CN109887870A

CN109887870A - 监测晶圆冷却温度的方法

Info

Publication number: CN109887870A
Application number: CN201910223165.8A
Authority: CN
Inventors: 黄家明
Original assignee: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Current assignee: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp
Priority date: 2019-03-22
Filing date: 2019-03-22
Publication date: 2019-06-14

Abstract

一种监测晶圆冷却温度的方法，包括：提供第一测试晶圆；在所述第一测试晶圆的表面形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层底部的第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行第一离子注入工艺的过程中，对第一测试晶圆进行冷却处理工艺；进行所述第一离子注入工艺后，采用光学法测试所述第一绝缘层的厚度，得到第一测试厚度，第一测试厚度随第一离子注入工艺时第一测试晶圆的温度的减小而增大。所述方法的监测精度较高且可操作性强。

Description

监测晶圆冷却温度的方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种监测晶圆冷却温度的方法。

背景技术

离子注入工艺是半导体制造领域普遍的一种工艺。离子注入工艺在离子注入机台中进行，所述离子注入机台包括离子注入腔室、位于离子注入腔室内的晶圆托盘和位于离子注入腔室内的离子发生装置。离子注入工艺包括：将晶圆放置于所述晶圆托盘上，离子发生装置发射离子至位于晶圆托盘上的晶圆中。

在进行离子注入工艺的过程中，离子与晶圆发生碰撞会产生热量。为了避免晶圆的温度过高，需要采用冷却系统对晶圆进行冷却降温。而随着工艺制程越来越先进，进行离子注入工艺时要求冷却系统对晶圆的温度控制能力较高，避免晶圆的温度波动过大。为了实现对晶圆的温度有效控制，需要准确获取离子注入工艺时晶圆的温度。

目前，离子注入工艺时晶圆温度的监测方法的精度较低，或者可操作性较低，这就会对晶圆的生产造成很大的风险。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种监测晶圆冷却温度的方法，以提高监测精度，且增强监测的可操作性。

为解决上述问题，本发明提供一种监测晶圆冷却温度的方法，包括：提供第一测试晶圆；在所述第一测试晶圆的表面形成第一绝缘层；对所述第一绝缘层底部的第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行第一离子注入工艺的过程中，对第一测试晶圆进行冷却处理工艺；进行所述第一离子注入工艺后，采用光学法测试所述第一绝缘层的厚度，得到第一测试厚度，第一测试厚度随第一离子注入工艺时第一测试晶圆的温度的减小而增大。

可选的，所述第一绝缘层的材料为氧化硅。

可选的，形成所述第一绝缘层的工艺为热氧化工艺。

可选的，所述第一绝缘层的材料为氮化硅。

可选的，形成所述第一绝缘层的工艺为沉积工艺。

可选的，在进行第一离子注入工艺之前，所述第一绝缘层的厚度为80埃～120埃。

可选的，所述第一离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入能量为100KeV～200KeV，注入剂量为1E15atom/cm²～1E16atom/cm²。

可选的，在进行第一离子注入工艺之后，采用椭圆偏振仪测试第一绝缘层的厚度，以获取第一测试厚度。

可选的，所述第一测试晶圆的数量为若干个；在各第一测试晶圆表面分别沉积第一绝缘层；逐个对所述若干第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行所述第一离子注入工艺的过程中，对所述第一测试晶圆进行冷却处理工艺；所述冷却处理工艺给不同的第一测试晶圆提供不同的冷却条件；分别获取各第一测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度；分别获取各第一测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度后，对所述若干的第一测试晶圆进行电学性能测试，从若干第一测试晶圆中获取满足工艺要求的若干目标测试晶圆；根据各目标测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度，建立上限厚度和下限厚度。

