CN203179825U - 一种电路保护器件 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种电路保护器件，为表面贴装薄膜熔断器，包括：绝缘的基体，其具有上表面、下表面、相对的端面；上、下表面端电极，其分别设置在所述基体的上、下表面的两端；熔丝，其电连接在两端的所述的上表面端电极之间，该熔丝为铜熔丝或铜熔丝与除了铜以外的金属导电材料构成的复合熔丝；端面电极，其设置在基体的相对的端面上、将位于同一端的上、下端电极对应电连接，特别是，所述的铜熔丝与所述的上表面端电极一体设置。本实用新型提供的熔断器，其铜熔丝与上上表面端电极一体设置，一方面，连接可靠性好；另一方面，熔断器的制造成本降低，且制造方法更加环保和节能。

Description

一种电路保护器件

技术领域

本实用新型涉及一种电路保护器件，具体涉及一种表面贴装薄膜熔断器。

背景技术

熔断器又叫保险丝，是一种历史悠久的过电流保护器件。其原理是利用过电流时产生的热量，将熔丝熔断，从而将电流切断，保护电器和人身的安全。薄膜熔断器是指利用现代薄膜技术制备的一种熔断器，通常由绝缘基体、位于绝缘基体一侧的熔丝（体）、覆盖于熔丝（体）上面的保护层和连接端头组成。

制备薄膜熔断器的关键是熔丝（体），它通常采用半导体技术或薄膜电阻技术加工而成。目前最常用的方法是通过溅射（sputtering）或化学镀（electroless plating）在基体上涂敷很薄的金属层（种子层），然后涂上感光胶或贴上感光胶膜，再用光刻（photolithography）在感光胶上形成熔丝的图形，然后用电镀的方法在曝露出种子金属层的熔丝图形部位进一步沉积金属，将其厚度增致熔丝所需的厚度。其后，要用脱胶剂将感光膜除去，还要用腐蚀性溶液，将原来复盖在感光膜下面的金属种子层溶去，整体工艺相对比较复杂。

薄膜熔断器常用的绝缘基体是氧化铝陶瓷（或玻璃陶瓷）和玻璃纤维增强的环氧树脂印刷线路板（PCB）材料（比如FR-4）。陶瓷基体具有耐高温、耐酸碱腐蚀和高强度等特性，但缺点是具有较高的导热系数（～20w/k.m）而导致热量的流失，需要比较高的电阻才能达到特定的熔断特性，而且成本高，加工也困难。由于FR-4（环氧树脂玻璃纤维基板）材料具有较低的导热系数（～1w/k.m），特别适合制备低电阻和具有稳定熔断特性的熔断器。随着印刷线路板技术的迅猛发展，各种无铅、无卤素，高TG的PCB基板材料以其良好的综合性能、低成本和容易加工等显著优点，被广泛应用于制备薄膜熔断器的基体材料。

美国专利5552757，5790008，5844477，5,943,764和中国专利公开CN 1153577A揭示了用印刷线路板（PCB）及类似的材料制作薄膜熔断器的方法。如图1所示，该方法首先是将PCB上下的覆铜膜全部腐蚀溶解，然后在PCB上钻孔或开槽，再用化学镀（electroless plating）将整个PCB的上下表面和通孔或槽的表面，全部镀上铜。这种将原有的铜箔全部腐蚀溶解，又用化学镀将所有的表面全部镀上铜的过程，不仅工艺复杂，而且销耗大量的化学品，同时又产生大量的废液，既不经济，也不环保。通孔的电镀，目的是将上表面的熔丝与下表面的端头电极连接，以便在下表面电极焊在线路板上时，形成连通熔丝的电路。为了在全部镀上铜的上表面上制成端电极和熔丝，及在下表面上制成端电极，上下表面均要用光敏胶复盖，并用光刻的方法制成需要的图型，然后再把不需要的部分腐蚀掉。这一过程也会产生含铜的废液。值得注意的是，经过上述过程制成的半产品，端头与熔丝为同一材料并具有同一厚度，但在实际应用中，因为端头要承受表面贴装时的耐焊性和连接可靠性的要求，需要一定的厚度，而低额定电流的熔断器的熔丝，需要做到相当薄（如专利中所提的0.25微米），为了将端头增厚，还要经过反复的掩膜、光刻、电镀等过程。

