115可以具有用于使每个旋转轴120旋转的驱动装置。抛光头旋转部件12可以由中心轴125支撑,并且可以围绕中心轴125旋转。每个抛光头300可以在其中具有多个流动通道。气动或真空压力可以通过流动通道被供应到抛光头300。在这种情况下,提供的气动或真空压力可以提供吸附设置在抛光头300下方的晶片的吸附力以及按压晶片的后表面的压力,使得晶片可以与抛光垫110接触。
在下文中将参照图2至图4描述装载杯200。图2是示意性地示出了根据示例实施例的化学机械抛光设备的装载杯的透视图。图3是图2的化学机械抛光设备的装载杯的局部分解透视图。图4是沿图2的方向“I”获得的俯视图。
参照图2和图3,根据示例实施例的化学机械抛光设备的装载杯200可以包括杯210、基座220和布置部件240。杯210还可以包括喷射诸如去离子水(DIW)的清洁液的喷嘴部件260。
杯210可以具有内部空间212,在其中可以布置基座220、布置部件240和喷嘴部件260,通孔211可以形成在杯210的上表面中,并且可以具有足以允许图1中示出的抛光头300插入其中的尺寸。杯210可以提供空间,在该空间中可以通过由喷嘴部件260喷射的清洁液来清洁晶片W和抛光头300。杯210可以通过杯驱动部件270而升起。
参照图3和图5,基座220可以设置为支撑晶片W,并且可以具有上表面、安置表面(晶片W可以安置在其上)以及下表面,下表面可以由支撑部件230来支撑并且可以通过连接到支撑部件230的基座驱动部件280(请参见图2)而升起。此外,多个流体口221可以对角地设置在基座220的上表面中,从而以真空来吸附晶片W并喷射清洁液。在示例性实施例中,流体口221可以布置成具有例如十字形形状。基座膜可以设置在基座220的上表面上,以防止基座220的污染。基座膜可以附着到基座220的整个上表面,或者可以选择性地附着到基座220的包括流体口221的有限部分,例如,真空吸附和支撑晶片W所需的部分,以减少污染物的扩散。
布置部件240可以设置在杯210的内部空间212中以引导晶片W的移动,以便定位位于基座220的上表面上的晶片W。这里,术语“定位”可以指将晶片W的中心与抛光头300的中心对准,使得这两个中心可以彼此重合。以这种方式,布置部件240也可以称为对准部件,还可以被描述为对准阶或对准轨。通常,当晶片W安置在基座220上时,晶片W的中心与基座220的中心可能由于传送晶片W的机器手臂的振动等而未对准。当如上所述在晶片W的中心与基座220的中心未对准的同时晶片W被装载在抛光头300上时,晶片W可能无法正常地被吸附到抛光头300上,因此不能正常装载,或者晶片W的重量可能偏向其一侧,从而晶片W可能受损。此外,当抛光头300的中心轴与基座220的中心轴未对准时,在将晶片W装载在抛光头300上时,抛光头300的中心与晶片W的中心可能未对准。
因此,将晶片W的中心与抛光头300的中心对准能够使晶片W正常地装载在抛光头300上。
在一些实施例中,布置部件240可以以相等的间隔围绕基座220设置。在示例实施例中,布置部件240可以包括例如第一布置部件240a和第二布置部件240b,但是它们不限于此,并且还可以包括三个或更多个布置部件。第一布置部件240a和第二布置部件240b可以具有相同的结构,将仅描述第一布置部件240a的详细配置以防止其重复描述。
参照图3和图4,第一布置部件240a和第二布置部件240b可以通过诸如螺钉249的结合构件而结合到设置在杯210的下表面213上的布置驱动部件250。布置驱动部件250包括允许布置部件240沿基座220的中心方向D1水平地前后移动。布置驱动部件250可以配置为在至少10mm的范围内水平地前后移动,以便即使当晶片W设置成使得晶片W的中心可能偏离基座220的中心时,也能够通过移动第一布置部件240a和第二布置部件240b来夹持晶片W。布置驱动部件250可以配置为使得第一布置部件240a和第二布置部件240b可以相对于基座220的中心对称地设置。此外,布置部件240可以配置为使得第一布置部件240a和第二布置部件240b可以相对于基座220的中心对称地移动。例如,驱动部件250可以设置为使得第一布置部件240a和第二布置部件240b可以以基本相同的速度同时朝向或远离基座220的中心移动。
参照图3和图6A,第一布置部件240a可以包括紧固部分241和布置部件主体243,紧固部分241结合到设置在杯210的下表面213上的每个布置驱动部件250,布置部件主体243结合到紧固部分241并且接触晶片W和抛光头300。例如,也被描述为基体部分的紧固部分可以是用于容纳螺钉或螺栓的其中具有螺纹孔的板。
