CN108508346A - 测试半导体封装件的方法 - Google Patents

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Abstract

测试半导体封装件的方法，其在将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括在测试所述半导体封装件的同时从所述测试器接收所述半导体封装件的温度信息，根据所述接收的温度信息计算所述半导体封装件的总体平均温度并基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制所述推动器单元的加热器的操作。

Description

测试半导体封装件的方法
背景技术
本发明涉及一种测试半导体封装件的方法。更具体地说，本发明涉及一种通过使用测试处理器和测试器来测试接收至测试托盘的插入槽中的半导体封装件的方法。
通常，半导体装置可以通过重复地执行一系列制造过程而形成在用作半导体基板的硅晶片上，且如上所述而形成的半导体装置可以通过切割过程、结合过程和封装过程被形成至半导体封装件中。
半导体封装件可以通过电测试过程被确定为有缺陷的产品或无缺陷的产品。电测试过程可以通过用于处理半导体封装件的测试处理器和用于供给测试信号并分析源于半导体封装件的输出信号的测试器来执行。
在电测试过程中，半导体封装件可以被分别接收至测试托盘的插入槽中且随后通过推动器单元与测试器的测试插槽相连接。测试器可以包括接口板，且测试插槽可以被设置在接口板上。测试处理器可以包括其中执行电测试过程的测试室且推动器单元可以被设置在测试室中。
此外，测试处理器可以包括用于测量在测试室中的温度的传感器和用于调整温度的温度调整单元。例如，用于加热测试室的内部的加热器和用于注射冷却气体以冷却测试室的内部的冷却单元可以被设置在测试室中，且可以基于通过传感器测量的值来控制在测试室中的温度。
然而，由于在测试半导体封装件的同时可能在半导体封装件中生成热量，且半导体封装件与加热器和冷却单元的距离彼此不同，难于将半导体封装件均匀地保持在预定的测试温度下。
发明内容
本发明提供了一种能够在电测试过程中均匀地控制半导体封装件的温度的测试半导体封装件的方法。
根据本发明的一个方面，一种在将半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后对半导体封装件执行电测试的测试半导体封装件的方法，可以包括在测试半导体封装件的同时从测试器接收半导体封装件的温度信息，根据接收的温度信息计算半导体封装件的总体平均温度并基于在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制推动器单元的加热器的操作。
根据本发明的一些示例性实施例，在个别地控制加热器的操作中可以个别地调整加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，热电元件可以被用作加热器，且在个别地控制加热器的操作中可以个别地增加或减小被施加于热电元件的驱动功率以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，该方法还可以包括基于在半导体封装件的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制加热器的操作。
根据本发明的一些示例性实施例，在总体控制加热器的操作中可以将加热器的设定温度作为整体来进行调整以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，在总体控制加热器的操作中可以将被施加至热电元件的驱动功率作为整体来增加或减少以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件的温度可以被排除在计算半导体封装件的总体平均温度之外。
根据本发明的一个方面，一种在将半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后对半导体封装件执行电测试的测试半导体封装件的方法，可以包括在测试半导体封装件的同时从测试器接收半导体封装件的温度信息，根据接收的温度信息计算半导体封装件的总体平均温度，用第一补偿值整体地补偿推动器单元的加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值以及用第二补偿值个别地补偿加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和各个平均温度之间的第二差值。
根据本发明的一些示例性实施例，用第一补偿值和第二补偿值补偿的加热器的设定温度可以被用于测试后续的半导体封装件。
根据本发明的一些示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件的温度被排除在计算半导体封装件的总体平均温度之外。
根据本发明的一个方面，一种在将半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后对半导体封装件执行电测试的测试半导体封装件的方法，可以包括对其中容置有半导体封装件的预定数量的测试托盘重复执行测试过程，在重复执行测试过程的同时从测试器接收容置在测试托盘中的半导体封装件的温度信息，根据接收的温度信息计算容置在测试托盘中的半导体封装件的总体平均温度，分别根据接收的温度信息计算在测试托盘的相同位置上容置在插入槽中的半导体封装件的个别平均温度以及基于在半导体封装件的总体平均温度和各个平均温度之间的差值来个别地控制推动器单元的加热器的操作。
根据本发明的一些示例性实施例，该方法还可以包括基于在半导体封装件的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制加热器的操作。
