CN109768361B - 微带合路器及智能天线 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种微带合路器及智能天线，微带合路器包括微带线合路网络；微带线合路网络包括FA频段分路模块、D频段分路模块、低频抑制支路模块和用于连接TD辐射单元的合路模块；FA频段分路模块包括的FA支路的第一端用于连接第一馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块；FA阻抗谐振单元的一端连接FA支路；D频段分路模块包括的D支路的第一端用于连接第二馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块；D阻抗谐振单元的一端连接D支路；低频抑制支路模块包括低频抑制支路和低频抑制阻抗谐振单元；低频抑制支路的第一端连接低频抑制阻抗谐振单元；第二端连接合路模块。进而能够有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

Description

微带合路器及智能天线

技术领域

本发明涉及移动通信技术领域，特别是涉及一种微带合路器及智能天线。

背景技术

合路器是一种能将两路或多路射频信号合并到同一输出路的射频器件。随着移动通信技术的发展，不同制式天馈系统共站成为了主流，并将长期存在。在天面资源越来越紧张的情况下，天线的辐射单元复用技术的应用大大节省了天面空间。辐射单元复用技术即在辐射单元前段接入合路器，使不同频段能够同时使用该辐射单元进行信号的收发，且不同频段间具有良好的隔离，相互影响小。目前，该技术在移动4G(the 4th Generationmobile communication technology，第四代移动通信技术)智能天线中已经得到广泛的大规模的使用，典型的复用频段为1880-2025MHz(兆赫兹)和2575-2635MHz(5G(Fifth-generation mobile communication technology，第五代移动通信技术)时代可能扩频至2515-2690MHz)，该技术的关键在于性能优良的合路器。

目前，传统内置FA/D(F+A频段/D频段)合路器的天线虽可实现缩短天线长度，减少迎风面积；但同时存在高低频互藕，导致激发产生二次谐波，激发的二次谐波信号被TD(Time Division，时分)系统端接收，则会产生二阶反射互调，将严重干扰TD系统信号。然而，传统内置FA/D合路器并未具有低频滤波功能。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：传统天线的合路器难以消除产生的谐波，存在信号干扰。

发明内容

基于此，有必要针对传统天线的合路器难以消除产生的谐波，存在信号干扰的问题，提供一种微带合路器及智能天线。

为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种微带合路器，包括微带线合路网络；微带线合路网络包括FA频段分路模块、D频段分路模块、低频抑制支路模块和用于连接TD辐射单元的合路模块；

FA频段分路模块包括FA支路和用于对FA频段信号滤波的FA阻抗谐振单元；FA支路的第一端用于连接第一馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块；FA阻抗谐振单元的一端连接FA支路；

D频段分路模块包括D支路和用于对D频段信号滤波的D阻抗谐振单元；D支路的第一端用于连接第二馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块；D阻抗谐振单元的一端连接D支路；

低频抑制支路模块包括低频抑制支路和用于对低频信号滤波的低频抑制阻抗谐振单元；低频抑制支路的第一端连接低频抑制阻抗谐振单元；第二端连接合路模块。

在其中一个实施例中，FA阻抗谐振单元包括第一FA阻抗谐振支路和第二FA阻抗谐振支路；

第一FA阻抗谐振支路的一端靠近FA支路的第一端连接；第二FA阻抗谐振支路的一端靠近FA支路的第二端连接。

在其中一个实施例中，第一FA阻抗谐振支路包括第一高阻抗微带线段和第一低阻抗微带线段；第一高阻抗微带线段的一端连接第一低阻抗微带线段，另一端靠近FA支路的第一端连接；

第二FA阻抗谐振支路包括第二高阻抗微带线段与第二低阻抗微带线段；第二高阻抗微带线段的一端连接第二低阻抗微带线段，另一端靠近FA支路的第二端连接。

在其中一个实施例中，D阻抗谐振单元包括第一D阻抗谐振支路、第二D阻抗谐振支路和第三D阻抗谐振支路；

第一D阻抗谐振支路的一端靠近D支路的第一端连接；第二D阻抗谐振支路的一端靠近D支路的第二端连接；第三D阻抗谐振支路的一端连接在第一D阻抗谐振支路和第二D阻抗谐振支路之间的D支路的微带线。