布置部件主体243(也被描述为布置块或对准块或对准台阶)可以具有接触晶片W的侧表面的晶片固定部分244、从晶片固定部分244向上延伸且包括倾斜表面的滑动引导部分245以及从滑动引导部分245延伸且接触抛光头300的侧表面的抛光头连接部分246。例如,晶片固定部分244、滑动引导部分245和抛光头连接部分246可以顺序地布置在布置部件主体243上。晶片固定部分244也可以称为晶片保持壁或晶片对准壁。滑动引导部分245也可以称为对准引导壁,或对准引导斜面或滑动件。抛光头连接部分246也可以称为抛光头对准壁。
布置部件主体243可以通过结合构件结合到紧固部件241,从而能够进行旋转运动或往复运动。诸如球轴承、线性运动引导件、球轴套或弹簧的构件可用作结合构件。在示例性实施例中,例如,可以采用球轴承247作为结合构件,使得布置部件主体243可以沿D2方向在紧固部件241上旋转。
参照图6B和图7A,晶片固定部分244可以包括具有与晶片W的侧表面对应的圆弧ARC1的曲面,并且可以接触晶片W的侧表面以固定晶片W。晶片固定部分244的长度(例如,沿从弧ARC1的一端到弧ARC1的另一端的直线测量的)可以大于晶片W的平坦区域F的宽度。因此,即使当晶片W的平坦区域F与晶片固定部分244接触时,晶片W也可以稳定地固定到晶片固定部分244。
滑动引导部分245可以包括倾斜表面。因此,即使当在从抛光头300卸载晶片W或将晶片W安置在基座220上然后将其升起时晶片W的中心从基座220的中心偏移,晶片W也可以沿着倾斜表面向下滑动以便安置在晶片固定部分244上。
抛光头连接部分246可以包括具有与抛光头300的侧表面对应的圆弧ARC2的曲面。因此,当抛光头连接部分246接触抛光头300的侧表面并且布置部件主体243旋转时,接触晶片固定部分244的晶片W可以响应于旋转而旋转,使得晶片W的中心可以与抛光头300的中心重合。
参照图8和图9,将描述布置部件240的变型例。
图8的布置部件1240可以包括通过结合构件1247结合到紧固部分1241的布置部件主体1243,使得布置部件主体1243可以沿D3方向往复运动,并且可以采用直线运动引导件作为结合构件。其他配置可以与根据上面描述的示例实施例的布置部件240的配置相同。
图9的布置部件2240可以包括分成多个区域2243a、2243b和2243c的布置部件主体2243。在示例实施例中,布置部件2240可以分成例如三个区域,但不限于此,并且也可以分成两个或者四个或更多个区域。此外,结合构件2247a、2247b和2247c可以分别结合到区域2243a、2243b和2243c,并且区域2243a、2243b和2243c可以相互独立地分别沿D4、D5和D6方向旋转。曲面可以分别形成在区域2243a、2243b和2243c的相对的面对表面2241上,使得区域2243a、2243b和2243c可以分别平滑地旋转。因此,由于布置部件主体2243与晶片W平滑接触,因此当布置部件主体2243接触晶片W时作用在晶片W上的冲击的量可以减小,从而防止损坏晶片W。
参照图2,喷嘴部件260可以设置在装载杯200的内部,以喷射用于清洁抛光头300(参见图1)的底表面和侧表面以及晶片W的底表面的清洁液。喷嘴部件260可以围绕基座220设置。在示例实施例中,喷嘴部件260可以包括第一喷嘴部件260a和第二喷嘴部件260b,其可以分别设置在基座220的两侧(例如,相对侧)(参见图4)。第一喷嘴部件260a和第二喷嘴部分260b可以以相同的间隔围绕基座220设置。第一喷嘴部件260a和第二喷嘴部件260b可以具有相同的结构,将仅描述第一喷嘴部件260a的详细构造以防止其重复描述。
参照图12,多个喷嘴可以沿不同的喷射方向设置在第一喷嘴部件260a上。在示例中,第一喷嘴组262、第二喷嘴组263和第三喷嘴组264可以朝向待喷射的不同对象设置在支撑件261上。此外,第一喷嘴组262、第二喷嘴组263和第三喷嘴组264中的每个可以包括多个喷嘴,包括在单个喷嘴组(例如,第一喷嘴组262)中的多个喷嘴262a和262b可以沿相同的喷射方向设置。此外,包括在单个喷嘴组(例如,第三喷嘴组264)中的多个喷嘴264a和264b可以沿不同的喷射方向设置。
第一喷嘴组262可以设置为将清洁液朝向抛光头300(请参见图1)的底表面喷射。第二喷嘴组263可以设置为朝向抛光头300的底表面倾斜地喷射清洁液。第三喷嘴组264可以设置为平行于基座220的安置表面,以清洁抛光头300的侧表面和晶片W。此外,第三喷嘴组264的喷嘴264a和264b可以设置为沿不同的方向J1和J2喷射清洁液,并且喷嘴264a和264b的水平高度可以彼此不同。这种喷嘴布置可以在清洁抛光头300和晶片W时实现多方向清洁,从而提高清洁效率。
