CN109873080A - 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法 - Google Patents

一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109873080A
CN109873080A CN201910066171.7A CN201910066171A CN109873080A CN 109873080 A CN109873080 A CN 109873080A CN 201910066171 A CN201910066171 A CN 201910066171A CN 109873080 A CN109873080 A CN 109873080A
Authority
CN
China
Prior art keywords
perovskite
monocrystalline
single crystal
pbi
halide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910066171.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109873080B (zh
Inventor
范建东
王华民
李闻哲
袁伟南
冼业铭
尹航
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jinan University
Original Assignee
Jinan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jinan University filed Critical Jinan University
Priority to CN201910066171.7A priority Critical patent/CN109873080B/zh
Publication of CN109873080A publication Critical patent/CN109873080A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109873080B publication Critical patent/CN109873080B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法，该钙钛矿单晶X射线探测器包括钙钛矿单晶以及单晶上下两侧的电极，所述钙钛矿单晶是在(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加卤化铷和卤化铅制备成分子式为(NH2CH＝NH2)xRb1‑xPb(IyBr1‑y)3的钙钛矿结构，其中0.9≦x＜1，0.8≦y＜1。该类卤化铷和卤化铅掺杂材料可以抑制(NH2CH＝NH2)PbI3单晶的由黑相到黄相的相变，同时，也能有效的改善单晶内部的离子迁移，使单晶的性能有了有效的提高。

Description

一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法
技术领域
本发明属于钙钛矿单晶X射线探测器领域，具体涉及一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法。
背景技术
近年来，能够将入射光(紫外线，可见光或红外线)转换为电信号的光电探测器对于各种工业和科学应用(包括成像，光通信，环境监测和生物传感)至关重要。(NH2CH＝NH2)PbI3是典型配方的有机-无机杂化钙钛矿单晶，由于其直接带隙，长电子和空穴传输长度和高吸收系数而引起了广泛的研究兴趣。这些独特的特性赋予钙钛矿独特的电气和光电特性。钙钛矿在300-800nm的宽波长范围内具有大的光吸收系数，这对于宽带光电探测器应用是理想的。此外，由于其高吸收能力和直接带隙性质，可以通过非常薄的钙钛矿层(几百nm)实现完全的光吸收。由于光生电荷载体的移动距离很小，导致快速的光响应速度。这些特性强烈表明，有机-无机杂化钙钛矿材料是构建高性能光电探测器的理想构件。
发明内容
由于(NH2CH＝NH2)PbI3单晶在常温，有水分和氧气的条件下，很容易由黑相变为黄相，严重影响了(NH2CH＝NH2)PbI3单晶的对光的测试性能，可以考虑在其中掺杂进某些金属阳离子来抑制这种情况的发生。同时，添加的这些金属离子，也会对单晶的性能有所提高。
最近，光学和电学研究表明，与其多晶薄膜对应物相比，单晶钙钛矿在陷阱密度和电荷传输特性方面表现出增强的性质。例如，观察到在单晶的带隙附近没有明显的吸收峰，表明其更有序的结构。单晶具有低缺陷态密度和更长的载流子扩散长度。此外，与多晶薄膜相比，它具有更长的电荷载流子寿命，这是由于缺陷态诱导的复合更低。据报道，单晶的扩散长度远远超过多晶薄膜的测量值。所有这些结果都可能表明，由单晶钙钛矿制成的光电器件可以表现出比多晶对应物更好的性能。如上所述，为了提高钙钛矿基X射线探测器的性能，一种可能的方法是减少晶界和缺陷密度，以减少光生载流子的复合并增加载流子寿命。因此，由单晶钙钛矿构成的X射线探测器可以实现所需的光电导性能。
本发明的目的在于克服现有技术的不足之处，提供一种钙钛矿单晶X射线探测器及其制备方法，本发明通过在(NH2CH＝NH2)PbI3中掺杂卤化铷和卤化铅来改善X射线探测器的性能。
本发明的目的之一通过以下技术方案来实现：
一种钙钛矿单晶X射线探测器，包括钙钛矿单晶以及单晶上下两侧的电极，所述钙钛矿单晶是在(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加卤化铷和卤化铅制备成一种分子式为(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3的钙钛矿结构，其中0.9≦x＜1，0.8≦y＜1。
进一步地，所述电极材料为金。
进一步地，所述电极使用正方形电极模板制成，正方形电极模板镀金层的厚度为100nm。
进一步地，所述卤化铷为碘化铷或溴化铷。
进一步地，所述卤化铅为碘化铅或溴化铅。
本发明的另一目的通过如下技术方案实现：
