CN208298795U - 基板处理系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及基板处理系统，本实用新型提供针对进行了研磨工序的基板，使基板不从研磨头分离，而是与研磨工序类似地，在清洗盘中进行基板的接触清洗，在基板研磨面沾有的异物干燥固化之前切实地去除的基板处理系统。

Description

基板处理系统

技术领域

本实用新型涉及基板处理系统，更详细而言，涉及一种在基板的研磨工序中，借助于接触清洗而在研磨处理工序期间简单地去除沾有的异物，防止原有研磨工序中发生的残渣与新研磨工序中供应的浆料混合的基板处理系统。

背景技术

半导体元件由微细的电路线以高密度集成而制造，因此，在基板表面进行与此相应的精密的平坦研磨。为了更精密地进行基板的研磨，进行机械式研磨与化学式研磨并行的化学机械式研磨工序(CMP工序)。

即，如图1所示，基板处理系统9在配置于研磨部分X1的研磨盘P中进行基板的平坦研磨工序，使基板研磨面平坦化，精确调节研磨层厚度。其中，基板W的研磨工序可以在多个研磨盘P中分多阶段进行。

结束研磨工序的基板借助于移送臂H而移送到清洗部分X2，在使基板W位于基板搭载部20的状态下，利用基板移送部10，在移送99d清洗部分X2的多个清洗腔室C1、C2、C3、C4的同时，分多阶段进行基板的清洗工序，将完成清洗的基板移送到其下个工序。

但是，基板的研磨工序期间，从基板的研磨层分离的微细大小的研磨颗粒第一次作为与浆料混合状态的残渣而附着于基板研磨面，在移动研磨盘P的同时，如果基板的基板研磨面干燥，则在基板研磨面沾有的异物固着，即使进行清洗部分X2中的清洗工序，也发生异物无法去除的问题。

特别是在基板研磨层为钨等的情况下，如果基板研磨面干燥，则存在发生半导体元件错误的致命的问题。另外，如果沾在基板研磨面的异物固着，则异物固着部分的半导体元件发生错误，发生半导体装置的收率低下的问题。

为了解决这种问题，在研磨盘P之间配置了基板研磨面成为湿润状态的湿润盆(wet bath)，在为了进行其下个研磨工序而待机的时间期间，

将基板研磨面浸于湿润盆，尝试保持基板研磨面不干燥而是湿润的状态。

但是，虽然尝试将基板研磨面保持湿润状态，同时在湿润盆内诱导强制流动，去除沾在基板研磨面的残渣等异物，但是借助于这种工序，存在沾在基板研磨面的异物几乎无法去除的问题。

如上所述，在以前的研磨工序中，如果沾在基板研磨面的残渣不去除，则在其下个研磨工序中，因硬质的异物而使基板研磨面发生划痕等损伤，更重要的是，以前的研磨工序中使用的浆料与其下个研磨工序中使用的残渣部分混合的同时，因化学反应而导致基板研磨面的化学式研磨不均一地发生，存在研磨品质低下的问题。

进一步地，最近随着半导体装置的轻薄短小化倾向，集成度越来越高并要求更精巧的研磨品质，因而由于化学式研磨不均一导致的研磨品质低下成为了降低收率的原因。

因此，如下必要性越来越高，即，在不损害基板的研磨工序的工序效率的同时，切实地去除沾在基板研磨面的异物，防止异物固化导致的基板不良，同时，即使使用互不相同的浆料，也能够消除因浆料混合的同时发生的化学反应而导致研磨品质低下的问题。

实用新型内容

所要解决的技术问题

本实用新型正是在前述技术背景下研发的，目的是提高制造半导体装置所需的基板的平坦研磨工序的品质。

本实用新型目的是在研磨工序期间，防止因沾在基板研磨面的异物导致的二次损害。

本实用新型目的是在研磨工序期间，抑制因沾在基板研磨面的残渣与在其下个研磨工序中使用的浆料的化学反应而导致化学式研磨品质低下。

与此同时，本实用新型目的是不增加研磨工序所需的工序时间，较高地保持工序效率。

解决技术问题的方案

为了达成所述目的，本实用新型提供一种针对进行了研磨工序的基板，不使基板从研磨头分离，而是与研磨工序类似地，在清洗盘中，与研磨工序类似地进行基板的接触清洗，切实去除基板研磨面沾有的异物的基板处理系统。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统，其包括：研磨盘，其具备在进行研磨工序期间与基板接触的研磨垫，并进行自转；研磨头，其在所述研磨工序期间，将所述基板加压于所述研磨垫并进行所述研磨工序；清洗盘，其具备以与所述基板接触的状态自转的清洗垫，借助于所述清洗垫与所述基板的摩擦而进行接触清洗工序；清洗液供应部，其在所述清洗盘中的所述接触清洗工序进行期间，向所述清洗垫供应清洗液。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨头以搭载所述基板的状态，进行所述研磨工序和所述接触清洗工序。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨头在所述清洗工序中对所述基板加压的加压力低于所述研磨工序中的对所述基板加压的加压力。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述基板处理系统包括实现所述基板的研磨工序的研磨部分以及实现对进行了所述研磨工序的基板的主清洗工序的清洗部分，所述清洗盘和所述清洗液供应部配置于所述研磨部分。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述清洗垫以水平状态安装，具有比所述基板更大的面积。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，在所述清洗垫的表面，沿圆周方向形成有槽，从所述清洗液供应部供应的清洗液通过所述槽传递到所述基板的研磨面。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘的自转速度高于所述清洗盘的自转速度。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，在所述清洗垫的表面形成有低硬度的凹凸。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，还包括流体喷射部，其以所述清洗垫的自转方向为基准，向通过所述研磨头下侧的所述清洗垫的表面喷射流体，使所述清洗垫残留的异物排出到所述清洗垫的外侧。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘为两个以上，所述研磨工序在互不相同的研磨盘进行2阶段以上。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，在所述研磨盘中进行的所述研磨工序是，一同实施借助于浆料的化学式研磨工序的化学机械式研磨工序。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第一研磨盘和第二研磨盘，所述清洗盘包括第一清洗盘和第二清洗盘，沿着用于第一基板移动的第一路径，排列有所述第一研磨盘和所述第一清洗盘，沿着用于第二基板移动的第二路径，排列有所述第二研磨盘和所述第二清洗盘，在所述第一路径与所述第二路径之间，形成有向主清洗部分移动的第三路径。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第一研磨盘、第二研磨盘和第三研磨盘，沿着所述基板移动的路径，排列有所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘和所述清洗盘，从所述第一研磨盘朝向所述第二研磨盘的第一路径、从所述第三研磨盘朝向所述清洗盘的第二路径的方向相反，结束在所述清洗盘中的清洗工序的所述基板被移送到进行主清洗工序的清洗部分。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述清洗盘被设置成能够移动位置。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第一研磨盘和第二研磨盘，所述基板在所述第一研磨盘和所述第二研磨盘中分别进行2阶段的研磨工序；所述清洗盘能够移动，以便位于所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第三研磨盘和第四研磨盘，所述基板在所述第三研磨盘和所述第四研磨盘中分别进行2阶段以上的研磨工序，所述清洗盘能够移动，以便位于所述第三研磨盘与所述第四研磨盘之间。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述清洗盘在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间移动和在所述第三研磨盘与所述第四研磨盘之间移动是相互交替实现的。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，在所述清洗盘位于所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间的状态下，在进行了所述第一研磨盘中的研磨工序之后，进行所述清洗盘中的清洗。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第三研磨盘和第四研磨盘，所述基板在所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第四研磨盘、所述第三研磨盘的上侧移动的同时，在至少一个以上研磨盘中进行研磨工序，所述清洗盘移动，以便位于所述第二研磨盘与所述第四研磨盘之间。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述基板在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘中的至少一个中进行研磨工序，在所述第四研磨盘与所述第三研磨盘中的至少一个研磨盘中进行研磨工序。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，从所述第一研磨盘朝向所述第二研磨盘的所述基板的移动路径与从所述第四研磨盘朝向所述第三研磨盘的所述基板的移动路径为相反方向。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述研磨盘包括第一研磨盘、从所述第一研磨盘沿第一方向隔开的第二研磨盘、从所述第一研磨盘沿第二方向隔开的第三研磨盘、从所述第三研磨盘沿第一方向隔开的第四研磨盘；所述清洗盘位于所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘、所述第四研磨盘的中央部。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述基板在沿连接所述第一研磨盘与所述第二研磨盘的第一路径移动的同时，在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘中的至少一个研磨盘中进行研磨工序，并在所述清洗盘中进行清洗工序。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述清洗盘移动到所述第一研磨盘与所述第二研磨盘的第一间隔位置、所述第二研磨盘与所述第三研磨盘的第二间隔位置、所述第三研磨盘与所述第四研磨盘的第三间隔位置中的至少一个位置。

