CN109884490A

CN109884490A - 一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置

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Publication number: CN109884490A
Application number: CN201910018446.XA
Authority: CN
Inventors: 卓恩宗; 莫琼花
Original assignee: HKC Co Ltd
Current assignee: HKC Co Ltd
Priority date: 2019-01-09
Filing date: 2019-01-09
Publication date: 2019-06-14
Anticipated expiration: 2039-01-09
Also published as: CN109884490B

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置，所述检测方法包括步骤：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。本发明对经过预处理薄膜晶体管进行多次电性实测，然后根据多次电性实测的参数来得可以用于模拟检测薄膜晶体管器件的电性的模拟模型，通过大量测试得到的这个模拟模型可以用于之后对薄膜晶体管的关键点的模拟测试，这样，若想要了解薄膜晶体管的性能，就可以通过代入预设的工作参数即可，节省了时间和成本。

Description

一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置。

背景技术

在显示产品的设计过程中，对于薄膜晶体管检测和制造，最为关心的不是整条曲线的拟合程度，而是曲线上一些非常重要的点，这里称为关键点；在薄膜晶体管检测和制造的时候，曲线上的其他点可以在仿真结果和测试结果之间可以有所偏差；但是，关键点对应的这些点要尽可能准确。

现薄膜晶体管检测和制造时，对产品的检验与生产质量把控需要对大量产品进行实测，耗时多、成本高。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的检测方法和检测装置，以节省时间和成本。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管的检测方法，包括步骤：

根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；

比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；

使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。

可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y。

可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

根据所述预设的关键点参数作为计算参数，将所述计算参数代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型，计算得到对应的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果记为Y’。

可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₁，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₁；

根据所述驱动电压X₁为计算参数，将所述驱动电压X₁代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₁’；

对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₂，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₂；

根据所述驱动电压X₂与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X₂与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₂’；

对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；

根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’。

可选的，预设的所述模型为：dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ；其中，A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；μ为模型参数。

可选的，所述μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，其中，B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；Vds是漏极与源极间的电压；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间。

可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第一电性结果Y₁)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第一电性结果Y₂)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；

根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第二电性结果Y₁’)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第二电性结果Y₂’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；

将所述第一类曲线和所述第二类曲线进行拟合。

可选的，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

将所述第一类曲线和所述第二类曲线拟合后，对比所述第一电性结果Y₁与第二电性结果Y₁’、第一电性结果Y₂与第二电性结果Y₂’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；

如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的所述模型可用于对薄膜晶体管进行模拟电性测试；

如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的所述模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对所述第一电性结果与所述第二电性结果。

本发明还公开了一种薄膜晶体管的检测方法，包括步骤：

根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y；

根据所述预设的关键点参数X作为计算参数，将所述关键点参数X代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型；预设的所述模型为dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ，计算得到对应的所述薄膜晶体管的第二电性结果记为Y’；

其中，μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，μ为待确定的模型参数；A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；Vds是漏极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间；

根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’；

根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第二电性结果Ye’)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第二电性结果Y₂’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；

将所述第一类曲线和所述第二类曲线在一个坐标系下进行拟合；

如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的所述模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对所述第一电性结果与所述第二电性结果；

其中，在每次所述实测，在施加预设的所述驱动电压之前，所述薄膜晶体管的状态相同。

本发明还公开了一种薄膜晶体管的检测装置，包括：测试机，被配置为对所述薄膜晶体管进行电性实测，并得到所述实测的电性结果和显示实测曲线；模拟机，被配置为对所述薄膜晶体管进行实测的参数进行模拟，并得到所述模拟的电性结果和显示模拟曲线；拟合机，被配置为将所述实测曲线与所述模拟曲线进行拟合，并显示拟合后的结果。