参照图10和图11,基座220可以由支撑部件230支撑。支撑部件230可以具有形成在其上端部分上以支撑基座220并且结合到底座220的底表面的基座连接部分233,支撑部件230的下端部分可以连接到基座驱动部件280(请参见图2)以升起基座220。支撑部件230可以具有圆柱形的外壁231,其具有中空部分232。在支撑部件230的上部中,可以在与杯210的下表面213对应的位置穿过中空部分232的外壁231形成排泄孔234。
如图10所示,排泄孔234可以用作排泄管道,在清洁了晶片W和抛光头300之后,可以通过排泄管道排出由第一喷嘴部件260a和第二喷嘴部件260b喷射的清洁液。因此,排泄孔234可以形成在与杯210的下表面213相对应的区域中,使得所使用的清洁液可以通过排泄孔234流入中空部分232中,并且可以沿自然排泄方向WD排出。此外,即使当支撑部件230被升起时,排放孔234也可以具有足以设置在与杯210的下表面213对应的位置的长度,以使清洁液通过其被排出,而不管支撑部件230的升起。
支撑部件230的这种结构可以使得确保排泄管道在杯210的下表面213的中心容易地排出所使用的清洁液,从而可以防止未排出的清洁液被收集在杯210中。因此,可以防止装载杯200内的装置因未排出的清洁液而受损。
将参考图13A、13B、14A、14B、15A、15B、16A和16B来描述图2的化学机械抛光设备的装载杯的操作。图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图16A和图16B是示意性地示出了图2的化学机械抛光设备的装载杯的操作的视图。
如图13A所示,晶片W可以通过机器手臂安置在基座220上。图13B是从上方看到的晶片W和基座220的布置的视图。在示例实施例中,例如,当安置晶片W时,晶片W的中心CW和基座220的中心CP未对准。
随后,如图14A所示,可以将杯210升高,使得抛光头300的侧表面301与第一布置部件240a和第二布置部件240b的抛光头连接部分246彼此面对。抛光头300的侧表面301可以是可以在其上布置保持环310的部分。随着将杯210升高,晶片W可以沿着第一布置部件240a和第二布置部件240b的滑动引导部分245向下滑动,以面向其晶片固定部分244。
图14B示出了抛光头300的中心CH、晶片W的中心CW和基座220的中心CP的布置,在示例实施例中,例如,抛光头300的中心CH和基座220的中心CP可能彼此未对准。
随后,如图15A和图15B所示,第一布置部件240a和第二布置部件240b分别沿D7方向移动(例如,基于由布置驱动部件250控制的移动),使得抛光头连接部分246与抛光头300的侧面301彼此接触,第一布置部件240a和第二布置部件240b的布置部件主体243可以分别沿D8和D9方向旋转,并且晶片W可以被晶片固定部分244引导到右侧位置。如图15B所示,被引导到正确位置的晶片W可以使抛光头300的中心CH重叠在晶片W的中心CW上。
随后,如图16A所示,当升高基座220使得晶片W附着到抛光头300的膜320,然后第一布置部件240a和第二布置部件240b(例如,通过布置驱动部件250)沿D10方向移动,使得抛光头连接部分246与抛光头300的侧表面301彼此间隔开时,可以在使抛光头300的中心CH与中心晶片W的中心CW对准以重叠的同时将晶片W装载在抛光头300上。
如上所述,根据本发明构思的示例实施例,化学机械抛光设备的装载杯可以提高化学机械抛光(CMP)工艺的效率。
图17是示出了根据示例实施例的对半导体器件执行化学机械抛光工艺的方法的框图。
在图17中可以看到,在步骤1701中,将半导体器件(或将被执行化学机械抛光的其他基板)放置在基体(例如,106)的装载杯(例如,装载杯200)内的基座(例如,基座220)上并由其容纳。例如,可以使用由计算机系统控制的机器手臂将半导体器件放置在基座上。装载杯可以具有诸如图2至图4中所示的结构,该结构具有图6A和图6B、图8或图9中所示的布置部件之一。在一些实施例中,半导体器件可能不在基座上居中,诸如图13B中所示。
在步骤1702中,降低基座。例如,可以通过控制连接到基座支撑部件(例如,230)的基座驱动部件(例如280)的计算机系统来控制该降低。在降低基座期间,例如由于一个或更多个相应的布置部件(例如,240)的一个或更多个布置部件主体(例如,243)的滑动引导部分(例如,245),晶片可以相对于基座水平地移动。作为移位的结果,随着基座进一步降低,晶片可以设置在布置部件之间(例如,布置部件主体的固定部分之间),并且晶片的一个边缘可以接触且可以抵靠至少一个布置部件的晶片固定部分(例如,244)。在一些实施例中,此时,晶片仍可能不在基座上居中。