旨在达成本实用新型目的的本实用新型的基板处理系统中，所述基板在沿着通过所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘、所述第四研磨盘中的任意两个的移动路径移动时，如果所述清洗盘位于所述移动路径上，则在所述清洗盘中进行所述基板的清洗工序。

有益效果

正如以上所作的说明，本实用新型在基板的研磨工序之间，通过基板的接触清洗，在基板研磨面沾有的异物固着之前去除，可以使异物去除效果实现最大化。

特别是本实用新型在基板研磨面的接触清洗工序中，防止一旦从基板分离的异物的再附着，可以获得在基板研磨面抑制划痕等损伤的效果。

而且，本实用新型在基板研磨面沾有的异物固着之前去除异物，可以获得进一步提高清洗效率的效果。

另外，本实用新型在与研磨盘类似的清洗盘中，与研磨工序类似地进行基板的研磨面清洗，从而可以在简化基板处理系统的控制工序的同时提高清洗效率，可以获得借助于接触清洗而更完全地去除残渣的效果。

更重要的是，本实用新型即使在互不相同的研磨盘中，使用互不相同的浆料进行多阶段研磨工序，也可以获得抑制因浆料混合的化学反应而导致化学式研磨工序不均一地进行的效果。

而且，本实用新型在结束了研磨工序的基板移送到清洗部分之前，借助于预先清洗基板而预先去除基板研磨面残留的异物，借助于此，可以获得在缩短清洗部分中的主清洗工序所需的时间的同时，获得高清洗效率的效果。

附图说明

图1是以往的基板处理系统的俯视图，

图2a是图示本实用新型第一实施例的基板处理系统的构成的俯视图，

图2b是图2a的研磨部分的俯视图，

图3是说明沿着导轨移动的基板承载器移动到连接轨的工作原理的图，

图4是图3的基板承载器的立体图，

图5是图4的纵剖面图，

图6是图示对接单元对接于图3的基板承载器的状态的立体图，

图7是图示在图2b的研磨盘中的任意一个中进行研磨工序的构成的俯视图，

图8是图7的主视图，

图9是图示图7的研磨头的构成的半剖面图，

图10是显示在图2b的清洗盘中的任意一个中进行清洗工序的构成的俯视图，

图11是图10的主视图，

图12a是图示图2a的研磨部分中的处理工序的图，

图12b是图示图2a的研磨部分中的另一形态的处理工序的图，

图12c是图示本实用新型另一实施形态的基板处理系统的处理工序的图，

图13是概略地图示本实用新型第二实施例的基板处理系统的研磨部分的俯视图，

图14a至图14c是用于说明基于图13的构成的处理工序的图，

图15是用于说明基于图13的构成的又一处理工序的图。

附图标记

1、2：基板处理系统 50：流体喷射部

30：浆料供应部 60：清洗液供应部

40：调节器 25：压力腔室控制部

22：隔膜 W：基板

C1、C2、C3、C4、C5：压力腔室

P：研磨盘 Px：研磨垫

CP：清洗盘 CPx：清洗垫

D：对接单元 C：基板承载器

具体实施方式

下面参照附图，详述本实用新型第一实施例的基板处理系统1。不过，在说明本实用新型方面，针对公知的功能或构成，赋予相同或类似的附图标记，为了使本实用新型要旨更明了而省略对其的说明。

如图2a所示，本实用新型第一实施例的基板处理系统1包括：基板供应部Xo，其供应将进行处理工序的新基板W；传递臂TR1，其从基板供应部Xo接受供应基板W，向研磨部分X1供应基板；研磨部分X1，其研磨从传递臂TR1接受传递的基板；清洗部分X2，其对在研磨部分X1研磨的基板W进行主清洗。

所述基板供应部Xo将预定进行处理工序的多个基板W存储于载片盒(FOUP)，借助于移送臂TRo，使基板W直接位于传递臂TR1可到达的放置部PP。虽然图中未图示，但位于基板供应部Xo的基板W也可以不经放置部PP而被传递臂TR1直接运送。

所述传递臂TR1从基板供应部Xo接受传递基板W，供应给研磨部分X1的装载部LU。在载片盒(FOUP)中，形成有图案或形成有沉积膜的研磨面朝向上侧搭载。此时，传递臂TR1从载片盒(FOUP)中取出并以翻转180度的状态传递给研磨部分X1的基板装载部LU(LU1、LU2)。因此，借助于传递臂TR1而传递到研磨部分X1的基板，成为研磨面(前面)朝向上侧而相反面(后面)朝向下侧的姿势。

传递臂TR1虽然可以有利地发挥夹持基板W放到规定位置的作用，但本实用新型不限定于此，可以使用能够将基板W从基板供应部Xo的载片盒(FOUP)传递到研磨部分X1的多样构成和手段。例如，也可以是以吸附状态拾起并移送的构成或如图所示的机器臂构成。

所述研磨部分X1包括：装载部LU，其将从传递臂TR1供应的基板W搭载于基板承载器C；基板承载器C，其从装载部LU搭载基板W，在沿着移动路径R移动的同时进行基板W的研磨工序；研磨盘P1、P2，其配置于基板承载器C移动的移动路径R上，以便对基板承载器C中搭载的基板W进行研磨工序；研磨头CH，其在研磨工序期间，将基板W针对研磨垫Px加压；清洗盘CP，其在研磨盘P1、P2中的至少一个研磨盘中，对进行了研磨工序的基板W进行接触清洗工序；承载器底座H(H1-1、H1-2、H2-1、H2-2)，其以容纳基板承载器C的状态，沿规定路径移动；卸载部UU，在针对基板承载器C中搭载的基板W进行了预定的研磨工序之后，其从基板承载器C卸载基板W。

其中，研磨头CH以搭载基板W的状态，在研磨盘P1、P2中的至少一个研磨盘中进行研磨工序，将进行了研磨工序的基板W以搭载状态移动到清洗盘CP，在清洗盘CP中进行基板W的接触清洗工序。