一种钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，所述钙钛矿单晶X射线探测器制备有如下步骤：
(1)制备钙钛矿单晶
将摩尔比为(0.9～1):(0.8～1)的(NH2CH＝NH2)I和PbI2混合溶解到γ-丁内酯中，形成(NH2CH＝NH2)PbI3溶液，然后添加卤化铷和卤化铅，混合搅拌至材料全部溶解，形成(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液，将溶液在120℃至125℃加热直至生成1mm的黑色晶体小颗粒时，移出黑色晶体小颗粒；将生成的黑色小颗粒移入新的(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液中继续生长至1cm，制成钙钛矿单晶；所述的新的(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液是通过将摩尔比为(0.9～1)：(0.8～1)的(NH2CH＝NH2)I和PbI2混合溶解到γ-丁内酯中，再往里添加卤化铷和卤化铅制得；
(2)制备钙钛矿单晶X射线探测器
将步骤(1)中生成的钙钛矿单晶用乙醇清洗好后，选其上下两个平滑的面，使用正方形电极模板在单晶两侧蒸镀金电极。
进一步地，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为(0.9～1):(0～0.1):(0.8～1):(0～0.2)。
进一步地，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.95:0.05:0.9:0.1。
进一步地，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.9:0.1:0.9:0.1。
进一步地，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.95:0.05:0.8:0.2。
现有技术相比，本发明具有如下优点：
(1)(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3单晶具有大的光吸收系数，高的载流子迁移率，长的载流子寿命和长的扩散长度。
(2)本发明掺杂的碘化物材料可以抑制(NH2CH＝NH2)PbI3单晶的由黑相到黄相的相变，同时，也能有效得改善单晶内部的离子迁移，使单晶的性能有了有效的提高。
(3)本发明通过离子掺杂有效减少了单晶的缺陷态密度。
(4)本发明通过离子掺杂，提高了单晶X射线探测器的响应度。
(5)本发明通过离子掺杂有效拓宽了X射线探测器的响应频率。
附图说明
图1为钙钛矿单晶X射线探测器结构图，1为电极，2为钙钛矿单晶。
图2为(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的掺杂不同量铷离子和不同量溴化铅的光电流测试图，对比例中1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：PbI2＝1:1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例2的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.9:0.1:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例3的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.8:0.2的材料长成的钙钛矿单晶；实施例4的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.9:0.1:0.8:0.2的材料长成的钙钛矿单晶。
图3为(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的掺杂不同量的铷离子和溴化铅的X射线探测器敏感度测试图，对比例中1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：PbI2＝1:1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例2的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.9:0.1:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例3的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.8:0.2的材料长成的钙钛矿单晶；实施例4的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.9:0.1:0.8:0.2的材料长成的钙钛矿单晶。
图4为(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的掺杂不同量的铷离子和溴化铅的X射线探测器响应测试图，对比例中1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：PbI2＝1:1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例1的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例2的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.9:0.1:0.9:0.1的材料长成的钙钛矿单晶；实施例3的单晶为摩尔比(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2＝0.95:0.05:0.8:0.2的材料长成的钙钛矿单晶。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例来进一步说明本发明的技术方案，但本发明并非局限在实施例范围内。