根据本发明的一些示例性实施例，在个别地控制加热器的操作中可以个别地调整加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别温度之间的差值，且在总体控制加热器的操作中可以将加热器的设定温度作为整体来进行调整以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，热电元件可以被用作加热器，在个别地控制加热器的操作中可以个别地增加或减小被施加于热电元件的驱动功率以补偿在半导体封装件的总体平均温度和各个平均温度之间的差值，且在总体控制加热器的操作中可以将被施加至热电元件的驱动功率作为整体来增加或减少以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
根据本发明的一些示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件的温度可以被排除在计算总体平均温度和计算各个平均温度之外。
根据本发明的一个方面，一种在将半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并通过使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后对半导体封装件执行电测试的测试半导体封装件的方法，可以包括对其中容置有半导体封装件的预定数量的测试托盘重复执行测试过程，在重复执行测试过程的同时从测试器接收容置在测试托盘中的半导体封装件的温度信息，根据接收的温度信息计算容置在测试托盘中的半导体封装件的总体平均温度，分别根据接收的温度信息计算在测试托盘的相同位置上容置在插入槽中的半导体封装件的各个平均温度，用第一补偿值整体地补偿推动器单元的加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值，以及用第二补偿值个别地补偿加热器的设定温度以补偿在半导体封装件的总体平均温度和个别平均温度之间的第二差值。
根据本发明的一些示例性实施例，用第一补偿值和第二补偿值补偿的加热器的设定温度可以被用于测试后续的半导体封装件。
根据本发明的一些示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件的温度可以被排除在计算总体平均温度和计算各个平均温度之外。
根据本发明的一些示例性实施例，推动器单元中的每一个可以包括一个加热器和一个推动器顶端或多个推动器顶端。
上面对本发明的概述不旨在描述本发明的每个所阐明的实施例或每个实施方案。下面的具体实施方式和权利要求更特别地例示了这些实施例。
附图说明
根据以下结合附图的描述，能够更加详细地理解示例性实施例，其中：
图1为示出根据本发明的一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图；
图2为示出适于使用如在图1中所示的方法测试半导体封装件的测试处理器和测试器的示意图；
图3为示出如在图2中所示的测试托盘的示意图；
图4为示出如在图2中所示的推动器单元的示意图；
图5为示出如在图4中所示的推动器单元的另一个实例的示意图；
图6为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图；
图7为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图；以及
图8为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图。
虽然各种实施例适合于各种修改和替代形式，但其具体细节已通过示例的方式在附图中示出且将更详细地进行描述。然而，应理解的是其意图不是将所要求保护的本发明限制于所述的特定实施例。相反地，其意图是涵盖落在如通过权利要求所限定的主题的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
具体实施方式
在下文中，参考附图更详细地描述本发明的实施例。然而，本发明不限于下面描述的实施例且以各种其他形式来进行实施。下面的实施例并不是用于完全完成本发明，而是用于将本发明的范围完全传达给本领域的技术人员。
在说明书中，当一个组件被称为在......上或被连接至另一个组件或层时，其能够直接位于另一个组件或层上，被直接连接至其，或还可以存在中间组件或层。与此不同的是，将理解的是当一个组件被称为直接在另一个组件或层上或被直接连接至其时，其表示不存在中间组件。此外，尽管像第一、第二和第三的术语用于在本发明的各种实施例中描述各种区域和层，但区域和层并不限于这些术语。
以下使用的术语仅用于描述具体实施例，而不用于限制本发明。额外地，除非在此另有限定外，包括技术或科学术语的所有术语可以具有与本领域的技术人员通常所理解的相同的意义。
参考理想实施例的示意图来描述本发明的实施例。相应地，可以根据附图的形式来预期制造方法中的变化和/或容许误差。相应地，本发明的实施例不被描述为限于附图中的具体形式或区域且包括形式的偏差。该区域可以完全是示意性的，且其形式可以不描述或描绘在任何给定区域中的准确形式或结构，且不旨在限制本发明的范围。
图1为示出根据本发明的一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图，图2为示出适于使用如在图1中所示的方法测试半导体封装件的测试处理器和测试器的示意图，且图3为示出如在图2中所示的测试托盘的示意图。
参考图1至3，可以使用根据本发明的一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法来电测试半导体封装件10。特别地，半导体封装件10可以被容纳至测试托盘20的插入槽24中且通过推动器单元102与测试器200进行电连接。随后，可以通过测试器200对半导体封装件10进行电测试过程。