基板的装载工序

所述装载部LU可以是在基板承载器C中搭载基板W的多样构成，例如，可以是韩国注册专利公报第10-1389533号、第10-116387、第10-0997651号及韩国公开专利公报第10-2017-0004552号公开的构成，这些公报的内容统合为本说明书的一部分。

装载部LU虽然也可以只形成一个，但在偏向第一移动路径R1和第二移动路径R2的位置，分别由第一装载部LU1和第二装载部LU2形成，这在缩短使基板承载器C分别沿第一移动路径R1和第二移动路径R2移动的工序时间方面有利。

装载部LU把将进行研磨工序的基板W搭载于在基板承载器C下侧固定的研磨头CH。

基板移送路径

在所述基板承载器C移动的第一移动路径R1上配置有第一导轨G1，在基板承载器C移动的第二移动路径R2上配置有第二导轨G2，在基板承载器C移动的第三移动路径R3上配置有第三导轨G3。如图所示，第一移动路径R1和第二移动路径R2相互隔开配置，在其之间配备有第三移动路径R3。其中，导轨G1、G2、G3引导基板承载器C的移动，因而固定安装在位于比研磨盘P和清洗盘CP更上侧的框架。

在图中示例性图示了第一移动路径R1、第二移动路径R2和第三移动路径R3全部以直线形态配置的构成，但既可以以曲线形态形成，也可以以直线与曲线混合的形态形成。而且，虽然图中未图示，导轨G1、G2、G3也可以以椭圆形或圆形等多样的闭合曲线形态配置，以便移动基板承载器C。

而且，形成有第一连接路径R4，其连接与第二移动路径R2的一端S1e相向的第1-1位置S1-1和与第一移动路径R1的一端S2e相向的第2-1位置S2-1。在第一连接路径R4上安装有第一连接轨CR1，在第一连接轨CR1上，能移动88地安装有即使以保有基板承载器C的状态也能够移动的第1-1承载器底座H1-1和第1-2承载器底座H1-2。

第1-1承载器底座H1-1和第1-2承载器底座H1-2可以在互不干扰的范围内沿着第一连接轨CR1移动，但大体上，第1-1承载器底座H1-1用于往复第二导轨G2的一端S1e至第三导轨G3的一端S3e的距离，第1-2承载器底座H1-2用于往复第一导轨G1的一端S2e至第三导轨G3的一端S3e的距离。

由此，使得基板承载器C可以经由第1-1承载器底座H1-1，往来于第二导轨G2与第三导轨G3的一端，可以经由第1-2承载器底座H1-2，往来于第一导轨G1与第三导轨G3的一端。

根据本实用新型另一实施形态，也可以在第一连接轨CR1上具备一个承载器底座，沿着第一连接轨CR1，经第一连接路径R4的全体长度移动，在第二连接轨CR2上也具备另一承载器底座，沿着第二连接轨CR2，经第二连接路径R5的全体长度移动。

与此类似，形成有连接与第二移动路径R2的另一端S1e'相向的第1-2位置S1-2和与第一移动路径R1的另一端S2e'相向的第2-2位置S2-2的第二连接路径R5。在第二连接路径R5上安装有第二连接轨CR2，在第二连接轨CR2上，能移动88地安装有即使以保有基板承载器C的状态也能够移动的第2-1承载器底座H2-1和第2-2承载器底座H2-2。

第2-1承载器底座H2-1和第2-2承载器底座H2-2可以在互不干扰的范围内沿着第二连接轨CR2移动，但大体上，第2-1承载器底座H2-1用于往复第二导轨G2的另一端S1e'至第三导轨G3的另一端S3e'的距离，第2-2承载器底座H2-2用于往复第一导轨G1的另一端S2e'至第三导轨G3的另一端S3e'的距离。

由此，基板承载器C即使经由第2-1承载器底座H2-1，也可以往来第二导轨G2的另一端和第三导轨G3的另一端，可以经由第2-2承载器底座H2-2，往来第一导轨G1的另一端与第三导轨G3的另一端。

此时，第一研磨盘P1和清洗盘CP可以全部配置于第一移动路径R1上，第二研磨盘P2和清洗盘CP可以全部配置于第二移动路径R2上。在这种情况下，基板承载器C在位于配置在第一移动路径R1的第一导轨G1和配置在第二移动路径R2的第二导轨G2的状态下，在这些研磨盘P1、P2中进行基板W的研磨工序，在清洗盘CP中进行清洗工序。

在各个研磨盘P1、P2中，既可以进行利用了浆料的化学机械式研磨工序，也可以只进行无浆料的机械式研磨工序。借助于基板承载器C而搬运的基板W在研磨面与研磨盘P的研磨垫Px接触的同时实现研磨工序，因此，基板W的研磨面被研磨得达到规定厚度并变得平坦。

基板承载器及承载器底座的构成及作用

所述基板承载器C在导轨G(G1、G2、G3)中单独地独立移动，在连接轨CR(CR1、CR2)中，以容纳于承载器底座H(H1-1、H1-2、H2-1、H2-2)的状态，借助于承载器底座H的移动而移动。在图2a及图2b的配置图中，以多条垂直线形成的矩形形态简化显示了基板承载器C。

如图4及图5所示，基板承载器C在上侧交替排列有N极永磁铁128n和S极永磁铁128s，可以以在内部不具备驱动马达或空气压力供应装置的无动力状态构成。因此，如图3所示，借助于对安装于框架F的线圈90中接入的电源89的电流方向进行控制，利用线性电动机原理而沿着导轨G移动，其中，所述框架F在研磨盘P(P1、P2)和清洗盘CP的上侧形成。

另一方面，虽然图中未图示，在基板承载器C中具备线圈和电源接入装置(例如，利用电池或集电环的电源供应部)，在与基板承载器具备的线圈相向的位置，N极永磁铁和S极永磁铁交替排列，基板承载器C也可以沿着导轨G移动。此外，公知的多样驱动装置也可以配备于基板承载器C，沿着导轨G移动。

而且，如果基板承载器C位于研磨盘P的上侧，则对接单元D结合于基板承载器C，供应使基板W旋转驱动的旋转驱动力和用于将基板W向下方加压的空气压力。

为此，如图4及图5所示，为了接受传递旋转驱动力，在内周面形成有供N极和S极的永磁铁交替排列的磁性耦合器124，在对接单元D的驱动轴186的外周面，沿圆周方向也交替排列有N及和S极的永磁铁，如果对接单元D的驱动轴186以接近并插入于基板承载器C的磁性耦合器124的状态旋转，则旋转驱动力传递给磁性耦合器124，进行旋转驱动124r。因此，与磁性耦合器124连动旋转的旋转轴125一同旋转125r，旋转轴125的旋转驱动力借助于齿轮等动力传递装置而使竖直轴126旋转驱动126r，同时传递给研磨头CH，在研磨工序中，使基板W旋转驱动。此时，在磁性耦合器124的中央部可以形成有引导轴124o，以便引导对接单元D的驱动轴186插入于磁性耦合器124。