在其中一个实施例中，第一D阻抗谐振支路包括第三高阻抗微带线段和第三低阻抗微带线段；第三高阻抗微带线段的一端连接第三低阻抗微带线段，另一端靠近D支路的第一端连接；

第二D阻抗谐振支路包括第四高阻抗微带线段与第四低阻抗微带线段；第四高阻抗微带线段的一端连接第四低阻抗微带线段，另一端靠近D支路的第二端连接；

第三D阻抗谐振支路包括第五高阻抗微带线段与第五低阻抗微带线段；第五高阻抗微带线段的一端连接第五低阻抗微带线段，另一端靠近D支路的第二端连接在第三低阻抗微带线段和第四低阻抗微带线段之间的D支路的微带线。

在其中一个实施例中，微带线合路网络的数量为2个；

2个微带线合路网络呈中心对称，且用于对TD辐射单元的正45度角极化和负45度角极化的合路馈电。

在其中一个实施例中，合路模块为50欧姆的微带线。

在其中一个实施例中，还包括基板；基板包括第一板面和与第一板面相对的第二板面；第二板面用于接地；

微带线合路网络设置在第一板面上；

第一馈电同轴电缆设置在第二板面上；FA支路的第一端通过金属化过孔与第一馈电同轴电缆的信号线相连；第一馈电同轴电缆的地线与第二板面相连；

第二馈电同轴电缆设置在第二板面上；D支路的第一端通过金属化过孔与第二馈电同轴电缆的信号线相连；第二馈电同轴电缆的地线与第二板面相连。

在其中一个实施例中，微带线合路网络的工作频段为880MHz至2690MHz。

另一方面，本发明实施例还提供了一种智能天线，包括反射板、辐射单元以及权利要求1至9任意一项的微带合路器；

微带合路器与辐射单元电连接；微带合路器与反射板耦合相连。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

通过在FA频段分路模块中设置FA阻抗谐振单元，由FA阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对FA频段(1880MHz至2025MHz)信号进行滤波；通过在D频段分路模块中设置D阻抗谐振单元，由D阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对D频段(2515MHz至2690MHz)信号进行滤波；通过在低频抑制支路模块中设置低频抑制阻抗谐振单元，由低频抑制阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对低频段(GSM900频段(880MHz至960MHz))信号进行滤波；防止在高低频嵌套组阵阵列中，由于高低频空间互藕而激发二次谐波，避免二次谐波被TD辐射单元接收，传送到系统端产生二阶反射互调；进而有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

附图说明

图1为一个实施例中微带合路器应用于高低频辐射单元的辐射单元组阵方式图；

图2为一个实施例中微带合路器的结构框图；

图3为一个实施例中阻抗谐振支路的等效电路示意图；

图4为又一个实施例中微带合路器的正面结构示意图；

图5为又一个实施例中微带合路器的背面结构示意图；

图6为一个实施例中微带合路器的电路性能图；

图7为一个实施例中智能天线的一视角结构示意图；

图8为一个实施例中智能天线的另一视角结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本方案微带合路器可应用于“4+4+8+8”独立电调智能天线中，该智能天线要求GSM900频段(880-960MHz)、DCS1800频段(1710-1880MHz)、FA/D频段(1880-2025MHz/2575-2635MHz)共存于一副天线中，该智能天线的TD部分辐射单元与GSM900部分辐射单元嵌套组阵。如图1所示，为本方案微带合路器应用于高低频辐射单元的辐射单元组阵方式图，该辐射单元组阵方式缩短了天线长度，减少迎风面积，但具有较强的高低频间互藕强。其中，图1中，较大的叉形结构表示低频辐射单元；较小的叉形结构表示高频辐射单元。

传统的合路器应用于如图1所示幅度单元组阵的天线，由于高低频互藕的存在，低频段信号(880-960MHz)可以通过耦合被TD辐射单元吸收，并再次激发产生二次谐波，二次谐波正好落在F频段1880-1920MHz之间，激发的二次谐波信号被TD系统端接收，则会产生二阶反射互调，将严重干扰TD系统信号。

