CN109817556B - 传送方法及传送装置 - Google Patents

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Abstract

本公开部分实施例提供一种传送方法，适用于传送使用于一半导体制造中的一工件。上述传送方法包括移动一第一传送装置至一工件旁，使工件面向多个形成于第一传送装置的气孔。上述传送方法还包括经由自第一传送装置的气孔供应一气流，以利用第一传送装置以一非接触的方式悬浮工件。上述传送方法也包括在气流连续供应的同时利用第一传送装置传送工件。

Description

传送方法及传送装置
技术领域
本发明部分实施例涉及一种传送方法及一种传送装置，特别涉及一种在半导体装置制造中用于传送一工件的传送方法及传送装置。
背景技术
在半导体装置制造的加工过程中会不断地对待加工的工件执行搬运或传送的工作。一般而言，工件通过在预定路线或轨道上行进的自动导引车辆或高架运输车辆在制造工厂中传送。对于工件的传送，通常将工件装载到诸如标准机械化接口(StandardMechanical Interface,SMIF)或前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)的容器中，然后提取并放置在自动传送车辆中。当工件传送到加工设备时，工件从容器中取出并通过包括操纵器的传送模块在加工设备中移动。
定位在容器中的其中一种工件可以是半导体晶圆，并且在半导体晶圆上形成各种装置元件。在半导体晶圆上形成的装置元件包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors，MOSFET)、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)晶体管、双极性晶体管(bipolar junction transistors，BJT)、高压晶体管、高频晶体管、p-通道和/或n-通道场效应晶体管(PFET/NFET)等)、二极管及其他适用元件。
或者，工件可包括测试晶圆。测试晶圆用于监测要在半导体装置制造加工流程中所使用的工作站的状况。或者，位于容器中的工具可包括光掩模或光罩。光掩模或光罩用于半导体装置制造过程的光刻曝光工艺。
尽管在加工设备中用于传送工件的现有方法通常已经足够用于它们的预期目的，但它们并非在所有方面都完全令人满意的。因此，希望提供一种用于传送物品的传送工具的解决方案。
发明内容
本公开部分实施例提供一种传送方法，适用于传送使用于一半导体制造中的一工件。上述传送方法包括移动一第一传送装置至一工件旁，使工件面向多个形成于第一传送装置的气孔。上述传送方法还包括经由自第一传送装置的气孔供应一气流，以利用第一传送装置以一非接触的方式悬浮工件。上述传送方法也包括在气流连续供应的同时利用第一传送装置传送工件。
本公开还提供一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一机械手臂。上述传送装置还包括两个平台，连结于机械手臂，且各自包括面向彼此的一内表面。多个气孔形成于两个平台的内表面。上述传送装置也包括一气体供应器，与气孔气体连结并配置用于控制经由气孔的一气流。
本公开还提供一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一上部载具以及一下部载具，排列于一既定平面并各自具有面向彼此的一侧表面，其中一第一组气孔形成于上部载具与下部载具的每一侧表面之上。上述传送装置还包括两个平台，位于既定平面的两个相对侧并各自具有面向彼此的一内表面，其中一第二组气孔形成于两个平台的内表面之上。上述传送装置也包括一下部轨道及一上部轨道。下部轨道配置用于供下部载具的移动。上部轨道配置用于供上部载具的移动。另外，上述传送装置包括多个气体供应器，与第一组气孔及第二组气孔气体连结，并配置用于控制经由第一组气孔与第二组气孔的气流。
附图说明
根据以下的详细说明并配合附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，附图并未必按照比例绘制。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。
图1显示根据部分实施例的一加工工具与一容器之间以及加工工具中的不同元件之间的一物品传送路线的示意图。
图2显示根据部分实施例的一传送装置传送一工件的示意图。
图3显示根据部分实施例的一平台的上视图。
图4A显示根据部分实施例的一平台的剖面图。
图4B显示根据部分实施例的一平台的剖面图。
图5显示根据部分实施例的一气体供应器放至于一机械手臂中的示意图。
图6A显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中一传送装置尚未插入一容器中。
图6B显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中一传送装置移动至工件旁。
图6C显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件通过一向上的气流悬浮。
图6D显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件的位置通过向上与向下的气流进行调整。
图6E显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件自一容器移除。
图6F显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件通过一传送装置旋转。
图6G显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件移动至一夹持件旁。
图6H显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中一平台绕一旋转轴旋转。
图6I显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件装载至夹持件上。
图7显示根据部分实施例的一传送装置的一分解图。
图8显示根据部分实施例的位于一既定平面的一下部载具与一上部载具的剖面图。
图9显示根据部分实施例的一载具放置于一轨道上的剖面图。
图10A显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件在两个载具间移动。
图10B显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件旋转90度并通过来自两个载具的气流悬浮。
图10C显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件通过来自两个载具的气流以及来自两个平台的气流悬浮。
图10D显示根据部分实施例的传送一工件的方法的一步骤的示意图，其中工件通过一传送装置沿一轨道移动。
符号说明
1～加工设备
3～容器
5～工件
10～加工工具
11～加工平台
12～研磨垫
13～夹持件
20～加工工具
21～刷洗件
30～传送装置
31～机械手臂
311～第一柱状件
312～第二柱状件
313～连杆
3130～侧壁
