CN109860304A - 一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层面积不占用平行于衬底表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。并且由于第一控制结构和第二控制结构可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法。
背景技术
铁电存储器(FRAM，Ferroelectric RAM)是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的快速读取和写入访问(个人电脑存储中最常用的类型)与在电源关掉后保留数据能力(就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存)结合起来。
传统的铁电存储器的结构如图1所示，包括衬底10，该衬底10包括沟道层ACT和位于沟道层ACT两侧的源极S和漏极D，位于沟道层ACT上的铁电层20以及位于铁电层20背离沟道层ACT一侧的栅极结构30。
但为了提高存储密度，传统的铁电存储器的结构尺寸不断缩小，随着尺寸的缩小，铁电层20在平行于衬底10表面的面积也随之减小，直接导致了铁电存储器的栅控能力下降。
发明内容
为解决上述技术问题，本申请提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，以实现提高铁电存储器的栅极控制能力的目的，同时降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
一种铁电存储器，包括：
衬底，所述衬底包括鳍部和位于鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
位于所述第一区域上的第一隔离层和位于所述第二区域上的第二隔离层；
分别位于所述沟道结构第一方向两侧的第一控制结构和第二控制结构；
所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作；
所述第二控制结构包括位于所述第二隔离层背离所述衬底一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述沟道结构绝缘；所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作。
可选的，所述第二控制结构还包括：
位于所述第二栅极与所述沟道结构之间的绝缘层，以使所述第二栅极与所述沟道结构绝缘。
可选的，所述第一控制结构和第二控制结构与所述沟道结构的顶部平齐。
可选的，所述第一隔离层和第二隔离层均为浅槽隔离层。
可选的，所述第一操作为编程操作或擦除操作；
所述第二操作为读取操作。
可选的，还包括：
覆盖所述第一控制结构侧壁的第一保护层；
覆盖所述第二控制结构侧壁的第二保护层。
一种铁电存储器的制备方法，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行处理，以形成鳍部和位于所述鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
在所述第一区域和第二区域表面沉积隔离层；
对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构，所述第二控制结构包括与所述沟道结构绝缘的第二栅极，所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作；
对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构，所述第一控制结构和第二控制结构分别位于所述沟道结构第一方向两侧；所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作。
可选的，所述对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构之后还包括：所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之前还包括：
形成覆盖所述第二控制结构侧壁的第二保护层；
所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之后还包括：
形成覆盖所述第一控制结构侧壁的第一保护层。
一种铁电存储器的控制方法，应用于上述任一项所述的铁电存储器，所述铁电存储器的控制方法包括：
向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作；
向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作。
可选的，所述向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作包括：
向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行编程操作或擦除操作；
所述向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作包括：
向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行读取操作。
从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，所述铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，相较于现有技术中的铁电存储器，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层面积不占用平行于衬底表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。
并且由于第一控制结构和第二控制结构可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的铁电存储器的结构示意图；
图2为本申请的一个实施例提供的一种铁电存储器的剖面结构示意图；
图3为本申请的一个实施例提供的一种铁电存储器的俯视结构示意图；
图4为本申请的另一个实施例提供的一种铁电存储器的剖面结构示意图；
图5为本申请的一个实施例提供的一种铁电存储器的制备方法的流程示意图；
图6为本申请的另一个实施例提供的一种铁电存储器的制备方法的流程示意图；
图7-图13为本申请的一个实施例提供的一种铁电存储器的制备流程示意图；
图14为本申请的一个实施例提供的一种铁电存储器的控制方法的流程示意图；
图15为本申请的另一个实施例提供的一种铁电存储器的控制方法的流程示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，参考图1，随着铁电存储器的尺寸的缩小，铁电层在平行于衬底表面的面积也随之减小，导致了铁电存储器的栅控能力下降。
并且在图1所示的铁电存储器的读取操作时，由于栅极上施加的电压在铁电层上产生电场，引起铁电层的状态改变，从而导致了读取干扰的问题；
同样的，由于栅极上施加的电压在铁电层上产生电场，引起栅介质退化，从而导致铁电存储器的存储窗口小且耐久性较差。
有鉴于此，本申请实施例提供了一种铁电存储器，包括：
衬底，所述衬底包括鳍部和位于鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
位于所述第一区域上的第一隔离层和位于所述第二区域上的第二隔离层；
分别位于所述沟道结构第一方向两侧的第一控制结构和第二控制结构；
所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作；
