CN109851357A - 一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109851357A CN109851357A CN201910021925.7A CN201910021925A CN109851357A CN 109851357 A CN109851357 A CN 109851357A CN 201910021925 A CN201910021925 A CN 201910021925A CN 109851357 A CN109851357 A CN 109851357A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- dielectric
- temperature
- loss
- low
- ceramic composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims abstract description 15
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 6
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 3
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，按照摩尔比称量相应质量的Nb2O5、Eu2O3和TiO2，经球磨、烘干、压块、煅烧合成Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体，球磨、烘干、过筛；冷等静压获得致密坯体。并将制好的坯体在空气中烧结得到xwt%B2O3‑（1‑xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。该无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料具有高介电常数，低介电损耗和X9R型温度稳定性。且工艺简单，绿色环保，成为用作高端工业应用材料的重要候选材料。
Description
技术领域
本发明涉及电介质陶瓷电容器领域，具体涉及一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法。
背景技术
随着以半导体为基础的微电子行业的快速发展，电子元器件的小型化、集成化及良好的环境稳定性成为现代信息领域的重要研究课题。21世纪以来，巨介电常数材料受到广泛的关注，这种材料是指介电常数> 103的电介质材料。这种巨介电材料不仅可以用于制造相对体积小，容量大的电容器，而且作为机电、热电和光电换能器时，也具有较好的转换总能量密度，因而在电子技术领域的各个方面具有广泛的潜在应用。巨介电材料往往伴随着高的介电损耗（> 0.1）以及较强的温度、频率依赖性，这在一定程度上限制了巨介电材料在微电子行业的潜在应用。因此，制备巨介电常数低介电损耗温度稳定型的电介质材料，不仅可以对电子领域的发展起到推动的作用，同时对于社会的发展具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的在于提供一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，以克服上述现有技术存在的缺陷，利用本发明的方法得到的陶瓷材料不但具有高的介电常数，而且具有较低的介电损耗，较好的频率稳定性和X9R温度稳定性，制备工艺简单，材料成本低，环境友好。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料，其化学计量式为x wt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，其中0.5<x<4。
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：制备纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体备用。首先按照摩尔比0.005:0.005:0.99称取Nb2O5、Eu2O3和TiO2混合形成混合物。取混合物、锆球石及去离子水按照质量比为1:5:1混合后依次进行球磨、烘干和压块，最后置于箱式炉中1200℃保温2.5~3小时，得到纯相的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体。Nb2O5、Eu2O3和TiO2的纯度为99.0%以上。
步骤二：将合成的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与、B2O3、氧化锆球石、去离子水按照质量比1-x：x：（4.8~5.2）:（0.8~1.2）混合后再进行球磨18~24h、烘干，得到烘干料；
步骤三：将烘干料研磨过120目筛，形成过筛料；
步骤四：将步骤三得到的过筛料在200MPa的压强下，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中进行烧结得到烧结试样，其中烧结条件为：265~270min升温至1325~1350℃，保温120~180min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温。；
步骤五：打磨、清洗步骤四得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，在600℃的温度下烧结15~20min得到xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明方法制备的无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料，不但具有高的介电常数，而且具有较低的介电损耗，较好的频率稳定性和X9R温度稳定性，且制备工艺简单，材料成本低，绿色环保，成为替代铅基陶瓷材料用作高端工业应用材料在技术和经济上兼优的重要候选材料。本发明采用冷等静压辅助均匀化的办法，获得了无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷材料。
附图说明
图1是xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的XRD图谱；
图2是xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的介电常数和介电损耗随频率变化图谱；
图3是2wt%B2O3-98 wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的容温变化率随温度变化图谱。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细描述：
实施例1
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其配方为xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，其中x=0.5。
步骤一：制备纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2备用。按照摩尔比0.005:0.005: 0.99称取Nb2O5、Eu2O3和TiO2混合形成混合物。Nb2O5、Eu2O3和TiO2的纯度为99.0%以上。采用行星式球磨机球磨7h，再在85℃烘干36h、压块后，置于箱式炉中于1150℃保温2.5小时形成Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体；
步骤二：将合成的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与、B2O3、氧化锆球石、去离子水按照质量比0.995:0.005：5:1混合后再进行球磨18h、烘干，得到烘干料；
步骤三：将烘干料研磨过120目筛，形成过筛料；
步骤四：将步骤三得到的过筛料在200MPa的压强下，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，进行烧结得到烧结试样，，其中烧结条件为：以270min升温至1350℃，保温120min，接着以170min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温；
步骤五：打磨、清洗步骤四得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，在580℃的温度下烧结15min得到0.5wt%B2O3-99.5wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。
实施例2
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其配方为xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，其中x=1。