3131～穿孔
3135～通道
314～关节
315～驱动件
316～关节
317～驱动件
318、319～轴
32～平台
320～内表面
322～周边环状区域
323～第一环状区域
324～第二环状区域
325～中央区域
33～平台
330～内表面
34～检测器
40～传送装置
41～下部轨道
411～导引槽
412～排水槽
42～上部轨道
43～下部载具
435～滚轮
44～上部载具
445～滚轮
45、46～平台
465～支架
47、48～侧表面
470、480～点
471、481～第一端
472、482～第二端
49～检测器
50～气体供应器
51～空气过滤器
52～驱动器
53～叶轮
531～叶片
54～流量调节器
540～喷雾
61、62、63～气孔
610、620～流道
611、621～扰流结构
70～第一组气孔
71～导管
C～中心
F、F'、F4～气流
G～间隙
L～轴线
PP～既定平面
R1、R2、R3、R4～旋转轴
V～真空
X、Y～水平方向
Z～垂直方向
具体实施方式
以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本发明的不同特征，而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化发明的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本发明。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本发明的说明书中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。
再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(多个)元件或(多个)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语等。可以理解的是，除了附图所示出的方位之外，空间相关用语涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。可以理解的是，在所述方法之前、期间及之后，可提供额外的操作步骤，且在某些方法实施例中，所述的某些操作步骤可被替代或省略。
应注意的是，此处所讨论的实施例可能未必叙述出可能存在于结构内的每一个部件或特征。举例来说，附图中可能省略一或多个部件，例如当部件的讨论说明可能足以传达实施例的各个样态时可能将其从附图中省略。再者，此处所讨论的方法实施例可能以特定的进行顺序来讨论，然而在其他方法实施例中，可以以任何合理的顺序进行。
图1显示根据部分实施例的一加工工具10与一容器3之间以及加工工具10中的不同元件之间的一物品传送路线的示意图。加工设备1配置用于执行晶圆的制造加工。加工设备1可包括用于半导体晶圆制造的任何类型的晶圆加工工具。
在以下描述中，加工设备1是用于执行一化学机械研磨(chemical mechanicalpolishing,以下简称CMP)工艺的CMP工具，并且在加工设备1中进行传送的工件5为一半导体晶圆。然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。
或者，加工设备1是用于执行光刻加工的光刻工具，并且要在加工设备1中进行传送的工件5是具有用于光刻加工的IC设计图案的半导体晶圆或光罩。又或者，加工设备1可包括计量、检查、测试或其他工具，并且要在加工设备1中进行传送的工件5是半导体晶圆。
在部分实施例中，加工设备1包括多个加工工具(例如：加工工具10和加工工具20)。以下根据部分实施例描述加工工具10和加工工具20的细节。
加工工具10是用于执行CMP工艺的工具。在部分实施例中，如图1所示，加工工具10包括一加工平台11、一研磨垫12及一夹持件13。研磨垫12由足够硬的材料制成，以允许研磨浆中的磨料颗粒在CMP制造过程中机械研磨放置在夹持件13下面的工件5。另一方面，研磨垫12也足够柔软，而不致于刮伤工件5。
夹持件13配置用于在CMP工艺的各个操作中保持和移动工件5。举例而言，由于夹持件13保持等待研磨的工件5，夹持件13由诸如可枢转的手臂和马达(未示出)的机构驱动，以在工件5上移动。接着，由夹持件13提取工件5。
根据部分实施例，夹持件13包括多个空气通道130(图6I更清楚显示此特征)，其中可以产生真空。通过对空气通道产生真空，工件5被吸起并保持在夹持件13的底部，以用于将工件5运输到研磨垫12。
在CMP工艺过程中，夹持件13可操作以提供预定量的压力以将工件5压靠在研磨垫12上以进行机械研磨。举例而言，在夹持件13移过并压在研磨垫12上之后，空气通道中的抽真空被关闭以释放工件5。接着，设置在夹持件13的底部和工件5之间的柔性膜(未示出)通过将空气泵送到柔性膜中的区域而膨胀，因此膨胀的柔性膜朝研磨垫12挤压工件5。
在CMP制造过程中，夹持件13也通过诸如连接一旋转马达(未示出)的一轴的机构旋转，而使固定在夹持件13上的工件5旋转。根据部分实施例，夹持件13和研磨垫12沿相同方向(顺时针或逆时针)旋转。在另一实施例中，夹持件13和研磨垫12沿相反方向旋转。
随着研磨垫12和夹持件13的旋转，研磨浆通过形成研磨垫12的研磨表面的表面凹槽(未示出)在工件5和研磨垫12之间流动。通过研磨浆中的活性化学物质与工件5的顶部表面之间的化学反应，并进一步通过机械研磨(即，通过工件5的顶表面和研磨表面之间的接触和摩擦)使工件5的顶部表面平坦化。
加工工具10可以进一步包括其他元件，例如研磨浆分配器(图未示)及垫调节器(图未示)。研磨浆分配器可操作以在CMP工艺中将研磨浆分配到研磨垫12上。垫调节器(图未示)可操作以在CMP工艺中将研磨浆分配到研磨垫12上。
加工工具20配置用于执行一后CMP清洁工艺以快速且可重复的方式去除所有研磨浆、研磨残余物。在部分实施例中，加工工具20包括两个刷洗件21(图1中仅示出一个刷洗件)，两个刷洗件21彼此相邻定位，其间形成有间隙。两个刷洗件21在垂直方向上延伸并且可绕与垂直方向平行的旋转轴22旋转。于是，如图1所示，由加工工具加工的物品保持在直立位置。
如图1中的虚线箭头所示，对于将由后CMP清洁工艺处理的工件5，通过传送装置30以及40(稍后将进一步描述)从加工工具10传送工件5至加工工具20。接着，工件5通过清洁液(例如：去离子水(DIW))清洁并进行干燥。在后CMP清洁工艺之后，工件5通过传送装置30和40从加工工具20传送到载具3。在另一方面，如实线箭头所示，对于未由加工工具20进行加工的工件5，工件5通过传送装置30在载具3和加工工具10之间传送。
传送装置30配置用于物理运输工件5。举例而言，传送装置30可以将工件5放置到载体3以及自载体3移出工件5，或者传送装置30可以将工件5运送到加工工具10以及从加工工具10移出工件5，或者传送装置30可以将工件5运送到另一个传送装置40以及从另一个传送装置40接收工件5。然而，传送装置30运送工件5的位置不受本实施例的限制。
图2显示根据部分实施例的传送装置30的示意图，其中工件5悬挂在其上。传送装置30包括一机械手臂31和两个平台32和33。机械手臂31配置用于将工件5移动和定位在加工设备1中。