另外，在基板承载器C的外周面，在外面形成有供空气压力供应管结合的空气压力供应口123x，如果对接单元D接近8、8'基板承载器C并对接，则在对接单元D的空气压力供应管187a的结合部187插入于空气压力供应口123x的同时，通过从空气压力供应口123x延长的空气压力供应通道129传递给旋转的研磨头CH。此时，研磨头CH在研磨工序和清洗工序中旋转126r驱动，因而在空气压力供应通道129上安装有旋转式接头RU，可以顺利向进行旋转驱动的研磨头CH供应空气压力。

而且，基板承载器C在沿着导轨G与连接轨CR的移动路径中，保持不旋转的状态。因此，对接单元D也可以只在基板承载器C的规定的一面进行对接，但在这种情况下，第三导轨G3与第一导轨G1的间隔及第三导轨G3与第二导轨G2的间隔中的任意一个需要加大到需要以上，因而降低了整体的空间效率。

因此，如图2a所示，相对于第一导轨G1，对接单元D配置于外侧(以图2a为基准的下侧)，相对于第二导轨G2，对接单元D也配置于外侧(以图2a为基准的上侧)，从相互相反方向向相互相反方向移动8、8'并对接，这种构成在提高整体的空间效率方面有效。此时，基板承载器C在沿着导轨G移动的同时，以非旋转状态沿路径R1、R2、R3、R4、R5移动，因而基板承载器C如图5所示，空气压力结合部123及磁性耦合器124在位于相互相反侧的两个面形成，以便能够在上侧和下侧(以图2a为基准)与接近的对接单元D结合。由此，可以获得的优点是，可以在更紧凑地保持基板处理装置的配置的同时，避免需使基板承载器C旋转的复杂的控制及结构。

而且，在基板承载器C的两侧面，能旋转地形成有上侧辊127U和下侧辊127L，以便可以沿着导轨G不晃动地移动。根据情况，在基板承载器C中也可以以放置于导轨G的方式只具备上侧辊127U，在进行研磨工序的位置，夹紧构件朝向导轨贴紧，在研磨工序中，也可以防止基板承载器C错位。基板承载器C在沿着导轨G与连接轨CR的路径移动的同时，保持不旋转的状态。

图中未说明标记121是基板承载器C的与研磨头CH的连接结合部。

另一方面，如图2a所示，根据本实用新型另一实施例，为了在研磨部分X1进行的研磨工序，使基板W移动的工序也可以借助于移送臂TR3、TR4而抓住基板W移送。

另一方面，对接单元D如图6所示，安装于框架F，能水平往复移动8地安装，以便能够结合于沿着导轨G移动的基板承载器C。为此，如果借助于移动电动机181而旋转驱动旋转轴182，则利用导螺杆原理，使得移动板184在旋转轴182上往复移动8。

而且，在移动板184上固定有旋转驱动电动机185，配备有借助于旋转驱动电动机185而旋转驱动的驱动轴186，借助于移动电动机181而使移动板184移动，借助于此，驱动轴186在插入到基板承载器C的磁性耦合器124的同时，成为可以将旋转驱动力传递给基板承载器C的状态。与此同时，随着移动板184的移动，空气压力供应管187a的结合部187在与基板承载器C的空气压力供应口123x结合的同时，成为也可供应空气压力的状态。

所述承载器底座H如图3所示，形成有用于容纳基板承载器C的轨道槽HR，可以容纳与连接轨CR的配置无关地沿着导轨G移动的基板承载器C。为此，在承载器底座H的上侧也形成有线圈209，使得可以利用与排列于基板承载器C上侧的永磁铁128的相互作用，执行向承载器底座H移动的运转。

此时，在基板承载器C从导轨G移动到承载器底座H的轨道槽HR的过程中，为了防止基板承载器C的冲击，当基板承载器C移动到承载器底座H时，轨道槽HR朝向导轨G移动，也可以减小或消除凸棱或错层。

此时，连接轨CR也可以保持与导轨G隔开的状态，如图3所示，设置上下高度差异进行配置。

每个连接轨CR(CR1、CR2)配置两个承载器底座H。针对第一连接轨CR1，可以安装有第1-1承载器底座H1-1和第1-2承载器底座H1-2，并沿着第一连接轨CR1移动。而且，针对第二连接轨CR2，可以安装有第2-1承载器底座H2-1和第2-2承载器底座H2-2，并沿着第二连接轨CR2移动。

第1-1承载器底座H1-1可以容纳位于第二导轨G2和第三导轨G3中的任意一个的基板承载器C，能够以容纳基板承载器C的状态，沿着第一连接轨CR1往复移动，在沿着第一连接轨CR1往复移动期间，移送到曾被容纳的基板承载器C可以移动到第二导轨G2的一端S1e和第三导轨G3的一端S3e中任意一个的位置。

与此类似，第1-2承载器底座H1-2可以容纳位于第三导轨G3和第一导轨G1中任意一个的基板承载器C，能够以容纳基板承载器C的状态，沿着第一连接轨CR1往复移动，在沿着第一连接轨CR1往复移动期间，移送到曾被容纳的基板承载器C可以移送到第三导轨G3的一端S3e和第一导轨G1的一端S2e中任意一个的位置。

另外，第2-1承载器底座H2-1可以容纳位于第二导轨G2和第三导轨G3中任意一个的基板承载器C，能够以容纳基板承载器C的状态，沿着第二连接轨CR2往复移动，在沿着第二连接轨CR2往复移动期间，移动到曾被容纳的基板承载器C可以移动到第二导轨G2的另一端S1e'和第三导轨G3的另一端S3e'中任意一个的位置。

与此类似，第2-2承载器底座H2-2可以容纳位于第三导轨G3和第一导轨G1中任意一个的基板承载器C，能够以容纳基板承载器C的状态，沿着第二连接轨CR2往复移动，在沿着第二连接轨CR2往复移动期间，移动到曾被容纳的基板承载器C可以移动到第三导轨G3的另一端S3e'和第一导轨G1的另一端S2e'中任意一个的位置。

因此，基板承载器C可以根据需要，自由自在地越过导轨G和连接轨CR进行移动。如上所述，利用导轨G和连接轨CR形成基板承载器C的移动路径，因此，可以获得即使形成由导轨G和连接轨CR构成顶点的路径，基板承载器C也可以顺利地移动的优点，即使安装相同的个数和大小的研磨盘，也可以更小地形成用X1标识的空间，体现紧凑的配置结构。

即，所述第一导轨G1配置得使基板承载器C保有的基板W可以在第1研磨盘P1中进行研磨工序。同样，所述第二导轨G2配置得可以使基板承载器C保有的基板W在第二研磨盘P2中进行研磨工序。

在所述第三导轨G3上不配置研磨盘，而是形成供基板承载器C移动的路径。不过，在连接轨CR上各配置有两个承载器底座H，因而为了从连接轨CR的末端S1-1、S1-2移动到另一末端S2-1、S2-2，无法一次移动，因而第三导轨G3的一端S3e和另一端S3e'起到用于供基板承载器C横跨承载器底座H的临时承载处的作用。

研磨盘中的研磨工序

在各研磨盘P1、P2中进行的研磨工序，既可以无需供应浆料而只进行机械式研磨工序，在本实用新型优选实施形态中，也可以进行供应浆料而并行进行化学式研磨的化学机械式研磨工序。借助于基板承载器C而搬运的基板W在研磨面与研磨盘P的研磨垫Px接触的同时实现研磨工序，因此，基板W的研磨面被研磨得达到规定厚度并变得平坦。