步骤一：制备纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2备用。按照摩尔比0.005:0.005: 0.99称取Nb2O5、Eu2O3和TiO2混合形成混合物。Nb2O5、Eu2O3和TiO2的纯度为99.0%以上。采用行星式球磨机球磨7h，再在85℃烘干28h、压块后，置于箱式炉中于1200℃保温2.5小时形成Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体；
步骤二：将合成的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与、B2O3、氧化锆球石、去离子水按照质量比0.99:0.01：5:1混合后再进行球磨24h、烘干，得到烘干料；
步骤三：将烘干料研磨过120目筛，形成过筛料；
步骤四：将步骤三得到的过筛料在200MPa的压强下，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，进行烧结得到烧结试样，其中烧结条件为：以268min升温至1340℃，保温120min，接着以168min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温；
步骤五：打磨、清洗步骤四得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，在590℃的温度下烧结20min得到1wt%B2O3-99wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。
实施例3
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其配方为xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，其中x=2。
步骤一：制备纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2备用。按照摩尔比0.005:0.005: 0.99称取Nb2O5、Eu2O3和TiO2混合形成混合物。Nb2O5、Eu2O3和TiO2的纯度为99.0%以上。采用行星式球磨机球磨7h，再在85℃烘干32h、压块后，置于箱式炉中于1200℃保温3小时形成Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体；
步骤二：将合成的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与、B2O3、氧化锆球石、去离子水按照质量比0.98:0.02：4.8:1.2混合后再进行球磨22h、烘干，得到烘干料；
步骤三：将烘干料研磨过120目筛，形成过筛料；
步骤四：将步骤三得到的过筛料在200MPa的压强下，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，进行烧结得到烧结试样，其中烧结条件为：以268min升温至1340℃，保温120min，接着以168min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温；
步骤五：打磨、清洗步骤四得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，在600℃的温度下烧结20min得到2wt%B2O3-98wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。
实施例4
一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其配方为xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，其中x=4。
步骤一：制备纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2备用。按照摩尔比0.005:0.005: 0.99称取Nb2O5、Eu2O3和TiO2混合形成混合物。Nb2O5、Eu2O3和TiO2的纯度为99.0%以上。采用行星式球磨机球磨7h，再在90℃烘干36h、压块后，置于箱式炉中于1200℃保温3小时形成Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体；
步骤二：将合成的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与、B2O3、氧化锆球石、去离子水按照质量比0.96:0.04：5.2:0.8混合后再进行球磨20h、烘干，得到烘干料；
步骤三：将烘干料研磨过120目筛，形成过筛料；
步骤四：将步骤三得到的过筛料在200MPa的压强下，，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，进行烧结得到烧结试样，其中烧结条件为：以265min升温至1325℃，保温180min，接着以165min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温；
步骤五：打磨、清洗步骤四得到的烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于箱式炉中，在600℃的温度下烧结20min得到4wt%B2O3-96wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷。
图1为xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2体系陶瓷的XRD图谱。从图1可以看出，制备的陶瓷样品均为纯相。
图2是xwt%B2O3-（1-xwt%）Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的介电常数和介电损耗随频率变化图谱；从图中可以看出，x=0.5, 1, 2, 4样品在1kHz下具有较高的介电常数和较低的损耗。
图3为2wt%B2O3-98wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的容温变化率随温度变化图谱，从图中可以看出，在1kHz下，2wt%B2O3-98wt%Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷的容温变化率在-55℃-200℃满足≤ ±15%。
Claims (10)
1.一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料，其特征在于，具有晶相及玻璃相，所述晶相为Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2，所述玻璃相为B2O3。
2.根据权利要求1所述的一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料，其特征在于，玻璃相的含量不超过无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料总质量的4wt%。
3.一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与B2O3充分球磨，过筛，通过冷等静压压制成型，空气气氛下烧结得到一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料。
4.根据权利要求3所述的一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体由包括以下步骤的方法得到：首先按照摩尔比0.005:0.005:0.99称取Nb2O5、Eu2O3、及TiO2混合，依次进行球磨、烘干和压块，最后于1200℃保温2.5~3小时，得到纯相的Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体。
5.根据权利要求3所述的一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，冷等静压成型在200MPa的压强下压制成型。
6.根据权利要求3所述的一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，烧结条件为：空气气氛下，首先以265~270min升温至1325~1350℃，保温120~180min，接着以165~170min降温至500℃时；最后随炉冷却至室温。
7.根据权利要求3所述的一种无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料的制备方法，其特征在于，具体步骤包括：
步骤一：按照摩尔比分别称量相应质量的Nb2O5、Eu2O3、TiO2，进行球磨、烘干、压块、煅烧，合成纯相Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体；
步骤二：将合成后Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2粉体与B2O3、氧化锆球石、去离子水混合后进行球磨、烘干、过筛，形成过筛料；
步骤三：将过筛料先在200MPa下保压3分钟，再在190MPa下保压5分钟，最后以40MPa/min卸压，通过冷等静压压制成试样，并将制好的试样进行空气烧结得到烧结试样。