在部分实施例中，机械手臂31包括一第一柱状件311及一第二柱状件312。如图2中的箭头所示，第一柱状件311可以沿着水平方向X和水平方向Y移动。第二柱状件312套设于第一柱状件311。第二柱状件312可被驱动以通过一汽缸(例如：线性马达，图未示)在垂直方向Z中相对于第一柱状件311滑动，如图2中的箭头所示。汽缸的输出功率可以在约0.2W至约20W的范围内。
机械手臂31还包括一连杆313。在部分实施例中，连杆313经由关节314连接到第二柱状件312。关节314围绕旋转轴R1可旋转地连接到第二柱状件312。旋转轴R1可以与垂直方向Z平行。关节314可包括驱动件315(例如：步进电机)，以驱动关节314和连杆313可以围绕旋转轴R1旋转。关节314相对于第二柱状件312的旋转角度可以在约0度至约360度的范围内。
在部分实施例中，平台32和平台33经由关节316连接到连杆313。关节316绕旋转轴R2可旋转地连接到连杆313。旋转轴R2可以与水平方向X平行。关节316可以包括一驱动件317(例如：步进电机)，以驱动关节314、平台32、及平台33围绕旋转轴R2旋转。
在部分实施例中，平台32和平台33分别经由轴318和轴319连接到驱动件317。轴318和轴319可以连接到平台32和平台33的边缘。驱动件317独立地驱动两个平台32和33绕旋转轴R3的旋转。旋转轴R3可以与垂直方向Z平行。平台32和平台33相对于关节316的旋转角度可以在约0度至约180度的范围内。
在部分实施例中，当平台32和平台33其中之一旋转180度而另一个保持在0度时，平台32和平台33相对于彼此偏移(即在垂直方向Z中平台32和平台33的投影并未完全相互覆盖)配置。通过这种配置，当平台32和平台33中的一个旋转180度时，工件5可以通过其他设备从另一个保持0度的平台32或平台33卸载。
然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在平台32和平台33具有足够的宽度(大于工件5的宽度)而可由传送装置30支撑的情况下，通过旋转平台32和平台33其中的一者的旋转角度小于180度即可自传送装置30卸载工件5。意即，在垂直方向Z上平台32和平台33的投影彼此部分重叠。在此实施例中，旋转角度可以在约90度至约180度的范围内。
继续参考图2，平台32和平台33均具有平薄的结构，且具有小的厚度与宽度比。举例而言，在通过加工设备1中的传送装置30运输12英寸(300mm)半导体晶圆的情况下，每一平台32及33皆具有约1.8mm至约2.2mm的厚度H1(图4A更明显显示出此特征)，并且具有约12英寸或略大于12英寸的宽度(或直径)
应当理解的是，每一平台32及33的尺寸不应限制于上述实施例。平台32和平台33的厚度可以根据要两个平台32及33要伸入的空间来确定。此外，每一平台32及33的宽度可设计成具有与要由传送装置30传送的工件5的宽度相同或略大的宽度(例如：6英寸、8英寸、或18英寸)。
在部分实施例中，平台32具有一内表面320，并且平台33具有一内表面330。平台32和平台33以平台32的内表面320可以直接面向平台33的内表面330并且在平台32和平台33之间形成间隙G的方式定位在关节316上。间隙G可以具有充分大于即将由传送装置30传送的工件5的厚度的宽度。在部分实施例中，间隙G的宽度在约2.7mm至约3mm的范围内。
图3显示根据部分实施例的平台32的俯视图。在部分实施例中，平台32的内表面320具有多个同心设置的环形区域。举例而言，平台32的内表面320具有一周边环状区域322、一第一环状区域323、及一第二环状区域324。
周边环状区域322定位成与内表面320的外边缘321相邻。第一环状区域323连接到周边环状区域322远离外边缘321的内侧。第二环状区域324连接到第一环状区域323远离周边环状区域322的内侧。中央区域325由最内侧的环形区域(即第二环状区域324)围绕，并位于平台32的内表面320的中心C。
在部分实施例中，第一环状区域323，第二环状区域324和中央区域325的面积比约为2:3:4。举例而言，在用于支撑12英寸晶圆的例子中，第一环状区域323的面积约为2276.5平方mm，第二环状区域324的面积约为3846.5平方mm，中央区域325的面积约为4474.5平方mm。然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在部分其余实施例中，平台32用于支撑直径约为6英寸至约12英寸的晶圆。在部分实施例中，第一环状区域323与外边缘321之间的周边环状区域324的宽度约为1mm。
在部分实施例中，一检测器34设置于平台32和平台33之间。在图3所示的实施例中，检测器34放置在内表面320的周边环状区域322上。检测器34配置用于检测位于平台32和平台33之间的工件5的位置。检测器34可以向工件5发射诸如激光、声纳或微波的能量束，并从工件5接收反射的能量束。接着，检测器34将能量束的速度乘上能量束的行进时间以计算工件5相对于内表面320的高度。检测到的结果则发送到控制器(图未示)，以用于执行一闭回路水平控制(稍后将进一步描述)。
在部分实施例中，在每一第一环状区域323，第二环状区域324和中央区域325中形成有多个气孔，但外围环形区域322则没有形成气孔。举例而言，在第一环状区域323中形成有多个气孔61，并且在第二环状区域324中形成有多个气孔62，并且在中央区域325中形成有多个气孔63。
在第一环状区域323、第二环状区域324、及中央区域325上形成的多个气孔61、62、及63，可以环形方式配置。另外，在每一第一环状区域323、第二环状区域324、及中央区域325内，则具有同心排列的多个气孔组。举例而言，在第一环状区域323内有两组气孔61。每一组气孔61皆以环形方式排列。另外，两组气孔61同心地形成在第一环状区域323上。
在部分实施例中，每个区域中的气孔皆连接到导管，以允许气体从气体供应器流通至气孔。两个相邻区域中的导管可以分别配置并通过不同的阀连接到气体供应器。举例而言，如图4A所示，流道620形成在第二环状区域324下方。流道620可以与第二环状区域324平行，并且流道620在平台32的厚度方向上的高度H2为约1mm至约1.7mm。形成在第二环状区域324上的多个气孔62连接到流道620，并且流道620经由阀件55流体连接到气体供应器50(稍后将描述)，如此一来当阀件55打开时，从气体供应器50供应的气体流经由流道620和多个气孔62排放至外部。
此外，如图4B所示，流道610形成在第一环状区域323下方。流道610可以与第一环状区域323平行，并且流道610在平台32的厚度方向上的高度H3为约1mm至约1.7mm。形成在第一环状区域323上的多个气孔61连接到流道610，并且流道610可以经由阀件56流体连接到气体供应器50，如此一来当阀件56打开时，从气体供应器50供应的气体流经由流道640和多个气孔61排放至外部。
根据部分实施例，多个气孔61、62、63的结构特征说明如下：
在部分实施例中，如图4A所示，形成在第二环状区域324上的多个气孔62均具有锥形横截面。多个气孔62的锥角范围从约0度到约30度。利用锥形横截面，压缩气流F可以通过多个气孔62排出。如此一来，可以减小用于驱动气流F的气体供应器50的工作电压。另外，多个气孔62在垂直于第二环状区域324的方向上延伸。在多个气孔62的引导下，气流F沿着与第二环状区域324实质垂直的方向移动。