即，如图7及图8所示，如果基板承载器C到达研磨盘P1、P2中的任意一个，则搭载于在基板承载器C下侧固定的研磨头CH的基板W，以被加压于包裹研磨盘P上面的研磨垫Px的状态进行摩擦接触并实现基板的机械式研磨工序，同时，从浆料供应部30的供应口32供应浆料，实现基板的化学式研磨工序。

其中，在基板W的研磨工序期间，研磨盘P以规定速度自转10r，同时，研磨头CH也从基板承载器C接受传递旋转驱动力，以规定速度自转，借助于此，使位于其下侧的基板W自转。同时，如图9所示，研磨头CH在划分为多个的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5中，从压力腔室控制部25接受供应空气压力，独立地调节压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力，借助于此，将位于压力腔室下侧的基板W按区域向下方加压Y1、Y2、Y3、Y4、Y5，按区域调节机械式研磨量。

为此，研磨头CH具备本体部21和隔膜22，所述本体部21固定于基板承载器C并一同旋转，所述隔膜22具备与基板W接触的柔韧性材料的底板，从底板以环形态延长的膜瓣22a分别结合于本体部21；在本体部21与隔膜22的之间空间配备有多个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5。而且，在各个压力腔室C1、C2、C3、C4、C5中，根据从压力腔室控制部25接受供应的空气压力的大小，确定向下方加压的加压力Y1、Y2、Y3、Y4、Y5。

而且，在进行化学机械式研磨工序的情况下，如图7所示，在研磨盘P配置有浆料供应部30和调节器等，在从浆料供应口32供应浆料的同时，调节器40重整研磨垫Px并进行化学机械式研磨工序。其中，调节器40在使调节盘自转40r的同时，按预定角度使臂41进行往复旋转运动40d，重整研磨垫Px。

清洗盘中的接触清洗工序

在第一研磨盘P1和第二研磨盘P2中结束各个研磨工序的基板W，以搭载于研磨头CH的状态移送到清洗盘CP。如图2a及图2b所示，清洗盘CP配置于研磨部分X1，为了将在第一研磨盘P1和第二研磨盘P2中的至少一个研磨盘中进行了研磨工序的基板W，在清洗盘CP中进行接触清洗工序而配置。

在图2a及图2b所示的实施例中，为了布局的紧凑配置，公开了在基板承载器C位于承载器底座H1-1、H1-2的状态下，基板W在清洗盘CP中进行接触清洗工序的构成，但根据本实用新型另一实施例，基板承载器C也可以在位于第一导轨G1或第二导轨G2的状态下，使基板W在清洗盘CP中进行接触清洗工序。

即，针对搭载于在基板承载器C下侧固定的研磨头CH的基板W，在研磨盘P1、P2中结束研磨工序后，如图2b所示，基板承载器C移动99到清洗盘CP的上侧。而且，基板W以搭载于研磨头CH的状态，在清洗盘CP中进行接触清洗工序，如图10及图11所示，清洗盘CP中的基板清洗工序与研磨盘P1、P2中的基板研磨工序非常类似地进行。

即，基板W以搭载于基板承载器C的状态，位于研磨头CH的下侧，保持板面接触包裹于清洗盘CP上面的清洗垫CPx的状态。清洗盘CP具备以与基板W接触的状态进行自转90r的清洗垫CPx，借助于清洗垫CPx与基板W的摩擦进行接触清洗工序。此时，清洗液供应部60在进行接触清洗工序期间，向清洗垫CPx供应清洗液，在借助于摩擦的基板W接触清洗工序中，也一同实现借助于清洗液的清洗。

研磨头CH的压力腔室C1、C2、C3、C4、C5在接触清洗工序中，分别从压力腔室控制部25接受供应空气压力，调节压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力，因此，按压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的区域，施加将基板W向下方加压的加压力Y1、Y2、Y3、Y4、Y5。如上所述，根据压力腔室C1、C2、C3、C4、C5的压力大小，调节基板W与清洗垫CPx的摩擦力。

其中，研磨头CH的加压力Y1、Y2、Y3、Y4、Y5虽然也可以按区域调节，但也可以整体上调节为相同的压力。

清洗盘CP中的接触清洗工序并非用于平坦研磨基板W的研磨层，而是用于去除基板W的研磨面沾有的研磨颗粒、浆料、残渣等，因而在接触清洗工序中，借助于研磨头CH的压力腔室，导入设置得比在研磨工序中导入的加压力大小更小的加压力Y1、Y2、Y3、Y4、Y5。例如，在清洗盘CP中借助于研磨头CH而导入的下方加压力的大小，可以确定为在研磨工序中借助于研磨头CH而导入的下方加压力的5％至50％。

而且，在清洗盘CP中的接触清洗工序中，清洗盘CP进行自转90r。其中，优选清洗盘CP在进行接触清洗工序期间内自转90r，但根据本实用新型另一实施形态，包括在进行接触清洗工序期间间歇性旋转等清洗盘CP自转90r一次以上的构成。清洗盘CP的自转速度也可以与研磨盘P1、P2的自转速度相同，但只要擦除基板表面沾有的异物即可，因而优选比研磨盘P1、P2的自转速度更小地保持。

如果研磨头CH的加压力Y1、Y2、Y3、Y4、Y5充分大，存在基板研磨层被稍稍研磨的可能性，则研磨头CH也与清洗盘CP一同自转，使得研磨量在整个基板研磨面达到均一。

其中，如图11所示，清洗垫CPx与研磨垫Px一样，以水平状态安装，具有比基板W更大的面积。因此，借助于基板承载器C而搬运的基板W与清洗垫CPx形成稳定的接触面，实现接触清洗工序。

在清洗垫CPx的表面，沿圆周方向形成有槽cg。例如，槽cg可以以同心圆形态形成或以螺旋形态形成。因此，在接触清洗工序中，如果清洗液从清洗液供应部60的供应口62供应到进行自转90r的清洗垫CPx上，则在自转的清洗垫上，清洗液借助于离心力而均匀展开，在清洗液流入沿圆周方向的槽cg内部的同时，清洗液到达至基板W的中央部，进行利用清洗垫CPx擦除基板W表面残留的异物的接触清洗工序。

其中，优选清洗液应用纯水(DIW)。不过，清洗液也可以利用不与之前研磨工序中使用的浆料及之后研磨工序中使用的浆料发生化学反应的化学制剂。例如，清洗液可以应用包括SC1(Standard Clean-1、APM)、氨、过氧化氢中的至少一种化学制剂。

清洗垫CPx以具有比研磨垫Px更低硬度的材质形成，在清洗盘CP上的接触清洗工序中，因残渣导致的划痕不发生在基板W的研磨面，而是发生在清洗垫CPx，保护基板研磨面。例如，所述清洗垫可以以具有比研磨垫更低硬度或更低压缩刚性的聚氨酯系列的材质形成。

更重要的是，在清洗垫CPx的表面可以形成有低硬度的凹凸。由此，形成凹凸的多个细微凸起在与基板W表面接触的同时，刮下基板W表面残留的异物，使之从基板W分离。而且，从基板研磨面刮下、分离的异物容纳于凹凸的凹陷部(凸起之间的空间)，使在基板W的研磨面发生划痕损伤实现最小化。

