CN109817777A - 半导体元件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层；位于第一半导体层以及第二半导体层之间的一活性区域；位于活性区域以及第二半导体层之间的一电子阻挡结构；位于活性区域以及电子阻挡结构之间的一第一含铟层；以及位于电子阻挡结构以及第二半导体层之间的一第二含铟层，其中第一含铟层具有一第一铟含量，第二含铟层具有一第二铟含量，且第二铟含量不同于第一铟含量。

Description

半导体元件
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，尤其是涉及一种包含含铟层的半导体元件。
背景技术
发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
发明内容
本发明提供一种半导体元件，其包含︰一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层；位于第一半导体层以及第二半导体层之间的一活性区域；位于活性区域以及第二半导体层之间的一电子阻挡结构；位于活性区域以及电子阻挡结构之间的一第一含铟层；以及位于电子阻挡结构以及第二半导体层之间的一第二含铟层，其中第一含铟层具有一第一铟含量，第二含铟层具有一第二铟含量，且第二铟含量不同于第一铟含量。
本发明提供一种半导体元件，其包含︰一第一半导体层；位于第一半导体层上的一第二半导体层；位于第一半导体层以及第二半导体层之间的一活性区域；位于活性区域以及第二半导体层之间的一电子阻挡结构；位于活性区域以及电子阻挡结构之间的一第一含铟层；以及位于电子阻挡结构以及第二半导体层之间的一第二含铟层，其中第一含铟层具有一第一铝含量，第二含铟层具有一第二铝含量，且第二铝含量不同于第一铝含量。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的半导体元件的剖视图；
图2为本发明的第一实施例的半导体元件的活性区域的剖视图；
图3为本发明的第二实施例的半导体元件的剖视图。
符号说明
1、2：半导体元件
10：基板
20：第一半导体层
30：第二半导体层
40：活性区域
50：第一含铟层
60：第二含铟层
70：电子阻挡结构
80：第一电极
90：第二电极
100：第五半导体层
31：最顶部半导体表面
403：上表面
401：阱层
402：阻障层
601：底表面
602：顶表面
C1、C2：浓度
具体实施方式
以下实施例将伴随着附图说明本发明的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未绘示或说明书未描述的元件，可以是熟悉此技术的人士所知的形式。
在本发明中，如果没有特别的说明，通式AlGaN代表Alx1Ga(1-x1)N，其中0≤x1≤1；通式InGaN代表Inx2Ga1–x2N，其中0≤x2≤1；通式InAlGaN代表Inx3Aly1Ga1-x3-y1N，其中0≤x3≤1，0≤y1≤1。调整元素的含量可以达到不同的目的，例如但不限于，调整能阶或是当半导体元件包含一发光元件时，调整发光元件的主发光波长。
在以下实施例中，用于指示方向的用语，例如“上”、“下”，“前”、“后”、“左”、和“右”，仅指在附图中的方向。因此，方向性用语是用于说明而不是限制本发明。
本发明的半导体元件包含的每一层的组成以及掺杂物可用任何适合的方式分析，例如二次离子质谱仪(secondary ion mass spectrometer，SIMS)。
本发明的半导体元件包含的每一层的厚度可用任何适合的方式分析，例如穿透式电子显微镜(transmission electron microscopy，TEM)或是穿透式电子显微镜(scanningelectron microscope，SEM)，用于配合例如于SIMS图谱上的各层深度位置。
本发明的半导体元件包含一发光元件。发光元件包含一发光二极管或是一激光。
图1为本发明的第一实施例的半导体元件的剖视图。在本实施例中，半导体元件1包含一基板10、位于基板10上的一第一半导体层20、位于第一半导体层20上的一第二半导体层30、位于第二半导体层30与第一半导体层20之间的一活性区域40、位于活性区域40和第二半导体层30之间的一第一含铟层50、位于第二半导体层30和第一含铟层50之间的一第二含铟层60、以及位于第一含铟层50和第二含铟层60之间的一电子阻挡结构70。在本实施例中，相较于第二含铟层60，第一含铟层50更接近于活性区域40。半导体元件1还包含一第一电极80和一第二电极90。第一电极80和第二半导体层30电连接，第二电极90和第一半导体层20电连接。