可选的，还包括：提供第二测试晶圆；在所述第二测试晶圆表面形成第二绝缘层，第二绝缘层与第一绝缘层的材料相同、厚度相同且形成工艺相同；对第二绝缘层底部的第二测试晶圆进行第二离子注入工艺，在进行第二离子注入工艺的过程中，对第二测试晶圆进行冷却处理，第二离子注入工艺的参数和第一离子注入工艺的参数相同；在进行第二离子注入工艺之后，采用光学法测试第二绝缘层的厚度，得到第二测试厚度；根据第二测试厚度分别与所述上限厚度和下限厚度之间的关系，判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度是否满足要求。

可选的，若第二测试厚度在所述上限厚度和所述下限厚度之间，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度满足要求；若第二测试厚度大于所述上限厚度或者小于所述下限厚度，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度不满足要求。

可选的，还包括：提供离子注入机台，所述离子注入机台包括离子注入腔室、晶圆托盘以及冷却系统，所述晶圆托盘位于离子注入腔室中，所述晶圆托盘内部具有第一冷却管，冷却系统用于将冷却液导入所述第一冷却管中；在进行所述第一离子注入工艺之前，将所述第一测试晶圆放置于所述晶圆托盘的表面，并启动所述冷却系统；进行第一离子注入工艺之后，且在测试所述第一绝缘层的厚度之前，将所述第一测试晶圆从所述离子注入机台中取出。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案提供的监测晶圆冷却温度的方法中，第一离子注入工艺会对第一测试晶圆产生一定的注入损伤，使得靠近第一绝缘层底部表面的区域的晶格排布错位。在进行第一离子注入工艺时，第一测试晶圆的温度受到所述冷却处理工艺的影响，所述冷却处理工艺对第一测试晶圆的冷却程度越小，则第一测试晶圆的温度越高。在进行第一离子注入工艺时，第一测试晶圆的温度越高，第一绝缘层底部区域的晶格修复程度越高，那么第一绝缘层底部的晶格损伤区就越薄，反之，在进行第一离子注入工艺时，第一测试晶圆的温度越低，第一绝缘层底部区域的晶格修复程度越低，那么第一绝缘层底部的晶格损伤区就越厚。而第一绝缘层底部的晶格损伤区的厚度会影响第一绝缘层的第一测试厚度，具体的，第一绝缘层底部的晶格损伤区越厚，则第一测试厚度越大，第一绝缘层底部的晶格损伤区越薄，则第一测试厚度越小。这样第一绝缘层的第一测试厚度能用于表征第一离子注入工艺时第一测试晶圆的温度。所述监测方法的监测精度较高且可操作性强。

附图说明

图1是本发明一实施例中监测晶圆冷却温度过程的流程图；

图2至图6是本发明一实施例中监测晶圆冷却温度过程的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，离子注入工艺时晶圆温度的监测方法的精度较低，或者可操作性较低。

离子注入工艺在离子注入机台中进行，所述离子注入机台包括离子注入腔室、位于离子注入腔室内的晶圆托盘、位于离子注入腔室内的离子发生装置和冷却系统，晶圆托盘内部具有冷却管。所述冷却系统包括位于离子注入腔室外部的冷却液存储箱，冷却液存储箱中的冷却液用于导入晶圆托盘内部的冷却管。离子注入工艺包括：将晶圆放置于所述晶圆托盘上，离子发生装置发射离子至位于晶圆托盘上的晶圆中。由于晶圆托盘与晶圆是接触的，因此冷却系统对晶圆托盘冷却的过程中，晶圆托盘可以将晶圆中的热量排走，以起到对晶圆的冷却作用。

为了实现对晶圆的温度有效控制，需要准确监测离子注入工艺时晶圆的温度信息。

一种对离子注入工艺时晶圆温度的监测方法是：采用温度传感器检测冷却液存储箱内冷却液的温度，以表征离子注入工艺时晶圆温度。然而，一方面，冷却液存储箱内冷却液的温度和托盘内部冷却管的出口端的温度有一定的差别，另一方面，若晶圆托盘和晶圆的导热出现问题时，会使冷却管的出口端的温度和晶圆的温度有较大的差别，因此，冷却液存储箱内冷却液的温度不能精确的表征离子注入工艺时晶圆的温度。

