CN216303708U - 一种磁控溅射Low-E膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种磁控溅射Low‑E膜，涉及膜材料领域。本实用新型包括基膜层、剥离层、防刮层，通过剥离层剥离后由安装胶层与玻璃表面相贴进行贴膜；基膜层与复合胶之间依次设置有热反射镀膜层、Low‑E镀膜层；Low‑E镀膜层采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；热反射镀膜层采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射Low‑E膜。本实用新型独立于玻璃单独存在，相对于现有的Low‑E玻璃更方便实用，能够根据实际具体场景具体进行选择和粘贴，在无需贴膜的时候，能够通过撕去磁控溅射Low‑E膜的方式露出原本的玻璃，并可进行更换其它的膜。

Description

一种磁控溅射Low-E膜

技术领域

本实用新型属于膜材料领域，特别是涉及一种磁控溅射Low-E膜。

背景技术

热反射膜，又称为阳光控制镀膜，薄膜的主要功能是能够按照所需比例，有效控制太阳直接辐射能红外线780-2300nm近红外光的入射量，具有能够对室内和建筑结构体的遮蔽作用，较理想的可见光穿透率和反射率，减弱紫外光的透过性等优良特征，遮阳系数低，隔热好，传热系数高，保温性能差。

低辐射镀膜又称为Low-E膜，Low-E薄膜具有极低的辐射率，能够对波长大于2500nm的远红外线具有极高的反射率，因此具有极为优良的保温性能，遮阳系数高，隔热差，传热系数低，保温性能好。

现有均采用的是直接在玻璃表面进行镀膜，形成镀膜玻璃，而不是提供一种可便捷式粘贴的膜材料，使适应各种不同玻璃的性能变化需求。因此，针对以上问题，本实用新型提供了一种磁控溅射Low-E膜使能够满足玻璃表面在不使用Low-E玻璃的情况下通过贴膜的形式实现高透、遮阳和双银Low-E 性能的要求。

实用新型内容

本实用新型提供了一种磁控溅射Low-E膜，解决了以上问题。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型的一种磁控溅射Low-E膜，包括基膜层、设置于基膜层一侧且通过安装胶层相连的剥离层、设置于基膜层另一侧且通过复合胶相连的防刮层，通过剥离层剥离后由安装胶层与玻璃表面相贴进行贴膜；

所述基膜层与复合胶之间依次设置有热反射镀膜层、Low-E镀膜层；所述Low-E镀膜层采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；所述热反射镀膜层采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；

由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射 Low-E膜。

进一步地，所述Low-E镀膜层包括OPP膜层以及镀银层，所述OPP膜层与热反射镀膜层之间通过复合胶热压复合；所述镀银层的厚度在5-20nm之间，所述OPP膜层的厚度在25-80μm。

进一步地，所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度20-30nm，第二层为氧化镍铬：厚度10-15nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度15-25nm，第五层为氮化硅：厚度30-40nm；此时，所述基膜层采用高透型的PET高清膜，厚度为20-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层采用高透型OPP高清膜，厚度为20-50μm。

进一步地，所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度30-60nm，第二层为氧化镍铬：厚度20-35nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度10-20nm，第五层为氮化硅：厚度50-80nm；此时，所述基膜层采用磨砂型PET膜，厚度为30-85μm；所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层采用采用磨砂型OPP膜，厚度为为30-60μm。

进一步地，所述双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度10-25nm，第二层为银层：厚度为15-20nm，第三层为氧化镍铬：厚度15-25nm，第四层为氧化钛：厚度 15-25nm，第五层为银层：厚度为15-25nm；第六层为氮化硅：厚度35-60nm；此时，所述基膜层采用高透型或磨砂型的PET高清膜，厚度为25-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层采用高透型或磨砂型的OPP高清膜，厚度为25-60μm。

进一步地，所述防刮层采用PET防刮膜，厚度为20-50μm。

进一步地，所述复合胶采用UV感压胶，厚度为5-10μm。

进一步地，所述安装胶层采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，厚度为 5-10μm。

进一步地，所述剥离层采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，所述剥离层的厚度为5-20μm。