在步骤1703(其可以与步骤1702同时发生、在步骤1702之前发生或在步骤1702之后发生)中,相对于基体降低抛光头(例如,300)(也被描述为晶片拾取头),使得抛光头的底部位于装载杯内。例如,抛光头的至少一部分设置在布置部件主体的抛光头连接部分之间。在该步骤期间以及在步骤1702期间,例如可以通过计算机系统来控制连接到布置部件的布置驱动部件(例如,250),使得布置部件定位成其晶片固定部分比晶片宽并且其抛光头部连接部分比抛光头宽。即使晶片和抛光头最初未居中或未接触布置部件的晶片固定部分和抛光头连接部分的整个曲面,这也使得晶片和抛光头都被放置在由布置部件形成的弧内。在图14A和图14B中可以看到这种初始放置的示例。
在步骤1704中,控制布置驱动部件(例如,250)以使布置部件例如沿图15A中所示的方向D7向内移动。例如,布置驱动部件可以由计算机系统来控制。在一个实施例中,因为每个布置部件的布置部件主体(例如,243)可旋转地或可滑动地连接到与布置驱动部件连接的布置部件(例如,241)的基体,所以当布置部件的基体沿D7方向移动时,布置部件主体可以滑动或旋转,使得抛光头连接部分(例如,246)和抛光头的侧表面(例如,301)彼此接触。例如,抛光头连接部分可以具有与抛光头的侧表面对应的曲面,使得抛光头连接部分接触抛光头的侧表面。例如,第一布置部件240a和第二布置部件240b的布置部件主体243可以分别沿D8和D9方向旋转,如图15B所示。作为进一步的结果,晶片的边缘可以接触晶片固定部分,并且晶片可以被晶片固定部分引导到与抛光头同心的位置。例如,晶片固定部分可以具有与晶片的侧表面对应的曲面,以允许这种接触。因此,即使晶片不与基座同心,晶片的中心和抛光头的中心也能够对准。
在步骤1705中,升高基座以使晶片W附着到抛光头的膜(例如,320),然后可以沿D10方向移动第一布置部件和第二布置部件(例如,240a和240b)(例如,通过布置驱动部件250,如图16A所示),使得抛光头连接部分和抛光头的侧表面彼此间隔开。
在步骤1706中,例如可以通过移动框架(例如,图1中的115)来移动附着有晶片的抛光头,使得晶片被放置在抛光垫(例如,110)上方,并且可以执行化学机械抛光工艺。例如,抛光工艺可以包括将晶片降低到抛光垫(包括形成在其上的浆料)以及对晶片进行抛光以去除在晶片上形成的层的一部分。以这种方式,可以使用化学机械抛光工艺在晶片上形成诸如半导体芯片的半导体器件。
在图17中描述的方法的各方面可以由例如包括一个或更多个计算机、输入/输出装置、用户的显示屏等的计算机系统来控制。这种计算机系统在化学机械抛光的领域中是已知的,这种已知的系统可以由本领域普通技术人员进行编程和使用,以执行结合本文所述的发明而描述的各种步骤。
虽然已经在上面示出和描述了示例性实施例,但是对于本领域技术人员来说显而易见的是,在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下,可以进行修改和变化。

Claims (20)

1.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在具有内部空间的杯中的基座上放置晶片,其中:
所述基座设置在所述内部空间中,且配置为能够升高和降低,并且
多个布置部件围绕所述基座设置,每个所述布置部件具有相应的基体部分和结合到所述基体部分的相应的布置部件主体,
使所述基座在所述杯内降低,使得所述晶片设置在所述布置部件主体的晶片固定部分之间;
将抛光头降低到所述杯中,使得所述抛光头的至少一部分设置在所述布置部件主体的抛光头连接部分之间;以及
将所述多个布置部件中的至少一个布置部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动,其中,作为所述移动的结果,相应的布置部件主体旋转或往复运动,以接触所述抛光头的侧表面,由此调整所述晶片的中心使之与所述抛光头的中心对准。
2.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