在部分实施例中，一扰流结构621连接到每一气孔62并且邻接第二环状区域324。扰流结构621可以在与气孔62的方向相反的方向上逐渐变窄，从而形成漏斗状的气体排放孔。扰流结构621将气孔62中静止稳定的气流F转换成扰流气流F，如图4A所示。扰流气流F可以产生更大的气动力来控制工件5(图2)在传送过程中的位置。然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在部分其余实施例中，省略设置扰流结构621，并且通过气孔62排放出静止稳定的气流而不是扰流气流。
在部分实施例中，如图4B所示，形成在第一环状区域323上的多个气孔61均具有锥形横截面。多个气孔61的锥角在约0度至约30度的范围内。通过锥形横截面，压缩的气流F'可以通过多个气孔61排出。如此一来，可以减小用于驱动气流F'的气体供应器50的工作电压。另外，多个气孔61在相对于第一环状区域323倾斜的方向上延伸，角度α2在约8度至约12度的范围内。在多个气孔61的引导下，气流F'沿着相对于第一环状区域323倾斜的方向移动。
在部分实施例中，扰流结构611连接到每一气孔61并且邻接第一环状区域323。扰流结构611可以在与气孔61的方向相反的方向上逐渐变窄，从而形成漏斗状的气体排放孔。扰流结构611将气孔61中静止稳定的气流F转换成扰流气流F'，如图4B所示。扰流气流F'可以产生更大的气动力以控制工件5(图2)在传送过程中的位置。然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在部分其余实施例中，省略设置扰流结构611，并且通过气孔61排出静止稳定的气流而不是扰流气流。
在部分实施例中，形成在中心环形区域325上的多个气孔63与形成在第二环状区域324上的多个气孔62具有相同或相似的构造，为简化说明将不再详细描述多个气孔63的特征。多个气孔63可以连接到形成在中央区域325下方的另一个导管(图未示)，并且通过进行独立控制的另一个阀件(图未示)连接到气体供应器50。意即，通过多个气孔62的气流和通过多个气孔63的气流可以分别独立控制。
在部分实施例中，平台33亦包括形成在平台33的内表面330上的多个气孔。形成在内表面330上的多个气孔具有与在平台32上形成的多个气孔61、62、及63相同的结构，为简化说明将不再详细描述形成在内表面330上的多个气孔的特征。
图5显示根据部分实施例位于机械手臂31的连杆313中的气体供应器50的示意图。在部分实施例中，气体供应器50位于机械臂31的连杆313中。连杆313是中空结构，并形成一通道3135于其中。通道3135与流道(例如：形成在平台32和平台33中的流道610和620)连通。
在部分实施例中，气体供应器50包括一空气过滤器51、一驱动器52、一叶轮53、及一流量调节器54。多个穿孔3131形成在连杆313的多个侧壁3130上。多个穿孔3131允许连杆313的外部与通道3135之间的气体连通。空气过滤器51位于多个穿孔3131附近，并配置用于物理性阻挡颗粒或污染气体，同时让清洁气体通过。空气过滤器51可包括高效率粒子空气滤过器(HEPA过滤器)，其过滤器尺寸范围为约0.1μm至约0.3μm。
驱动器52位于空气过滤器51的下游。驱动器52包括一直驱马达，以用于驱动叶轮53的旋转的配置。直驱马达是一种直接驱动负载的永磁同步的马达。如此一来，减少对变速器或变速箱的需求。
在部分实施例中，叶轮53是用于驱动通道3135中的气流F的风扇。在这样的实施例中，叶轮53连接到驱动器52并且包括多个叶片531(例如：3至7个叶片)。叶片531可以由聚二醚酮树脂(聚醚醚酮，PEEK)的材料制成，并且叶轮53可以具有约180mm至约220mm的直径。驱动器52的输出功率可以在约0.5W至约85W的范围内。驱动器52以约0.5至约2的马力(HP)驱动叶轮，并产生具有约5立方米/分钟(CMM)至约12CMM的体积流量的气流F。
在部分实施例中，流量调节器54包括喷雾产生器并配置用于将喷雾540排放到通道3135中。利用喷雾产生器，通道3135中的气流F将与喷雾540混合之后才从平台32和平台33上形成的多个气孔排放至外部。在部分实施例中，喷雾发生器包括一超声波振荡器。液体或混合物由一液体源(图未示)提供，并通过喷雾产生器所产生的超音波能量转换成喷雾540。喷雾540的排放可以根据所欲悬浮的工件5(图2)过往的工艺而选择性地启动。举例而言，在CMP工艺之后的工件5的传送过程中，开启喷雾产生器以排放喷雾540，以防止由于研磨浆凝结所引起的缺陷。
在部分其余实施例中，流量调节器54包括一加热构件并配置用于加热通道3135中的气流F(图3)，再使加热后的气流通过形成在平台32和平台33上的多个气孔61、62、及63排放至外部。在部分实施例中，流量调节器54包括喷雾产生器和加热构件。在此实施例中，加热功能和喷雾排放功能可以同时启动，以便将加热的喷雾540提供到气流F中。
图6A-图6I显示根据部分实施例用于将工件5从载体3传送到加工工具10的方法的操作的示意图。工件5可包括半导体晶圆、测试晶圆或用于光刻曝光工艺的光罩。在部分实施例中，工件5存储在载具3中并被传送到处理系统1的装载端口(图未示)(图1)。为了将工件5从载体3传送到加工工具10，传送装置30移动到载体3前面的位置，如图6A所示。平台32和平台33之间的间隙G与将移动到加工工具10的工件5对齐。
接着，由机器手臂31沿着图6A中箭头所示的方向移动平台32和平台33。当平台32和平台33插入载体3中以使工件5位于平台32和平台33之间时，如图6B所示，停止平台32和平台33的运动。在部分实施例中，在排放气流之前，从俯视图观看，工件5完全被平台32和平台33覆盖，工件5的外边缘未暴露于外部。
接着，如图6C所示，工件5通过气流F以非接触的方式从位于工件5下方的平台32悬浮。气流F由气体供应器50驱动，并通过多个气孔62和63(图3)向工件5排放，但没有气流通过气孔61(图3)。来自平台32的气流F在工件5上沿第一法线方向产生气动力。第一法线方向垂直于平台32的内表面320。如此一来，工件5朝平台33移动。在部分实施例中，气流F从多个气孔62和63产生的气动力满足方程P＝X*9.8(kg*m/sec^2)*1.02，其中P是气动力，X是工件5的重量。
当工件5由来自平台32的气流F悬浮时，另一气流F从位于工件5上方的平台33排放，如图6D所示。来自平台33的气流F在第二法线方向上在工件5上产生气动力。第二法线方向垂直于平台33的内表面330并且与第一法线方向相反。如此一来，工件5稍微向下移动到预定位置。在预定位置，工件5的高度相对于平台32控制在约0.4mm至约2.3mm的范围内。在部分其余实施例中，没有气流通过位于工件5上方的平台33。工件5通过气流F从平台32移动到预定位置。
在部分实施例中，当检测器34检测到平台32和平台33之间存在工件5时，启动来自平台32的气流F。在部分实施例中，当检测器34检测到工件5相对于平台32的高度大于预定值时，启动来自平台33的气流F。举例而言，当工件5相对于平台32的高度大于5mm时，启动来自平台33的气流F。