在一实施例中，第二含铟层60具有一能阶，第一含铟层50具有一能阶，第二含铟层60的能阶与第一含铟层50的能阶不同。在一实施例中，第一含铟层50具有一第一铟含量，第二含铟层60具有一第二铟含量。第一铟含量不同于第二铟含量。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0≤b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0≤d≤1，并且c≠a。在一实施例中，0<a≤0.1，0≤b≤0.3，0<c≤0.2，0≤d≤0.3，并且c≠a。第二含铟层60可以提高半导体元件1的空穴注入效率和抗静电放电(electrical staticdischarge，ESD)能力。
在一实施例中，第一含铟层50包含Al。在一实施例中，第二含铟层60包含Al。在一实施例中，第一含铟层50和第二含铟层60都包含Al。包含Al的第二含铟层60可以更加提高了空穴注入效率并改善了半导体元件1的抗静电放电能力。在一实施例中，第一含铟层50包含一第一铝含量，第二含铟层60包含一第二铝含量。第一铝含量不同于第二铝含量。较佳的，当半导体元件1包含发光元件时，第一铝含量大于第二铝含量，其可以提高空穴注入效率并减少活性区域40发射的光被吸收。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0<b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0<d≤1，c≠a，d<b。在一实施例中，0<a≤0.1，0<b≤0.3，0<c≤0.2，0<d≤0.3，c≠a，并且d<b。
请参阅图1。在本实施例中，电子阻挡结构70与第一含铟层50直接接触。即，在电子阻挡结构70和第一含铟层50之间没有任何其他层。在一实施例中，第二含铟层60的能阶大于第一含铟层50的能阶。在本实施例中，第二铟含量小于第一铟含量。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0≤b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0≤d≤1，并且c<a。在一实施例中，0<a≤0.2，0≤b≤0.3，0<c≤0.1，0≤d≤0.3，并且c<a。
在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0<b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0<d≤1，并且c<a，并且d≠b。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0<b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0<d≤1，c<a和d<b，其中d<b用于减少光吸收。在一实施例中，0<a≤0.2，0<b≤0.3，0<c≤0.1，0<d≤0.3，c<a，且d<b。
图2是第一实施例的半导体元件的活性区域的剖视图。在本实施例中，活性区域40包含交替的多个阱层401和多个阻障层402。每个阻障层402具有一第一能阶。每个阱层401具有一第二能阶。在一实施例中，其中一个阻障层402的第一能阶不小于一个其中一个阱层401的第二能阶，且较佳的，高于其中一个阱层401的第二能阶。优选的，每个阻障层402的第一能阶不小于每个阱层401的第二能阶，且优选的，每个阻障层402的第一能阶高于每个阱层401的第二能阶。一个单一阱层401和与其相邻的单一阻障层402视为一对。阱层401和阻障层402的对数不小于4，且较佳的不大于15。
在一实施例中，阱层401包含III-V族半导体材料。在一实施例中，阱层401包含AlyInzGa1-y-zN，其中0≤y≤0.4，0<z≤1。在本实施例中，阱层401包含IneGa1-eN，其中0<e<1。每个阱层401具有一第三铟含量。