使用分别设置在所述布置部件下方的所述驱动部件分别将相应的基体部分沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述多个布置部件包括第一布置部件和第二布置部件,所述第一布置部件包括第一布置部件主体,所述第二布置部件包括第二布置部件主体,所述驱动部件将所述第一布置部件和所述第二布置部件朝向所述基座的中心对称地移动。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,当所述第一布置部件和所述第二布置部件水平地移动时,所述第一布置部件主体和所述第二布置部件主体旋转或往复运动,使得所述晶片的侧表面接触所述第一布置部件主体的晶片固定部分和所述第二布置部件主体的晶片固定部分,并且所述抛光头的侧表面接触所述第一布置部件主体的抛光头连接部分和所述第二布置部件主体的抛光头连接部分。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述布置部件主体分别通过球轴承、直线运动引导件、球轴套和弹簧中的一种结合到相应的基体部分。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多个布置部件中的每个包括:
抛光头连接部分,所述抛光头连接部分成形为与所述抛光头的侧表面接触;
滑动引导部分,所述滑动引导部分从所述抛光头连接部分延伸且包括倾斜表面;以及
晶片固定部分,所述晶片固定部分从所述滑动引导部分延伸且成形为接触所述晶片的侧表面,以调整所述晶片的布置位置。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,降低所述杯内的所述基座还包括:
使所述晶片接触所述多个布置部件中的至少一个布置部件的所述滑动引导部分,从而随着所述基座在所述杯内降低而水平地移动所述晶片的位置。
8.一种使用化学机械抛光制造半导体器件的方法,所述方法包括:
提供具有抛光垫和装载杯的基体部件;
提供抛光头,
其中,所述装载杯包括:
基座,所述基座具有用于安置晶片的安置表面,
杯,所述基座设置在所述杯中,以及
围绕所述基座设置的多个布置部件;
将晶体放置在所述基座上;
降低所述装载杯内的所述基座;以及
将所述布置部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动,
其中,作为所述移动的结果:
每个布置部件的抛光头连接部分接触所述抛光头的侧表面,
每个布置部件的晶片固定部分接触所述晶片的侧表面,并且
所述晶片与所述抛光头对准。
9.根据权利要求8所述的方法,所述方法还包括:使用分别设置在所述布置部件下方的驱动部件,将相应的布置部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,降低所述装载杯内的所述基座还包括:
通过布置部件的滑动引导部分使所述晶片水平地移位,所述滑动引导部分从所述布置部件的所述抛光头连接部分延伸且包括倾斜表面。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述多个布置部件中的每个包括:
紧固部分,所述紧固部分结合到相应的驱动部件;以及
布置部件主体,所述布置部件主体通过结合构件结合到所述紧固部分以便能够旋转或往复运动,所述晶片固定部分、所述滑动引导部分和所述抛光头连接部分顺序地布置在所述紧固部分上。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述结合构件是球轴承、直线运动引导件、球轴套和弹簧中的一种。
13.根据权利要求11所述的方法,其中,所述布置部件主体包括沿所述晶片的圆周方向划分的多个区域。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述多个区域中的每个包括结合到所述紧固部分的所述结合构件。
15.根据权利要求8所述的方法,其中,所述抛光头连接部分具有与所述抛光头的侧表面对应的曲面。
16.根据权利要求8所述的方法,其中,所述晶片固定部分具有与所述晶片的侧表面对应的曲面。
17.根据权利要求8所述的方法,其中,在移动之前,所述多个布置部件以相等的间隔围绕所述基座而设置。
18.根据权利要求8所述的方法,其中,将所述抛光头与所述晶片对准,使得所述抛光头的中心与所述晶片的中心重叠。
19.一种使用化学机械抛光设备制造半导体器件的方法,所述方法包括:
提供具有装载杯的基体部件,所述装载杯包括基座,所述基座具有用于安装晶片的安置部件和容纳所述基座的杯,并且所述杯的上表面具有通孔;
将抛光头插入在所述通孔中;
提供多个对准部件,每个所述对准部件具有围绕所述基座设置的相应的紧固部分和相应的对准部分主体;
使用相应的驱动部件,以将相应的对准部件沿朝向所述基座的中心的方向水平地移动;以及
使分别结合到所述紧固部分的对准部件主体旋转或往复运动以接触所述抛光头的侧表面,并调整所述晶片的中心使之与所述抛光头的中心对准。
20.根据权利要求19所述的方法,所述方法还包括:
使用多个喷嘴将清洁液喷射到所述杯中;以及