而采用本方案微带合路器应用于如图1所示幅度单元组阵的天线，通过在TD端对低频段信号进行滤波，随着低频耦合信号减弱，二次谐波信号也相应的衰减弱化，从而改善天线系统的二阶反射互调，进而减小了高低频嵌套组阵所带来的互藕影响，有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

为了解决传统天线的合路器难以消除产生的谐波，存在信号干扰的问题，本发明实施例提供了一种微带合路器，图2为一个实施例中微带合路器的结构示意图。如图2所示，包括微带线合路网络110；微带线合路网络110包括FA频段分路模块120、D频段分路模块130、低频抑制支路模块140和用于连接TD辐射单元的合路模块150。

FA频段分路模块120包括FA支路122和用于对FA频段信号滤波的FA阻抗谐振单元124；FA支路122的第一端用于连接第一馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块150；FA阻抗谐振单元124的一端连接FA支路。D频段分路模块130包括D支路132和用于对D频段信号滤波的D阻抗谐振单元134；D支路132的第一端用于连接第二馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块150；D阻抗谐振单元134的一端连接D支路132。低频抑制支路模块140包括低频抑制支路142和用于对低频信号滤波的低频抑制阻抗谐振单元144；低频抑制支路142的第一端连接低频抑制阻抗谐振单元144；第二端连接合路模块150。

其中，微带线合路网络110指的是基于微带线布线得到的合路网络，微带线合路网络110可用于对TD辐射单元合路馈电。FA频段分路120模块可用于对FA频段信号进行滤波并传输，FA频段分路模块120可以是微带线结构；D频段分路模块130可用于对D频段信号进行滤波并传输；低频抑制支路模块140可用于对低频段信号进行滤波，低频抑制支路模块140可以是微带线结构。需要说明的是，在本方案各实施例中FA频段的频率范围为1880MHz至2025MHz，D频段的频率范围为2515MHz至2690MHz，低频段的频率范围为880MHz至960MHz。FA支路122指的是一段微带线支路，FA支路122的具体形状和大小可根据实际调试布局而定；FA阻抗谐振单元124可用来对FA频段信号进行滤波；第一馈电同轴电缆可用来输入FA频段的信号。D支路132指的是一段微带线支路，D支路132的具体形状和大小可根据实际调试布局而定；D阻抗谐振单元134可用来对D频段信号进行滤波；第二馈电同轴电缆可用来输入D频段的信号。低频抑制支路142指的是一段微带线支路，低频抑制支路142的具体形状和大小可根据实际调试布局而定；低频抑制阻抗谐振单元144可用于对低频段信号进行滤波。合路模块150指的是能够将分路模块(FA频段分路模块120和D频段分路模块130)的信号合路输出的模块；合路模块150还可以是将外部输入的信号传输给分路模块(FA频段分路模块120和D频段分路模块130)。TD辐射单元可用来辐射或接收无线电波；TD辐射单元可包括1个振子，也可包括多个振子。

具体地，基于FA支路122的第一端用于连接第一馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块150；FA阻抗谐振单元124的一端连接FA支路122；D支路132的第一端用于连接第二馈电同轴电缆，第二端用于连接合路模块150；D阻抗谐振单元134的一端连接D支路132；低频抑制支路142的第一端连接低频抑制阻抗谐振单元144；第二端连接合路模块150。可将由于TD辐射单元与GSM900辐射单元的嵌套组阵、基于高低频互藕产生的低频段信号(本方案中指的是880-960MHz)，通过低频抑制支路模块140的低频抑制阻抗谐振单元144进行滤波；通过D频段分路模块130的D阻抗谐振单元134对D频段信号进行滤波；以及通过FA频段分路模块120的FA阻抗谐振单元124对FA频段信号进行滤波，进而可有效的抑制由于高低频耦合所产生的二次谐波，降低了二阶反射互调的量级。

在本实施例中，通过在FA频段分路模块中设置FA阻抗谐振单元，由FA阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对FA频段(1880MHz至2025MHz)信号进行滤波；通过在D频段分路模块中设置D阻抗谐振单元，由D阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对D频段(2515MHz至2690MHz)信号进行滤波；通过在低频抑制支路模块中设置低频抑制阻抗谐振单元，由低频抑制阻抗谐振单元构成带阻滤波器，对低频段(GSM900频段(880MHz至960MHz))信号进行滤波；防止在高低频嵌套组阵阵列中，由于高低频空间互藕而激发二次谐波，避免二次谐波被TD辐射单元接收，传送到系统端产生二阶反射互调；进而有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

在一个实施例中，如图2所示，FA阻抗谐振单元124包括第一FA阻抗谐振支路162和第二FA阻抗谐振支路164；第一FA阻抗谐振支路162的一端靠近FA支路122的第一端连接；第二FA阻抗谐振支路164的一端靠近FA支路122的第二端连接。

其中，第一FA阻抗谐振支路162和第二FA阻抗谐振支路164可用来对FA频段信号进行滤波。第一FA阻抗谐振支路162可以是微带线结构，第二FA阻抗谐振支路164可以是微带线结构。通过在FA支路122上设置第一FA阻抗谐振支路162和第二FA阻抗谐振支路164，由第一FA阻抗谐振支路162和第二FA阻抗谐振支路164构成一个带阻滤波器，进而实现对FA频段信号进行滤波。

在一个具体的实施例中，第一FA阻抗谐振支路162包括第一高阻抗微带线段和第一低阻抗微带线段；第一高阻抗微带线段的一端连接第一低阻抗微带线段，另一端靠近FA支路122的第一端连接。第二FA阻抗谐振支路164包括第二高阻抗微带线段与第二低阻抗微带线段；第二高阻抗微带线段的一端连接第二低阻抗微带线段，另一端靠近FA支路122的第二端连接。

其中，第一高阻抗微带线段和第二高阻抗微带线段指的是具有高特性阻抗的微带线段，第一低阻抗微带线段和第二低阻抗微带线段指的是具有低特性阻抗的微带线段。进一步的，第一高阻抗微带线段和第二高阻抗微带线段的微带线电长度可以是1/4λ，第一低阻抗微带线段和第二低阻抗微带线段的微带线电长度可以是1/4λ，但并不限于1/4λ，可根据实际电路进行调整，其中，λ为中心频率的波长。

在本实施例中，通过在FA支路上设置第一FA阻抗谐振支路和第二FA阻抗谐振支路，基于第一FA阻抗谐振支路和第二FA阻抗谐振支路的高低特性阻抗，在FA支路上构成一个带阻滤波器，实现对FA频段信号的滤波。

在一个实施例中，D阻抗谐振单元134包括第一D阻抗谐振支路172、第二D阻抗谐振支路174和第三D阻抗谐振支路176。第一D阻抗谐振支路172的一端靠近D支路132的第一端连接；第二D阻抗谐振支路174的一端靠近D支路132的第二端连接；第三D阻抗谐振支路176的一端连接在第一D阻抗谐振支路172和第二D阻抗谐振支路174之间的D支路132的微带线。

其中，第一D阻抗谐振支路172、第二D阻抗谐振支路174和第三D阻抗谐振支路176可用来对D频段信号进行滤波。第一D阻抗谐振支路172可以是微带线结构，第二D阻抗谐振支路174可以是微带线结构，第三D阻抗谐振支路176可以是微带线结构。通过在D支路132上设置第一D阻抗谐振支路172、第二D阻抗谐振支路174和第三D阻抗谐振支路176，由第一D阻抗谐振支路172、第二D阻抗谐振支路174和第三D阻抗谐振支路176构成一个带阻滤波器，进而实现对D频段信号进行滤波。

在一个具体的实施例中，第一D阻抗谐振支路172包括第三高阻抗微带线段和第三低阻抗微带线段；第三高阻抗微带线段的一端连接第三低阻抗微带线段，另一端靠近D支路132的第一端连接。

第二D阻抗谐振支路174包括第四高阻抗微带线段与第四低阻抗微带线段；第四高阻抗微带线段的一端连接第四低阻抗微带线段，另一端靠近D支路132的第二端连接。

第三D阻抗谐振支路176包括第五高阻抗微带线段与第五低阻抗微带线段；第五高阻抗微带线段的一端连接第五低阻抗微带线段，另一端靠近D支路132的第二端连接在第三低阻抗微带线段和第四低阻抗微带线段之间的D支路132的微带线。

其中，第三高阻抗微带线段、第四高阻抗微带线段和第五高阻抗微带线段指的是具有高特性阻抗的微带线段，第三低阻抗微带线段、第四低阻抗微带线段和第五低阻抗微带线段指的是具有低特性阻抗的微带线段。进一步的，第三高阻抗微带线段、第四高阻抗微带线段和第五高阻抗微带线段的微带线电长度可以是1/4λ，第三低阻抗微带线段、第四低阻抗微带线段和第五低阻抗微带线段的微带线电长度也可以是1/4λ，但并不限于1/4λ，可根据实际电路进行调整，其中，λ为中心频率的波长。

在本实施例中，通过在D支路上设置第一D阻抗谐振支路、第二D阻抗谐振支路和第三D阻抗谐振支路，基于第一D阻抗谐振支路、第二D阻抗谐振支路和第三D阻抗谐振支路的高低特性阻抗，在D支路上构成一个带阻滤波器，实现对D频段信号的滤波。

需要说明的是，第一FA阻抗谐振支路、第二FA阻抗谐振支路、第一D阻抗谐振支路、第二D阻抗谐振支路或第三D阻抗谐振支路的等效电路图，可以如图3所示。例如，第一FA阻抗谐振支路包括第一高阻抗微带线段以及连接第一高阻抗微带线段的第一低阻抗微带线段，进而第一FA阻抗谐振支路可等效为电感以及连接电感的电容组成的LC串联谐振电路。即第一高阻抗微带线段可以等效为电感，第一高阻抗微带线段可等效为电容。

在一个实施例中，微带线合路网络的数量为2个；2个微带线合路网络呈中心对称，且用于对TD辐射单元的正45度角极化和负45度角极化的合路馈电。

具体地，2个微带线合路网络可分别用于对TD辐射单元的正45度角极化和负45度角极化的合路馈电，通过对2个微带线合路网络呈中心对称布局，可使得结构更整齐和紧凑。

需要说明的是，微带线合路网络的数量不限于2个，在其他实施例中，微带线合路网络的数量还可以是多个。当微带线合路网络的数量为多个时，微带线合路网络的具体连接关系可参考上述实施例，在此不再赘述。

在一个实施例中，合路模块为50欧姆的微带线。

其中，合路模块可以是一段特性阻抗为50欧姆的微带线。合路模块的第一与TD辐射单元电气连接。

需要说明的是，合路模块的特征阻抗可根据实际的线路布局，设计成大于或小于50欧姆的一段微带线。

在一个实施例中，基于微带线合路网络可用于对FA频段(1880-2025MHz)信号滤波、D频段(2515-2690MHz)信号滤波和低频段(880-960MHz)信号滤波，进而微带线合路网络的工作频段可以是880MHz至2690MHz。

在一个实施例中，如图4和图5所示，还包括基板160；基板160包括第一板面和与第一板面相对的第二板面；第二板面用于接地。

微带线合路网络110设置在第一板面上；第一馈电同轴电缆设置在第二板面上；FA支路122的第一端通过金属化过孔与第一馈电同轴电缆的信号线相连；第一馈电同轴电缆的地线与第二板面相连；第二馈电同轴电缆设置在第二板面上；D支路132的第一端通过金属化过孔与第二馈电同轴电缆的信号线相连；第二馈电同轴电缆的地线与第二板面相连。

其中，基板160可为陶瓷电路板、铝基电路板、PCB(Printed Circuit Board，印刷电路板)板等等，优选的，基板160为PCB板。第一馈电同轴电缆的信号线指的是第一馈电同轴电缆的内芯，第一馈电同轴电缆的地线指的是第一馈电同轴电缆的外导体；第二馈电同轴电缆的信号线指的是第二馈电同轴电缆的内芯，第二馈电同轴电缆的地线指的是第二馈电同轴电缆的外导体。

具体地，FA支路122的第一端设有圆形焊盘，圆形焊盘中间设有金属化过孔，金属化过孔可贯穿基板160的第一板面和第二板面，第一馈电同轴电缆搭接在基板160的第二板面上，第一馈电同轴电缆的外导体与第二板面的信号地层电气连接，第一馈电同轴电缆的内芯穿过金属化过孔与圆形焊盘电气连接，金属化过孔在第二板面处设有圆形镂空区域，防止第一馈电同轴电缆内芯与第二板面的信号地层信号短路。

D支路132的第一端设有圆形焊盘，圆形焊盘中间设有金属化过孔，金属化过孔可贯穿基板160的第一板面和第二板面，第二馈电同轴电缆搭接在基板160的第二板面上，第二馈电同轴电缆的外导体与第二板面的信号地层电气连接，第二馈电同轴电缆的内芯穿过金属化过孔与圆形焊盘电气连接，金属化过孔在第二板面处设有圆形镂空区域，防止第二馈电同轴电缆内芯与第二板面的信号地层信号短路。

进一步的，合路模块150的一端设有金属化过孔，合路模块150可通过该金属化过孔与TD辐射单元电气连接；例如，同轴电缆的内芯可从基板160第一板面上的合路模块150插入金属化过孔，与微带合路器电气连接。合路模块150与连接TD辐射单元的同轴电缆的内芯为正馈形式，即本实施例微带合路器与TD辐射单元的馈电方式为正馈形式。

进一步的，基板160设置多个非金属化过孔，非金属化过孔贯穿基板160的第一板面和第二板面，非金属化过孔用于将本实施例微带合路器和反射板固定，其中本实施例微带合路器与反射板耦合连接。

进一步的，基板160上还有另外设置三个金属化过孔，置于合路模块150的侧边，用以与TD辐射单元上三个连接凸起部连接，使TD辐射单元的接地层与基板的第二板面电连接。

在本实施例中，通过合理的进行了微带线的布局，使得结构紧凑，比传统合路器体积更小，插损小，抑制好，更利于天线的整体小型化及降低成本，具有广阔的应用前景。

在一个实施例中，如图6所示，为微带合路器的电路性能图，其中，横坐标为频率(单位为MHz)，纵坐标为分贝(dB)由图可知，采用本方案微带合路器在880-960MHz频率范围内具有良好的抑制效果，最差具有-19.5dB以下，在FA频段及D频段抑制带均达到-30dB以下，插损小于0.5dB，性能良好，进而有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

在一个实施例，提供了一种智能天线，包括反射板、辐射单元以及上述实施例中的微带合路器。

微带合路器与辐射单元电连接；微带合路器与反射板耦合相连。

具体地，如图7所示的智能天线的一视角结构示意图；图8所示的智能天线的另一视角结构示意图。基于微带合路器610与辐射单元620电连接；微带合路器610与反射板(图中未示出)耦合相连，微带合路器610可对高低频互藕产生的二次谐波进去滤波，通过微带合路器610对低频信号进行滤波，低频耦合信号减弱，意味着高低频互藕所产生的二次谐波信号也相应的衰减弱化，从而可改善智能天线的二阶反射互调。

需要指出的是，图2、图3、图4、图7和图8所示的微带线合路网络的数量为2个，在本发明实施例基础上增加微带线合路网络的数量，亦可实现微带合路器抑制谐波的功能，故不展开详细论述。

基于本实施例，通过微带合路器对低频信号进行滤波；防止在高低频嵌套组阵阵列中，由于高低频空间互藕而激发二次谐波，避免二次谐波被TD辐射单元接收，传送到系统端产生二阶反射互调；进而有效的抑制了由于高低频耦合所产生的谐波，提高了信号抗干扰性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种微带合路器，其特征在于，包括微带线合路网络；所述微带线合路网络包括FA频段分路模块、D频段分路模块、低频抑制支路模块和用于连接TD辐射单元的合路模块；

所述FA频段分路模块包括FA支路和用于对FA频段信号滤波的FA阻抗谐振单元；所述FA支路的第一端用于连接第一馈电同轴电缆，第二端用于连接所述合路模块；所述FA阻抗谐振单元的一端连接所述FA支路；