在一实施例中，第一含铟层50、第二含铟层60和第二半导体层30均包含一掺杂物，且较佳的，包含p型掺杂物。p型掺杂物可包含但不限于镁(Mg)。在一实施例中，第一含铟层50的p型掺杂物的浓度不小于1×1018/cm3，优选的，不小于5×1018/cm3，又更佳的，不大于1×1020/cm3。在一实施例中，第二含铟层60的p型掺杂物的浓度不小于1×1018/cm3，优选的，不小于5×1018/cm3，又更佳的，不大于1×1020/cm3。
如图1所示，在本实施例中，活性区域40包含面对第一含铟层50的一上表面403。第一含铟层50与活性区域40的上表面403之间的一第一距离不大于15纳米(nm)，优选的，在2nm和10nm(包含端值)之间。如果第一含铟层50与活性区域40的上表面403之间的第一距离小于2nm，则扩散到活性区域40中的p型掺杂物的量会增加。因此，半导体元件1的抗静电放电能力耐受性会劣化。如果第一含铟层50与活性区域40的上表面403之间的第一距离大于15nm，则空穴注入效率会降低。因此，半导体元件1的亮度会变差。
在一实施例中，其中一阱层401的第三铟含量与第二含铟层60的第二铟含量的比值在20和1200(包含端值)之间，且较佳的，在20和500(包含端值)之间，且又更佳的，在25和150(包含端值)之间。
在一实施例中，阻障层402包含AlfGa1-fN，其中0≤f≤1。在另一实施例中，0<f≤0.6。在本实施例中，阻障层402包含GaN。
在一实施例中，至少其中两个阻障层402包含一n型掺杂物。n型掺杂物包含但不限于硅(Si)。阻障层402的n型掺杂物的浓度大于5×1016/cm3，较佳的，大于1×1017/cm3，更佳的，不大于1×1018/cm3。如果阻障层402的n型掺杂物的浓度大于1×1018/cm3，则半导体元件1的亮度会变差。在一实施例中，其中一个阻障层402的n型掺杂物的浓度不同于其他阻障层的n型掺杂物的浓度。在一实施例中，至少最靠近第一含铟层50的阻障层402的n型掺杂物的浓度大于其中两个靠近第一半导体层20的阻障层402的n型掺杂物的浓度，用于降低半导体元件1的起始电压(forward voltage)。在一实施例中，靠近第一含铟层50的至少两个连续的阻障层402中的n型掺杂物的浓度大于靠近第一半导体层20的至少两个连续的阻障层402中的n型掺杂物的浓度，用于降低半导体元件1的起始电压。请参阅图2，在本实施例中，阱层401和阻障层402的对数是7。每个阻障层402包含一n型掺杂物。靠近第一含铟层50的连续三个阻障层402的n型掺杂物的浓度C1高于靠近第一半导体层20的其他阻障层402的n型掺杂物的浓度C2。较佳的，C1与C2的比值不小于1.2，且较佳的，不大于1.8。
在本实施例中，每个阻障层402具有一厚度，阻障层402的厚度不小于其中一阱层401的厚度。较佳的，每个阻障层402的厚度不小于每个阱层401的厚度。较佳的，每个阻障层402的厚度不小于3nm，更佳的，不大于15nm。每个阱层401的厚度不小于1nm，较佳的，不大于5nm。在一实施例中，最靠近第一含铟层50的阱层401包含上表面403。
在一实施例中，第一含铟层50的厚度不小于3nm，较佳的，不大于50nm，且更佳的，在5nm和35nm(包含端值)之间。如果第一含铟层50的厚度大于35nm，则半导体元件1的亮度会变差。如果第一含铟层50的厚度小于3nm，则抗静电放电能力会劣化。在本实施例中，电子阻挡结构70直接在第一含铟层50上。换言之，第一含铟层50与电子阻挡结构70直接接触。第一含铟层50的厚度介于25nm和35nm(包含端值)之间。
第二含铟层60的厚度介于30nm和70nm(包含端值)之间，且优选的，介于40nm和60nm(包含端值)之间。厚度大于70nm的第二含铟层60会增加半导体元件1的起始电压。如果第二含铟层60的厚度小于30nm，则半导体元件1的抗静电放电能力会劣化。
在一实施例中，第二含铟层60包含一底表面601以及一与底表面601相对的顶表面602，其中底表面601面向第一含铟层50，即，相较于顶表面602，底表面601更靠近第一含铟层50。第二含铟层60的底表面601与活性区域40的上表面403之间的一第二距离不小于40nm，较佳的，介于50nm和80nm(包含端值)之间。如果第二距离小于40nm且第二含铟层60的厚度小于30nm，则第二含铟层60的顶表面602会不够平整，以至于无法使外延成长于其上的第二半导体层30具有好的品质，因而导致半导体元件1的性能变差。
