CN109904175B - 一种显示面板的制作方法及一种显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示面板的制作方法及一种显示面板，该方法包括：在衬底基板上形成像素电路结构，包括：依次形成于衬底基板上栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏电极金属层；在源漏电极金属层上涂覆光刻胶层；将光刻胶层中对应于源漏电极金属层上用于与辅隔垫物对应、且用于形成源漏电极之间沟道的部位进行部分去除，将光刻胶中对应于主隔垫物与辅隔垫物的站位之间的部分进行完全去除；有源层与主隔垫物的站位对应的部位保留，或者，有源层和源漏电极金属层与主隔垫物的站位对应的部位保留；去除剩余的光刻胶层。本发明提供的制备方法，通过保证与主隔垫物的站位对应部分的栅绝缘层不被损耗，由此保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性。
Description
技术领域
本申请涉及液晶显示器的背光源领域，特别涉及一种显示面板的制作方法及一种显示面板。
背景技术
现有技术中，为了提升开口率，将显示器中的辅隔垫物的位置移到了与薄膜晶体管相对应的位置，然而这种技术适合8.5代线，由于10.5代线由于设备稳定性不足，使得辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性变差。具体地，在制作的过程中，由于衬底基板上与主隔垫物的站位对应的部位没有有源层及源漏电极金属层，在刻蚀时导致了栅绝缘层的损耗，进而影响了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离，进而导致了产品不良的情况的发生。
发明内容
本发明提供了一种显示面板的制备方法及一种显示面板，以此来解决辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性变差的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种显示面板的制备方法，包括：
在衬底基板上形成像素电路结构，形成像素电路结构包括：依次形成于所述衬底基板上栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏电极金属层；
在所述源漏电极金属层上涂覆光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，将所述光刻胶层中对应于所述源漏电极金属层上用于与辅隔垫物对应、且用于形成源漏电极之间沟道的部位进行部分去除，将所述光刻胶中对应于主隔垫物与辅隔垫物的站位之间的部分进行完全去除；
通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图，其中，所述有源层与所述主隔垫物的站位对应的部位保留，或者，所述有源层和所述源漏电极金属层与所述主隔垫物的站位对应的部位保留；
去除剩余的所述光刻胶层。
本发明提供的显示面板的制备方法，在制备的过程中，在对光刻胶层曝光显影时，保留了与主隔垫物的站位相对应的部位，进一步地，将像素电路结构中与主隔垫物的站位相对应的有源层或者有源层和源漏电极金属层保留，在对有源层和源漏电极金属层进一步进行构图工艺时，能够保证衬底基板上与主隔垫物的站位相对应的部位的栅绝缘层不被损耗过多，从而保证了辅隔垫物与阻挡层之间的距离，进一步地保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性。
因此，本发明提供的显示面板的制备方法，通过保留与主隔垫物的站位对应部分的有源层或有源层与源漏电极金属层，从而在后续的构图工艺中保证这部分的栅绝缘层不被损耗，由此保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性，进一步保证了产品的质量。
优选地，通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图时，所述源漏电极金属层和有源层中，当与所述主隔垫物的站位对应的部位仅保留有所述有源层时：
对所述光刻胶层进行曝光显影时，还将所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上用于与所述主隔垫物对应的部位部分去除；
所述后续构图工艺包括：
对所述源漏电极金属层以及有源层对应于所述主隔垫物和所述辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
对所述光刻胶层进行灰化处理，以去除所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上所述主隔垫物站位的部分、和对应于用于形成源漏电极之间沟道的部位进行完全去除；
对所述源漏电极金属层对应于所述主隔垫物站位的部分以及用于形成源漏电极之间沟道的部位进行刻蚀。
优选地，通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图时，所述源漏电极金属层和有源层中，当与所述主隔垫物的站位对应的部位同时保留有所述源漏电极金属层和有源层时：
对所述光刻胶层进行曝光显影时，全部保留所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上用于与所述主隔垫物的站位对应的部分；
所述后续构图工艺包括：
对所述源漏电极金属层以及有源层对应于所述主隔垫物和所述辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
对所述光刻胶层进行灰化处理，将所述光刻胶层中对应于所述源漏电极金属层用于形成源漏电极之间沟道的部位进行完全去除；