在部分实施例中，执行一闭回路水平控制以将工件5稳定地悬浮在预定位置。具体而言，当工件5在平台32和平台33之间悬浮时，检测器34监测工件5相对于平台32的高度，并将检测到的信号发送到控制器(图未示)。控制器根据检测到的信号控制阀件(例如：阀件55，图4A)以调节平台32和/或平台33的气流F的流量，进一步调节工件5的高度。在部分其余实施例中，闭回路水平控制是通过从平台32调节气流F来进行，而不从平台33提供气流。
在工件的高度稳定定位之后，工件5沿着图6E中箭头所示的方向从载体3移除。同时，另一个气流F'从平台32和平台33中的至少一个排出。气流F'通过多个气孔61朝工件5排放(图4B)。来自平台32和/或平台33的气流F'在倾斜方向上在工件5上产生横向气动力。因此，在两个平台32和33移动的同时，工件5保持在平台32和平台33之间之间隙G内。
在上述实施例中，由于工件5没有直接放置在两个平台32及33上，工件5不会受两个平台32及33上的颗粒所污染。另外，也可减少由于两个平台32及33与处理系统1中的其他元件的碰撞而造成工件5破损的问题。
在部分实施例中，如图1所示，将工件5从载具3移除到加工工具10。因为加工工具10的夹持件13设计成使工件5面向下，所以在工件5移动到加工工具10之前执行一翻转程序。在翻转程序中，如图6F所示，传送装置30上下颠倒工件5。传送装置30的旋转运动可以在0.2秒或更短的时间内完成，并且在旋转运动期间连续供应气流F和/或气流F'。在部分其余实施例中，当用于从传送装置30接收工件5的加工工具被设计成使工件5面向上时，省略了翻转过程。
接着，如图6G所示，移动工件5到夹持件13正下方的目标位置，使平台32位于工件5和夹持件13之间。接着，如图6H所示，为了将工件5从传送装置30卸下并将工件5放置在夹持件13上，驱动平台32绕旋转轴R3从传送位置旋转180度到装载位置。在传送位置，两个平台32和33的内表面彼此面对。在装载位置，两个平台32和33位于偏离的位置，以使工件5面向夹持件13。同时，通过夹持件13的空气通道130所产生的真空V，以及来自平台33的气流F连续地排出，使工件5通过气流F和真空V产生的气动力以非接触的方式朝向夹持件13移动。
在部分实施例中，当工件5稳定地保持在夹持件13时，停止自平台33排放出的气流F，并且如图6I所示，移动传送装置30至载具3(图1)或其他位置以处理其他工件。
图7显示根据部分实施例的一传送装置40的分解图。在部分实施例中，加工设备1还包括一传送装置40。传送装置40配置用于在工件5处于直立位置(即，具有特征的表面面向水平方向)时传送工件5。在传送装置40中，传送装置40包括一下部轨道41、一上部轨道42、一下部载具43、及一上部载具44。
上部轨道41、下部载具43、上部载具44及上部轨道42沿垂直方向Z顺序配置。在部分实施例中，下部轨道41配置用于支撑下部载具43，并且上部轨道42配置用于支撑上部载具44。上部轨道41和上部轨道42都具有一导引槽。导引槽与下部载具43以及上部载具44上的多个滚轮435和445兼容，以引导下部载具43和上部载具44的运动。
在部分实施例中，下部载具43和上部载具44配置在既定平面PP上。下部载具43具有侧表面47，并且上部载具44具有侧表面48。当传送装置40是空置时，侧表面47直接面向侧表面48，侧表面47和侧表面48垂直于既定平面PP。
图8显示根据部分实施例的预设表面平面PP上的下部载具43和上部载具44的剖面图。在部分实施例中，每一侧表面47和侧表面48在既定平面PP上具有弯曲的剖面。侧表面47和侧表面48的曲率可以与工件5的外边缘的曲率相容，曲率将由传送装置40所支撑元件的外形所决定。举例而言，在传送装置40用于运送半导体晶圆的例子中，侧表面47的曲率和侧表面48的曲率包括圆形的部分区段。
在部分实施例中，下部载具43的侧表面47从一第一端471延伸到一第二端472，并且上部载具44的侧表面48从一第一端481延伸到一第二端472。第一端471和第二端482在垂直方向Z中彼此相对。另外，第二端472和第一端481在垂直方向Z中彼此相对。轴线L穿过侧表面47和48的两个最远点470和480。点470可以是侧表面47的中心，点480可以是侧表面48的中心。轴L可以与垂直方向Z平行(图7)。在利用传送装置40传送12英寸半导体晶圆的情况下，两个点470和480可以间隔开约305mm至约315mm的距离。
在部分实施例中，在侧表面47和侧表面48上形成有第一组气孔。第一组气孔连接到位于下部载具43和上部载具44上的气体供应器50，并配置成将气流从气体供应器50排放到工件5。
具体而言，第一组气孔70的一部分形成在侧表面47上，第一组气孔70的另一部分形成在侧表面48上。形成在侧表面47上的多个气孔70位于第一端471和点470之间。形成在侧表面48上的多个气孔70位于第一端481和点480之间。在部分实施例中，第一组气孔70相对于轴线L对称配置。
在部分实施例中，在点470和第二端472之间以及点480和第二端482之间没有配置气孔。然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在部分其余实施例中，点470和第二端472之间以及点480和第二端482之间可包括一或多个气孔70。
在部分实施例中，侧表面47上的多个气孔70具有不同的直径。举例而言，在远离第一端471的方向上，多个气孔70的宽度逐渐减小，于是与第一端471相邻的气孔70提供具有比与点470相邻的气孔70更高流速的气流。另外，在远离第一端481的方向上，多个气孔70的宽度逐渐减小，于是靠近第一端481的气孔70提供具有比与点480相邻的气孔70更高流速的气流。在部分实施例中，最大的气孔70的直径在约7mm至约9mm的范围内。
然而，应该理解的是可以对本公开的实施例进行许多变化和修改。在部分其余实施例中，在侧表面47和侧表面48上的气孔70具有均匀的直径，通过多个气孔70的气流的流速是通过调节器(例如：阀，未在图中示出)所控制，以使得靠近第一端471和481的气孔70提供具有比靠近点470和480的气孔70更高流速的气流。
侧表面47上的多个气孔70连接到位于下部载具43的气体供应器50，并且侧表面48上的多个气孔70连接到位于上部载具44的气体供应器50。导管71可以形成在每一下部载具43和上部载具44中，以允许气体供应器50和多个气孔70之间的气体连通。
再次参照图7，下部轨道41和上部轨道42配置用于导引下部载具43和上部载具44的运动。在部分实施例中，每一下部轨道41和上部轨道42包括一导引槽(图9更清楚显示此特征)，用于允许下部载具43和上部载具44的多个滚轮435和445的滑动运动。下部轨道41和上部轨道42可以由抗腐蚀材料制成，例如聚四氟乙烯(PTFE)、PEEK或热固性塑料。
图9显示根据部分实施例的下部轨道41的剖面图，其中下部载具43位于其上。下部轨道41包括两个导引槽411。两个导引槽411形成在面向下部载具43的上表面410上。两个导引槽411间形成有约10mm至约14mm的空间。另外，下部载具43包括两个滚轮435。两个滚轮435位于与侧表面47相对的侧端部471(图7)。下部载具43的滚轮435位于导引槽4111中，并且可沿导引槽411移动。如此一来，下部载具43引导下轨道41的运动。