所述第二控制结构包括位于所述第二隔离层背离所述衬底一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述沟道结构绝缘；所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作。
所述铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，相较于现有技术中的铁电存储器，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层面积不占用平行于衬底表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。
并且由于第一控制结构和第二控制结构可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请实施例提供了一种铁电存储器，如图2和图3所示，包括：
衬底100，所述衬底100包括鳍部200和位于鳍部200第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部200的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部200包括沟道结构ACT和分别位于所述沟道结构ACT第二方向两侧的源极S和漏极D；所述第一方向与所述第二方向垂直；
位于所述第一区域上的第一隔离层310和位于所述第二区域上的第二隔离层320；
分别位于所述沟道结构ACT第一方向两侧的第一控制结构400和第二控制结构500；
所述第一控制结构400包括位于所述第一隔离层310背离所述衬底100一侧的第一栅极410和铁电层420，所述铁电层420与所述沟道结构ACT相邻设置，所述第一栅极410位于所述铁电层420远离所述沟道结构ACT一侧；所述第一控制结构400用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作；
所述第二控制结构500包括位于所述第二隔离层320背离所述衬底100一侧的第二栅极520，所述第二栅极520与所述沟道结构ACT绝缘；所述第二控制结构500用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作。
图2为所述铁电存储器的剖面结构示意图，图3为所述铁电存储器的俯视结构示意图。
图2中的箭头D1的延伸方向即为所述第一方向，图3中的箭头D2的延伸方向即为所述第二方向。从图2和图3中可以看出，第一方向和第二方向在同一平面内互相垂直，且所述第二方向的延伸方向与鳍部的延伸方向相同。
此外，图2为图3中沿AA线的剖面结构示意图。相应的，下文中提及的铁电存储器的剖面结构示意图均为相应的的铁电存储器沿AA线的剖面结构示意图。
在本实施例中，所述铁电存储器将沟道结构ACT、源极S和漏极D设置于高于第一区域和第二区域的鳍部200中，使得沟道结构ACT的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构400和第二控制结构500，相较于现有技术中的铁电存储器，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层420面积不占用平行于衬底100表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层420，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。
并且由于第一控制结构400和第二控制结构500可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
所述鳍部200与鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor，FinFET)中的鳍部200(Fin)类似，均为突出衬底100表面的结构。但在本实施例中，所述鳍部200的沟道结构ACT的两侧用于分别设置第一控制结构400和第二控制结构500，且所述第一控制结构400中包括第一栅极410和铁电层420，由于所述铁电层420的表面面积不占用平行于衬底100表面的面积，有利于缩小铁电存储器的尺寸，提高铁电存储器的存储密度。
可选的，仍然参考图2，所述第一控制结构400和第二控制结构500与所述沟道结构ACT的顶部平齐。
在上述实施例的基础上，在本申请的一个可选实施例中，所述第二控制结构500还包括：
位于所述第二栅极520与所述沟道结构ACT之间的绝缘层510，以使所述第二栅极520与所述沟道结构ACT绝缘。
所述绝缘层510可以是二氧化硅层或其他高K介质材料层，例如可以是氮化硅层或氧化铝层等。
可选的，所述第一隔离层310和第二隔离层320均为浅槽隔离(Shallow TrenchIsolation，STI)层，例如可以是氧化物层。
可选的，所述第一操作为信息输入类操作，例如编程操作或擦除操作；所述第二操作为信息输出类操作，例如读取操作。
可选的，所述第一栅极410和第二栅极520的构成材料为高掺杂的多晶硅或金属钨等金属材料。
所述铁电层420为铪锆氧(HfZrO)层或掺杂硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)、锶(Sr)、镧(La)、钆(Gd)等其中一种或多种元素的氧化铪(HfO2)层。
在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，如图4所示，所述铁电存储器还包括：
覆盖所述第一控制结构400侧壁的第一保护层610；
覆盖所述第二控制结构500侧壁的第二保护层620。
所述第一保护层610和第二保护层620可以为氧化硅层。
相应的，本申请实施例还提供了一种铁电存储器的制备方法，如图5所示，包括：
S101：提供衬底；
S102：对所述衬底进行处理，以形成鳍部和位于所述鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
S103：在所述第一区域和第二区域表面沉积隔离层；
S104：对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构，所述第二控制结构包括与所述沟道结构绝缘的第二栅极，所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作；
S105：对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构，所述第一控制结构和第二控制结构分别位于所述沟道结构第一方向两侧；所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作。
可选的，如图6所示，所述对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构之后还包括：所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之前还包括：
S106：形成覆盖所述第二控制结构侧壁的第二保护层；
所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之后还包括：
S107：形成覆盖所述第一控制结构侧壁的第一保护层。
步骤S101-S107的具体流程参考图7-图13，进行了步骤S107后的结构示意图参考图4。在图4、图7-图13中，标号100表示所述衬底；200表示所述鳍部，300表示所述隔离层；410表示所述第一栅极、420表示所述铁电层，400表示所述第一控制结构，510表示所述绝缘层，520表示所述第二栅极，500表示所述第二控制结构，610表示所述第一保护层，620表示所述第二保护层。310表示所述第一隔离层，320表示所述第二隔离层。D1表示所述第一方向。