中国专利公开 CN 102623271A公开了一种新的批量加工薄膜型熔断器的制造方法。如图2所示，该制造方法使用了上下表面覆铜膜的线路板，利用线路板上现有的覆铜膜来制造表面端电极，减少了材料的消耗，减少了将覆铜膜完全去除所耗费的化学品，也减少了将覆铜膜除去所产生的废液，该制造方法还采用纳米导电粉末，这样能够在不使用费用高昂的真空磁控溅射设备下，就能够用覆铜线路板做出不同熔断特性要求的薄膜熔断器。但这种改进的工艺仍然没有充分利用PCB覆铜膜，在熔丝部分仍然需要将原有的PCB覆铜膜腐蚀去除，还不能完全达到节能、环保的生产工艺要求。

又，在中国成为世界工厂和电子、化工行业蓬勃发展的同时，迫切需要开发既节能又环保的绿色技术，减少工业废液对环境的污染。电镀废液和化学废料是对环境造成污染的非常重要的根源。而且铜对水的污染是印制电路生产中普遍存在的问题，氨碱蚀刻液的使用更加重了这个问题。因为铜与氨络合，不容易用离子交换法或碱沉淀法除去。所以，在技术和工艺上创新以减少电镀和蚀刻所产生的化学废料，对保护环境具有重要意义。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服提供一种改进的电路保护器件，其连接可靠性好，且可通过节能、环保、低成本的方法制造。

为解决以上技术问题，本实用新型采取如下技术方案：

一种电路保护器件，为表面贴装薄膜熔断器，其包括：

绝缘的基体，其具有上表面、下表面、相对的端面；

上、下表面端电极，其分别设置在所述基体的上、下表面的两端；

熔丝，其电连接在两端的所述的上表面端电极之间，该熔丝为铜熔丝或铜熔丝与除了铜以外的金属导电材料构成的复合熔丝；

端面电极，其设置在基体的相对的端面上、将位于同一端的上、下端电极对应电连接，

特别是，所述的铜熔丝与所述的上表面端电极一体设置。

优选地，所述的绝缘的基体由双面PCB覆铜板的绝缘部分构成，所述的铜熔丝、所述上表面端电极由所述的双面PCB覆铜板的上表面的铜箔部分形成，所述的下表面端电极由所述双面PCB覆铜板的上表面的铜箔部分形成。如此，可以减少制备熔断器的材料的消耗，减少了将铜箔完全去除所耗费的化学品，也减少了将铜箔除去所产生的废液。

进一步地，所述的除了铜以外的金属导电材料为锌、钛、铝、镍、锡、银或它们的合金。

根据本实用新型的一个具体方面，所述的熔丝为复合熔丝，且复合熔丝包括铜熔丝层和电镀在所述铜熔丝层的上表面的部分区域上的第二金属层，所述第二金属层由所述除了铜以外的金属导电材料构成。

优选地，所述熔断器还包括涂覆或印刷在所述熔丝的上表面的保护层。保护层可以为例如硅橡胶层、环氧树脂层、水玻璃层、耐火无机粘合剂层或感光阻燃油墨层。

优选地，所述的熔丝的部分表面上覆盖灭弧和绝缘的复合物涂层。

优选地，所述的端面电极包括形成在基体的相对的端面上的纳米导电粉末层和电镀在纳米导电粉末层上的导电金属层，其中，纳米导电粉末层由平均粒径大小为100~300nm的纳米级导电粉末形成。