在部分实施例中，下部轨道41还包括两个排水槽412。排水槽412连接到两个导引槽411并位于导引槽411的下方。每个排水槽412具有比相应的导引槽411更窄的宽度。举例而言，每个导引槽411的宽度W2约为8mm至10mm。另外，每个排水槽412的宽度W3在约4mm至约6mm的范围内。排出槽412允许从工件5落下(图7)诸如DI水的加工液进行汇聚。于是，滚轮435将在导引槽411中平滑地滚动而不会因为加工液的聚集而发生阻碍。
再次参照图7，在部分实施例中，传送装置40还包括平台45和平台46。平台45和平台46位于既定平面PP的两侧并位于下部载具43和上部载具44之间。
在部分实施例中，平台45具有内表面450，并且平台46具有内表面460。内表面450与内表面460在平台45和46的宽度方向上延伸。平台45、46以平台45的内表面450可以直接面对平台46的内表面460并于其间形成间隔的方式配置。上述间隔可以略大于侧表面47在水平方向Y上的宽度。侧表面47沿着水平方向X从第一端471延伸到第二端472(图8)。水平方向Y垂直于水平方向X。举例而言，侧表面47在Y方向上的宽度为约10mm至约14mm，并且平台45和平台46间隔一定距离，上述距离介于约12mm至约16mm之间。
在部分实施例中，平台45和平台46具有与上述平台32相同的配置。另外，在平台45的内表面450和平台46的内表面460上形成第二组气孔。如图3所示，第二组气孔可以如同多个气孔61、62、及63在内表面320上配置的方式，配置在内表面450和内表面460上。因此，为了简化内容将不详细描述平台45和平台46的特征以及第二组气孔的配置。
在部分实施例中，平台45和平台46经由两个支架465连接到上部载具44。两个支架465以可枢转的方式连接到上部载具44的外表面，并且一或多个驱动器(图未示)定位在上部载具44中，用于驱动两个支架465绕旋转轴R4旋转。两个气体供应器50可以定位在两个支架465中，用于将气体供应到形成在平台45和平台46上的第二组气孔中。
在部分实施例中，一检测器49设置于下部载具43和上部载具44之间。在图8所示的实施例中，检测器49放置在下部载具43的侧表面470上。检测器49配置用于检测传送装置40中工件5的位置。检测器49可以向工件5发射诸如激光、声波或微波的能量束，并从工件5接收反射的能量束。接着，检测器49将能量束的速度乘上能量束的行进时间进而计算工件5和检测器49之间的距离。所检测的结果则发送到控制器(图未示)，用于执行一闭回路水平控制。
在部分实施例中，如图1所示，在工件5由加工工具20进行加工之前，工件5从传送装置30传送到传送装置40。图10A-图10C显示根据部分实施例从传送装置30传送工件到传送装置40的方法的步骤的示意图。
如图10A所示，为了将工件5从传送装置30传送到传送装置40，工件5通过传送装置30移动到下部载具43和上部载具44之间的位置。在工件5接近之前，提升平台45和平台46至如图10A所示的空转位置，以允许工件5插入平台32和33。
接着，如图10B所示，工件5通过关节316绕旋转轴R3旋转约90度，以允许工件5的外边缘面向侧表面47和侧表面48。同时，气流F4从下部载具43及上部载具44排出并施加至工件5。
在部分实施例中，如图8所示，来自下部载具43的气流F4在朝向点470的方向上逐渐减小，并且来自上部载具44的气流F4在朝向点480的方向上逐渐减小。因此，气流F4以非接触方式产生气动力以支撑工件5在下部载具43和上部载具44之间。另外，气流F4驱动工件5绕穿过工件5的特征表面的轴线旋转。在部分实施例中，气流F4从下部载具43和上部载具44产生的气动力满足等式P＝X*9.8(kg*m/sec^2)*1.02，其中P是气动力，X是工件5的重量。
在部分实施例中，执行闭回路水平控制以将工件5稳定地悬浮在预定位置。具体而言，当工件5在下部载具43和上部载具44之间悬浮时，检测器34监测工件5相对于下部载具43的高度，并将监测到的信号发送到控制器(未图示)。控制器根据检测到的信号从下部载具43和/或上部载具44调节气流F4的流量，以调节工件5的高度。
接着，如图10C所示，通过将平台45和平台46向下降到工件5旁边的位置，用平台45和46代替两个平台32及33。当工件5位于平台45和46之间时，气流F5由平台45和平台46产生，以控制光罩在X方向和Y方向上的位置。气流F5可以在与特征表面垂直的方向上施加气动力于工件5上，和/或，如图6E所示的气流，沿着与工件5的特征表面倾斜的方向施加力动力于工件5上。
接着，如图10D所示，下部载具43与上部载具44沿下轨道41和上部轨道42移动，以将工件5传送到下一目的地，例如加工工具20(图1)。在工件5的传送过程中，气流由下部载具43、上部载具44、平台45及平台46连续供应，以控制工件5在传送装置40中的位置。
在部分实施例中，可以进行如上所述的闭回路水平控制以限制工件5在传送装置40中的位置。在工件5的传送过程中，工件5与下部载具43或上部载具44之间的间隙控制在约4mm至约6mm的范围内，并且，平台45和平台46与工件5之间的间隙控制在约4mm至约7mm的范围内
上述实施例提供用于传送半导体制造中所使用的工件的方法。用于传送物品的传送装置的改进允许一非接触式传送过程。由于减少了受到污染的可能性因此提高了半导体装置的产品良率。另一方面，由于减少了晶圆的报废，故降低了制造成本。
本公开部分实施例提供一种传送方法，适用于传送使用于一半导体制造中的一工件。上述传送方法包括移动一第一传送装置至一工件旁，使工件面向多个形成于第一传送装置的气孔。上述传送方法还包括经由自第一传送装置的气孔供应一气流，以利用第一传送装置以一非接触的方式悬浮工件。上述传送方法也包括在气流连续供应的同时利用第一传送装置传送工件。
在上述实施例中，气流经由形成于第一传送装置的两个平台的气孔连续地朝工件排放，两个平台面向彼此。
在上述实施例中，在传送工件的期间，一部分的气流相对于工件歪斜排放，以在相对于工件歪斜的一方向上施加一侧向气动力。
在上述实施例中，上述传送方法还包括：检测工件在第一传送装置内的位置；以及根据工件的位置控制经由气孔的气流。
在上述实施例中，工件的传送包括移动工件至一既定位置，一夹持件位于既定位置，且传送方法还包括：经由形成于夹持件上的多个气孔提供另一气流以产生一真空力将工件自第一传送装置移除。
在上述实施例中，工件悬浮于第一传送装置的两个平台之间，并且传送方法还包括：当第一传送装置到达既定位置时，移除两个平台中位于夹持件与工件之间的一者，使工件面向夹持件。
在上述实施例中，工件的传送包括通过第一传送装置旋转工件，使工件的一边缘面对一第二传送装置的一第一组气孔，并且传送方法还包括：经由第二传送装置的第一组气孔供应另一气流以非接触的方式悬浮工件。
在上述实施例中，上述传送方法还包括移除第一传送装置；移动第二传送装置的两个平台至工件旁，使形成于第二传送装置的两个平台上的一第二组气孔面对工件；经由第二组气孔提供另一气流；以及在经由第一组气孔与第二组气孔供应气流的同时，利用第二传送装置传送工件。
在上述实施例中，工件包括一半导体晶圆或者用于一光刻曝光工艺的一光罩。
本公开还提供一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一机械手臂。上述传送装置还包括两个平台，连结于机械手臂，且各自包括面向彼此的一内表面。多个气孔形成于两个平台的内表面。上述传送装置也包括一气体供应器，与气孔气体连结并配置用于控制经由气孔的一气流。