另一种对离子注入工艺时晶圆温度的监测方法是：将温度传感器放置于冷却管内部靠近出口端的区域，采用温度传感器检测冷却管的出口端的温度，以表征离子注入工艺时晶圆温度。然而，这样的可操作性较差，具体表现在：一方面，温度传感器容易对冷却管中冷却液的流动造成堵塞，容易引发冷却管崩裂；另一方面，温度传感器需要通过线路与外部电源进行电学连接，线路需要从离子注入腔室内引出，而离子注入机台在正常工作时需要保证真空环境，因此需要对线路与离子注入腔室接触的地方进行真空隔离，这些对离子注入机台结构的改变容易导致离子注入机台的密封性能变差。

为了解决上述问题，本发明提供一种监测晶圆冷却温度的方法，请参考图1，包括以下步骤：

步骤S01:提供第一测试晶圆；

步骤S02:在所述第一测试晶圆的表面形成第一绝缘层；

步骤S03:对所述第一绝缘层底部的第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行第一离子注入工艺的过程中，对第一测试晶圆进行冷却处理工艺；

步骤S04:进行所述第一离子注入工艺后，采用光学法测试所述第一绝缘层的厚度，得到第一测试厚度，第一测试厚度随第一离子注入工艺时第一测试晶圆的温度的减小而增大。

所述方法提高监测精度，且增强监测的可操作性。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

参考图2，提供第一测试晶圆100。

所述第一测试晶圆100的数量为若干个。若干第一测试晶圆100用于收集第一测试厚度，根据第一测试厚度建立上限厚度和下限厚度。

所述第一测试晶圆100的材料包括单晶硅、单晶锗或者单晶锗硅。

参考图3，在所述第一测试晶圆100的表面形成第一绝缘层120。

本实施例中，所述第一绝缘层120的材料为氧化硅，形成所述第一绝缘层120的工艺为热氧化工艺。本实施例中，采用热氧化工艺形成第一绝缘层120，使得工艺简单，成本降低，且对第一测试晶圆100表面的损伤较小。

在其他实施例中，所述第一绝缘层的材料还可以是氮化硅。

在其他实施例中，形成所述第一绝缘层的工艺为沉积工艺，如气相化学沉积工艺或原子层沉积工艺。

在一个实施例中，所述第一绝缘层120的厚度为80埃～120埃，如100埃。所述第一绝缘层120的厚度选择为80埃～120埃的意义在于：若所述第一绝缘层120的厚度小于80埃，则导致后续测试第一绝缘层120得到的第一测试厚度过小，这样第一测试厚度的精度较差；若所述第一绝缘层120的厚度大于120埃，则导致第一绝缘层120对第一离子注入工艺的阻挡较大，那么后续进行第一离子注入工艺对第一绝缘层120底部的晶格损伤程度降低，这样第一晶格损伤区就过薄，那么后续测试若干第一测试晶圆对应的第一测试厚度后，各第一测试厚度的变化范围较小，导致得到的上限厚度和下线厚度之间过于接近。

其次，当形成所述第一绝缘层120的工艺为热氧化工艺时，第一绝缘层120的厚度小于120埃，这样使得第一绝缘层120容易生长，生长速度快，成本较小。

当所述第一绝缘层120的材料为氧化硅时，使得第一绝缘层120和第一测试晶圆100之间的应力较小，第一绝缘层120和第一测试晶圆100之间的结合较好，形成第一绝缘层120后，第一测试晶圆100的形变较小，这样使得后续得到的第一测试厚度的准确性较高。