通过支撑所述安置部件的支撑部件的中空部分来去除所述清洁液。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111390750A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 福建北电新材料科技有限公司 晶片面型加工装置
CN113363188A (zh) * 2021-06-04 2021-09-07 北京烁科精微电子装备有限公司 一种晶圆载片台及晶圆传输装置
CN114425742A (zh) * 2021-12-29 2022-05-03 华海清科股份有限公司 一种分布式清洗装置
CN114650895A (zh) * 2019-10-29 2022-06-21 韩商未来股份有限公司 研磨系统
WO2023123602A1 (zh) * 2021-12-29 2023-07-06 华海清科股份有限公司 一种旋转式晶圆交互系统

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7074607B2 (ja) * 2018-08-02 2022-05-24 株式会社荏原製作所 研磨装置用の治具
JP7278838B2 (ja) * 2019-04-04 2023-05-22 株式会社荏原製作所 基板支持装置及び基板洗浄装置
US20220184771A1 (en) * 2020-12-14 2022-06-16 Applied Materials, Inc. Polishing system apparatus and methods for defect reduction at a substrate edge

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050095918A (ko) * 2004-03-29 2005-10-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 로딩 에러를 방지하는 화학기계적 연마 장치의로드컵
CN101023429A (zh) * 2004-07-02 2007-08-22 斯特拉斯鲍公司 用于处理晶片的方法和系统
CN101349616A (zh) * 2007-03-15 2009-01-21 应用材料股份有限公司 使用可移动底座的抛光头检测
CN102371535A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 应用于化学机械抛光设备中的硅片定位装载装置
CN106158714A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 苏斯微技术光刻有限公司 用于操作对准晶片对的装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6716086B1 (en) 1999-06-14 2004-04-06 Applied Materials Inc. Edge contact loadcup
KR100304706B1 (ko) * 1999-06-16 2001-11-01 윤종용 화학기계적 연마장치 및 연마 헤드 내부의 오염 물질 세척방법
JP2001326201A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Ebara Corp ポリッシング装置
JP3662526B2 (ja) 2001-07-26 2005-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板の受け渡し方法および機械化学的研磨装置
JP3662529B2 (ja) * 2001-08-16 2005-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 機械化学的研磨装置のロードカップおよび機械化学的研磨装置
JP3920720B2 (ja) * 2002-03-29 2007-05-30 株式会社荏原製作所 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置
KR100495659B1 (ko) * 2002-06-21 2005-06-16 삼성전자주식회사 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 스테이션