在上述实施例中，一第一部分的气孔沿一方向延伸，方向垂直于第一部分的气孔所位于的内表面，并且一第二部分的气孔相对于第二部分的气孔所位于的内表面歪斜延伸。
在上述实施例中，每一内表面具有同心排列的一第一环状区域以及一第二环状区域。第一部分的气孔位于第一环状区域内，且第二部分的气孔位于第二环状区域内。
在上述实施例中，每一气孔具有一渐缩的截面积。
在上述实施例中，传送装置还包括位于两个平台之间的一检测器，检测器配置用于当工件位于两个平台之间时检测工件的位置。气体供应器根据检测器所测得工件的位置控制经由气孔的气流。
在上述实施例中，两个平台的一者以枢接的方式连结机械手臂，以移动于一传送位置与一装载位置之间。在传送位置，两个平台的内表面面向彼此，且在装载位置，两个平台相对彼此偏移。
本公开还提供一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件。上述传送装置包括一上部载具以及一下部载具，排列于一既定平面并各自具有面向彼此的一侧表面，其中一第一组气孔形成于上部载具与下部载具的每一侧表面之上。上述传送装置还包括两个平台，位于既定平面的两个相对侧并各自具有面向彼此的一内表面，其中一第二组气孔形成于两个平台的内表面之上。上述传送装置也包括一下部轨道及一上部轨道。下部轨道配置用于供下部载具的移动。上部轨道配置用于供上部载具的移动。另外，上述传送装置包括多个气体供应器，与第一组气孔与第二组气孔气体连结，并配置用于控制经由第一组气孔与第二组气孔的气流。
在上述实施例中，上部载具与下部载具各自在既定平面上具有一弯曲截面，并且一轴通过侧表面中两个相距最远的点。第一组气孔与第二组气孔相对于轴对称配置。
在上述实施例中，下部载具包括一滚轮，并且下部轨道包括：一导引槽，以利于滚轮在下部轨道上移动；以及一排水槽，连结至导引槽并位于导引槽下方，排水槽具有较导引槽窄的宽度，以接收自下部载具排出的液体。
在上述实施例中，第二组气孔以环状配置排列于两个平台的内表面。
在上述实施例中，上述传送装置还包括设置于下部载具与上部载具之间的检测器，检测器配置用于检测工件在两个平台之间的位置。气体供应器根据检测器所测得工件的位置控制经由第二组气孔的气流。
以上虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本公开的构思和范围的情况下，对本公开可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本公开中理解，根据本公开，可利用现有的或今后将被开发的、执行与在本公开所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括在它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本公开的范围内。

Claims (19)

1.一种传送方法，适用于传送使用于一半导体制造中的一工件，该传送方法包括：
移动一第一传送装置至一工件旁，使该工件面向多个形成于该第一传送装置的两个平台的内表面上的气孔；
经由自该第一传送装置的所述气孔供应一气流，以利用该第一传送装置以一非接触的方式悬浮该工件，其中该气流通过所述气孔的一扰流结构，该扰流结构在所述气孔延伸的方向上逐渐变窄，且该气流被转换成一扰流气流；
在该气流连续供应的同时利用该第一传送装置传送该工件；以及
移动该第一传送装置的该两个平台的一者于一传送位置与一装载位置之间，该两个平台的该一者以枢接的方式连结一机械手臂，其中在该传送位置，该两个平台的所述内表面面向彼此，且在该装载位置，该两个平台相对彼此偏移。
2.如权利要求1所述的传送方法，其中该气流经由形成于该第一传送装置的该两个平台的气孔连续地朝该工件排放。
3.如权利要求1所述的传送方法，其中在传送该工件的期间，一部分的该气流相对于该工件歪斜排放，以在相对于该工件歪斜的一方向上施加一侧向气动力。
4.如权利要求1所述的传送方法，还包括：
检测该工件在该第一传送装置内的位置；以及
根据该工件的位置控制经由所述气孔的气流。
5.如权利要求1所述的传送方法，其中该工件的传送包括移动该工件至一既定位置，一夹持件位于该既定位置，且该传送方法还包括：
经由形成于该夹持件上的多个气孔提供另一气流以产生一真空力将该工件自该第一传送装置移除。
6.如权利要求5所述的传送方法，其中该工件悬浮于该第一传送装置的该两个平台之间，并且该传送方法还包括：
当该第一传送装置到达该既定位置时，移除该两个平台中位于该夹持件与该工件之间的一者，使该工件面向该夹持件。
7.如权利要求1所述的传送方法，其中该工件的传送包括通过该第一传送装置旋转该工件，使该工件的一边缘面对一第二传送装置的一第一组气孔，并且该传送方法还包括：
经由该第二传送装置的该第一组气孔供应另一气流以非接触的方式悬浮该工件。
8.如权利要求7所述的传送方法，还包括：
移除该第一传送装置；
移动该第二传送装置的两个平台至该工件旁，使形成于该第二传送装置的该两个平台上的一第二组气孔面对该工件；
经由该第二组气孔提供另一气流；以及
在经由该第一组气孔与该第二组气孔供应该气流的同时，利用该第二传送装置传送该工件。
9.如权利要求1所述的传送方法，其中该工件包括一半导体晶圆或者用于一光刻曝光工艺的一光罩。
10.一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件，该传送装置包括：
一机械手臂；
两个平台，连结于该机械手臂，且各自包括面向彼此的一内表面，其中多个气孔形成于该两个平台的所述内表面；以及
一气体供应器，与所述气孔气体连结并配置用于控制经由所述气孔的一气流，其中该两个平台的一者以枢接的方式连结该机械手臂，以移动于一传送位置与一装载位置之间；
其中在该传送位置，该两个平台的所述内表面面向彼此，且在该装载位置，该两个平台相对彼此偏移。
11.如权利要求10所述的传送装置，其中一第一部分的所述气孔沿一方向延伸，该方向垂直于该第一部分的所述气孔所位于的该内表面，并且一第二部分的所述气孔相对于该第二部分的所述气孔所位于的该内表面歪斜延伸。
12.如权利要求11所述的传送装置，其中每一所述内表面具有同心排列的一第一环状区域以及一第二环状区域；
其中第一部分的气孔位于该第一环状区域内，且第二部分的气孔位于该第二环状区域内。
13.如权利要求10所述的传送装置，其中每一所述气孔具有一渐缩的截面积。
14.如权利要求10所述的传送装置，还包括位于该两个平台之间的一检测器，该检测器配置用于当该工件位于两个平台之间时侦测该工件的位置；
其中该气体供应器根据该检测器所测得该工件的位置控制经由所述气孔的气流。
15.一种传送装置，适用于传送在一半导体制造中所使用的一工件，该传送装置包括：
一上部载具以及一下部载具，排列于一既定平面并各自具有面向彼此的一侧表面，其中一第一组气孔形成于该上部载具与该下部载具的每一所述侧表面之上；
两个平台，位于该既定平面的两个相对侧并各自具有面向彼此的一内表面，其中一第二组气孔形成于该两个平台的所述内表面之上；
一下部轨道，配置用于供该下部载具的移动；
一上部轨道，配置用于供该上部载具的移动；以及
多个气体供应器，与该第一组气孔与该第二组气孔气体连结，并配置用于控制经由该第一组气孔与该第二组气孔的气流。