例如，测试处理器100可以移动其中容置有半导体封装件10的测试托盘20至测试区域中，且可以将用于将半导体封装件10与测试器200的测试插槽202相连接的推动器单元102设置在测试区域中。测试器200可以包括上面设置有测试插槽202的接口板210。
测试处理器100可以将容置在客户托盘30中的半导体封装件10移动至测试托盘20的插入槽24中。其中容置半导体封装件10的测试托盘20可以被移动至均热室110中。可以垂直地竖立被移至均热室110中的测试托盘20，且可以在均热室110中将半导体封装件10预热至预定温度。随后，测试托盘20可以被移至测试室120中，且可以在测试室120中执行电测试过程。特别地，在通过推动器单元102将半导体封装件10与测试器200电连接之后，可以执行测试过程。在执行测试过程之后，测试托盘20可以被移至退均热室130中，且可以在退均热室130中将半导体封装件10恢复至室温。可以将测试托盘20从退均热室130移除，且可以根据电测试过程的结果将半导体封装件10分拣为良好的或有缺陷的产品。
测试托盘20可以包括主体22和被安装至主体22的插入组件。插入组件可以按行和列进行设置，且每一个可以具有插入槽24，如在图3中所不。
测试器200可以包括用于将测试信号提供至半导体封装件10并分析源于半导体封装件10的输出信号的测试体220。测试体220可以通过测试插槽202和接口板210与半导体封装件10相连接。推动器单元102可以被设置在测试室120中以将半导体封装件10与测试插槽202连接起来，且测试处理器100可以包括用于操作推动器单元102的驱动部分。
图4为示出如在图2中所示的推动器单元的示意图，且图5为示出如在图4中所示的推动器单元的另一个实例的示意图。
参考图4，推动器单元102中的每一个可以包括用于直接按压半导体封装件10的推动器顶端104和用于通过推动器顶端104加热半导体封装件10的加热器106。热电元件可以被用作加热器106，且可以通过控制器(未示出)来控制热电元件的操作。
推动器单元102可以包括一个推动器顶端104和一个加热器106，如在图4中所示。替代地，推动器单元102可以包括一个加热器106和两个推动器顶端104，如在图5中所示。此外，尽管未在图中示出，推动器单元102可以包括一个加热器106和四个推动器顶端104。即，一个加热器106可以被用于加热两个或四个半导体封装件10。
再次参考图1，根据本发明的一个示例性实施例，在通过推动器单元102将容置在测试托盘20中的半导体封装件10与测试器200电连接之后，可以执行对半导体封装件10的电测试过程。此时，可以通过推动器单元102将半导体封装件10加热至预定的测试参考温度。
在步骤S100中，控制器(未示出)可以在测试半导体封装件10的同时从测试器200接收半导体封装件10的温度信息。例如，半导体封装件10中的每一个可以包括线性温度补偿的自刷新(Li-TCSR)电路。测试器200可以测量半导体封装件10的自刷新电流并将电流值转换成温度值。可以将包括温度值的温度信息从测试器200传输至测试处理器100的控制器。详细地，Li-TCSR电路通常被配置成根据操作温度来自动调整其自刷新周期。根据自刷新周期的变化来改变自刷新电流(ISR)。因此，可以通过测量自刷新电流并通过测试器200将电流值转换成温度值来获得局部温度值。
在步骤S110中，控制器可以根据接收的温度信息计算半导体封装件10的总体平均温度。
在步骤S120中，控制器可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制推动器单元102的加热器106的操作。
例如，在步骤S120中，可以个别地调整加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值。特别地，半导体封装件10的个别温度可能根据半导体封装件10的自加热和/或加热器106的操作特征而彼此不同，且控制器可以个别地增加或降低加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值。结果，可以均匀地控制半导体封装件10的个别温度。
替代地，在步骤S120中，控制器可以个别地增加或减小被施加至被用作加热器106的热电元件的驱动功率以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值，且从而可以均匀地控制半导体封装件10的个别温度。
此外，在步骤S130中，控制器可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制加热器106的操作。例如，在步骤S130中，控制器可以整体地调整加热器106的设定温度以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。更具体地说，例如，如果所计算的总体平均温度低于测试参考温度，控制器可以按总体平均温度和测试参考温度之间的差值来总体增加该加热器106的设定温度。
替代地，在步骤S130中，控制器可以整体地增加或减小被施加至用作加热器106的热电元件上的驱动功率以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
根据上面的描述，尽管是在执行了各个控制步骤S120之后执行总体控制步骤S130的，但可以改变步骤S120和S130的顺序，且本发明的范围不限于此。
根据本发明的一个示例性实施例，偏离预定温度范围的半导体封装件10的温度可以被排除在计算半导体封装件10的总体平均温度之外。例如，可以先计算半导体封装件10的总体平均温度，且可以计算在第一计算的半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值。随后，在将偏离预定温度范围的差值，例如，偏离±3℃所对应的半导体封装件10的温度排除之后，可以再次根据剩余的半导体封装件10的温度来计算总体平均温度。