对比例1制备(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器
1)制备(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶
具体步骤为：将172mg的(NH2CH＝NH2)I和461mg的PbI2混合溶解到1mL的γ-丁内酯中，形成HC(NH2)2PbI3溶液，混合搅拌至溶液清澈完全溶解。将溶液转移到可加热的平底瓶中，放置在初始温度为120至125摄氏度的加热台上加热，待瓶底出现直径大约为1mm的黑色晶体小颗粒时，将其中的1颗转移到新的2mL(NH2CH＝NH2)PbI3溶液中继续生长至1cm；所述新的(NH2CH＝NH2)PbI3溶液通过将摩尔比为1:1的(NH2CH＝NH2)I和PbI2混合溶解到γ-丁内酯中制得。
2)(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的制备
将生长好的单晶用乙醇清洗好后，选其上下平滑的两个面，使用正方形电极模板在单晶上下分别蒸镀一层厚度为100nm的金电极。随后进行测试。
3)(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的测试
(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器制作完成后，对其进行一系列的有关探测器性能方面的测试。一是在不同X射线放射剂量下的电流变化测试。二是在不同偏压下的敏感度测试。三是响应测试。具体来说，第一项测试，在5.5mGyairs-1下，探测器的光电流为3.98uA cm-2。第二项测试，在150V偏压下，探测器的敏感度为1358uC Gy-1air cm-2。第三项测试，探测器的光暗电流差为16.5nA。
实施例1、制备(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿晶体探测器
1)制备(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿单晶
具体步骤为：将163mg的(NH2CH＝NH2)I和414.9mg的PbI2混合溶解到1mL的γ-丁内酯中，形成(NH2CH＝NH2)PbI3溶液，然后添加RbI至上述(NH2CH＝NH2)PbI3溶液直至RbI质量浓度为10.65mg/ml,添加PbBr2至上述(NH2CH＝NH2)PbI3溶液直至PbBr2质量浓度为36.7mg/ml混合搅拌至溶液清澈。将溶液转移到可加热的平底瓶中，放置在初始温度为120至125摄氏度的加热台上加热，待瓶底出现直径大约为1mm的黑色晶体小颗粒时，将其中的1颗转移到新的上述同种溶液中继续生长至1cm；所述新的(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3溶液为(NH2CH＝NH2)I：RbI：PbI2:PbBr2摩尔比0.95:0.05:0.9:0.1在1mlγ-丁内酯中混合溶解而成。
2)(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿单晶X射线探测器的制备
将生长好的单晶用乙醇清洗好后，选其上下平滑的两个面，使用正方形电极模板在单晶上下分别蒸镀一层厚度为100nm的金电极。随后进行测试。
3)(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿单晶X射线探测器的测试
(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿单晶X射线探测器制作完成后，对其进行一系列的有关探测器性能方面的测试。一是在不同X射线放射剂量下的电流变化测试。二是在不同偏压下的敏感度测试。三是在暗态下给一个光照的响应测试。具体来说，第一项测试，在5.5mGyairs-1下，探测器的光电流为6.01uA cm-2。第二项测试，在150V偏压下，探测器的敏感度为1511uC Gy-1air cm-2。第三项测试，探测器的光暗电流差为20.1nA。
实施例2、制备(NH2CH＝NH2)0.9Rb0.1Pb(I0.9Br0.1)3钙钛矿晶体探测器
按照实施例1的步骤，增加RbI的浓度直至RbI质量浓度为21.3mg/mL。PbBr2的浓度保持不变。
第一项测试，在5.5mGyairs-1下，探测器的光电流为11.048uA cm-2。第二项测试，在150V偏压下，探测器的敏感度为2600uC Gy-1air cm-2。第三项测试，探测器的光暗电流差为22.5nA。
实施例3、制备(NH2CH＝NH2)0.95Rb0.05Pb(I0.8Br0.2)3钙钛矿晶体探测器
按照实施例1的步骤，增加PbBr2的浓度直至PbBr2质量浓度为73.4mg/mL。RbI的浓度保持不变。
第一项测试，在5.5mGyairs-1下，探测器的光电流为12.91uA cm-2。第二项测试，在150V偏压下，探测器的敏感度为3508uC Gy-1air cm-2。第三项测试，探测器的光暗电流差为25nA。
实施例4、制备(NH2CH＝NH2)0.9Rb0.1Pb(I0.8Br0.2)3钙钛矿晶体探测器
按照实施例1的步骤，增加RbI的浓度直至RbI质量浓度为21.3mg/mL，增加PbBr2的浓度直至PbBr2质量浓度为73.4mg/mL。
第一项测试，在5.5mGyairs-1下，探测器的光电流为15.14uA cm-2。第二项测试，在150V偏压下，探测器的敏感度为4500uC Gy-1air cm-2。第三项测试，探测器的光暗电流差为26.5nA。
表1、对比例1、实施例1至实施例4的不同掺杂量的铷离子和溴化铅的(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿单晶X射线探测器的性能。
光电流(uA cm<sup>-2</sup>) 敏感度(uCGy<sup>-1</sup><sub>air</sub>cm<sup>-2</sup>) 电流(nA)
对比例1 3.98 1358 16.5
实施例1 6.01 1511 20.1