对所述源漏电极金属层上对应于所述辅隔垫物的站位的部分通过刻蚀以形成所述沟道。
优选地，对所述有源层和所述源漏电极金属层进行刻蚀时，采用干法刻蚀。
优选地，对所述有源层和所述源漏电极金属层进行刻蚀时，采用离子刻蚀。
本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板和像素电路结构，所述像素电路结构包括依次形成的：栅线层、栅绝缘层以及有源层和源漏电极金属层；其中，所述衬底基板上对应于主隔垫物和辅隔垫物的站位的部位均形成有源漏电极金属层，所述源漏电极金属层上对应于所述辅隔垫物的站位的部位形成有源漏电极之间的沟道；或者，所述衬底基板上仅对应于辅隔垫物的站位的部位形成有源漏电极金属层，且所述源漏电极金属层上形成有源漏电极之间的沟道。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
图1为本发明提供的显示面板的制备方法的步骤图；
图2为本发明提供的显示面板的制备方法中与主隔垫物的站位对应的部位仅保留有有源层时的步骤图；
图3为本发明提供的显示面板的制备方法中与主隔垫物的站位对应的部位同时保留有源漏电极金属层和有源层时的步骤图；
图4为本发明提供的显示面板的结构示意图；
图5为本发明提供的显示面板的制备过程中的结构示意图。
图中：
1-衬底基板；2-栅极；3-栅绝缘层；4-有源层；5-源漏电极金属层；
6-沟道；7-光刻胶层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1和图5，本发明提供了一种显示面板的制备方法，包括：
S101：在衬底基板1上形成像素电路结构，形成像素电路结构包括：依次形成于衬底基板1上栅极2、栅绝缘层3、有源层4以及源漏电极金属层5；
S102：在源漏电极金属层5上涂覆光刻胶层7；
S103：对光刻胶层7进行曝光显影，将光刻胶层7中对应于源漏电极金属层5上用于与辅隔垫物对应、且用于形成源漏电极之间沟道6的部位进行部分去除，将光刻胶中对应于主隔垫物与辅隔垫物的站位之间的部分进行完全去除；
S104：通过后续构图对源漏电极金属层5以及有源层4进行构图，其中，有源层4与主隔垫物的站位对应的部位保留，或者，有源层4和源漏电极金属层5与主隔垫物的站位对应的部位保留；
S105：去除剩余的光刻胶层7。
本发明提供的显示面板的制备方法，在制备的过程中，在对光刻胶层7曝光显影时，保留了与主隔垫物的站位相对应的部位，进一步地，将像素电路结构中与主隔垫物的站位相对应的有源层4或者有源层4和源漏电极金属层5保留，在对有源层4和源漏电极金属层5进一步进行构图工艺时，能够保证衬底基板1上与主隔垫物的站位相对应的部位的栅绝缘层3不被损耗过多，从而保证了辅隔垫物与阻挡层之间的距离，进一步地保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性。
因此，本发明提供的显示面板的制备方法，通过保留与主隔垫物的站位对应部分的有源层4或有源层4与源漏电极金属层5，从而在后续的构图工艺中保证这部分的栅绝缘层3不被损耗，由此保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性，进一步保证了产品的质量。
具体地，在实施的过程中，通过后续构图对源漏电极金属层5以及有源层4进行构图时，源漏电极金属层5和有源层4中，与主隔垫物的站位相对应的部位可以仅保留有源层4，也可以保留有源层4和源漏电极金属层5。
参见图2，当与主隔垫物的站位对应的部位仅保留有有源层4时，可通过以下方法：
对光刻胶层7进行曝光显影时，还将光刻胶层7对应于源漏电极金属层5上用于与主隔垫物对应的部位部分去除；
后续构图工艺包括：
S201：对源漏电极金属层5以及有源层4对应于主隔垫物和辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
S202：对光刻胶层7进行灰化处理，以去除光刻胶层7对应于源漏电极金属层5上主隔垫物站位的部分、和对应于用于形成源漏电极之间沟道6的部位进行完全去除；
S203：对源漏电极金属层5对应于主隔垫物站位的部分以及用于形成源漏电极之间沟道6的部位进行刻蚀。
在对光刻胶层7进行曝光显影时，在主隔垫物对应的部位去部分去除，以此在之后的工艺中对源漏电极金属层5进行刻蚀时，能够不影响到有源层4，进而保证了这部分的栅绝缘层3不被损耗。
参见图3，当与主隔垫物的站位对应的部位同时保留有源漏电极金属层5和有源层4时：
对光刻胶层7进行曝光显影时，全部保留光刻胶层7对应于源漏电极金属层5上用于与主隔垫物的站位对应的部分；
后续构图工艺包括：
S301：对源漏电极金属层5以及有源层4对应于主隔垫物和辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
S302：对光刻胶层7进行灰化处理，将光刻胶层7中对应于源漏电极金属层5用于形成源漏电极之间沟道6的部位进行完全去除；
S303：对源漏电极金属层5上对应于辅隔垫物的站位的部分通过刻蚀以形成沟道6。
在对光刻胶层7进行曝光显影时，保留主隔垫物对应的部位，以此在之后的工艺中对源漏电极金属层5进行刻蚀时，能够不影响到有源层4和源漏电极金属层5，进而保证了这部分的栅绝缘层3不被损耗。
具体地，对有源层4和源漏电极金属层5进行刻蚀时，采用干法刻蚀，由于干法刻蚀对温度的要求不那么敏感，工艺重复性好，有一定的各向异性，且产生较少的化学废物，能够保证较高的刻蚀质量。
进一步地，对有源层4和源漏电极金属层5进行刻蚀时，采用离子刻蚀，能够比较好控制刻蚀的深度，进一步保证产品质量。
基于同一发明思路，如图4所示，本发明还提供了一种显示面板，包括：衬底基板1和像素电路结构，像素电路结构包括依次形成的：栅线层、栅绝缘层3以及有源层4和源漏电极金属层5；其中，衬底基板1上对应于主隔垫物和辅隔垫物的站位的部位均形成有源漏电极金属层5，源漏电极金属层5上对应于辅隔垫物的站位的部位形成有源漏电极之间的沟道6；或者，衬底基板1上仅对应于辅隔垫物的站位的部位形成有源漏电极金属层5，且源漏电极金属层5上形成有源漏电极之间的沟道6。