请参阅图1，在一实施例中，半导体元件1包含一位于第二含铟层60上的最顶部半导体表面31。在本实施例中，第二半导体层30包含最顶部半导体表面31。最顶部半导体表面31是第一电极80直接接触的表面。第二含铟层60的底表面601与最顶部半导体表面31之间的一第三距离不小于40nm，且不大于80nm，用于同时改善亮度和抗静电放电能力。
在一实施例中，电子阻挡结构70包含一第三半导体层(未示出)，其厚度介于15nm和60nm(包含端值)之间。第三半导体层的能阶大于其中一阻障层402的能阶，且优选的，大于每个阻障层402的能阶。于一实施例中，第三半导体层的能阶同时大于第一含铟层50的能阶和第二含铟层60的能阶。
在本实施例中，电子阻挡结构70包含交替的多个第三半导体层(未示出)和多个第四半导体层(未示出)，其中每个第三半导体层的能阶大于其中一个第四半导体层的能阶。更优选的，每个第三半导体层的能阶大于每个第四半导体层的能阶。在一实施例中，其中一个第三半导体层的能阶大于其中一个阻障层402的能阶，且较佳的，大于每个阻障层402的能阶。较佳的，每个第三半导体层的能阶大于每个阻障层402的能阶。在本实施例中，其中一第三半导体层的能阶同时大于第一含铟层50的能阶和第二含铟层60的能阶。较佳的，每个第三半导体层的能阶大于第一含铟层50的能阶和第二含铟层60的能阶。其中一第三半导体层的厚度小于其中一第四半导体层的厚度。较佳的，每个第三半导体层的厚度小于每个第四半导体层的厚度。其中一第三半导体层的厚度介于1.5nm和5nm(包含端值)之间。较佳的，每个第三半导体层的厚度介于1.5nm和5nm(包含端值)之间。其中一第四半导体层的厚度介于2nm和5nm(包含端值)之间。较佳的，每个第四半导体层的厚度介于2nm和5nm(包含端值)之间。电子阻挡结构70的厚度介于20nm和60nm(包含端值)之间。
在一实施例中，第三半导体层包含IngAlhGa1-g-hN，其中0≤g≤1，0≤h≤1，较佳的，0≤g≤0.005，0<h≤0.5，且较佳的，h>d，其中第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN。第四半导体层包含IniAljGa1-i-jN，其中0≤i≤1，0≤j≤1。较佳的，h>j。在一实施例中，j＝0。在一实施例中，其中一第四半导体层包含一第四铟含量。第四铟含量大于第二含铟层60的第二铟含量。在本实施例中，每个第四半导体层都包含一第四铟含量。每个第四铟含量都大于第二含铟层60中的第二铟含量。在一实施例中，第四半导体层包含GaN。在一实施例中，单一第三半导体层和与其相邻的单一第四半导体层被视为一对。第三半导体层和第四半导体层的对数不小于3，较佳的，不大于15，且更佳的，介于5和10之间(包含端值)。在本实施例中，每个第三半导体层的材料实质上相同。每个第四半导体层的材料实质上相同。交替的多个第三半导体层和多个第四半导体层可以进一步改善半导体元件1的亮度。
在一实施例中，电子阻挡结构70包含一掺杂物，且较佳的，包含一p型掺杂物。p型掺杂物可包含但不限于Mg。较佳的，第二含铟层60的p型掺杂物的浓度小于电子阻挡结构70的p型掺杂物的浓度，用于减少从活性区域40发射的辐射被吸收。电子阻挡结构70的p型掺杂物的浓度不小于5×1018/cm3，较佳的，不小于1×1019/cm3，更佳的，介于3×1019/cm3和1×1021/cm3(包含端值)之间。在一实施例中，第一含铟层50的p型掺杂物的浓度介于电子阻挡结构70的p型掺杂物的浓度和第二含铟层60的p型掺杂物的浓度之间。
在一实施例中，活性区域40的上表面403与最顶部半导体表面31之间的距离不大于140nm，且较佳的，介于50nm至130nm之间(包含端值)。本实施例的半导体元件1体积可以更小，且同时具有亮度提升和抗静电放电能力提升的效果。
图3为本发明的第二实施例的半导体元件2的剖视图。本发明的第二实施例的半导体元件2包含的结构实质上与第一实施例的半导体元件1包含的结构相同，两者之间的差异将会在下面描述。在本实施例中，一第五半导体层100位于电子阻挡结构70和第一含铟层50之间。第五半导体层100包含InsAlpGa1-s-pN，其中0≤s≤1，0≤p≤1。较佳的，第五半导体层100包含GaN。第五半导体层100的厚度介于10nm和40nm之间(包含端值)。较佳的，第五半导体层100包含一掺杂物，且较佳的，包含一p型掺杂物。p型掺杂物包含但不限于Mg。较佳的，第五半导体层100的p型掺杂物的浓度小于电子阻挡结构70的p型掺杂物的浓度。第五半导体层100的p型掺杂物的浓度不小于5×1018/cm3，较佳的，不大于1×1021/cm3。