实施例2 11.48 2600 22.5
实施例3 12.91 3508 25.4
实施例4 15.14 4500 26.5
由上可知，在纯(NH2CH＝NH2)PbI3单晶中掺杂进铷离子和溴化铅，对其相变的抑制是起了一定的作用的。在测试时也对探测器的性能有了一定的改善。
以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种钙钛矿单晶X射线探测器，包括钙钛矿单晶以及单晶上下两侧的电极，其特征在于，所述钙钛矿单晶是在(NH2CH＝NH2)PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加卤化铷和卤化铅制备成分子式为(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3的钙钛矿结构，其中0.9≦x＜1，0.8≦y＜1。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶X射线探测器，其特征在于，所述电极材料为金。
3.根据权利要求1至2任一项所述的钙钛矿单晶X射线探测器，其特征在于，所述电极使用正方形电极模板制成，正方形电极模板镀金层的厚度为100nm。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶X射线探测器，其特征在于，所述卤化铷为碘化铷或溴化铷。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿单晶X射线探测器，其特征在于，所述卤化铅为碘化铅或溴化铅。
6.一种钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿单晶X射线探测器制备有如下步骤：
(1)制备钙钛矿单晶
将摩尔比为(0.9～1):(0.8～1)的(NH2CH＝NH2)I和PbI2混合溶解到γ-丁内酯中，形成(NH2CH＝NH2)PbI3溶液，然后添加卤化铷和卤化铅，混合搅拌至材料全部溶解，形成(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液，将溶液在120℃至125℃加热直至生成1mm的黑色晶体小颗粒时，移出黑色晶体小颗粒；将生成的黑色小颗粒移入新的(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液中继续生长至1cm，制成钙钛矿单晶；所述的新的(NH2CH＝NH2)xRb1-xPb(IyBr1-y)3溶液是通过将摩尔比为(0.9～1)：(0.8～1)的(NH2CH＝NH2)I和PbI2混合溶解到γ-丁内酯中，再往里添加卤化铷和卤化铅制得；
(2)制备钙钛矿单晶X射线探测器
将步骤(1)中生成的钙钛矿单晶用乙醇清洗好后，选其上下两个平滑的面，使用正方形电极模板在单晶两侧蒸镀金电极。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，其特征在于,所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为(0.9～1):(0～0.1):(0.8～1):(0～0.2)。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，其特征在于,所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.95:0.05:0.9:0.1。
9.根据权利要求7所述的钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.9:0.1:0.9:0.1。
10.根据权利要求7所述的钙钛矿单晶X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述添加的(NH2CH＝NH2)I、卤化铷、PbI2和卤化铅的摩尔比为0.95:0.05:0.8:0.2。
CN201910066171.7A 2019-01-24 2019-01-24 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法 Active CN109873080B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910066171.7A CN109873080B (zh) 2019-01-24 2019-01-24 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910066171.7A CN109873080B (zh) 2019-01-24 2019-01-24 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109873080A true CN109873080A (zh) 2019-06-11
CN109873080B CN109873080B (zh) 2023-02-07

Family

ID=66918020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910066171.7A Active CN109873080B (zh) 2019-01-24 2019-01-24 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109873080B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110230103A (zh) * 2019-07-19 2019-09-13 中国工程物理研究院化工材料研究所 零维铋基钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用
CN110330335A (zh) * 2019-07-19 2019-10-15 中国工程物理研究院化工材料研究所 铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及x射线探测器