而且，以清洗垫CPx的自转方向为基准，在穿过位于研磨头CH下侧的基板W的清洗垫CPx表面具备流体喷射部50，所述流体喷射部50高压喷射流体50a，使清洗垫CPx上残留的异物排出到清洗垫CPx的外侧55。其中，高压喷射的流体50a可以为纯水、纯水与气体混合的异种流体、气体，也可以为前述的清洗液。因此，在清洗垫CPx中进行接触清洗的基板W上残留的异物，在清洗垫CPx中直接去除，防止从基板W分离的异物重新再附着于基板W。

如上所述，本实用新型以基板搭载于研磨头CH的状态，在研磨盘P中进行研磨工序，然后直接以搭载于研磨头CH的状态，在清洗盘CP中进行接触式清洗工序，因而基板研磨面沾有的异物在固着之前去除，可以使异物去除效果实现最大化，研磨工序与接触清洗工序中的研磨头CH、基板承载器C、研磨盘P及清洗盘CP等的控制相互非常类似，因而可以获得基板处理系统1的控制容易的效果。

不仅如此，本实用新型不借助于清洗刷而对基板研磨面进行接触清洗，而是在与研磨盘类似的清洗盘中清洗基板研磨面，借助于此，与以往在清洗部分借助于由海绵或聚乙烯醇等材质形成的清洗刷而去除异物相比，不发生异物固着于清洗刷等问题，残渣一旦从基板去除，便可以不再附着于基板地切实分离，因而可以获得抑制因分离的异物而在基板研磨面发生划痕等损伤的效果。

另外，本实用新型在基板的研磨工序结束之后，不从研磨头CH分离基板，而是直接在基板移送工序中，在具备的清洗盘中进行接触清洗工序，从而基板移送不再需要追加的时间，同时，在基板研磨面沾有的异物固着之前去除异物，可以获得提高清洗效率的效果。进一步地，本实用新型在基板研磨结束之后，在经过接触清洗工序的同时保持基板的湿润状态，因而可以一举解决基板干燥导致的各项问题。

多样的研磨及清洗路径

如前所述，研磨盘P包括第一研磨盘P1和第二研磨盘P2，清洗盘CP包括第一清洗盘CP1和第二清洗盘CP2。而且，为了处理工序，沿着第一基板沿第一导轨G1进行移动的第一路径A1，排列有第一研磨盘P1和第一清洗盘CP1，沿着另一第二基板沿第二导轨G2进行移动的第二路径A2，排列有第二研磨盘P2和第二清洗盘CP2，在第一路径A1与第二路径A2之间，为了移动到主清洗部分而形成有以第三导轨G3形成的第三路径。

而且，就在研磨盘P1、P2中分别结束研磨工序的基板W而言，如图12a所示，基板承载器C沿着第一导轨G1和第二导轨G2，分别沿第一路径A1和第二路径A2移动，在清洗盘CP中进行接触清洗工序之后，基板W可以在沿着通过第三导轨R3排出到卸载部UU的路径移动的同时进行基板处理工序。

另一方面，如图12b所示，研磨盘包括第一研磨盘P1、第二研磨盘P2和第三研磨盘P3，第一研磨盘P1、第二研磨盘P2、第三研磨盘P3和清洗盘CP可以沿着基板W移动的路径依次排列。其中，从第一研磨盘P1朝向第二研磨盘P2的第一路径B1-1与从第三研磨盘P3朝向清洗盘CP的第二路径B1-2的方向相互相反，结束清洗盘CP中的清洗工序的所述基板W可以移送到进行主清洗工序的清洗部分X2。

即，清洗盘CP在三个研磨盘P1、P2、P3中的至少一个中进行研磨工序，然后，在基板W的研磨面干燥且在研磨面沾有的异物固着之前，在清洗盘CP中进行对搭载于研磨头CH的基板W的接触清洗工序之后，也可以在沿着排出到卸载部UU的路径B1移动的同时进行处理工序。

如上所述，即使在两个以上研磨盘P1、P2、P3中进行了多阶段研磨工序之后，还以加装于研磨头CH的状态，在研磨部分X1中进行本实用新型的基于清洗盘的接触清洗工序，从而可以以简单的控制方式替代以往的预备清洗工序，与以非接触方式进行清洗或利用清洗刷进行清洗相比，可以获得更切实地使基板研磨面残留的异物分离的效果。

另外，在基板承载器C的移动路径上配置有清洗盘CP，因此，基板承载器C无需为了清洗而进行追加的移动或操作，与在研磨盘P1、P2、P3中进行的研磨工序类似地，即，比研磨工序降低清洗盘CP的自转速度或研磨头CH的加压力，借助于此，可以获得在预先准备的清洗垫CPx中出色地执行接触清洗工序的效果。

另一方面，与图12a所示的配置结构类似地，就基板承载器C的移送路径而言，在经由第三导轨G3的路径A1'、A2'中，也可以进行多阶段的研磨工序。参照图12c，也可以在沿着第一导轨G1和第二导轨G2移动的基板承载器C的路径上，分别配置各两个研磨盘P1、P2，在这些研磨盘P1、P2中进行2阶段的研磨工序之后，在清洗盘CP中进行了接触清洗工序之后，经由第三导轨G3排出到卸载部UU1、UU2。

如上所述，本实用新型以图2a及图2b所示的配置结构为基本框架，以多样形态配置清洗盘CP，不只是1阶段的研磨工序，即使在进行了多阶段的研磨工序之后，通过清洗盘CP中的接触清洗工序，也有效去除基板W沾有的残渣等异物，在保持基板W的湿润状态的同时，可以获得通过比以往预备清洗工序更切实、更简单的控制工序而可获得的有利效果。

图中虽然未示出，但本实用新型不局限于在研磨盘P中的研磨工序全部结束后，进行清洗盘CP中的接触清洗工序的情形，在进行2阶段以上的研磨工序的情况下，包括在研磨盘P之间配置清洗盘CP的构成。

由此，在研磨盘P中进行1阶段的研磨工序之后，在清洗盘CP中进行接触清洗工序，然后，进行2阶段的研磨工序之后，在另一清洗盘CP中进行接触清洗工序，从而直接去除结束研磨工序的基板残留的异物，获得干净的研磨品质，可以解决在之前研磨工序中使用的浆料与在其下个研磨工序中使用的浆料发生化学反应而导致化学式研磨品质低下的问题。

基板的卸载及向清洗部分的移送

所述卸载部UU从基板承载器C接受传递结束了基板的研磨工序和接触清洗工序的基板，为了其之后的主清洗工序而移送到清洗部分X2。

卸载部UU可以只形成一个，如图所示，也可以在偏向第一移动路径R1和第二移动路径R2的位置，分别由第一卸载部UU1和第二卸载部UU2形成两个。如上所述，如果卸载部UU由两个形成，则在缩短在清洗部分X2的第一清洗路径L1与第二清洗路径L2中交替进行移送的移送路径方面有利。

在卸载部UU中，以基板承载器C容纳于沿着第二连接轨CR2而顺着第二连接路径R5移动的第2-1承载器底座H2-1及第2-2承载器底座H2-2的状态，将基板W装载于基板承载器C，或从基板承载器C卸载基板W。在清洗部分X2中，基板W借助于基板移送部10而在多个清洗腔室C1、C2、C3、C4移动并依次进行主清洗工序。

如上所述，本实用新型在结束研磨工序的基板移送到清洗部分之前，借助于预先清洗基板，预先去除基板研磨面残留的异物，由此可以获得缩短清洗部分中的主清洗工序所需时间并提高清洗效率的效果。