本发明提供的显示面板，由于在主隔垫物的站位处保留了有源层4，位于有源层4下面的栅绝缘层3在制备的过程中不会因为刻蚀工艺而导致损耗过多，从而保证了辅隔垫物与薄膜晶体管之间的距离均一性，进而保证了产品的质量。
同时地，本发明还提供了一种显示装置，包括了本发明提供的显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (3)
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成像素电路结构，形成像素电路结构包括：依次形成于所述衬底基板上栅极、栅绝缘层、有源层以及源漏电极金属层；
在所述源漏电极金属层上涂覆光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光显影，将所述光刻胶层中对应于所述源漏电极金属层上用于与辅隔垫物对应、且用于形成源漏电极之间沟道的部位进行部分去除，将所述光刻胶中对应于主隔垫物与辅隔垫物的站位之间的部分进行完全去除；
通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图，其中，所述有源层与所述主隔垫物的站位对应的部位保留，或者，所述有源层和所述源漏电极金属层与所述主隔垫物的站位对应的部位保留；
去除剩余的所述光刻胶层；
通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图时，所述源漏电极金属层和有源层中，当与所述主隔垫物的站位对应的部位仅保留有所述有源层时：
对所述光刻胶层进行曝光显影时，还将所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上用于与所述主隔垫物对应的部位部分去除；
所述后续构图工艺包括：
对所述源漏电极金属层以及有源层对应于所述主隔垫物和所述辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
对所述光刻胶层进行灰化处理，以去除所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上所述主隔垫物站位的部分、和对应于用于形成源漏电极之间沟道的部位进行完全去除；
对所述源漏电极金属层对应于所述主隔垫物站位的部分以及用于形成源漏电极之间沟道的部位进行刻蚀；
通过后续构图对所述源漏电极金属层以及有源层进行构图时，所述源漏电极金属层和有源层中，当与所述主隔垫物的站位对应的部位同时保留有所述源漏电极金属层和有源层时：
对所述光刻胶层进行曝光显影时，全部保留所述光刻胶层对应于所述源漏电极金属层上用于与所述主隔垫物的站位对应的部分；
所述后续构图工艺包括：
对所述源漏电极金属层以及有源层对应于所述主隔垫物和所述辅隔垫物的站位之间的部分进行刻蚀；
对所述光刻胶层进行灰化处理，将所述光刻胶层中对应于所述源漏电极金属层用于形成源漏电极之间沟道的部位进行完全去除；
对所述源漏电极金属层上对应于所述辅隔垫物的站位的部分通过刻蚀以形成所述沟道。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，对所述有源层和所述源漏电极金属层进行刻蚀时，采用干法刻蚀。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，对所述有源层和所述源漏电极金属层进行刻蚀时，采用离子刻蚀。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206441728U (zh) * | 2017-02-15 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| CN108535909A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Bps型阵列基板的制作方法及bps型阵列基板 |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR20080034545A (ko) * | 2006-10-17 | 2008-04-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20140147299A (ko) * | 2013-06-19 | 2014-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 곡면형 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN105137665A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN206975366U (zh) * | 2017-07-11 | 2018-02-06 | 昆山龙腾光电有限公司 | 显示装置 |
-
2019
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN206441728U (zh) * | 2017-02-15 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| CN108535909A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Bps型阵列基板的制作方法及bps型阵列基板 |
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