特别地，当半导体封装件10被异常地容置在插入槽24中或半导体封装件10未与测试插槽202正常相连时，半导体封装件10的温度可能异常得高或低。因此，可以通过如上所述的将具有异常温度的半导体封装件10排除在计算半导体封装件10的总体平均温度之外来改进总体平均温度的可靠性。
图6为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图。
参考图6，在步骤S200中，可以在测试半导体封装件10的同时从测试器200接收半导体封装件10的温度信息，且在步骤S210中可以根据接收的温度信息计算半导体封装件10的总体平均温度。
在步骤S220中，可以用第一补偿值整体地补偿推动器单元102的加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值。此外，在步骤S230中，可以用第二补偿值个别地补偿加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的第二差值。
特别地，用第一补偿值和第二补偿值补偿的加热器106的设定温度可以被用于测试后续的半导体封装件。此外，偏离预定温度范围的半导体封装件10的温度可以被排除在计算半导体封装件10的总体平均温度之外。
图7为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图。
参考图7，可以在步骤S300中重复地执行对其中容置有半导体封装件10的预定数量的测试托盘20的测试过程，且在步骤S310中在重复地执行测试过程的同时可以从测试器200接收在测试托盘20中接收的半导体封装件10的温度信息。
随后，在步骤S320中可以根据接收的温度信息来计算容置在测试托盘20中的半导体封装件10的总体平均温度，且在步骤S330中可以分别根据接收的温度信息来计算在测试托盘20的相同位置上的容置在插入槽24中的半导体封装件10的个别平均温度。此外，在步骤S340中可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和个别平均温度之间的差值来个别地控制推动器单元102的加热器106的操作。
特别地，在步骤S330中，例如，可以根据每一个均容置在测试托盘20的第一插入槽24中的半导体封装件10的温度信息来计算第一个别平均温度，且可以根据每一个均容置在测试托盘20的第二插入槽24中的半导体封装件10的温度信息来计算第二个别平均温度。可以按与上述相同的方式来计算容置在测试托盘20的插入槽24中的半导体封装件10的个别平均温度，且所计算的个别平均温度可以与总体平均温度进行比较。
此外，在步骤S350中，可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值来整体地控制加热器106的操作。
特别地，在步骤340中，可以个别地调整加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别平均温度之间的差值，且在步骤S350中，可以将加热器106的设定温度作为整体来进行调整以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
替代地，在步骤340中，可以个别地增加或减小被施加至被用作加热器106的热电元件的驱动功率以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别平均温度之间的差值，且在步骤S350中，可以整体地增加或减小被施加至热电元件的驱动功率以补偿在总体平均温度和测试参考温度之间的差值。
此外，偏离预定温度范围的半导体封装件10的温度可以被排除在计算总体平均温度(S320)和计算各个平均温度(S330)之外。
图8为示出根据本发明的另一个示例性实施例的测试半导体封装件的方法的流程图。
参考图8，可以在步骤S400中重复地执行对其中容置有半导体封装件10的预定数量的测试托盘20的测试过程，且在步骤S410中在重复地执行测试过程的同时可以从测试器200接收容置在测试托盘20中的半导体封装件10的温度信息。
随后，在步骤S420中可以根据接收的温度信息来计算容置在测试托盘20中的半导体封装件10的总体平均温度，且在步骤S430中可以分别根据接收的温度信息来计算在测试托盘20的相同位置上容置在插入槽24中的半导体封装件10的个别平均温度。
此外，在步骤S440中可以用第一补偿值来整体地补偿推动器单元102的加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值，且在步骤S450中可以用第二补偿值来个别地补偿加热器106的设定温度以补偿在半导体封装件10的总体平均温度和个别平均温度之间的第二差值。
特别地，用第一补偿值和第二补偿值补偿的加热器106的设定温度可以被用于测试后续的半导体封装件。此外，偏离预定温度范围的半导体封装件10的温度可以被排除在计算总体平均温度(S420)和计算个别平均温度(S430)之外。
根据如上所述的本发明的示例性实施例，在测试半导体封装件10的同时可以从测试器200接收半导体封装件10的温度信息；可以根据接收的温度信息来计算半导体封装件10的总体平均温度；且可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制推动器单元102的加热器106的操作。此外，可以基于在半导体封装件10的总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值来整体地控制加热器106的操作。
因此，在半导体封装件10的测试过程中可以更均匀地保持半导体封装件10的温度且可以控制其使其基本上等于测试参考温度。结果，可以显著地改进半导体封装件10的测试结果的可靠性。此外，由于半导体封装件10的温度信息是从测试器200接收的，因此不需要温度传感器，且从而能够大大减少测试处理器100的制造和操作成本。
尽管已参考具体实施例描述了测试半导体封装件的方法，但其不限于此。因此，本领域的技术人员将容易理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，能够对其进行各种修改和变化。