在各第一测试晶圆100表面分别沉积第一绝缘层120。各第一测试晶圆100表面的第一绝缘层120的厚度相等。

参考图4，提供离子注入机台，所述离子注入机台包括离子注入腔室200、晶圆托盘210以及冷却系统，所述晶圆托盘210位于离子注入腔室200中，所述晶圆托盘210内部具有第一冷却管(未图示)，所述冷却系统用于将冷却液导入所述第一冷却管中；将所述第一测试晶圆100放置于所述晶圆托盘210的表面，并启动所述冷却系统，使所述冷却系统对所述晶圆托盘210进行冷却。

所述冷却液包括水。

所述晶圆托盘210与第一测试晶圆100之间进行热量交换，具体的，晶圆托盘210接触第一测试晶圆100，晶圆托盘210将第一测试晶圆100中的热量排出，第一测试晶圆100的温度变化受到晶圆托盘210的影响。

所述冷却系统包括冷却液存储箱220、动力泵(未图示)和第二冷却管221，所述冷却液存储箱220和动力泵均位于离子注入腔室200的外部，第二冷却管221的一端与所述冷却液存储箱220连接，第二冷却管221还延伸至所述离子注入腔室200的内部并与第一冷却管连接。所述动力泵用于推动冷却液在冷却系统中的流动。

所述冷却液存储箱220中用于存储冷却液。

参考图5，对所述第一绝缘层120底部的第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺，在进行第一离子注入工艺的过程中，对第一测试晶圆100进行冷却处理工艺。

进行所述第一离子注入工艺，从而在第一测试晶圆100中形成第一离子掺杂区，第一离子掺杂区中的顶部具有与第一绝缘层120邻接的第一晶格损伤区130。第一晶格损伤区130的厚度不仅受到第一离子注入工艺的参数的影响，还受到对第一测试晶圆100进行冷却处理工艺的影响。所述冷却处理工艺对第一测试晶圆100的冷却程度越小，则第一测试晶圆100的温度越高。在进行第一离子注入工艺时，第一测试晶圆100的温度越高，第一绝缘层120底部区域的晶格修复程度越高，那么第一绝缘层120底部的晶格损伤区就越薄，反之，在进行第一离子注入工艺时，第一测试晶圆100的温度越低，第一绝缘层120底部区域的晶格修复程度越低，那么第一绝缘层120底部的晶格损伤区就越厚。

本实施例中，在特征注入条件下逐个对所述若干第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺，在进行所述第一离子注入工艺的过程中，对所述第一测试晶圆100进行冷却处理工艺，对第一测试晶圆100进行冷却处理工艺中，冷却处理工艺的工艺给不同的第一测试晶圆100提供不同的冷却条件。

所述冷却处理工艺的工艺给不同的第一测试晶圆100提供不同的冷却条件，指的是：在对不同的第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺时，冷却系统220对晶圆托盘210冷却的程度具有差别，这样晶圆托盘210对不同的第一测试晶圆100的冷却程度具有差别。

在对每个第一测试晶圆100进行第一离子注入之前，将第一测试晶圆100放置于所述晶圆托盘210的表面，对第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺之后，将所述第一测试晶圆100从离子注入机台中取出，之后，将另一个第一测试晶圆放置于所述晶圆托盘的表面，对另一个第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，直至对所有的第一测试晶圆100均进行完第一离子注入工艺。

对于正常的用于量产的晶圆，根据工艺的需要，对用于量产的晶圆进行离子注入，对用于量产的晶圆进行离子注入的过程中，需要对用于量产的晶圆进行冷却降温，以避免用于量产的晶圆的温度过高，避免对用于量产的晶圆造成电学性能损坏。具体的，将用于量产的晶圆放置在晶圆托盘210表面，所述冷却系统220通过将冷却液导入所述冷却管，以对所述晶圆托盘210进行冷却，进而间接对用于量产的晶圆进行冷却。

本实施例中，对用于量产的晶圆进行离子注入和对第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺均在同一离子注入机台中进行。