相对于通过大量实物检测薄膜晶体管来预测薄膜晶体管的性能的方案来说，本发明通过对经过预处理的薄膜晶体管的关键点进行多次电性实测，从而的到实测的第一电性结果，然后将多次电性实测的参数带入用于模拟检测薄膜晶体管器件的电性的预设的模型，从而得到模拟的第二电性结果，将第一电性结果与第二电性结果对比，最后只需第一电性结果与第二电性结果的比较差值在预设的偏差范围内，那么该预设的模型便可以用于之后对薄膜晶体管的关键点的模拟测试，只需要将想要测试的参数带入这个预设的模型内，即可得到对应参数下运行的薄膜晶体管的性能，这样，若想要了解待测的薄膜晶体管的性能，就可以通过代入预设的工作参数，即可得到待测的薄膜晶体管的性能，节省了时间和成本。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是有源层与欧姆接触层内的硅原子状态的示意图；

图2是源/漏电极之间的缺陷态产生的示意图；

图3是栅绝缘层的电荷陷阱使电子陷入栅绝缘层的示意图；

图4是本发明的实际用于工业的应用步骤的示意图；

图5是本发明的实测的步骤示意图；

图6是本发明的模拟的步骤的示意图；

图7是本发明的实测与模拟同参数进行的步骤的示意图；

图8是本发明的第一类曲线和第二类曲线的生成步骤的示意图；

图9是本发明的实测与模拟结果对比判断的步骤的示意图；

图10是本发明的第一类曲线和第二类曲线的的示意图；

图11是本发明的薄膜晶体管的示意图；

图12是本发明的详细的施步骤的示意图；

图13是本发明的检测装置的示意图；

图14是本发明的检测装置具体工作步骤的示意图。

其中，100、薄膜晶体管；110、衬底；120、栅电极；130、栅绝缘层；140、有源层；150、欧姆接触层；160、源/漏电极；170、钝化层；200、第一类曲线；210、第一曲线；220、第二曲线；230、第三曲线；240、第四曲线；250、第五曲线；260、第六曲线；300、第二类曲线；310、第七曲线；320、第八曲线；330、第九曲线；340、第十曲线；350、第十一曲线；360、第十二曲线；400、检测装置；410、测试机；420、模拟机；430、拟合机；500、断裂共价键；600、关键点。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

薄膜晶体管在栅极电压的应力下，源/漏电极之间的缺陷态产生(StateCreation，包括带尾态和深能级缺陷态)以及栅绝缘层的电荷陷阱(Charge trapping)产生最终导致器件阈值电压的的漂移，器件性能的退化。如图1和图2所示，为缺陷态产生的示意图，其中关于硅的共价键存在于有源层和欧姆接触层内，并且存在断裂的共价键，断裂的共价键具有抓取电子的能力，而当源电极与漏电极之间通电后，会有电子通过，这时断裂的共价键会抓取路过的电子，导致电流减小，即产生缺陷态；如图3所示，为栅绝缘层的电荷陷阱使电子陷入栅绝缘层，从而导致阈值电压发生漂移，使薄膜晶体管性能退化，寿命降低。

其中，栅极与源极间的电压Vgs、漏极与源极间的电压Vds、温度以及光照都会影响薄膜晶体管的性能，具体是随着温度升高和/或光照增强和/或栅极与源极间的电压Vgs的增大和/或漏极与源极间的电压Vds的增大，都会导致阈值电压变化，从而影响薄膜晶体管的性能。

下面参考附图和可选的实施例对本发明作详细说明。

如图4所示，本发明实施例公布了一种薄膜晶体管的检测方法，包括步骤：

S1：根据预设的关键点参数来实测得到所述薄膜晶体管的第一电性结果；根据所述预设的关键点参数来模拟得到所述薄膜晶体管的第二电性结果；

S2：比较所述第一电性结果与所述第二电性结果，从而得到可以用于模拟检测的模型；

S3：使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。

结合图10和图11，本方案通过对经过预处理的薄膜晶体管100的关键点600进行多次电性实测，从而的到实测的第一电性结果，然后将多次电性实测的参数带入用于模拟检测薄膜晶体管100器件的电性的预设的模型，从而得到模拟的第二电性结果，将第一电性结果与第二电性结果对比，最后只需第一电性结果与第二电性结果的比较差值在预设的偏差范围内，那么该预设的模型便可以用于之后对薄膜晶体管100的关键点600的模拟测试，只需要将想要测试的参数带入这个预设的模型内，即可得到对应参数下运行的薄膜晶体管100的性能，这样，若想要了解待测的薄膜晶体管的性能，就可以通过代入预设的工作参数，即可得到待测的薄膜晶体管的性能，节省了时间和成本。