Claims (19)

1.一种测试半导体封装件的方法，其通过将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括：
在测试所述半导体封装件的同时接收所述半导体封装件的温度信息；
根据接收的所述温度信息计算所述半导体封装件的总体平均温度；以及
基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别温度之间的差值来个别地控制所述推动器单元的加热器的操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述个别地控制所述加热器的所述操作中，所述加热器的设定温度被个别地调整以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和所述个别温度之间的所述差值。
3.根据权利要求1所述的方法，其中热电元件被用作所述加热器，且在所述个别地控制所述加热器的所述操作中，施加于所述热电元件的驱动功率被个别地增加或减小以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和所述个别温度之间的所述差值。
4.根据权利要求1所述的方法，其还包括基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制所述加热器的所述操作。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述总体控制所述加热器的所述操作中将所述加热器的设定温度作为整体来进行调整以补偿在所述总体平均温度和所述测试参考温度之间的所述差值。
6.根据权利要求4所述的方法，其中热电元件被用作所述加热器，且在所述总体控制所述加热器的所述操作中，施加于所述热电元件的驱动功率被作为整体来进行增加或减小以补偿在所述总体平均温度和所述测试参考温度之间的所述差值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中偏离预定温度范围的半导体封装件的温度被排除在所述计算所述半导体封装件的所述总体平均温度之外。
8.一种测试半导体封装件的方法，其通过将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括：
在测试所述半导体封装件的同时接收所述半导体封装件的温度信息；
根据所述接收的温度信息计算所述半导体封装件的总体平均温度；
用第一补偿值整体地补偿所述推动器单元的加热器的设定温度以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值；以及
用第二补偿值个别地补偿所述加热器的所述设定温度以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别温度之间的第二差值。
9.根据权利要求8所述的方法，其中用所述第一补偿值和所述第二补偿值补偿的所述加热器的所述设定温度被用于测试后续的半导体封装件。
10.根据权利要求8所述的方法，其中偏离预定温度范围的半导体封装件的温度被排除在所述计算所述半导体封装件的所述总体平均温度之外。
11.一种测试半导体封装件的方法，其通过在将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括：
对其中容置有半导体封装件的预定数量的测试托盘重复执行测试过程；
在重复执行所述测试过程的同时从所述测试器接收容置在所述测试托盘中的所述半导体封装件的温度信息；
根据所述接收的温度信息计算容置在所述测试托盘中的所述半导体封装件的总体平均温度；
根据所述接收的温度信息分别计算在所述测试托盘的相同位置上容置在插入槽中的半导体封装件的个别平均温度；以及
基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别平均温度之间的差值来个别地控制所述推动器单元的加热器的操作。
12.根据权利要求11所述的方法，其还包括基于在所述半导体封装件的所述总体平均温度和预定测试参考温度之间的差值总体控制所述加热器的所述操作。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在所述个别地控制所述加热器的所述操作中，所述加热器的设定温度被个别地调整以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和所述各个平均温度之间的所述差值；以及
在所述总体控制所述加热器的所述操作中，所述加热器的所述设定温度被作为整体来进行调整以补偿在所述总体平均温度和所述测试参考温度之间的所述差值。
14.根据权利要求12所述的方法，其中热电元件被用作所述加热器；
在所述个别地控制所述加热器的所述操作中，施加至所述热电元件的驱动功率被个别地增加或减小以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和所述个别平均温度之间的所述差值；以及
在所述总体控制所述加热器的所述操作中，施加至所述热电元件的所述驱动功率被作为整体来增加或减少以补偿在所述总体平均温度和所述测试参考温度之间的所述差值。
15.根据权利要求11所述的方法，其中偏离预定温度范围的半导体封装件的温度被排除在所述计算所述总体平均温度和所述计算所述个别平均温度之外。
16.一种测试半导体封装件的方法，其通过在将所述半导体封装件容置至测试托盘的插入槽中并使用每一个均包括加热器的推动器单元与测试器的插槽相连接之后，对所述半导体封装件执行电测试，所述方法包括：
对其中容置有半导体封装件的预定数量的测试托盘重复执行测试过程；
在重复执行所述测试过程的同时从所述测试器接收容置在所述测试托盘中的所述半导体封装件的温度信息；