8.权利要求1所述的无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料制备的一种陶瓷电容器，其特征在于，在无铅高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料正反两侧设置银电极层。
9.权利要求8所述一种陶瓷电容器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：打磨、清洗试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极的试样在580~600℃的温度下烧结15~20min，得到xwt%B2O3-(1-xwt%)Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2陶瓷基高介电低损耗X9R温度稳定型陶瓷复合材料。
10.一种电介质陶瓷粉体，其特征在于，化学式为Ti0.99(Nb0.5Eu0.5)0.01O2。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910021925.7A CN109851357B (zh) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | 一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910021925.7A CN109851357B (zh) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | 一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109851357A true CN109851357A (zh) | 2019-06-07 |
| CN109851357B CN109851357B (zh) | 2021-11-02 |
Family
ID=66894380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910021925.7A Active CN109851357B (zh) | 2019-01-10 | 2019-01-10 | 一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109851357B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111410527A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-07-14 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法 |
-
2019
- 2019-01-10 CN CN201910021925.7A patent/CN109851357B/zh active Active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| XUHUI ZHU ET AL.: "The dielectric properties for (Nb,In,B) co-doped rutile TiO2 ceramics", 《CERAMICS INTERNATIONAL》 * |
| ZHUO WANG ET AL.: "Enhanced relative permittivity in niobium and europium co-doped TiO2 ceramics", 《JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111410527A (zh) * | 2020-03-20 | 2020-07-14 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111410527B (zh) * | 2020-03-20 | 2021-06-22 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种复相巨介电陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109851357B (zh) | 2021-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1117707C (zh) | 可低温烧结的低损耗介质陶瓷组合物及其制备方法 | |
| CN107140974A (zh) | 一种微波烧结的无铅高储能密度st‑nbt陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN1294103C (zh) | 一种可低温度烧结的钛酸锌高频介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN107473732B (zh) | 一种钛酸锶基高储能密度和低介电损耗陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN104860672A (zh) | 一种高介微波陶瓷介质材料及其制备方法 | |
| JP4999091B2 (ja) | タングステン酸ジルコニウム−酸化ケイ素複合焼結体の製造方法 | |
| CN111004030B (zh) | 一种MgTiO3基微波介质陶瓷及其制备方法 | |
| CN109650878A (zh) | 一种无铅宽频下巨介电低损耗高绝缘电阻陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN108863348A (zh) | 一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN109650875B (zh) | 一种巨介电钛酸铜钙复合陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
| CN106747435B (zh) | 一种温度稳定的芯-壳结构微波介质陶瓷的制备方法 | |
| CN114230335B (zh) | 一种巨介电常数、低损耗和高电阻率的BaTiO3基细晶陶瓷及其制备方法 | |
| CN107814569A (zh) | 一种无铅反铁电体陶瓷及其制备方法 | |
| CN112341192B (zh) | 一种高储能密度钛酸铋钠基无铅介质材料及其制备方法 | |
| CN107857585A (zh) | (Na0.5Bi0.5)(1‑x)BaxTi(1‑x)SnxO3陶瓷及其制备方法 | |
| CN109456055A (zh) | 一种高击穿高极化钛酸铋钠陶瓷材料、制备方法及应用 | |
| CN109851357A (zh) | 一种无铅高介电低损耗x9r温度稳定型陶瓷复合材料及其制备方法 | |
| CN108863349A (zh) | 一种钛酸钡基无铅高介温度稳定型陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN106915964B (zh) | 一种无铅高储能密度陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN101823876B (zh) | 用于温度稳定型多层陶瓷电容器瓷料及其制备方法 | |
| CN115536390B (zh) | 一种透明介质储能陶瓷材料及制备方法与应用 | |
| CN112608144B (zh) | 一种锂基微波介质陶瓷材料、其制备方法和锂基微波介质陶瓷 | |
| CN113788673A (zh) | 中低频超低介电损耗和高介电常数的二氧化钛基陶瓷材料及制备方法 | |
| CN103214237B (zh) | 一种巨介电常数钛酸钡陶瓷的制备方法 | |
| CN107382305B (zh) | 微波介质陶瓷材料及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240222 Address after: 518000 1002, Building A, Zhiyun Industrial Park, No. 13, Huaxing Road, Henglang Community, Longhua District, Shenzhen, Guangdong Province Patentee after: Shenzhen Wanzhida Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 710021 Shaanxi province Xi'an Weiyang university campus of Shaanxi University of Science and Technology Patentee before: SHAANXI University OF SCIENCE & TECHNOLOGY Country or region before: China |