如图5所示，在一实施例中，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

S4：根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y。

结合图10和图11，本方案是对薄膜晶体管100的关键点600进行实测，然后记录实测的关键点参数X以及测得的第一电性结果Y，将该关键点参数X作为之后的模拟参数，这样实测和模拟的参数相同，控制单一变量原则，之后对比结果会更有说服力。

如图6所示，在一实施例中，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

S5：根据所述预设的关键点参数作为计算参数，将所述计算参数代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型，计算得到对应的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第二电性结果记为Y’。本方案为模拟过程，首先是提供一个预设的模型，然后将之前的实测的关键点参数X代入这个预设的模型内，通过模拟得到一个模拟的第二电性结果Y’，为与实测的第一电性结果Y进行对比做准备。

如图7所示，在一实施例中，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

S6：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₁，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₁；

S7：根据所述驱动电压X₁为计算参数，将所述驱动电压X₁代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₁’；

S8：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₂，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₂；

S9：根据所述驱动电压X₂与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X₂与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₂’；

S10：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；

S11：根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’。

结合图11，本方案是通过多次的实测，且在实测前，对薄膜晶体管100做了不同时间的加压通电处理，这样就相当于实测的结果是薄膜晶体管100工作一段时间后的第一电性结果，对应前述，将每一组实测的参数对应代入预设的模型中进行跑模拟，然后得到模拟后的薄膜晶体管100第二电性结果，这样多组对比，可以使结果更具说服力。

在一实施例中，所述预设模型为：dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ；其中，μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)；A为薄膜晶体管100内未加电压前的断裂共价键500的数量；G是指在对薄膜晶体管100加Vgs后，产生的断裂共价键500的数量；T是指断裂共价键500随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；μ为待确定的模型参数；B是薄膜晶体管100内的断裂共价键500的数量随着时间变化的指数函数的指数；D是指在对薄膜晶体管100加Vds后，产生的断裂共价键500的数量；Vds是漏极与源极间的电压；t是指模拟薄膜晶体管100工作的时间。

结合图1和图11，判断条件公式中的A、B、D、G、T都是常量，因此可以看出实际的判断条件是dVth关于Vgs、Vds和t的函数关系，也就是说，当输入待模拟的薄膜晶体管100的工作电压Vgs和Vds，以及工作时长t，就可以得到dVth值，然后可以改变模拟参数Vgs、Vds和t，对薄膜晶体管100进行多次不同状态的模拟，就可以了解不同状态下的dVth值，进而反映出其性能；而通过时长t的不同，就可以模拟得出薄膜晶体管100的寿命，因为薄膜晶体管100正常是要使用成百上千小时，甚至更久，那么我们不可能要花费大量时间去测试其寿命，可考虑到寿命作为产品的重要参数，所以应了解，那么本方案中的判断条件公式就可以很好的解决这个问题，节省了大量的测试和检测时间。

如图8所示，在一实施例中，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

S12：根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第一电性结果Y₁)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第一电性结果Y₂)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；

S13：根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第二电性结果Y₁’)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第二电性结果Y₂’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；

S14：将所述第一类曲线和所述第二类曲线进行拟合。

承接上述，本方案将实测与模拟对应得到的第一电性结果与第二电性结果对应其参数做成了曲线，这样可以更直观的看出实测与模拟的差异。

如图9所示，在一实施例中，所述薄膜晶体管的检测方法包括步骤：

S15：将所述第一类曲线和所述第二类曲线拟合后，对比所述第一电性结果Y₁与第二电性结果Y₁’、第一电性结果Y₂与第二电性结果Y₂’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；

S16：如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的所述模型可用于对薄膜晶体管进行模拟电性测试；

S17：如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的所述模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对比所述第一电性结果与所述第二电性结果，直至可以执行步骤S16。