CN110911566A (zh) * 2019-12-06 2020-03-24 武汉大学 一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜x-射线探测器及其制备方法
CN111933803A (zh) * 2020-08-20 2020-11-13 西安电子科技大学 基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法
CN113046829A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 四川大学 一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间带半导体的方法
CN113823741A (zh) * 2021-08-05 2021-12-21 中国科学院深圳先进技术研究院 X光活性材料及其制备方法和应用
CN114380739A (zh) * 2021-12-09 2022-04-22 山西大学 芳香胺构筑的二维双层dj型钙钛矿及制备方法和应用
CN115044982A (zh) * 2022-05-23 2022-09-13 南昌大学 一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105218594A (zh) * 2014-06-06 2016-01-06 清华大学 钙钛矿材料及太阳电池
CN106549106A (zh) * 2016-10-21 2017-03-29 中国科学院上海应用物理研究所 一种基于层状钙钛矿结构材料的薄膜太阳能电池及其制备方法
WO2017128987A1 (zh) * 2016-01-26 2017-08-03 南京工业大学 一种钙钛矿光电器件、制备方法及一种钙钛矿材料
EP3272757A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-24 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Mixed cation perovskite solid state solar cell and fabrication thereof
US20180248052A1 (en) * 2015-01-08 2018-08-30 Korea Research Institute Of Chemical Technology Method for manufacturing device comprising inorganic/organic hybrid perovskite compound film and device comprising inorganic/organic hybrid perovskite compound film
WO2018231909A1 (en) * 2017-06-13 2018-12-20 Board Of Trustees Of Michigan State University Method for fabricating epitaxial halide perovskite films and devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105218594A (zh) * 2014-06-06 2016-01-06 清华大学 钙钛矿材料及太阳电池
US20180248052A1 (en) * 2015-01-08 2018-08-30 Korea Research Institute Of Chemical Technology Method for manufacturing device comprising inorganic/organic hybrid perovskite compound film and device comprising inorganic/organic hybrid perovskite compound film
WO2017128987A1 (zh) * 2016-01-26 2017-08-03 南京工业大学 一种钙钛矿光电器件、制备方法及一种钙钛矿材料
EP3272757A1 (en) * 2016-07-21 2018-01-24 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Mixed cation perovskite solid state solar cell and fabrication thereof
CN106549106A (zh) * 2016-10-21 2017-03-29 中国科学院上海应用物理研究所 一种基于层状钙钛矿结构材料的薄膜太阳能电池及其制备方法
WO2018231909A1 (en) * 2017-06-13 2018-12-20 Board Of Trustees Of Michigan State University Method for fabricating epitaxial halide perovskite films and devices

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IVO BORRIELLO等: "Ab initio investigation of hybrid organic-inorganic perovskites based on tin halide", 《PHYSICAL REVIEW》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110230103A (zh) * 2019-07-19 2019-09-13 中国工程物理研究院化工材料研究所 零维铋基钙钛矿单晶材料及其制备方法和应用
CN110330335A (zh) * 2019-07-19 2019-10-15 中国工程物理研究院化工材料研究所 铋基卤化物陶瓷材料、制备方法及x射线探测器