更优选地，所述的导电金属层包括电镀在纳米导电粉末层上的厚度为3~5微米的镍层和电镀在镍层上的厚度为8~20微米的铜层，保证上下端电极连接的可靠性。

进一步地，所述的端面电极，上、下表面端电极的暴露部分的表面上镀有焊锡层，以保证电极在表面贴装时的可焊性。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：

本实用新型提供的熔断器，其铜熔丝与上上表面端电极一体设置，一方面，连接可靠性好；另一方面，采取该结构，可以充分利用双面PCB覆铜板上原有的铜箔来一体形成铜熔丝和上表面端电极，减少熔断器制造时材料的消耗，减少已有技术将铜箔完全除去所耗费的化学品，也减少了将铜箔完全除去所产生的废液，使熔断器的制造成本降低，且制造方法更加环保和节能。

附图说明

图1为CN 1153577A 所采取的工艺流程示意图；

图2为CN 102623271A所采取的工艺流程示意图；

图3为本实用新型所采取的工艺流程示意图；                 

图4为具有双面覆铜片的线路板；

图5显示了在图4的线路板上覆盖可感光膜与光掩膜后的示意图；

图6显示了底面端头电极的形状；

图7显示了顶面端头和熔丝（体）的形状；

图8显示了顶面端头电极和复合熔丝（体）的形状；

图9为显示了上下电极连接关系的示意图；

图10为显示了实施例1所得熔断器的顶端面和熔丝（体）形状的示意图；

图11显示了实施例1所得熔断器在焊接到测试板之前和之后，其电阻值（DCR-欧姆）的变化；

图12显示了实施例1所得熔断器的熔断特性（熔断时间）与电阻值（DCR-欧姆）之间的线性关系；

图13为显示了实施例2所得熔断器的顶端面和熔丝（体）形状的示意图；

图14显示了实施例2所得熔断器在焊接到测试板之前和之后，其电阻值（DCR-欧姆）的变化；

图15显示了实施例2所得熔断器的熔断特性（熔断时间）与电阻值（DCR-欧姆）之间的线性关系。

具体实施方式

本实用新型的目的是提供一种连接可靠性好且可通过节能、环保的制造薄方法制造的新型表面贴装薄膜熔断器，是对对发明专利申请CN 102623271A的进一步改进，CN 102623271A所公开的内容将引入本实用新型作为参考。

本实用新型的表面贴装薄膜熔断器的主要改进在于：熔丝与上表面端电极是一体设置/形成的，该结构除了能够保障连接可靠性外，更重要的是其制造方法更加节能和环保，因此，以下将结合熔断器的制造方法来阐述。

本实用新型的熔断器的制造方法不仅大大减少了由于将双面PCB覆铜板的铜通过腐蚀而带来的大量化学废液，而且充分利用PCB覆铜板本身的铜用以制备熔断器的熔丝（体）和上、下连接端面，同时还可以简化生产工艺，有效缩短生产制程的时间，进而降低制造成本。

熔丝（体）是熔断器的主要组成部分。一般要求熔体材料的熔点低、导电性能好、不易氧化和易于加工。熔断器的熔丝（体）材料可以是各种金属（比如铜，银，镍，钛，铝，锡等）及其合金，铜以其良好的导电性，抗氧化性和合适的熔点（1084℃）成为熔断器熔丝（体）的首选材料。而且如前所述，由于FR-4材料具有较低的导热系数（～1w/k.m），特别适合制备低电阻和具有稳定熔断特性的熔断器。所以本实用新型采用PCB覆铜板作为制造薄膜熔断器的基本材料。

熔断器的工作原理是当通过熔断器的电流大于额定值时，以其自身产生的热量（电流通过熔丝（体）而发热）使熔丝（体）熔化而自动分断电路，达到保护线路的目的，所以熔丝（体）材料及其几何形状对熔断器的熔断特性起到了决定性的作用。当选定了熔丝（体）材料之后，制造薄膜熔断器的关键是如何获得高精度，稳定可控的熔丝（体）。同一尺寸的熔断器系列，通常有多个不同额定电流的料号，需要将熔丝（体）做成不同的厚度和/或宽度，以满足在不同额定电流下熔断的特性，用于保护不同额定电流的线路。越薄越细的熔丝，其熔断的额定电流越小。

要获得高精度，稳定可控的熔丝（体），除了在熔丝（体）的设计上要满足熔断特性的要求外，更为重要的是熔丝（体）的厚度和两维平面的精度。随着半导体技术的不断进步，利用光刻工艺可为我们提供生产精确的几何轮廓的熔丝（体），那么熔丝（体）厚度的控制是制造薄膜熔断器的重点。

虽然薄膜技术可以满足熔断特性的所有与高稳定性和精确的可重复性有关的要求，薄膜溅射和离子溅射工艺能够严格控制镀层的厚度，但薄膜工艺所能够获得的直接金属薄膜层厚度通常是1.5微米及以下，超过1.5微米以上的薄膜镀层虽然可以做到，但很不经济，不仅成本高，而且金属薄膜层和基体的结合力也会降低而达不到要求。为此，需要对薄膜镀层加厚才能达到不同规格熔断器所需要的熔丝（体）的厚度。通常采用电镀的方法将其镀层加厚，而平板电镀镀层均匀性目前能够控制的最好水平也只能达到+/-1微米。

覆铜板铜箔厚度的常用规格是1/2盎司（18微米），1盎司（35微米），2盎司（70微米），虽然也有超薄铜箔PCB覆铜板（比如3微米，5微米，7微米和9微米等厚度），但价格十分昂贵。根据薄膜熔断器的要求，本专利选用铜箔厚度为1/2盎司（～18微米）的PCB覆铜板。随着电子线路板技术的发展，PCB覆铜板铜箔的厚度均匀性近年来有了很大的提高，各点铜厚度的误差范围可以控制在+/-0.5微米，可以满足用其铜箔直接制备熔断器熔丝（体）的要求。

在PCB覆铜板铜箔厚度均匀性可以满足直接用其铜箔来制备熔断器熔丝（体）的要求的前提下，本实用新型的另一个目的是通过对铜箔进行均匀的减薄，得到制备熔断器熔丝（体）所要求的厚度和均匀性。减薄铜层可通过本领域所熟知的化学蚀刻技术来进行，化学蚀刻的方式包括但不限于浸泡式、鼓泡式，泼溅式以及喷淋式。在本实用新型中，从获得相对较佳的减薄均匀性角度考虑，优选采用浸泡式减薄方式，通过选择合适的蚀刻液并控制适当的蚀刻液中各组分的浓度、蚀刻温度和其他相关工艺参数，可望获得制造薄膜熔断器所需要的不同厚度的均匀性满足熔断器熔丝（体）要求的铜箔。

图3是根据本实用新型的生产工艺的示意图，与图1和图2所示的工艺相比，本实用新型工艺过程显然简单许多。下面对本实用新型制备薄膜熔断器的工艺过程做进一步详细描述。

第一步：覆铜层减薄

如图4所示，本实用新型采用具有双面覆铜片1a，1b的FR-4基材2为线路板，通过减薄工艺将双面覆铜片的上表面铜膜的厚度减薄到制备特定规格熔断器所需要的熔丝（体）的厚度。

根据本实用新型的一个具体和优选方案：为了达到最佳的减薄均匀性，本实用新型针对不同厚度的要求，采取如下两种方式来做减薄的蚀刻：

第一种方式：氯化铜工艺

用氯化铜（Be= 5-50），盐酸（N= 0.5-5），将氧化还原电势（ORP）调整至450-550mV，另加适量的表面活性剂/湿润剂，在25-55℃条件下蚀刻，在蚀刻过程中定时通过流动来更新铜面的边界层，保持整个表面均匀的氧化速度。

第二种方式：过硫酸钠工艺

用过硫酸钠（1-10%），硫酸（N= 0.5-5），适量加入15-35%的过氧化氢控制氧化速度，另加适量的表面活性剂/湿润剂，在15-30℃条件下蚀刻，在蚀刻过程中定时通过流动来更新铜面的边界层，保持整个表面均匀的氧化速度。

本领域技术人员应理解，其它类似的通过在水溶液中，将铜原子氧化为铜离子的类似氧化物，也可以用于化学蚀刻减薄的工艺，可用的系统还例如有过硫酸氨，硫酸加过氧化氢等体系。

第二步：光刻/化学腐蚀制备熔丝和上、下连接端面

如图5所示，用可感光的胶膜3a，3b压合在减薄后的线路板的上下表面。在可感光的胶膜3a，3b的表面，覆盖光掩膜4a，4b。光掩膜4a，4b上有黑色的部分和透光的部分，在经过紫外光的曝光后，可感光的胶膜3a，3b在光掩模4a，4b透光的部分受紫外光照射聚合。可感光的胶膜3a，3b在光掩膜4a，4b不透光部分没受到紫外光照射，不会聚合，可用碱性溶液洗去。然后，将部分被可感光的胶膜3a，3b覆盖的覆铜线路板放到氧化性的腐蚀液中，可将没有被可感光的胶膜3a，3b保护部分的覆铜板溶解，留下需要的上表面端电极的端头部分5a，5b。上下的光掩膜4a，4b的图形不同，下面的图形为矩形，使端头部分的电极也为矩形，方便用于表面贴装的焊接，如图6所示。而上面的光掩膜则在端头的内侧中间部分，形成突出的梯形的下表面端电极6a和6b，并和铜熔丝（体）7成为一体，以保证铜熔丝和上表面端电极6a,6b的可靠连接，如图7所示。

第三步：光刻/电镀制备第二金属（在熔丝上表面）

可以通过如上所述的干膜技术，在图6、7所示的端头电极和部分熔丝（体）覆盖而将所示的熔丝（体）的中间部分露出，用电镀的方法制作第二金属熔丝（体）8而形成复合熔丝。不同的材料及材料的组合，可制成不同电阻率和不同熔点的复合熔丝。其示意如图8所示。

第四步：涂覆熔丝保护层

为了保护熔丝，在复合熔丝（体）的上表面，涂上硅橡胶，环氧胶，或水玻璃等保护层9。

第五步：字码印刷（可参考CN 102623271A）

第六步：开槽

第七步：涂覆纳米导电层（开槽端面）

为了完成上表面端电极6a和6b与下表面端电极5a与5b的连接，在端面10a和10b上涂布纳米级的导电颗粒，然后用电镀的方法，选择性地镀上铜和/或镍，实现6a与5a，6b与5b的电极的电连接。如图9所示。

第八步：电镀锡（端面）

为了保证电极在表面贴装时的可焊性，在暴露的端电极表面镀上锡。

上述第一步~第三步构成在原材上形成上表面端电极、下表面端电极和熔丝的工序；

上述第六步~第七步构成形成将上、下表面端电极相电连接的端面电极的工序。

第九步：切割成产品

本实用新型上述工艺利用覆铜线路板的材料，将PCB覆铜板本身的铜膜进行减薄得到熔丝（体）所需要的铜膜厚度，并且与纳米材料技术相结合，制造不同熔断特性的熔断器的技术，充分利用了覆铜板上的原有的铜箔来制造熔断器的端电极和熔丝（体），减少了材料的消耗，减少了将铜箔完全去除所耗费的化学品，也减少了将铜箔除去所产生的废液，而且无需薄膜溅射和化学镀等复杂和昂贵的设备和工艺，是一种低成本、低消耗、和节能、环保型的生产技术。本专利的技术创新和新颖性的主要点是不使用费用高昂的真空磁控溅射设备，完全避免了会产生大量废水的繁杂的化学镀工艺，仅仅通过改进、优化的铜减薄技术，就能够用覆铜线路板做出不同熔断特性要求的薄膜熔断器。由于熔断器的熔丝（体）和端面电极是利用原有的覆铜线路板的铜箔一体形成，熔断器端电极和熔丝（体）的连接可靠性也有了保障。