结合图10和图11，因为所述的关键点600才更能表达薄膜晶体管100的电性，所以，本方案只将实测得到的第一电性结果与模拟得到的第二电性结果作对比，如果比较结果在预设的偏差范围内，说明用于模拟的预设的模型更接近真实测试，那么预设的模型可用于实际生产中对薄膜晶体管100的电性模拟测试；如果比较结果超出预设的偏差范围，那么根据公式可知，需要对模型参数μ进行调整，然后重新重复上述过程，直至该预设的模型可以使用实际生产，相比大量的实测来说，通过少量的实验来寻找规律，然后利用规律来模拟测试比大量的实测更节省时间与成本。

在一实施例中，在每次所述实测的施加预设的所述驱动电压之前，所述薄膜晶体管100的状态相同。结合图10和图11，为了使电性测试结果中的第一类曲线200与第二类曲线300中的单一变量只是预先工作的时长，而排除其它干扰会潜在影响测试结果，本方案在每次实测的施加预设的驱动电压之前，提供的薄膜晶体管100的状态相同，这样会保证实验的单一变量原则，使得到的结果更准确。

如图10所示，所述第一类曲线200包括第一曲线210、第二曲线220、第三曲线230、第四曲线240、第五曲线250以及第六曲线260；所述第二类曲线300包括第七曲线310、第八曲线320、第九曲线330、第十曲线340、第十一曲线350以及第十二曲线360；所述第一曲线210与所述第七曲线310对应，且对应的预测时间为0秒；所述第二曲线220与所述第八曲线320对应，且对应的预测时间为1000秒；所述第三曲线230与所述第九曲线330对应，且对应的预测时间为2000秒；所述第四曲线240与所述第十曲线340对应，且对应的预测时间为4000秒；所述第五曲线250与所述第十一曲线350对应，且对应的预测时间为6000秒；所述第六曲线260与所述第十二曲线360对应，且对应的预测时间为8000秒；所述Vgs为-20伏特，所述Vds为1伏特。

如图11所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种薄膜晶体管100，所述薄膜晶体管100包括衬底110；栅电极120，形成于所述衬底110上；栅绝缘层130，形成于所述栅电极120和所述衬底110上，且覆盖所述栅电极120；有源层140，形成于所述栅绝缘层130上；欧姆接触层150，形成于所述有源层140上；源/漏电极160，形成于所述欧姆接触层150上；钝化层170，形成于所述源/漏电极160以及所述有源层140上。其中，本发明不仅仅适用于该类薄膜晶体管100，还适用于其它薄膜晶体管100。

如图12所示，本发明还公开了一种薄膜晶体管100的检测方法，包括步骤：

S18：根据预设的所述关键点参数作为测试参数，对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果；其中，将所述关键点参数记为X，将对应得到的所述薄膜晶体管的所述第一电性结果记为Y；

S19：根据所述预设的关键点参数X作为计算参数，将所述关键点参数X代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型；预设的所述模型为dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ，计算得到对应的所述薄膜晶体管的第二电性结果记为Y’；其中，μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，μ为待确定的模型参数；A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；Vds是漏极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间；

S20：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₁，持续一预设的时间段t1，其中，所述时间段t1＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₁；

S21：根据所述驱动电压X₁为计算参数，将所述驱动电压X₁代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₁’；

S22：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₂，持续一预设的时间段t2，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₂；

S23：根据所述驱动电压X₂与所述时间段t2为计算参数，将所述驱动电压X₂与所述时间段t2代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₂’；

S24：对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压Xn，持续一预设的时间段tn，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Yn；直至所有实测时间段都检测完成；

S25：根据所述驱动电压Xn与所述时间段tn为计算参数，将所述驱动电压Xn与所述时间段tn代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Yn’；

S26：根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第一电性结果Y₁)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第一电性结果Y₂)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；

S27：根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t1,所述第二电性结果Y₁’)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t2,所述第二电性结果Y₂’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；

S28：将所述第一类曲线和所述第二类曲线在一个坐标系下进行拟合；

S29：将所述第一类曲线和所述第二类曲线拟合后，对比所述第一电性结果Y₁与第二电性结果Y₁’、第一电性结果Y₂与第二电性结果Y₂’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；