CN110911566A (zh) * 2019-12-06 2020-03-24 武汉大学 一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜x-射线探测器及其制备方法
CN110911566B (zh) * 2019-12-06 2021-11-23 武汉大学 一种基于钙钛矿单晶颗粒复合膜x-射线探测器及其制备方法
CN113046829A (zh) * 2019-12-26 2021-06-29 四川大学 一种诱导卤化物钙钛矿单晶成为杂质中间带半导体的方法
CN111933803A (zh) * 2020-08-20 2020-11-13 西安电子科技大学 基于二维钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法
CN113823741A (zh) * 2021-08-05 2021-12-21 中国科学院深圳先进技术研究院 X光活性材料及其制备方法和应用
CN114380739A (zh) * 2021-12-09 2022-04-22 山西大学 芳香胺构筑的二维双层dj型钙钛矿及制备方法和应用
CN115044982A (zh) * 2022-05-23 2022-09-13 南昌大学 一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用
CN115044982B (zh) * 2022-05-23 2023-08-22 南昌大学 一种掺杂剂和辅助掺杂剂协同作用的低缺陷态密度无甲胺钙钛矿单晶、制备方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN109873080B (zh) 2023-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109873080A (zh) 一种钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法
Wu et al. Self‐powered FA0. 55MA0. 45PbI3 single‐crystal perovskite X‐ray detectors with high sensitivity
Wu et al. Deep ultraviolet photoconductive and near-infrared luminescence properties of Er3+-doped β-Ga2O3 thin films
CN109786486A (zh) 一种双钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法
CN108329912A (zh) 一种提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性的方法
CN110676342B (zh) 基于钙钛矿材料的x射线探测器及其制备方法
CN111816719B (zh) 卤素钙钛矿单晶x射线探测器及其制备方法
CN107046098B (zh) 一种大晶粒碘化物钙钛矿薄膜的制备方法
CN110364625A (zh) 一种用于弱光探测的钙钛矿量子点光电晶体管及制备方法
CN111933730B (zh) 基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法
CN113130769A (zh) 二维层状钙钛矿单晶、宽光谱光电探测器及其制备方法
CN108691012A (zh) 一类具有高光电响应效率、室温稳定的铯铅卤化物钙钛矿晶体材料及其制备方法和应用
Ruzgar Enhancement of the electrical performance of TiO2/p-Si heterojunction diode by Gadolinium doping
CN109830607A (zh) 一种(HC(NH2)2)xR1-xPbI3钙钛矿单晶探测器及其制备方法
Shi et al. CsPbX3 Based X‐Ray Detectors
Liu et al. MAPbBr3− x I x Crystals Improved by Accurate Solution-Grown Procedure for Alpha Particle Detection
Dong et al. Main Group Elements Activated Near‐Infrared Photonic Materials
CN116190491B (zh) 一种纯无机铅卤钙钛矿异质结及其制备方法和应用
Zhang et al. Defect recombination suppression and carrier extraction improvement for efficient CsPbBr3/SnO2 heterojunction photodetectors
CN111009613A (zh) 一种钙钛矿量子点掺杂的有机紫外探测器及其制备方法
Alshogeathri et al. Gel growth and characterization of Cs3Bi2Br9 perovskite single crystals for radiation detection
Liu et al. X-ray detectors based on CsPb1-xSrxBr3 thick films
CN109112627A (zh) 一种提高溴铅铯单晶电阻率的方法
Wei et al. Growth and characterization of indium-doped Cd1− xZnxTe crystal by traveling heater method
Yu et al. Fast growth of CsPbBr3 single crystal with high quality by a modified solvent-evaporation method

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant