CN109890192A - 一种电磁屏蔽罩 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及电磁干扰的屏蔽,尤其涉及一种电磁屏蔽罩。本申请电磁屏蔽罩,其接收光一面上开设有窗口,窗口上盖有镀膜的透明基片,所述的镀膜包括滤光膜层、导电屏蔽膜层,滤光膜层、导电屏蔽膜层镀在同一透明基片上或单独设置在两片透明基片上,再合为一体。本申请通过在屏蔽罩接收光一面上开设窗口,窗口上盖有镀膜的透明基片,反射光经过透明基片进入光电器件,使光电器件接收到足够强度的反射光,同时镀膜的透明基片也具有屏蔽效果,能够满足屏蔽要求。相比于传统屏蔽方式,该方式以镀膜的透明基片代替光路中的金属网状结构,形成完整封闭腔体,能拥有更好的屏蔽效果,且减小信号光的衰减率。
Description
技术领域
本发明申请涉及电磁干扰(EMI)的屏蔽,尤其涉及一种电磁屏蔽罩。
背景技术
光电器件是光学雷达的重要组件,用于接收光信号并将光信号转换为可处理的电信号。这些接收器件通常具有灵敏的响应阈值和响应速度,因而极易受环境因素干扰,其中环境光和电磁干扰是影响接收器件性能的重要因素。
为解决上述问题,本领域技术人员通常同时使用滤光片和屏蔽罩,如图1所示,用滤光片10降低环境光带来的干扰,用电磁屏蔽罩降低电磁干扰,屏蔽罩9一般具有金属网格8,用于通过光,确保雷达在复杂环境下的测量性能的同时保证光的通过。但同时采用滤光片、屏蔽罩会带来复杂的装配工艺和较大的信号光衰减。为了减小信号光衰减率,就必须在屏蔽效果和光衰中进行合理的让步,调整屏蔽罩网格结构的目数,很可能出现电磁屏蔽效果一般且光衰仍较严重的现象。同时,屏蔽罩的加工工艺也会带来光衰和屏蔽性能的一致性问题,带来样机差异,提高不良率概率。
发明内容
本申请实施例在于提出一种电磁屏蔽罩,解决现有屏蔽罩不能同时满足光学元件的透光率和屏蔽效果的问题。
为达此目的,本发明申请实施例采用以下技术方案:
一方面,一种电磁屏蔽罩,其接收光一面上开设有窗口,窗口上盖有镀膜的透明基片,所述的镀膜包括滤光膜层、导电屏蔽膜层,滤光膜层、导电屏蔽膜层镀在同一透明基片上或单独设置在两片透明基片上,再合为一体。
在一种可能的实现方式中,所述的透明基片为玻璃基片或透明树脂基片,其单面或双面镀滤光膜层。
在一种可能的实现方式中,所述的透明基片在单面镀有滤光膜层时,所述的导电屏蔽膜层复合在透明基片未镀滤光膜层一侧或单独设置在另一透明基片上。
在一种可能的实现方式中,所述的透明基片在双面镀有滤光膜层时,所述的导电屏蔽膜层复合在透明基片任一侧或单独设置在另一透明基片上。
在一种可能的实现方式中,所述的滤光膜层、导电屏蔽膜单独设置在两片透明基片上时,两片透明基片通过胶粘层粘接。
在一种可能的实现方式中,所述的导电屏蔽膜层为导电氧化材料薄膜层,所述的导电氧化材料为氧化锌、掺氟二氧化锡或氧化铟锡。
在一种可能的实现方式中,所述导电屏蔽膜层的可见光透过率为80-95%,红外光透过率60-80%,导电方阻3-10Ω。
在一种可能的实现方式中,所述导电屏蔽膜层的可见光透过率为90-95%,红外光透过率70-80%,导电方阻3-5Ω。
在一种可能的实现方式中,所述的滤光膜层带宽范围为雷达信号光波长范围,所述的透明基片厚度为0.3-10mm。
在一种可能的实现方式中,所述的镀膜的透明基片与屏蔽罩窗口之间通过螺接或卡接或粘接在一起。
本申请实施例通过在屏蔽罩接收光一面上开设窗口,窗口上盖有镀膜的透明基片,反射光经过透明基片进入光电器件,使光电器件接收到足够强度的反射光,同时镀膜的透明基片也具有屏蔽效果,能够满足屏蔽要求。相比于传统屏蔽方式,该方式以镀膜的透明基片代替光路中的金属网状结构,形成完整封闭腔体,能拥有更好的屏蔽效果,且减小信号光的衰减率。
附图说明
图1是背景技术示意图。
图2是本申请加装镀膜的透明基片后的屏蔽罩示意图。
图3是单面镀滤光膜的透明基片的一种结构示意图。
图4是双面镀滤光膜的透明基片的一种结构示意图。
图5是双面镀滤光膜的透明基片的另一种结构示意图。
图中:
1、透明基片;2、滤光膜层;3、导电屏蔽膜层;4、窗口;5、光电器件;6、导电粘合层;7、胶合层;8、金属网格;9、屏蔽罩;10、滤光片。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本申请的技术方案。
需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施例。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
如图2所示,一种电磁屏蔽罩,其接收光一面上开设有窗口4,窗口4上盖有镀膜的透明基片1,所述的镀膜包括滤光膜层2、导电屏蔽膜层3,滤光膜层2、导电屏蔽膜层3镀在同一透明基片1上或单独设置在两片透明基片1上,再合为一体。其中,倒掉屏蔽膜层的厚度为几十到几百纳米。
屏蔽罩9的其它面板为金属薄板或复合有屏蔽层的非金属薄板。
通过在屏蔽罩9接收光一面上开设窗口4,窗口4上盖有镀膜的透明基片1,激光反射光可以通过镀膜的透明基片1,使光电器件5接收到足够强度的反射光,同时镀膜的透明基片1也具有屏蔽效果,能够满足屏蔽要求。
相比于传统屏蔽方式,本申请以镀膜的透明基片1代替光路中的金属网状结构,形成完整封闭腔体。采用传统的金属网格屏蔽效果为100%,光衰为40-50%;减少网格格数,光衰为20-25%,但是屏蔽效果下降到50-75%;采用本申请方案,屏蔽效果为100%,光衰为40-50%,在保证屏蔽效果的同时,减小信号光的衰减率。
所述的透明基片1为玻璃基片或透明树脂基片,其单面或双面镀滤光膜层2。
如图2中所示,所述的透明基片1在单面镀有滤光膜层2时,所述的导电屏蔽膜层3复合在透明基片1未镀滤光膜层一侧。
如图3所示,所述的透明基片1在单面镀有滤光膜层2时,所述的导电屏蔽膜层3也可单独设置在另一透明基片1上,两个透明基片1之间通过胶粘层7结合为一体。
在镀有滤光膜层2的透明基片1另一面上镀导电屏蔽膜层3,因为导电屏蔽层3是高温下镀膜,对透明基片1的材质有要求,透明基片1需选用玻璃基片。导电屏蔽膜层3单独设置在另一透明基片1上时,两个透明基片1材质可以分别选择玻璃基片、透明树脂基片。
如图4所示,所述的透明基片1在双面镀有滤光膜层2时,所述的导电屏蔽膜层3复合在透明基片1任一侧。
如图5所示,所述的透明基片1在双面镀有滤光膜层2时,导电屏蔽膜层3也可单独设置在另一透明基片1上,两个透明基片1之间通过胶粘层7结合为一体。
同样因为导电屏蔽层3是高温下镀膜,当导电屏蔽层3与滤光膜层2镀在同一透明基片1上时,透明基片1需选用玻璃基片。导电屏蔽膜层3单独设置在另一透明基片1上时,两个透明基片1材质可以分别选择玻璃基片、透明树脂基片。
考虑到导电屏蔽膜3厚度同样是波长级,可能影响到双面镀膜的透明基片1的滤光性能,如图5所示,单独在透明基片1上单面镀导电屏蔽膜3,再将双面镀膜滤波片与透明基片1胶合后使用,性能稳定,加工方便。
所述的导电屏蔽膜3为导电氧化材料膜层,所述的导电氧化材料为氧化锌、掺氟二氧化锡或氧化铟锡。
上述两种材料为常见的屏蔽材料,具有良好的屏蔽性能。
所述导电屏蔽膜3的可见光透过率为80-95%,红外光透过率60-80%,导电方阻3-10Ω。
所述导电屏蔽膜层3的可见光透过率为90-95%,红外光透过率70-80%,导电方阻3-5Ω。
导电方阻10Ω以上,并不能保证100%屏蔽效果,且光透过率会降低。因而选择10Ω以下。在这一方阻数值范围内,导电屏蔽膜层3的镀膜可以保证透过率参数满足应用要求。
所述的滤光膜层2的带宽范围为雷达信号光波长范围,所述的透明基片1的厚度为0.3-10mm。
透明基片1的厚度太薄容易碎,太厚太重,采取背胶粘贴可能脱落不抗震,因此选取就是0.3-10mm。
所述的镀膜的透明基片1与屏蔽罩窗口4之间通过螺接或卡接或粘接在一起。
透明基片1与屏蔽罩窗口4之间通过导电粘合层7粘接在一起时,导电粘合层7选用导电胶水或导电背胶,导电粘合层7为导电胶水时,使用液体导电胶水,在固定复合镀膜玻璃1时进行点胶和固化操作,实现玻片与屏蔽壳的导电接触和固定。
导电粘合层7为导电背胶时,可直接使用固态导电背胶,直接粘贴固定并实现玻片与屏蔽壳的导电接触,使用导电背胶可提高装配效率,节省固化时间。
螺接或卡接对透明基片1的强度有要求,一般选用透明树脂基片。
以上结合具体实施例描述了本申请的技术原理。这些描述只是为了解释本申请的原理,而不能以任何方式解释为对本申请保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本申请的其它具体实施方式,这些方式都将落入本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电磁屏蔽罩,其特征在于,其接收光一面上开设有窗口,窗口上盖有镀膜的透明基片,所述的镀膜包括滤光膜层、导电屏蔽膜层,滤光膜层、导电屏蔽膜层镀在同一透明基片上或单独设置在两片透明基片上,再合为一体。
2.根据权利要求1所述的一种电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的透明基片为玻璃基片或透明树脂基片,其单面或双面镀滤光膜层。
3.根据权利要求2所述的电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的透明基片在单面镀有滤光膜层时,所述的导电屏蔽膜层复合在透明基片未镀滤光膜层一侧或单独设置在另一透明基片上。
4.根据权利要求2所述的电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的透明基片在双面镀有滤光膜层时,所述的导电屏蔽膜层复合在透明基片任一侧或单独设置在另一透明基片上。
5.根据权利要求2或3所述的电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的滤光膜层、导电屏蔽膜单独设置在两片透明基片上时,两片透明基片通过胶粘层粘接。
6.根据权利要求1-4任一所述的电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的导电屏蔽膜层为导电氧化材料薄膜层,所述的导电氧化材料为氧化锌、掺氟二氧化锡或氧化铟锡。
7.根据权利要求6所述的一种电磁屏蔽罩,其特征在于,所述导电屏蔽膜层的可见光透过率为80-95%,红外光透过率60-80%,导电方阻3-10Ω。
8.根据权利要求7所述的一种电磁屏蔽罩,其特征在于,所述导电屏蔽膜层的可见光透过率为90-95%,红外光透过率70-80%,导电方阻3-5Ω。
9.根据权利要求8所述的一种电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的滤光膜层带宽范围为雷达信号光波长范围,所述的透明基片厚度为0.3-10mm。
10.根据权利要求9所述的电磁屏蔽罩,其特征在于,所述的镀膜的透明基片与屏蔽罩窗口之间通过螺接或卡接或粘接在一起。
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