16.如权利要求15所述的传送装置，其中该上部载具与该下部载具各自在该既定平面上具有一弯曲截面，并且一轴通过所述侧表面中两个相距最远的点；
其中该第一组气孔与该第二组气孔相对于该轴对称配置。
17.如权利要求15所述的传送装置，其中该下部载具包括一滚轮，并且该下部轨道包括：
一导引槽，以利于该滚轮在该轨道上移动；以及
一排水槽，连结至该导引槽并位于该导引槽下方，该排水槽具有比该导引槽窄的宽度，以接收自该下部载具排出的液体。
18.如权利要求15所述的传送装置，其中该第二组气孔以环状配置排列于该两个平台的所述内表面。
19.如权利要求15所述的传送装置，还包括设置于该下部载具与该上部载具之间的检测器，该检测器配置用于检测该工件在该两个平台之间的位置；
其中所述气体供应器根据该检测器所测得该工件的位置控制经由该第二组气孔的气流。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020023409A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Optically transparent pedestal for fluidly supporting a substrate
CN110202603B (zh) * 2019-07-01 2022-11-11 深圳市周大福珠宝制造有限公司 一种真空吸盘以及吸盘本体的制造方法
CN111482958A (zh) * 2019-12-13 2020-08-04 上海智殷自动化科技有限公司 基于神经网络的多传输机械手光刻机及其协同控制系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101081515A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 Smc株式会社 非接触输送装置
KR100840713B1 (ko) * 2007-05-17 2008-06-23 로체 시스템즈(주) 기류 흐름을 이용한 고정장치

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3930684A (en) * 1971-06-22 1976-01-06 Lasch Jr Cecil A Automatic wafer feeding and pre-alignment apparatus and method
JPS50122879A (zh) * 1974-03-13 1975-09-26
US4219110A (en) * 1977-09-08 1980-08-26 Hirohiko Ubukata Wafer probe apparatus with pneumatic wafer orienting mechanism
US4242038A (en) * 1979-06-29 1980-12-30 International Business Machines Corporation Wafer orienting apparatus
DE3686781D1 (de) * 1985-05-04 1992-10-29 Seibu Giken Kk Vorrichtung zum halten und/oder foerdern einer platte mittels eines fluids ohne koerperliche beruehrung.
US6322116B1 (en) 1999-07-23 2001-11-27 Asm America, Inc. Non-contact end effector
TWI222423B (en) * 2001-12-27 2004-10-21 Orbotech Ltd System and methods for conveying and transporting levitated articles
JP4197129B2 (ja) * 2003-03-19 2008-12-17 シャープ株式会社 ワーク搬送装置
JP2006156692A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Smc Corp 非接触搬送装置
US20110069306A1 (en) * 2008-06-09 2011-03-24 Kla-Tencor Corporation Referenced Inspection Device
JP2010073883A (ja) 2008-09-18 2010-04-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置ならびに基板位置決め方法および装置
JP5346643B2 (ja) * 2009-03-27 2013-11-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板塗布装置および基板塗布方法
US20110148128A1 (en) 2009-12-23 2011-06-23 Memc Electronic Materials, Inc. Semiconductor Wafer Transport System
US9793143B2 (en) 2014-01-06 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing apparatus and method of operating the same
WO2015136495A1 (en) 2014-03-13 2015-09-17 Scientific Games Holdings Limited Method and system for providing a secure shuffle of game objects across multiple entities
JP6128050B2 (ja) 2014-04-25 2017-05-17 トヨタ自動車株式会社 非接触型搬送ハンド
JP2016161007A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 株式会社日本製鋼所 ガス浮上ワーク支持装置および非接触ワーク支持方法
KR20170013518A (ko) 2015-07-28 2017-02-07 주식회사 티지오테크 기판 이송 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101081515A (zh) * 2006-06-02 2007-12-05 Smc株式会社 非接触输送装置
KR100840713B1 (ko) * 2007-05-17 2008-06-23 로체 시스템즈(주) 기류 흐름을 이용한 고정장치

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US20190157129A1 (en) 2019-05-23
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