在本实施例中，第一含铟层50的厚度介于5nm和10nm之间(包含端值)。在本实施例中，电子阻挡结构70与第五半导体层100直接接触。在本实施例中，第二含铟层60的能阶小于第一含铟层50的能阶。在本实施例中，第二铟含量大于第一铟含量。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0≤b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0≤d≤1，并且c>a。在一实施例中，0<a≤0.1，0≤b≤0.3，0<c≤0.2，0≤d≤0.3，并且c>a。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0<b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0<d≤1，c>a，并且d≠b。在一实施例中，第一含铟层50包含InaAlbGa1-a-bN，其中0<a≤1，0<b≤1，第二含铟层60包含IncAldGa1-c-dN，其中0<c≤1，0<d≤1，c>a，且d<b，其中d<b用于减少光吸收。在一实施例中，0<a≤0.1，0<b≤0.3，0<c≤0.2，0<d≤0.3，c>a，并且d<b。
在在本发明中，任一实施例的半导体元件的第二半导体层30包含一接触层，接触层包含一p型掺杂物。接触层的p型掺杂物的浓度大于电子阻挡结构70的p型掺杂物的浓度。较佳的，接触层的p型掺杂物的浓度不小于1×1018/cm3，较佳的，不小于1×1019/cm3，更佳的，介于1×1019/cm3和5×1022/cm3之间。接触层的材料包含III-V族半导体材料，例如AlmGa1-mN，其中0≤m≤1。在一实施例中，0<m<0.1，且较佳的，0<m<0.05。如果接触层包含Al，则本发明的半导体元件的亮度可以更高。在另一实施例中，接触层包含GaN。接触层的厚度不大于15nm，较佳的，不小于3nm。
在本发明中，，任一实施例的半导体元件的第一半导体层20包含AlqGa1–qN，其中0≤q≤1。较佳的，第一半导体层包含GaN以及一n型掺杂物。第一半导体层具有一不小于100nm的厚度，且较佳的，不超过3000nm。第一半导体层中n型掺杂物的浓度不小于1×1018/cm3，且较佳的，不小于5×1018/cm3，又更佳的，介于5×1018/cm3以及5×1021/cm3(包含端值)之间。n型掺杂物可以例如为，但不限于硅。
在本发明中，任一实施例的半导体元件还包含位于基板10以及第一半导体层20之间的一缓冲层(图未示)，缓冲层是为了降低缺陷以及增进成长于其上的外延层的品质。在一实施例中，缓冲层包含AliGa1–iN，其中0≤i≤1。在一实施例中，缓冲层包含GaN。在另一实施例中，缓冲层包含AlN。缓冲层形成的方式可以为外延或是物理气象沉积(physicalvapor deposition，PVD)。物理气象沉积包含溅镀或是电子束蒸镀。
在本发明中，任一实施例的半导体元件的基板10具有一足够厚的厚度用于支撑位于其上的层以及结构，例如，不小于50μm，且更佳的，不超过300μm。在一实施例中，基板10包含蓝宝石，其包含一表面以及周期性的凸出物形成于表面上。在另一实施例中，基板10包含导电材料，导电材料包含(Si)、锗(Ge)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨钼合金(MoW)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)或铜钨(CuW)。
在本发明中，任一实施例的半导体元件的第一电极80以及第二电极90用于与一外接电源连接且传导一在两者之间的电流。第一电极80以及第二电极90的材料包含透明导电材料或是金属材料。透明导电材料包含透明导电氧化物，其包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(Zn2SnO4，ZTO)、镓掺杂氧化锌(gallium doped zinc oxide，GZO)，钨掺杂氧化铟(tungsten dopedindium oxide，IWO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锌(IZO)。金属材料包含金(Au)、铂(Pt)、锗金镍(GeAuNi)、钛(Ti)、铍金(BeAu)、锗金(GeAu)、铝(Al)、锌金(ZnAu)或镍(Ni)。
在一实施例中，第一电极80和第二电极90分别位在基板10的相反两侧。在此实施例中，基板10包含导电材料。
执行外延成长的方式包含但不限于金属有机化学气相沉积(metal-organicchemical vapor deposition，MOCVD)、氢化物气相外延生长法(hydride vapor phaseepitaxial，HVPE)、或是液相晶体外延生长(liquid-phase epitaxy，LPE)。较佳的，执行外延成长的方式包含MOCVD。
若任一实施例的半导体元件包含一发光元件，发光元件发出的光的峰值波长位于可见光或不可见光的范围，且较佳的，位于蓝光或是紫外光的范围。较佳的，峰值波长位于250nm至570nm(包含端值)之间，且较佳的，位于350nm至480nm(包含端值)之间。
在本发明的另一实施例中，前面所述的实施例中的元件或结构可改变或是互相结合。例如，图3所示的半导体元件2中的电子阻挡结构70，其包含一厚度介于15nm和60nm(包含端值)之间的第三半导体层，如本发明所述。
需注意的是，本发明所列举的各实施例仅用以说明本发明，并非用以限制本发明的范围。任何人对本发明所作显而易见的修饰或变更都不脱离本发明的精神与范围。不同实施例中相同或相似的构件，或者不同实施例中具相同标号的构件都具有相同的物理或化学特性。此外，本发明中上述的实施例在适当的情况下，是可互相组合或替换，而非仅限于所描述的特定实施例。在一实施例中详细描述的特定构件与其他构件的连接关系也可以应用于其他实施例中，且均落于如所述的本发明的权利要求保护范围的范畴中。

Claims (10)

1.一种半导体元件，其特征在于，包含︰
第一半导体层；
位于该第一半导体层上的第二半导体层；
位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间的活性区域；
位于该活性区域以及该第二半导体层之间的电子阻挡结构；
位于该活性区域以及该电子阻挡结构之间的第一含铟层；以及
位于该电子阻挡结构以及该第二半导体层之间的第二含铟层，其中该第一含铟层具有第一铟含量，该第二含铟层具有第二铟含量，且该第二铟含量不同于该第一铟含量。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电子阻挡结构与该第一含铟层直接接触，且该第一铟含量大于该第二铟含量。
3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该电子阻挡结构与该第二含铟层各包含掺杂物，各该掺杂物具有一掺杂浓度，该第二含铟层的该掺杂物的该掺杂浓度小于该电子阻挡结构的该掺杂物的该掺杂浓度。
4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一含铟层包含掺杂物，其具有掺杂浓度，该第一含铟层的该掺杂物的该掺杂浓度介于该电子阻挡结构的该掺杂物的该掺杂浓度与该第二含铟层的该掺杂物的该掺杂浓度之间。
5.如权利要求1所述的半导体元件，还包含位于该第二含铟层上的最顶部半导体表面，该活性区域包含面对该第一含铟层的一上表面，该活性区域的该上表面与该最顶部半导体表面之间的距离不超过140纳米。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该第二含铟层包含底表面以及与该底表面相对的顶表面，其中该底表面面对该第一含铟层，该第二含铟层的该底表面与该活性区域的该上表面之间的一距离不小于40纳米。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该活性区域包含交替的多个阱层和多个阻障层，该多个阱层之一包含第三铟含量，该阱层的该第三铟含量与该第二含铟层的该第二铟含量的比值不小于20，且不大于1200。
8.如权利要求1所述的半导体元件，其还包含第五半导体层，其位于该电子阻挡结构和该第一含铟层之间。
9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第二铟含量大于该第一铟含量。
10.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第二含铟层的厚度不小于30纳米，且不大于70纳米。
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