在一个实施例中，对第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺的参数选用对用于量产的晶圆进行离子注入中的一套参数。在另一个实施例中，对第一测试晶圆100进行第一离子注入工艺的参数和对用于量产的晶圆进行离子注入的参数不同。

在一个实施例中，第一离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入能量为100KeV～200KeV，如150KeV，注入剂量为1E15atom/cm²～1E16atom/cm²，如7.5E15atom/cm²。

第一离子注入工艺的参数选择上述范围的意义在于：若注入能量过大，注入剂量过大，则导致工艺成本较大，且可能超出工艺极限；若注入能量过小，注入剂量过小，则导致后续进行第一离子注入工艺对第一绝缘层120底部的晶格损伤程度过小，这样第一晶格损伤区的厚度就过薄，那么后续获得若干第一测试晶圆对应的第一测试厚度后，各第一测试厚度的变化范围过小，导致得到的上限厚度和下线厚度之间过于接近。

接着，进行所述第一离子注入工艺后，采用光学法测试所述第一绝缘层120的厚度，得到第一测试厚度，第一测试厚度随第一离子注入工艺时第一测试晶圆100的温度的减小而增大。

所述第一测试厚度用于表征第一离子注入工艺时第一测试晶圆100的温度。

对所有的第一测试晶圆100均进行完第一离子注入工艺之后，分别获取各第一测试晶圆100表面第一绝缘层120的第一测试厚度。

本实施例中，针对各第一测试晶圆100，采用椭圆偏振仪测试所述第一绝缘层120的厚度，以获取第一测试厚度。

在采用光学法测试所述第一绝缘层120的厚度的过程中，由于第一绝缘层120受到第一离子注入工艺的注入损伤，且第一绝缘层120底部形成第一晶格损伤区130，那么使得第一测试厚度小于第一离子注入工艺进行之前第一绝缘层120的测试厚度。

第一绝缘层120底部的第一晶格损伤区130的厚度会影响第一绝缘层120的第一测试厚度，具体的，第一绝缘层120底部的第一晶格损伤区130越厚，则第一测试厚度越大，第一绝缘层120底部的第一晶格损伤区130越薄，则第一测试厚度越小。这样第一绝缘层120的第一测试厚度能用于表征第一离子注入工艺时第一测试晶圆100的温度。

参考图6，分别获取各第一测试晶圆100表面第一绝缘层120的第一测试厚度后，对所述若干的第一测试晶圆100进行电学性能测试，从若干第一测试晶圆100中获取满足工艺要求的若干目标测试晶圆；根据各目标测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度，建立在所述特征注入条件下的上限厚度H1和下限厚度H2。

图6采用的坐标系以直角坐标系为示例，其中y轴表示第一测试厚度，x轴表示测试第一测试厚度的时刻，图6中每一个点M对应一个第一测试晶圆100。

所述上限厚度H1指的是：对于各目标测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度，各第一测试厚度中的最大值。所述下限厚度H2指的是：对于各目标测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度，各第一测试厚度中的最小值。

对所述若干的第一测试晶圆100进行电学性能测试包括：进行晶格损伤度测试、电阻测试和二次离子质谱仪测试。

所述监测晶圆冷却温度的方法还包括：提供第二测试晶圆；在所述第二测试晶圆表面形成第二绝缘层，第二绝缘层的材料与第一绝缘层的材料相同，第二绝缘层的厚度与第一绝缘层的厚度相同，第二绝缘层的形成工艺与第一绝缘层的形成工艺相同；对第二绝缘层底部的第二测试晶圆进行第二离子注入工艺，在进行第二离子注入工艺的过程中，对第二测试晶圆进行冷却处理，第二离子注入工艺的参数和第一离子注入工艺的参数相同；在进行第二离子注入工艺之后，采用光学法测试第二绝缘层的厚度，得到第二测试厚度；根据第二测试厚度分别与所述上限厚度和下限厚度之间的关系，判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度是否满足要求。