具体地，在进行第二控制结构和第一控制结构的形成时，需要对先形成的控制结构进行保护处理，在图7-图13中，先形成了第二隔离层以及位于第二隔离层上的第二控制结构，所述第二控制结构包括绝缘层和第二栅极，所述绝缘层位于所述第二栅极与所述沟道结构之间；此后，需要沉积第二保护层对第二控制结构进行保护，然后进行第一隔离层和位于第一隔离层上的第一控制结构的形成，最后形成第一保护层。
相应的，本申请实施例还提供了一种铁电存储器的控制方法，如图14所示，应用于上述任一实施例所述的铁电存储器，所述铁电存储器的控制方法包括：
S201：向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作；
S202：向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作。
可选的，如图15所示，所述向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作包括：
S2011：向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行编程操作或擦除操作；
所述向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作包括：
S2022：向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行读取操作。
在应用过程中，所述铁电存储器的衬底、铁电层和第一栅极构成了一个铁电电容。衬底和第一栅极之间施加的第一电压对这个电容进行编程或擦除操作，在编程或擦除操作过程中，第二栅极浮空。
在进行第二操作时，所述铁电存储器的源极接地，漏极加压，在第二栅极上施加第二电压，并通过读取源漏极电流大小来判断铁电存储器的编程或擦除态。
综上所述，本申请实施例提供了一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法，其中，所述铁电存储器将沟道结构、源极和漏极设置于高于第一区域和第二区域的鳍部中，使得沟道结构的第一方向两侧可以分别设置第一控制结构和第二控制结构，相较于现有技术中的铁电存储器，本申请实施例提供的铁电存储器中的铁电层面积不占用平行于衬底表面的面积，可以使较小尺寸的铁电存储器具有较大面积的铁电层，有利于提升铁电存储器的栅极控制能力。
并且由于第一控制结构和第二控制结构可以根据接收的不同电压实现不同的操作，即可以将对铁电存储器的读取操作、编写操作和擦除操作通过对不同的栅极施加不同的电压实现，降低了编写和擦除操作时介质层的电场，改善了铁电存储器的耐久性、保持特性及读取速度。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种铁电存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括鳍部和位于鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
位于所述第一区域上的第一隔离层和位于所述第二区域上的第二隔离层；
分别位于所述沟道结构第一方向两侧的第一控制结构和第二控制结构；
所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作；
所述第二控制结构包括位于所述第二隔离层背离所述衬底一侧的第二栅极，所述第二栅极与所述沟道结构绝缘；所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作。
2.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述第二控制结构还包括：
位于所述第二栅极与所述沟道结构之间的绝缘层，以使所述第二栅极与所述沟道结构绝缘。
3.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一控制结构和第二控制结构与所述沟道结构的顶部平齐。
4.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一隔离层和第二隔离层均为浅槽隔离层。
5.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，所述第一操作为编程操作或擦除操作；
所述第二操作为读取操作。
6.根据权利要求1所述的铁电存储器，其特征在于，还包括：
覆盖所述第一控制结构侧壁的第一保护层；
覆盖所述第二控制结构侧壁的第二保护层。
7.一种铁电存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行处理，以形成鳍部和位于所述鳍部第一方向两侧的第一区域和第二区域，所述鳍部的顶部高于所述第一区域和第二区域表面，所述鳍部包括沟道结构和分别位于所述沟道结构第二方向两侧的源极和漏极；所述第一方向与所述第二方向垂直；
在所述第一区域和第二区域表面沉积隔离层；
对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构，所述第二控制结构包括与所述沟道结构绝缘的第二栅极，所述第二控制结构用于根据接收的第二电压对铁电存储器进行第二操作；
对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构，所述第一控制结构和第二控制结构分别位于所述沟道结构第一方向两侧；所述第一控制结构包括位于所述第一隔离层背离所述衬底一侧的第一栅极和铁电层，所述铁电层与所述沟道结构相邻设置，所述第一栅极位于所述铁电层远离所述沟道结构一侧；所述第一控制结构用于根据接收的第一电压对铁电存储器进行第一操作。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述对所述第二区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第二隔离层，在所述第二隔离层上形成第二控制结构之后还包括：所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之前还包括：
形成覆盖所述第二控制结构侧壁的第二保护层；
所述对所述第一区域上的隔离层进行刻蚀，以形成第一隔离层，在所述第一隔离层上形成第一控制结构之后还包括：
形成覆盖所述第一控制结构侧壁的第一保护层。
9.一种铁电存储器的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-6任一项所述的铁电存储器，所述铁电存储器的控制方法包括：
向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作；
向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行第一操作包括：
向所述铁电存储器的第一控制结构提供第一电压，以控制所述铁电存储器进行编程操作或擦除操作；
所述向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行第二操作包括：
向所述铁电存储器的第二控制结构提供第二电压，以控制所述铁电存储器进行读取操作。
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| CN201910251650.6A CN109860304A (zh) | 2019-03-29 | 2019-03-29 | 一种铁电存储器、铁电存储器的制备方法及控制方法 |
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