实施例1 制备熔丝（体）厚度大于5微米的薄膜熔断器（以0603尺寸，5.0A快断薄膜熔断器为例）

第一步：将上下表面有半盎司铜膜的PCB覆铜板板裁剪成6英寸方块，将PCB覆铜板的上表面铜膜均匀地减薄到所需要的厚度（5～14微米），其中，减薄采取氯化铜工艺，采取的酸性氯化铜蚀刻液中氯化铜的波美度为10~15，盐酸浓度为1~2mol/L，氧化还原电势（ORP）调整到450-550mV，另加适量的表面活性剂/湿润剂，在25~30℃条件下蚀刻，在蚀刻过程中定时通过流动来更新铜面的边界层，保持整个表面均匀的氧化速度。

第二步：通过光刻-化学蚀刻制备端电极上、下端面和熔丝（体）（参见图10），可以采用干膜或湿膜获得光刻图形，通常采用干膜，因为精度更高，成本也低；

第三步：通过干膜和电镀技术，在熔丝（体）的中间制作第二金属熔丝（体）（锌、钛、铝、镍、锡、银、或其合金）而形成复合熔丝；

第四步：在下表面印刷字码；

第五步：在上表面涂覆或印刷熔丝保护层，熔丝保护层的材料可以是各种感光阻燃油墨，或硅橡胶，或环氧树脂，或水玻璃；

第六步：采用干膜保护上、下表面，并用高精度划片机切割上下端电极连接槽；

第七步：在上下端电极连接槽表面涂覆纳米导电层，纳米导电层的导电颗粒是纳米碳粉，纳米碳粉的平均颗粒度是大约100-300纳米；

第八步：电镀制备电连接上下表面端电极的端面电极，先电镀3-5微米的镍，然后电镀10-20微米的铜，最后电镀3-5微米的锡；

第九步：切割成产品。

 参见图11，其为熔断器在焊接前和焊接到测试板上后电阻值（DCR-欧姆）变化，显示熔断器的电阻值在经过回流焊之后变化很小，十分稳定；

参见图12，其显示了熔断器的熔断特性（熔断时间）和电阻值（DCR-欧姆）之间的线性关系，显示该熔断器具有良好的线性关系。在200%，400%和800%电流过载条件下熔断器的熔断时间和电阻值之间的线性系数（R2）都大于0.9。

 实施例2制备熔丝（体）厚度小于5-10微米的薄膜熔断器（以0603尺寸，0.375A快断薄膜熔断器为例）

第一步：将上下表面有半盎司铜膜的PCB覆铜板板裁剪成6英寸方块，将PCB覆铜板的上表面铜膜均匀地减薄到5-10微米的厚度，利用干膜覆盖保护上端电极面和下端电极面的区域，继续将覆铜板其他区域的铜膜均匀地减薄所需要的厚度，其中采取过硫酸钠工艺，具体地，用过硫酸钠（1-10%），硫酸（N= 0.5-5），适量加入15-35%的过氧化氢控制氧化速度，另加适量的表面活性剂/湿润剂，在15-30℃条件下蚀刻，在蚀刻过程中定时通过流动来更新铜面的边界层，保持整个表面均匀的氧化速度。