获取第二绝缘层的第二测试厚度采用的光学法和获取第一绝缘层的第一测试厚度采用的光学法相同。

若第二测试厚度在所述上限厚度和所述下限厚度之间，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度满足要求；若第二测试厚度大于所述上限厚度或者小于所述下限厚度，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度不满足要求。

第二测试晶圆用于测试冷却系统220的冷却能力是否正常，若在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度满足要求，则表明冷却系统220的冷却能力正常，那么冷却系统220也能满足对用于量产的晶圆的冷却的要求。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，包括：

提供第一测试晶圆；

在所述第一测试晶圆的表面形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层底部的第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行第一离子注入工艺的过程中，对第一测试晶圆进行冷却处理工艺；

进行所述第一离子注入工艺后，采用光学法测试所述第一绝缘层的厚度，得到第一测试厚度，第一测试厚度随第一离子注入工艺时第一测试晶圆的温度的减小而增大。

2.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氧化硅。

3.根据权利要求2所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层的工艺为热氧化工艺。

4.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，形成所述第一绝缘层的工艺为沉积工艺。

6.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，在进行第一离子注入工艺之前，所述第一绝缘层的厚度为80埃～120埃。

7.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的参数包括：采用的离子为砷离子，注入能量为100KeV～200KeV，注入剂量为1E15atom/cm²～1E16atom/cm²。

8.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，在进行第一离子注入工艺之后，采用椭圆偏振仪测试第一绝缘层的厚度，以获取第一测试厚度。

9.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，所述第一测试晶圆的数量为若干个；在各第一测试晶圆表面分别沉积第一绝缘层；逐个对所述若干第一测试晶圆进行第一离子注入工艺，在进行所述第一离子注入工艺的过程中，对所述第一测试晶圆进行冷却处理工艺；所述冷却处理工艺给不同的第一测试晶圆提供不同的冷却条件；分别获取各第一测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度；

分别获取各第一测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度后，对所述若干的第一测试晶圆进行电学性能测试，从若干第一测试晶圆中获取满足工艺要求的若干目标测试晶圆；

根据各目标测试晶圆表面第一绝缘层的第一测试厚度，建立上限厚度和下限厚度。

10.根据权利要求9所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，还包括：提供第二测试晶圆；在所述第二测试晶圆表面形成第二绝缘层，第二绝缘层与第一绝缘层的材料相同、厚度相同且形成工艺相同；对第二绝缘层底部的第二测试晶圆进行第二离子注入工艺，在进行第二离子注入工艺的过程中，对第二测试晶圆进行冷却处理，第二离子注入工艺的参数和第一离子注入工艺的参数相同；在进行第二离子注入工艺之后，采用光学法测试第二绝缘层的厚度，得到第二测试厚度；根据第二测试厚度分别与所述上限厚度和下限厚度之间的关系，判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度是否满足要求。

11.根据权利要求10所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，若第二测试厚度在所述上限厚度和所述下限厚度之间，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度满足要求；若第二测试厚度大于所述上限厚度或者小于所述下限厚度，则判断在进行第二离子注入工艺时第二测试晶圆的温度不满足要求。

12.根据权利要求1所述的监测晶圆冷却温度的方法，其特征在于，还包括：提供离子注入机台，所述离子注入机台包括离子注入腔室、晶圆托盘以及冷却系统，所述晶圆托盘位于离子注入腔室中，所述晶圆托盘内部具有第一冷却管，冷却系统用于将冷却液导入所述第一冷却管中；在进行所述第一离子注入工艺之前，将所述第一测试晶圆放置于所述晶圆托盘的表面，并启动所述冷却系统；进行第一离子注入工艺之后，且在测试所述第一绝缘层的厚度之前，将所述第一测试晶圆从所述离子注入机台中取出。