而且，在清洗部分X2结束了主清洗工序的基板W借助于移送臂TRo而移送到其下个工序。

下面详述本实用新型第二实施例的基板处理系统2。不过，在说明本实用新型第二实施例方面，针对与已说明的第一实施例相同或类似的功能或构成，赋予相同或类似的附图标记，为了使本实用新型第二实施例的要旨更明了而省略对其的说明。

如图13所示，本实用新型第二实施例的基板处理系统2配置有研磨盘P1、P2、P3、P4，在研磨盘P1、P2、P3、P4的中央部配置有清洗盘CP，且清洗盘CP安装得可借助于驱动部(图上未示出)而向第一方向dx和第二方向dy移动。

即，所述研磨盘P包括第一研磨盘P1、从第一研磨盘向第一方向dx隔开的第二研磨盘P2、从第一研磨盘P1向第二方向dy隔开的第三研磨盘P3、从第三研磨盘P3向第一方向dx隔开的第四研磨盘，清洗盘CP位于第一研磨盘P1、第二研磨盘P2、第三研磨盘P3、第四研磨盘P4的中央部，安装得可向第一方向dx和第二方向dy，沿导轨Rx、Ry移动。

其中，引导清洗盘CP移动的导轨Rx、Ry配置于比引导基板承载器C的导轨R1、R2、R3更下侧。(出于便利，在图中配置于上侧的导轨R1、R2、R3以虚线标识，位于下侧的导轨Rx、Ry以实线标识。)

其中，优选第一方向dx与第三导轨R3平行地延长，第二方向dy是垂直于第三导轨R3的方向。但是，就本实用新型而言，第一方向和第二方向并非必须局限于此，可以沿互不相同的方向延长形成。在图中，虽然示例性图示了第一方向dx和第二方向dy分别为直线方向的情形，根据本实用新型另一实施形态，第一方向dx和第二方向dy也可以以曲线形态延长形成。

因此，如图14a所示，在第一研磨盘P1中进行了第一次研磨工序的第一基板W在移动到进行第二次研磨工序的第二研磨盘P2之前，清洗盘CP移动到第一研磨盘P1与第二研磨盘P2之间，对第一基板W的接触清洗工序可以在清洗盘CP中进行。即，研磨盘P包括第一研磨盘P1和第二研磨盘P2，第一基板在第一研磨盘P1和第二研磨盘P2中进行2阶段的研磨工序，且向第二方向移动dy1，使得清洗盘CP位于第一研磨盘P1与第二研磨盘P2之间，在2阶段的研磨工序之间，进行接触清洗工序。

与此相同，如图14b所示，新供应的第二基板在第三研磨盘P3中进行第一次研磨工序后，在移动到进行第二次研磨工序的第四研磨盘P4之前，清洗盘CP移动dy2到第三研磨盘P3与第四研磨盘P4之间，对第二基板的接触清洗工序可以在清洗盘CP中进行。即，研磨盘P包括第三研磨盘P3和第四研磨盘P4，第二基板在第三研磨盘P3和第四研磨盘P4中进行2阶段的研磨工序，且向第二方向移动dy2，使得清洗盘CP位于第三研磨盘P3与第四研磨盘P4之间，在2阶段的研磨工序之间进行接触清洗工序。

其中，移动dy1而使得清洗盘CP位于第一研磨盘P1与第二研磨盘P2之间的情形和移动而使得清洗盘CP位于第三研磨盘P3与第四研磨盘P4之间的情形，优选相互交替实现。即，在清洗盘CP位于第一研磨盘P1与第二研磨盘P2之间而进行对第一基板的接触清洗工序期间，在第三研磨盘P3中实现对第二基板的第一次研磨工序。而且，在清洗盘CP位于第三研磨盘P3与第四研磨盘P4之间而进行对第二基板的接触清洗工序期间，结束接触清洗工序的第一基板在第二研磨盘P2中进行第二次研磨工序。如此根据清洗盘CP的位置，在(以图14a及图14b为基准)上侧进行研磨工序的第一基板与在下侧进行研磨工序的第二基板设置时间差异而进行，从而可以利用一个清洗盘CP不间断地进行连续2阶段的研磨工序和其之间的接触清洗工序。

如上所述，在第一研磨盘P1及第三研磨盘P3中的第一次研磨工序期间，将第一基板及第二基板沾有的异物在其之后直接去除，然后在第二研磨盘P2及第四研磨盘P4中进行第二次研磨工序，因而在第二次研磨工序中，可以没有异物导致的污染或划痕地极大提高研磨品质。而且，即使在第一研磨盘P1及第三研磨盘P3的第一次研磨工序中使用的浆料与第二研磨盘P2及第四研磨盘的第二次研磨工序中使用的浆料发生化学反应的情况下，在第一次研磨工序与第二次研磨工序之间，借助于清洗盘CP中的清洗工序而去除浆料及残渣，因此，可以获得第二次研磨工序中的化学式研磨工序也可以以高研磨品质进行的有利效果。

如上所述，第一基板进行在第一研磨盘P1中的第一次研磨工序，进行在清洗盘CP中的接触清洗工序(图14a)，进行在第二研磨盘P2中的第二次研磨工序。而且，在第一基板通过第三导轨G3移动到排出的路径Z1的同时，如图14c所示，清洗盘CP重新沿第二方向dy3移动，也可以针对排出的第一基板，在清洗盘CP中进行接触清洗工序。

同样地，第二基板进行在第三研磨盘P3中的第一次研磨工序，进行在清洗盘CP中的接触清洗工序(图14b)，进行在第二研磨盘P2中的第二次研磨工序。而且，在第二基板通过第三导轨G3移动到排出的路径Z2的同时，如图14c所示，清洗盘CP重新沿第二方向dy3移动，也可以针对排出的第二基板，在清洗盘CP中进行接触清洗工序。如上所述，清洗盘CP在第一研磨盘P1与第二研磨盘P2之间、第三研磨盘P3与第四研磨盘P4之间和中央部进行移动，与此同时，交替进行对第一基板和第二基板的接触清洗工序，借助于此，在基板沾有的异物干燥固化之前去除异物，可以获得提高清洗效率、提高其后的研磨品质的有利效果。

另一方面，根据本实用新型另一实施形态，利用如图13所示的基板处理系统的构成，可以如图15所示，在3阶段以上的研磨工序中，在研磨工序之后直接进行借助于清洗盘CP的清洗工序。

即，在第一研磨盘P1中进行第一次研磨工序的状态下，如图14a所示，清洗盘CP向第二方向移动dy1，进行接触清洗工序，在其下个第二研磨盘P2中进行第二次研磨工序的状态下，如图15所示，CP向第一方向移动dx1，进行接触清洗工序，在其下个第四研磨盘P4中进行第三次研磨工序的状态下，如图14b所示，清洗盘CP向第二方向移动dy2，进行接触清洗工序，最后，在第三研磨盘P3中进行第四次研磨工序后，在卸载部UU中卸载，可以为了主清洗工序而移送到清洗部分X2。

其中，如图15所示，从第一研磨盘P1朝向第二研磨盘P2的基板移动路径Z3-1和从第四研磨盘P4朝向第三研磨盘P3的基板移动路径Z3-2优选确定为相反方向。基板在沿这种移动路径Z3移动的同时，可以进行4阶段的研磨工序。