S30：如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的所述模型可用于对薄膜晶体管进行模拟电性测试；

S31：如果所述第一电性结果与所述第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的所述模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对所述第一电性结果与所述第二电性结果；

其中，在每次所述实测的施加预设的所述驱动电压之前，所述薄膜晶体管的状态相同。

结合图9至图11，本方案通过对经过预处理的薄膜晶体管100的关键点600进行多次电性实测，从而的到实测的第一电性结果，然后将多次电性实测的参数带入用于模拟检测薄膜晶体管100器件的电性的预设的模型，从而得到模拟的第二电性结果，将第一电性结果与第二电性结果对比；同时，为了方便更直观的观察第一电性结果与第二电性结果对比，本方案将根据(驱动电压X₁，时间段t1,第一电性结果Y₁)、(驱动电压X₂，时间段t2,第一电性结果Y₂)以及(驱动电压Xn，时间段tn，第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线200，将根据(驱动电压X₁，时间段t1,第二电性结果Y₁’)、(驱动电压X₂，时间段t2,第二电性结果Y₂’)以及(驱动电压Xn，时间段tn，第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线300，然后将第一类曲线200和第二类曲线300进行拟合；然后对比第一电性结果Y₁与第二电性结果Y₁’、第一电性结果Y₂与第二电性结果Y₂’以及第一电性结果Yn与第二电性结果Yn’；如果第一电性结果与第二电性结果对应比较的差值在预设的范围内，那么预设的模型可用于对薄膜晶体管100进行模拟电性测试；如果第一电性结果与第二电性结果对应比较的差值超出预设的范围，那么调整预设的模型参数μ，并重新进行实测和模拟，然后对比第一电性结果与第二电性结果，直至可以执行步骤S16，这样，本方案可以得到准确并可以实际应用于工业生产的模拟模型；需要说明的是，为了使结果更具说服力，本方案采用单一变量原则，即除了实测前对薄膜晶体管100的预处理时间为变量外，其它均一致；这样，若想要了解待测的薄膜晶体管的性能，就可以通过将预设的工作参数带入得到的模拟模型，即可得到待测的薄膜晶体管的性能，节省了时间和成本。

如图13所示，本发明还公开了一种薄膜晶体管的检测装置400，包括：测试机410，被配置为对所述薄膜晶体管100进行电性实测，并得到所述实测的电性结果和显示实测曲线；模拟机420，被配置为对所述薄膜晶体管100进行实测的参数进行模拟，并得到所述模拟的电性结果和显示模拟曲线；拟合机430，被配置为将所述实测曲线与所述模拟曲线进行拟合，并显示拟合后的结果；

其中，如图14所示，所述检测装置400的使用包括步骤：

S32：所述测试机先对所述薄膜晶体管的栅电极和源/漏电极施加一段时间tn的驱动电压，使其正常工作一段时间tn(tn≥0s)；然后对所述薄膜晶体管进行实测，即对所述薄膜晶体管的栅电极和源/漏电极施加设定的驱动电压，得到关于所述薄膜晶体管在设定的所述驱动电压下的实测的电性结果；所述实测中包括多组不同的驱动电压，根据多组不同的所述驱动电压会对应得到多组实测的所述电性结果，所述测试机根据多组不同的所述驱动电压与对应得到多组实测的所述电性结果，在坐标系中做出关于电压和阈值电压漂移量的实测关系曲线，方便直观观察到电压和阈值电压漂移量的关系走势；其中，每条曲线对应的所述一段时间tn不同，相当于每条曲线对应工作时长不同的薄膜晶体管；

S33：将S32中的实测步骤中的多组不同的驱动电压作为模拟的条件参数，其中，多组不同的所述驱动电压又称为所述薄膜晶体管的关键点参数；将所述一段时间tn也作为模拟的条件参数，将通过多组不同的驱动电压对应得到的多组实测的电性结果作为模拟结果的参考参数，具体的，将S32中的多组不同的驱动电压以及所述一段时间tn输入到所述模拟机内进行模拟，对应得到多组模拟的电性结果，所述模拟机根据多组不同的所述驱动电压与对应得到多组模拟的所述电性结果，在坐标系中做出关于电压和阈值电压漂移量的模拟关系曲线，所述模拟关系曲线与所述实测关系曲线根据相同的参数一一对应；