根据所述接收的温度信息计算容置在所述测试托盘中的所述半导体封装件的总体平均温度；
分别根据所述接收的温度信息在所述测试托盘的相同位置上计算在插入槽中接收的半导体封装件的个别平均温度；
用第一补偿值整体地补偿所述推动器单元的加热器的设定温度以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和预定测试参考温度之间的第一差值；以及
用第二补偿值个别地补偿所述加热器的所述设定温度以补偿在所述半导体封装件的所述总体平均温度和个别平均温度之间的第二差值。
17.根据权利要求16所述的方法，其中用所述第一补偿值和所述第二补偿值补偿的所述加热器的所述设定温度被用于测试后续的半导体封装件。
18.根据权利要求16所述的方法，其中偏离预定温度范围的半导体封装件的温度被排除在所述计算所述总体平均温度和所述计算所述个别平均温度之外。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述推动器单元中的每一个包括一个加热器和一个推动器顶端或多个推动器顶端。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113141130A (zh) * 2020-01-02 2021-07-20 细美事有限公司 半导体制造装备的驱动装置及其驱动方法
CN114113959A (zh) * 2020-08-31 2022-03-01 细美事有限公司 室模块及包括其的测试处理器

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11236422B2 (en) 2017-11-17 2022-02-01 Lam Research Corporation Multi zone substrate support for ALD film property correction and tunability
US11908715B2 (en) 2018-07-05 2024-02-20 Lam Research Corporation Dynamic temperature control of substrate support in substrate processing system
US11183400B2 (en) * 2018-08-08 2021-11-23 Lam Research Corporation Progressive heating of components of substrate processing systems using TCR element-based heaters
KR102536180B1 (ko) * 2018-11-13 2023-05-24 세메스 주식회사 테스트 챔버의 내부 온도 측정 장치 및 이를 이용하여 테스트 챔버의 내부 온도를 교정하는 방법
KR102172747B1 (ko) 2019-04-19 2020-11-02 세메스 주식회사 반도체 소자 테스트 방법
KR102185035B1 (ko) 2019-07-02 2020-12-01 세메스 주식회사 반도체 패키지 테스트 장치
KR102202079B1 (ko) 2019-07-02 2021-01-12 세메스 주식회사 온도 측정 장치 및 이를 이용하는 테스트 핸들러의 온도 교정 방법
KR102220341B1 (ko) 2020-11-25 2021-02-25 세메스 주식회사 반도체 패키지 테스트 장치
KR20230102440A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 세메스 주식회사 푸셔 구동 유닛 및 테스트 핸들러
KR102600093B1 (ko) * 2023-07-13 2023-11-08 주식회사 다온시스 온도 측정 반도체 패키지, 이를 이용한 반도체 테스트시스템 및 이를 이용한 반도체 테스트 시스템의 온도 교정 방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1526075A (zh) * 2001-07-12 2004-09-01 ��ʽ���簮������� 配有加热器的推杆、电子元件处理设备及温度控制方法
CN1922501A (zh) * 2004-02-27 2007-02-28 威尔斯-Cti股份有限公司 老化测试设备和方法
CN101243549A (zh) * 2005-08-09 2008-08-13 松下电器产业株式会社 晶片级老化方法以及晶片级老化装置
JP4475206B2 (ja) * 2005-09-02 2010-06-09 パナソニック株式会社 電子部品試験装置
US20100278211A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system of testing a semiconductor device
CN102203905A (zh) * 2008-11-10 2011-09-28 Kelk株式会社 半导体晶片的温度控制装置及温度控制方法
US20130223475A1 (en) * 2012-02-28 2013-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of measuring and controlling inner temperature of a chamber included in a test handler

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996009556A1 (fr) * 1994-09-22 1996-03-28 Advantest Corporation Procede et appareil d'inspection automatique de dispositifs semiconducteurs
US6091062A (en) * 1998-01-27 2000-07-18 Kinetrix, Inc. Method and apparatus for temperature control of a semiconductor electrical-test contractor assembly
US6583638B2 (en) * 1999-01-26 2003-06-24 Trio-Tech International Temperature-controlled semiconductor wafer chuck system
JP4148677B2 (ja) * 2001-12-19 2008-09-10 富士通株式会社 ダイナミック・バーンイン装置
KR100491131B1 (ko) * 2002-09-17 2005-05-27 (주)세미뱅크 반도체 소자 테스트 장치
KR100505070B1 (ko) 2002-12-31 2005-08-03 미래산업 주식회사 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 온도 측정장치
JP4512815B2 (ja) * 2004-07-30 2010-07-28 エスペック株式会社 バーンイン装置
JP5015079B2 (ja) * 2008-07-01 2012-08-29 日本エンジニアリング株式会社 バーンイン装置及びその制御方法
US8471575B2 (en) * 2010-04-30 2013-06-25 International Business Machines Corporation Methodologies and test configurations for testing thermal interface materials
KR101228207B1 (ko) * 2010-12-08 2013-01-30 세크론 주식회사 반도체 소자 테스트용 푸싱 기구 및 이를 포함하는 테스트 핸들러
US10049948B2 (en) * 2012-11-30 2018-08-14 Lam Research Corporation Power switching system for ESC with array of thermal control elements
US10049905B2 (en) * 2014-09-25 2018-08-14 Tokyo Electron Limited Substrate heat treatment apparatus, substrate heat treatment method, storage medium and heat-treatment-condition detecting apparatus
JP6323566B2 (ja) * 2014-10-23 2018-05-16 株式会社村田製作所 電子部品の試験装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1526075A (zh) * 2001-07-12 2004-09-01 ��ʽ���簮������� 配有加热器的推杆、电子元件处理设备及温度控制方法
CN1922501A (zh) * 2004-02-27 2007-02-28 威尔斯-Cti股份有限公司 老化测试设备和方法
CN101243549A (zh) * 2005-08-09 2008-08-13 松下电器产业株式会社 晶片级老化方法以及晶片级老化装置
JP4475206B2 (ja) * 2005-09-02 2010-06-09 パナソニック株式会社 電子部品試験装置
CN102203905A (zh) * 2008-11-10 2011-09-28 Kelk株式会社 半导体晶片的温度控制装置及温度控制方法
US20100278211A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system of testing a semiconductor device
US20130223475A1 (en) * 2012-02-28 2013-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of measuring and controlling inner temperature of a chamber included in a test handler

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
孙志辉: "剔除异常值", 《计量基础知识问答》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113141130A (zh) * 2020-01-02 2021-07-20 细美事有限公司 半导体制造装备的驱动装置及其驱动方法
CN114113959A (zh) * 2020-08-31 2022-03-01 细美事有限公司 室模块及包括其的测试处理器
CN114113959B (zh) * 2020-08-31 2023-12-19 细美事有限公司 室模块及包括其的测试处理器

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Publication number Publication date
KR101877667B1 (ko) 2018-07-11
US10705137B2 (en) 2020-07-07
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