另一方面，也可以在第一研磨盘P1与第二研磨盘P2、第四研磨盘P4、第三研磨盘P3中全部进行研磨工序，进行共4阶段的研磨工序，但根据本实用新型另一实施例，也可以只在第一研磨盘P1与第二研磨盘P2、第四研磨盘P4、第三研磨盘P3中的一部分中进行研磨工序，然后在清洗盘中进行接触清洗工序。

再一方面，基板在沿着通过第一研磨盘P1、第二研磨盘P2、第四研磨盘P4、第三研磨盘P3中某两个的移动路径移动的同时，移动使得清洗盘CP位于所述移动路径上的任意位置，可以在清洗盘CP中进行基板的清洗工序。

另外，也可以使基板在第一研磨盘P1与第二研磨盘P2中的至少一个中进行研磨工序，在图15所示的清洗盘CP位置进行接触清洗工序后，在第四研磨盘P4与第三研磨盘P3中的至少一个中进行研磨工序。

如上所述，本实用新型即使在互不相同的研磨盘中，使用互不相同的浆料，进行多阶段研磨工序的情况下，也使一个清洗盘CP移动，交替在研磨工序之间进行基板的接触清洗工序，从而防止因在互不相同的研磨工序中供应的浆料混合引起化学反应，导致化学式研磨工序不均一地进行，可以获得的有利效果是可获得均一且具有可靠性的化学式研磨品质。

另外，能移动地构成清洗盘CP，使清洗盘的个数最少化，可以使基板处理系统2所占空间实现最小化，由此，还可以获得提高现场的空间效率的优点。

如上所述的构成不只局限于四个研磨盘进行应用，在由六个研磨盘或八个研磨盘构成的配置结构中，在由四个构成的研磨盘的中央部，各配置一个可移动的清洗盘，借助于此，也可以获得相同的作用效果。

以上通过优选实施例，示例性地说明了本实用新型，但本实用新型并非只限定于这种特定实施例，在本实用新型提示的技术思想，具体而言，在权利要求书记载的范畴内，可以以多样形态修改、变更或改善。

Claims (25)

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：

研磨盘，其具备在进行研磨工序期间与基板接触的研磨垫，并进行自转；

研磨头，其在所述研磨工序期间，将所述基板加压于所述研磨垫并进行所述研磨工序；

清洗盘，其具备以与所述基板接触的状态自转的清洗垫，借助于所述清洗垫与所述基板的摩擦而进行接触清洗工序；

清洗液供应部，其在所述清洗盘中的所述接触清洗工序进行期间，向所述清洗垫供应清洗液。

2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨头以搭载所述基板的状态，进行所述研磨工序和所述接触清洗工序。

3.根据权利要求2所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨头在所述清洗工序中对所述基板加压的加压力低于所述研磨工序中的对所述基板加压的加压力。

4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板处理系统包括实现所述基板的研磨工序的研磨部分以及实现对进行了所述研磨工序的基板的主清洗工序的清洗部分，

所述清洗盘和所述清洗液供应部配置于所述研磨部分。

5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗垫以水平状态安装，具有比所述基板更大的面积。

6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

在所述清洗垫的表面，沿圆周方向形成有槽，从所述清洗液供应部供应的清洗液通过所述槽传递到所述基板的研磨面。

7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘的自转速度高于所述清洗盘的自转速度。

8.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

在所述清洗垫的表面形成有低硬度的凹凸。

9.根据权利要求8所述的基板处理系统，其特征在于，

还包括流体喷射部，其以所述清洗垫的自转方向为基准，向通过所述研磨头下侧的所述清洗垫的表面喷射流体，使所述清洗垫残留的异物排出到所述清洗垫的外侧。

10.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘为两个以上，所述研磨工序在互不相同的研磨盘进行2阶段以上。

11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其特征在于，

在所述研磨盘中进行的所述研磨工序是，一同实施借助于浆料的化学式研磨工序的化学机械式研磨工序。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第一研磨盘和第二研磨盘，所述清洗盘包括第一清洗盘和第二清洗盘，

沿着用于第一基板移动的第一路径，排列有所述第一研磨盘和所述第一清洗盘，

沿着用于第二基板移动的第二路径，排列有所述第二研磨盘和所述第二清洗盘，

在所述第一路径与所述第二路径之间，形成有向主清洗部分移动的第三路径。

13.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第一研磨盘、第二研磨盘和第三研磨盘，

沿着所述基板移动的路径，排列有所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘和所述清洗盘，

从所述第一研磨盘朝向所述第二研磨盘的第一路径、从所述第三研磨盘朝向所述清洗盘的第二路径的方向相反，

结束在所述清洗盘中的清洗工序的所述基板被移送到进行主清洗工序的清洗部分。

14.根据权利要求1至11中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗盘被设置成能够移动位置。

15.根据权利要求14所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第一研磨盘和第二研磨盘，所述基板在所述第一研磨盘和所述第二研磨盘中分别进行2阶段的研磨工序；

所述清洗盘能够移动，以便位于所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间。

16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第三研磨盘和第四研磨盘，所述基板在所述第三研磨盘和所述第四研磨盘中分别进行2阶段以上的研磨工序，

所述清洗盘能够移动，以便位于所述第三研磨盘与所述第四研磨盘之间。

17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗盘在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间移动和在所述第三研磨盘与所述第四研磨盘之间移动是相互交替实现的。

18.根据权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，

在所述清洗盘位于所述第一研磨盘与所述第二研磨盘之间的状态下，在进行了所述第一研磨盘中的研磨工序之后，进行所述清洗盘中的清洗。

19.根据权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第三研磨盘和第四研磨盘，所述基板在所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第四研磨盘、所述第三研磨盘的上侧移动的同时，在至少一个以上研磨盘中进行研磨工序，

所述清洗盘移动，以便位于所述第二研磨盘与所述第四研磨盘之间。

20.根据权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘中的至少一个中进行研磨工序，在所述第四研磨盘与所述第三研磨盘中的至少一个研磨盘中进行研磨工序。

21.根据权利要求19所述的基板处理系统，其特征在于，

从所述第一研磨盘朝向所述第二研磨盘的所述基板的移动路径与从所述第四研磨盘朝向所述第三研磨盘的所述基板的移动路径为相反方向。

22.根据权利要求14所述的基板处理系统，其特征在于，

所述研磨盘包括第一研磨盘、从所述第一研磨盘沿第一方向隔开的第二研磨盘、从所述第一研磨盘沿第二方向隔开的第三研磨盘、从所述第三研磨盘沿第一方向隔开的第四研磨盘；

所述清洗盘位于所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘、所述第四研磨盘的中央部。

23.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板在沿连接所述第一研磨盘与所述第二研磨盘的第一路径移动的同时，在所述第一研磨盘与所述第二研磨盘中的至少一个研磨盘中进行研磨工序，并在所述清洗盘中进行清洗工序。

24.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，

所述清洗盘移动到所述第一研磨盘与所述第二研磨盘的第一间隔位置、所述第二研磨盘与所述第三研磨盘的第二间隔位置、所述第三研磨盘与所述第四研磨盘的第三间隔位置中的至少一个位置。

25.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，

所述基板在沿着通过所述第一研磨盘、所述第二研磨盘、所述第三研磨盘、所述第四研磨盘中的任意两个的移动路径移动时，如果所述清洗盘位于所述移动路径上，则在所述清洗盘中进行所述基板的清洗工序。