S34：将上述得到的所述实测关系曲线与所述模拟关系曲线导入到所述拟合机内，将所述实测关系曲线与所述模拟关系曲线在同一个坐标系内进行移动拟合；拟合后，所述实测关系曲线与其对应的所述模拟关系曲线之间的单一变量是两者产生方式不同，即一条为实测得到，一条为模拟得到，然后通过观察对应得曲线上的以所述关键点参数为横坐标的纵坐标的值，来判断实测与模拟各自得到的电性测试结果的差距。因为曲线观察直观方便，所以结果对比一目了然。

本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如扭曲向列型(TwistedNematic，TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching，IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment，VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment，MVA)显示面板，当然，也可以是其他类型的包括薄膜晶体管的显示面板，均可适用上述方案。

需要说明的是，本发明中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。

以上内容是结合具体的可选的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims

1.一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

使用所述模型来模拟得到待测的薄膜晶体管的电性参数。

2.如权利要求1所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

3.如权利要求2所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

4.如权利要求3所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₁，持续一预设的时间段t₁，其中，所述时间段t₁＝0s，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₁；

对所述薄膜晶体管的栅极和源极施加预设的驱动电压X₂，持续一预设的时间段t₂，然后对待测的所述薄膜晶体管进行多次电性实测，并记录对应得到的所述薄膜晶体管的第一电性结果Y₂；

根据所述驱动电压X₂与所述时间段t₂为计算参数，将所述驱动电压X₂与所述时间段t₂代入预设的所述模型，计算得到所述薄膜晶体管的第二电性结果Y₂’；

5.如权利要求4所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，预设的所述模型为：dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ；其中，A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；μ为待确定的模型参数。

6.如权利要求5所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，所述μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)；其中，B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；Vds是漏极与源极间的电压；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间。

7.如权利要求6所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t₁,所述第一电性结果Y₁)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t₂,所述第一电性结果Y₂)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第一电性结果Yn)多组数据，显示出实测的第一类曲线；

根据(所述驱动电压X₁，所述时间段t₁,所述第二电性结果Y₁’)、(所述驱动电压X₂，所述时间段t₂,所述第二电性结果Y₂’)以及(所述驱动电压Xn，所述时间段tn，所述第二电性结果Yn’)多组数据，显示出模拟的第二类曲线；

将所述第一类曲线和所述第二类曲线进行拟合。

8.如权利要求7所述的一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

9.一种薄膜晶体管的检测方法，其特征在于，包括步骤：

根据所述预设的关键点参数X作为计算参数，将所述关键点参数X代入用于模拟检测的所述模型，所述模型为一个预设的模型；预设的所述模型为dVth＝A*(1+G*Vgs*T)*μ，计算得到对应的所述薄膜晶体管的第二电性结果记为Y’；其中，μ＝(1-exp(-B)*(D*Vds*t)/T)，μ为待确定的模型参数；A为薄膜晶体管内未加电压前的断裂共价键的数量；B是薄膜晶体管内的断裂共价键的数量随着时间变化的指数函数的指数；G是指在对薄膜晶体管加Vgs后，产生的断裂共价键的数量；D是指在对薄膜晶体管加Vds后，产生的断裂共价键的数量；T是指断裂共价键随时间变化产生的数量；Vgs是栅极与源极间的电压；Vds是漏极与源极间的电压；dVth是阈值电压的漂移量；t是指模拟薄膜晶体管工作的时间；

10.一种薄膜晶体管的检测装置，其特征在于，包括：

测试机，被配置为对所述薄膜晶体管进行电性实测，并得到所述实测的电性结果和显示实测曲线；

模拟机，被配置为对所述薄膜晶体管进行实测的参数进行模拟，并得到所述模拟的电性结果和显示模拟曲线；

拟合机，被配置为将所述实测曲线与所述模拟曲线进行拟合，并显示拟合后的结果。