第二步：通过光刻-化学蚀刻制备端电极上、下端面和熔丝（体）（参见图13），可以采用干膜或湿膜获得光刻图形，通常采用干膜，因为精度更高，成本也低；

第三步：通过干膜和电镀技术，在熔丝（体）的中间制作第二金属熔丝（体）（为锌、钛、铝、镍、锡、银、或其合金）而形成复合熔丝；

第四步：在下表面印刷字码；

第五步：在上表面涂覆或印刷熔丝保护层，熔丝保护层的材料可以是各种感光阻燃油墨，或硅橡胶，或环氧树脂，或水玻璃；

第六步：采用干膜保护上、下表面，并用高精度划片机切割上下端电极连接槽；

第七步：在上下端电极连接槽表面涂覆纳米导电层，纳米导电层的导电颗粒是纳米碳粉，纳米碳粉的平均颗粒度是大约100-300纳米；

第八步：电镀制备上下端电极连接端面，先电镀3-5微米的镍，然后电镀8-20微米的铜，最后电镀3-5微米的锡；

第九步：切割成产品

参见图14，其为熔断器在焊接前和焊接到测试板上后电阻值（DCR-欧姆）变化，显示熔断器的电阻值在经过回流焊之后变化很小，十分稳定；

参见图15，其显示了熔断器的熔断特性（熔断时间）和电阻值（DCR-欧姆）之间的线性关系，显示该熔断器具有良好的线性关系。在200%，400%和800%电流过载条件下熔断器的熔断时间和电阻值之间的线性系数（R ² ）都大于0.9。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1. 一种电路保护器件，为表面贴装薄膜熔断器，其包括：

绝缘的基体，其具有上表面、下表面、相对的端面；

上、下表面端电极，其分别设置在所述基体的上、下表面的两端；

熔丝，其电连接在两端的所述的上表面端电极之间，该熔丝为铜熔丝或铜熔丝与除了铜以外的金属导电材料构成的复合熔丝；

端面电极，其设置在基体的相对的端面上、将位于同一端的上、下端电极对应电连接，

其特征在于：所述的铜熔丝与所述的上表面端电极一体设置。

2. 根据权利要求1所述的电路保护器件，其特征在于：所述的绝缘的基体由双面PCB覆铜板的绝缘部分构成，所述的铜熔丝、所述上表面端电极由所述的双面PCB覆铜板的上表面的铜箔部分形成，所述的下表面端电极由所述双面PCB覆铜板的上表面的铜箔部分形成。

3. 根据权利要求1所述的电路保护器件，其特征在于：所述的除了铜以外的金属导电材料为锌、钛、铝、镍、锡、银或它们的合金。

4. 根据权利要求1或3所述的电路保护器件，其特征在于：所述的熔丝为复合熔丝，且复合熔丝包括铜熔丝层和电镀在所述铜熔丝层的上表面的部分区域上的第二金属层，所述第二金属层由所述除了铜以外的金属导电材料构成。

5. 根据权利要求1所述的电路保护器件，其特征在于：所述熔断器还包括涂覆或印刷在所述熔丝的上表面的保护层。

6. 根据权利要求5所述的电路保护器件，其特征在于：所述的保护层为硅橡胶层、环氧树脂层、水玻璃层、耐火无机粘合剂层或感光阻燃油墨层。

7. 根据权利要求1或5或6所述的电路保护器件，其特征在于：所述的熔丝的部分表面上覆盖灭弧和绝缘的复合物涂层。

8. 根据权利要求1所述的电路保护器件，其特征在于：所述的端面电极包括形成在所述基体的相对的端面上的纳米导电粉末层和电镀在所述纳米导电粉末层上的导电金属层，其中，纳米导电粉末层由平均粒径大小为100~300nm的纳米级导电粉末形成。

9. 根据权利要求8所述的电路保护器件，其特征在于：所述的导电金属层包括电镀在所述纳米导电粉末层上的厚度为3~5微米的镍层和电镀在所述镍层上的厚度为8~20微米的铜层。

10. 根据权利要求1或8或9所述的电路保护器件，其特征在于：所述的端面电极，上、下表面端电极的暴露部分的表面上镀有焊锡层。

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