US7101253B2 (en) 2002-08-27 2006-09-05 Applied Materials Inc. Load cup for chemical mechanical polishing
JP2005123485A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Ebara Corp 研磨装置
US7044832B2 (en) 2003-11-17 2006-05-16 Applied Materials Load cup for chemical mechanical polishing
JP5155517B2 (ja) * 2005-04-21 2013-03-06 株式会社荏原製作所 ウエハ受渡装置及びポリッシング装置
US7258599B2 (en) * 2005-09-15 2007-08-21 Fujitsu Limited Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device
KR20070095014A (ko) 2006-03-20 2007-09-28 삼성전자주식회사 사전 검사 설비를 구비한 화학기계적 연마 설비 어셈블리및 화학기계적 연마 설비의 정비 방법
KR100997651B1 (ko) * 2008-10-29 2010-12-01 주식회사 케이씨텍 웨이퍼 로딩장치의 웨이퍼 센터링 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 로딩장치
US8454408B2 (en) 2008-11-26 2013-06-04 Applied Materials, Inc. Load cup substrate sensing
KR101650398B1 (ko) 2015-09-11 2016-08-24 (주)코맷 계측기용 웨이퍼 센터링 디바이스

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050095918A (ko) * 2004-03-29 2005-10-05 삼성전자주식회사 웨이퍼 로딩 에러를 방지하는 화학기계적 연마 장치의로드컵
CN101023429A (zh) * 2004-07-02 2007-08-22 斯特拉斯鲍公司 用于处理晶片的方法和系统
CN101349616A (zh) * 2007-03-15 2009-01-21 应用材料股份有限公司 使用可移动底座的抛光头检测
CN102371535A (zh) * 2010-08-11 2012-03-14 中国电子科技集团公司第四十五研究所 应用于化学机械抛光设备中的硅片定位装载装置
CN106158714A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 苏斯微技术光刻有限公司 用于操作对准晶片对的装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114650895A (zh) * 2019-10-29 2022-06-21 韩商未来股份有限公司 研磨系统
CN114650895B (zh) * 2019-10-29 2023-11-03 韩商未来股份有限公司 研磨系统
CN111390750A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 福建北电新材料科技有限公司 晶片面型加工装置
CN111390750B (zh) * 2020-03-25 2021-09-03 福建北电新材料科技有限公司 晶片面型加工装置
CN113363188A (zh) * 2021-06-04 2021-09-07 北京烁科精微电子装备有限公司 一种晶圆载片台及晶圆传输装置
CN114425742A (zh) * 2021-12-29 2022-05-03 华海清科股份有限公司 一种分布式清洗装置
WO2023123602A1 (zh) * 2021-12-29 2023-07-06 华海清科股份有限公司 一种旋转式晶圆交互系统

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US20190176291A1 (en) 2019-06-13
CN109909870B (zh) 2022-05-03

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