CN109862713A - 一种内层芯板阴阳铜生产制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
Description
技术领域
本发明属于线路板制备技术领域，具体涉及一种内层芯板阴阳铜生产制作方法。
背景技术
随着电子产品的多功能性发展，PCB的应用越来越广泛，印刷电路板趋向于体积小，高精密，智能化，越来越多客户对PCB阻抗要求非常严格，尤其是内层阻抗；近来客户因内层正反面有特殊的阻抗要求，导致内层芯板正反面铜厚不一致（也称为阴阳铜），产线在生产过程中存在较大风险，及较大的制作难度，所以在大批量生产过程中如何杜绝内层阻抗不良，针对正反面不同铜厚如何制作是线路板行业的一个难题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，本发明提供一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
本发明的技术方案为：一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为Hoz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=0.8，D=C+0.3。
进一步的，对于铜厚为1oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=1.0，D=C+0.3。
进一步的，对于铜厚为2oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=2.0，D=C+0.5。
进一步的，对于铜厚为3oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=3.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0-5.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为2.5-5.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2-3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
本发明的创新点在于：
1、 通过阴阳铜线宽补偿，按铜厚的那面统一两面补偿，且制定出了Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值；
2、 将阴阳铜蚀刻因子控制在≥2.0，加强了蚀刻能力；
3、 通过关闭蚀刻段上或下喷淋方式，来达到蚀刻阴阳铜的目的，不会导致芯板一面蚀刻ok、另一面将铜蚀刻完。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为Hoz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=0.8，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为2.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例2
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为1oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=1.0，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为2.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例3
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为2oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=2.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为2.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例4
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为3oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=3.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为2.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例5
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为Hoz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=0.8，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在3.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为3.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2-3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例6
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为1oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=1.0，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在3.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为3.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例7
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为2oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=2.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在3.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为3.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例8
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为3oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=3.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在3.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为3.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例9
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为Hoz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=0.8，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在5.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为5.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例10
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为1oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=1.0，D=C+0.3。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在5.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为5.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例11
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为2oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=2.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在5.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为5.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
实施例12
一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
进一步的，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
进一步的，对于铜厚为3oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=3.0，D=C+0.5。
进一步的，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在5.0之间。
进一步的，所述步骤S3中，显影速度为5.5m/min。
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min
进一步的，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复3遍。
本发明通过对内层芯板阴阳铜生产制作的阴阳铜线宽补偿、蚀刻因子的控制、蚀刻机的生产参数的设置，获得一套可行的内层芯板阴阳铜制作方法，降低内层芯板阴阳铜制作的报废率，提高企业效益。
产生的经济效益：
通过本发明方法，每月因内层芯板阴阳铜蚀刻造成报废20㎡，按多层板价格900元/㎡，可降低报废成本：20㎡*900元/㎡=1.8万/每月；每年节约成本为：1.8万/每月*12月=21.6万元。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过任一现有技术实现。
Claims (10)
1.一种内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，包括以下方法：S1.将内层芯板阴阳铜线宽补偿按铜厚的那面统一两面补偿；S2.控制蚀刻因子；S3.控制蚀刻机制作参数。
2.根据权利要求1的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，包括制定Hoz、1oz、2oz、3oz不同铜厚线宽补偿值。
3.根据权利要求2的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，对于铜厚为Hoz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=0.8，D=C+0.3。
4.根据权利要求2的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，对于铜厚为1oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=1.0，D=C+0.3。
5.根据权利要求2的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，对于铜厚为2oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=2.0，D=C+0.5。
6.根据权利要求2的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，对于铜厚为3oz的基铜，设原线宽为A，线宽补偿非阻抗线为C，线宽补偿阻抗线为D，则有生产线宽非阻抗线为A+C，生产线宽阻抗线为A+D；所述C=3.0，D=C+0.5。
7.根据权利要求1的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，蚀刻因子控制在2.0-5.0之间。
8.根据权利要求1的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，显影速度为2.5-5.5m/min。
9.根据权利要求1的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，蚀刻放板时，阴阳铜铜厚的一面朝上，铜薄的一面朝下，蚀刻段上喷淋均打开，关闭下喷淋，按阴阳铜基铜不同铜厚调整蚀刻速度，且按铜厚的蚀刻速度调整：Hoz蚀刻速度6m/min，1oz蚀刻速度4.9m/min，2oz蚀刻速度2.3m/min，3oz蚀刻速度3.2m/min。
10.根据权利要求9的内层芯板阴阳铜生产制作方法，其特征在于，所述步骤S3中，蚀刻工艺重复2-3遍。
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| CN201910101680.9A Pending CN109862713A (zh) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 一种内层芯板阴阳铜生产制作方法 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080661A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プリント基板製作方法 |
| CN202799365U (zh) * | 2012-07-16 | 2013-03-13 | 中山市达进电子有限公司 | 一种阴阳铜箔厚铜电路板 |
| CN104470212A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 珠海方正科技高密电子有限公司 | 一种电路板阻抗线补偿方法及装置 |
| CN105578774A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-11 | 惠州中京电子科技有限公司 | 一种pcb板阴阳铜厚的制作方法 |
-
2019
- 2019-02-01 CN CN201910101680.9A patent/CN109862713A/zh active Pending
Patent Citations (4)
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