本实用新型相对于现有技术包括有以下有益效果：

本实用新型提供的一种磁控溅射Low-E膜采用多层复合、带防刮层、粘接层的结构，独立于玻璃单独存在，能够根据需要将其贴于对应的玻璃表面获得更好的高遮阳性、低辐射透过性或者高可见光透过性及低太阳能透过率的优点，相对于现有的Low-E玻璃更方便实用，能够根据实际具体场景具体进行选择和粘贴，在无需贴膜的时候，能够通过撕去磁控溅射Low-E膜的方式露出原本的玻璃，并可进行更换其它的膜，便捷高效。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的一种磁控溅射Low-E膜的层结构示意图；

图2为本实用新型实施例中基于高透型的磁控溅射Low-E膜以及遮阳型的磁控溅射Low-E膜所对应的热反射镀膜层复合面的层结构示意图；

图3为本实用新型实施例中基于双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜所对应的热反射镀膜层复合面的层结构示意图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1-基膜层，2-热反射镀膜层，3-Low-E镀膜层，31-OPP膜层，32-镀银层， 4-复合胶，5-防刮层，6-安装胶层，7-剥离层，8-玻璃。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“一侧”、“另一侧”、“表面”、“由内至外”等指示方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的组件或元件必须具有特定的方位，以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

具体实施例1：

请参阅图1和图2所示，本实用新型具体实施例的一种磁控溅射Low-E 膜，包括基膜层1、设置于基膜层1一侧且通过安装胶层6相连的剥离层7、设置于基膜层1另一侧且通过复合胶4相连的防刮层5，通过剥离层7剥离后由安装胶层6与玻璃8表面相贴进行贴膜；

基膜层1与复合胶4之间依次设置有热反射镀膜层2、Low-E镀膜层3； Low-E镀膜层3采用一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；热反射镀膜层2采用磁控溅射的方法镀五层金属化合物薄膜；本具体实施例中，由各层相互复合形成具有高透型的磁控溅射Low-E膜。

其中，Low-E镀膜层3包括OPP膜层31以及镀银层32，OPP膜层31与热反射镀膜层2之间通过复合胶4热压复合；镀银层32的厚度为10nm，OPP 膜层31的厚度为50μm。

其中，高透型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层2的复合面由内至外依次为：

第一层为氧化锌：厚度26nm，为电介质层，使用氧化锌靶，采用双阴极中频溅射的方式，在工艺气体氧气和氩气的参与下，在基膜层1表面沉积成膜，溅射功率为45-75kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第二层为氧化镍铬：厚度13nm，作为阻挡层，能够有效阻挡电介质层游离氧原子侵蚀，使用镍铬靶，采用阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在氧化锌电介质层成膜，溅射功率为3-8kw，真空溅射气压为 5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第三层为银：厚度12nm，为辐射吸收层，使用银靶，采用平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在阻挡层表面沉积成膜，溅射功率为10-25kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第四层为氧化钛：厚度18nm，为透光增强层，采用氧化钛靶，双阴极中频溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在辐射吸收层表面沉积成膜，溅射功率为5-12kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第五层为氮化硅：厚度35nm，为顶部阻挡层，能够更好地降低膜层的反射率和透过率，采用氮化硅靶，平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在透光增强层表面沉积成膜，溅射功率为15-30kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

此时，基膜层1采用高透型的PET高清膜，厚度为48μm；高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层31采用高透型OPP高清膜，厚度为38μm。

其中，防刮层5采用PET防刮膜，厚度为35μm。

其中，复合胶4采用UV感压胶，厚度为8μm。

其中，安装胶层6采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，本具体实施例选用弹性体型压敏胶，厚度为7μm。

其中，剥离层7采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，本具体实施例剥离层7采用PP离型膜，剥离层7的厚度为16 μm。

具体实施例2：

请参阅图1和图2所示，本实用新型具体实施例的一种磁控溅射Low-E 膜相对于具体实施例1的区别在于：

Low-E镀膜层3采用两层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；热反射镀膜层2采用磁控溅射的方法镀五层金属化合物薄膜；本具体实施例中，由各层相互复合形成具有遮阳型的磁控溅射Low-E膜。

其中，Low-E镀膜层3包括OPP膜层31以及位于OPP膜层31两侧的两层镀银层32，OPP膜层31与热反射镀膜层2之间通过复合胶4热压复合；镀银层32的厚度为15nm，OPP膜层31的厚度为60μm。

其中，遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层2的复合面由内至外依次为：

第一层为氧化锌：厚度50nm，为电介质层，使用氧化锌靶，采用双阴极中频溅射的方式，在工艺气体氧气和氩气的参与下，在基膜层1表面沉积成膜，溅射功率为45-75kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第二层为氧化镍铬：厚度30nm，作为阻挡层，能够有效阻挡电介质层游离氧原子侵蚀，使用镍铬靶，采用阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在氧化锌电介质层成膜，溅射功率为3-8kw，真空溅射气压为 5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第三层为银：厚度12nm，为辐射吸收层，使用银靶，采用平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在阻挡层表面沉积成膜，溅射功率为10-25kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第四层为氧化钛：厚度16nm，为透光增强层，采用氧化钛靶，双阴极中频溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在辐射吸收层表面沉积成膜，溅射功率为5-12kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第五层为氮化硅：厚度65nm，为顶部阻挡层，能够更好地降低膜层的反射率和透过率，采用氮化硅靶，平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在透光增强层表面沉积成膜，溅射功率为15-30kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

此时，基膜层1采用磨砂型PET膜，厚度为78μm，能够很好的对光透过率进行阻挡；遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层31采用采用磨砂型OPP膜，厚度为为48μm，能够进一步对光透进行阻挡。

其中，防刮层5采用PET防刮膜，厚度为28μm。

其中，复合胶4采用UV感压胶，厚度为6μm。

其中，安装胶层6采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，本具体实施例采用树脂型压敏漆，厚度为7μm。

其中，剥离层7采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，本具体实施例采用PET剥离膜，剥离层7的厚度为16μm。

具体实施例3：

请参阅图1和图3所示，本实用新型具体实施例的一种磁控溅射Low-E 膜，相对于具体实施例1的区别在于，本具体实施例中，由各层相互复合形成具有双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜。

其中，Low-E镀膜层3包括OPP膜层31以及镀银层32，OPP膜层31与热反射镀膜层2之间通过复合胶4热压复合；镀银层32的厚度为17nm之间， OPP膜层31的厚度为68μm。

其中，双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层2的复合面由内至外依次为：

第一层为氧化锌：厚度18nm，为电介质层，使用氧化锌靶，采用双阴极中频溅射的方式，在工艺气体氧气和氩气的参与下，在基膜层1表面沉积成膜，溅射功率为20-30kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第二层为银层：厚度为17nm，为初级辐射吸收层，使用银靶，采用平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在电介质层沉积成膜，溅射功率为10-25kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第三层为氧化镍铬：厚度23nm，作为初级阻挡层，能够有效阻挡电介质层游离氧原子侵蚀，使用镍铬靶，采用阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在初级辐射吸收层成膜，溅射功率为15-25kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第四层为氧化钛：厚度18nm，为透光增强级阻挡层，采用氧化钛靶，双阴极中频溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在初级阻挡层表面沉积成膜，溅射功率为5-12kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第五层为银：厚度19nm，为辐射加强吸收层，使用银靶，采用平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在透光增强级阻挡层表面沉积成膜，溅射功率为18-30kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar；

第六层为氮化硅：厚度35nm，为顶部阻挡层，能够更好地降低膜层的反射率和透过率，采用氮化硅靶，平面阴极直流磁控溅射方式，在工艺气体氩气参与下，在辐射加强吸收层表面沉积成膜，溅射功率为22-38kw，真空溅射气压为5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。

此时，基膜层1采用高透型或磨砂型的PET高清膜，本优选实施例厚度为46μm；高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层31采用高透型或磨砂型的OPP高清膜，本优选实施例优选为高透型OPP高清膜，厚度为43μm。

其中，防刮层5采用PET防刮膜，厚度为33μm。

其中，复合胶4采用UV感压胶，厚度为7μm。

其中，安装胶层6采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，本具体实施例中采用树脂型压敏胶，厚度为8μm。

其中，剥离层7采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，本具体实施例中采用TPX剥离膜，剥离层7的厚度为18μm。

将上述三种实施例的磁控溅射Low-E膜撕去剥离层7后分别粘贴于厚度为5mm的普通透明玻璃板上，分别形成实验例1、实验例2、实验例3，单独的该透明玻璃板作为比对例，按照中国JGJ151标准进行测试，获得以下表1 对应的测试结果：

表1：三种实施例与比对例测试结果表

由上表可知，实验例1-3具有与比对例普通玻璃相差不多的透光率，遮阳系数均低于0.21，相对比对例大大降低，具有良好的隔热效果；相对于比对例的普通玻璃，均具有良好的反射率，能够减弱紫外光的透过性；热传系数均低于1.9，具有良好的保温性能；

有益效果：

本实用新型提供的一种磁控溅射Low-E膜采用多层复合、带防刮层、粘接层的结构，独立于玻璃单独存在，能够根据需要将其贴于对应的玻璃表面获得更好的高遮阳性、低辐射透过性或者高可见光透过性及低太阳能透过率的优点，相对于现有的Low-E玻璃更方便实用，能够根据实际具体场景具体进行选择和粘贴，在无需贴膜的时候，能够通过撕去磁控溅射Low-E膜的方式露出原本的玻璃，并可进行更换其它的膜，便捷高效。

以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (9)

1.一种磁控溅射Low-E膜，包括基膜层(1)、设置于基膜层(1)一侧且通过安装胶层(6)相连的剥离层(7)、设置于基膜层(1)另一侧且通过复合胶(4)相连的防刮层(5)，通过剥离层(7)剥离后由安装胶层(6)与玻璃(8)表面相贴进行贴膜，其特征在于：

所述基膜层(1)与复合胶(4)之间依次设置有热反射镀膜层(2)、Low-E镀膜层(3)；所述Low-E镀膜层(3)采用至少一层镀银的方式形成具有较低辐射率的膜层；所述热反射镀膜层(2)采用磁控溅射的方法镀至少一层金属化合物薄膜；

由各层相互复合形成具有高透型、遮阳型或双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述Low-E镀膜层(3)包括OPP膜层(31)以及镀银层(32)，所述OPP膜层(31)与热反射镀膜层(2)之间通过复合胶(4)热压复合；所述镀银层(32)的厚度在5-20nm之间，所述OPP膜层(31)的厚度在25-80μm。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度20-30nm，第二层为氧化镍铬：厚度10-15nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度15-25nm，第五层为氮化硅：厚度30-40nm；此时，所述基膜层(1)采用高透型的PET高清膜，厚度为20-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用高透型OPP高清膜，厚度为20-50μm。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度30-60nm，第二层为氧化镍铬：厚度20-35nm，第三层为银：厚度10-15nm，第四层为氧化钛：厚度10-20nm，第五层为氮化硅：厚度50-80nm；此时，所述基膜层(1)采用磨砂型PET膜，厚度为30-85μm；所述遮阳型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用磨砂型OPP膜，厚度为为30-60μm。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述双银低辐射型的磁控溅射Low-E膜对应的热反射镀膜层(2)的复合面由内至外依次为：第一层为氧化锌：厚度10-25nm，第二层为银层：厚度为15-20nm，第三层为氧化镍铬：厚度15-25nm，第四层为氧化钛：厚度15-25nm，第五层为银层：厚度为15-25nm；第六层为氮化硅：厚度35-60nm；此时，所述基膜层(1)采用高透型或磨砂型的PET高清膜，厚度为25-60μm；所述高透型的磁控溅射Low-E膜对应的OPP膜层(31)采用高透型或磨砂型的OPP高清膜，厚度为25-60μm。

6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述防刮层(5)采用PET防刮膜，厚度为20-50μm。

7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述复合胶(4)采用UV感压胶，厚度为5-10μm。

8.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述安装胶层(6)采用弹性体型压敏胶或树脂型压敏胶，厚度为5-10μm。

9.根据权利要求1所述的一种磁控溅射Low-E膜，其特征在于，所述剥离层(7)采用单硅PET剥离膜、TPX剥离膜、PP离型膜、哑光膜中任意一种，所述剥离层(7)的厚度为5-20μm。

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