所述D频段分路模块包括D支路和用于对D频段信号滤波的D阻抗谐振单元；所述D支路的第一端用于连接第二馈电同轴电缆，第二端用于连接所述合路模块；所述D阻抗谐振单元的一端连接所述D支路；

所述低频抑制支路模块包括低频抑制支路和用于对低频信号滤波的低频抑制阻抗谐振单元；所述低频抑制支路的第一端连接所述低频抑制阻抗谐振单元第二端连接所述合路模块，通过低频抑制支路模块的低频抑制阻抗谐振单元对低频段信号进行滤波。

2.根据权利要求1所述的微带合路器，其特征在于，所述FA阻抗谐振单元包括第一FA阻抗谐振支路和第二FA阻抗谐振支路；

所述第一FA阻抗谐振支路的一端靠近所述FA支路的第一端连接；所述第二FA阻抗谐振支路的一端靠近所述FA支路的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的微带合路器，其特征在于，所述第一FA阻抗谐振支路包括第一高阻抗微带线段和第一低阻抗微带线段；所述第一高阻抗微带线段的一端连接所述第一低阻抗微带线段，另一端靠近所述FA支路的第一端连接；

所述第二FA阻抗谐振支路包括第二高阻抗微带线段与第二低阻抗微带线段；所述第二高阻抗微带线段的一端连接所述第二低阻抗微带线段，另一端靠近所述FA支路的第二端连接。

4.根据权利要求1所述的微带合路器，其特征在于，所述D阻抗谐振单元包括第一D阻抗谐振支路、第二D阻抗谐振支路和第三D阻抗谐振支路；

所述第一D阻抗谐振支路的一端靠近所述D支路的第一端连接；所述第二D阻抗谐振支路的一端靠近所述D支路的第二端连接；所述第三D阻抗谐振支路的一端连接在所述第一D阻抗谐振支路和所述第二D阻抗谐振支路之间的所述D支路的微带线。

5.根据权利要求4所述的微带合路器，其特征在于，所述第一D阻抗谐振支路包括第三高阻抗微带线段和第三低阻抗微带线段；所述第三高阻抗微带线段的一端连接所述第三低阻抗微带线段，另一端靠近所述D支路的第一端连接；

所述第二D阻抗谐振支路包括第四高阻抗微带线段与第四低阻抗微带线段；所述第四高阻抗微带线段的一端连接所述第四低阻抗微带线段，另一端靠近所述D支路的第二端连接；

所述第三D阻抗谐振支路包括第五高阻抗微带线段与第五低阻抗微带线段；所述第五高阻抗微带线段的一端连接所述第五低阻抗微带线段，另一端靠近所述D支路的第二端连接在所述第三低阻抗微带线段和所述第四低阻抗微带线段之间的所述D支路的微带线。

6.根据权利要求1所述的微带合路器，其特征在于，所述微带线合路网络的数量为2个；

2个所述微带线合路网络呈中心对称，且用于对所述TD辐射单元的正45度角极化和负45度角极化的合路馈电。

7.根据权利要求1所述的微带合路器，其特征在于，所述合路模块为50欧姆的微带线。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的微带合路器，其特征在于，还包括基板；所述基板包括第一板面和与第一板面相对的第二板面；所述第二板面用于接地；

所述微带线合路网络设置在所述第一板面上；

所述第一馈电同轴电缆设置在所述第二板面上；所述FA支路的第一端通过金属化过孔与所述第一馈电同轴电缆的信号线相连；所述第一馈电同轴电缆的地线与所述第二板面相连；

所述第二馈电同轴电缆设置在所述第二板面上；所述D支路的第一端通过金属化过孔与所述第二馈电同轴电缆的信号线相连；所述第二馈电同轴电缆的地线与所述第二板面相连。

9.根据权利要求8所述的微带合路器，其特征在于，所述微带线合路网络的工作频段为880MHz至2690MHz。

10.一种智能天线，其特征在于，包括反射板、辐射单元以及权利要求1至9任意一项所述的微带合路器；

所述微带合路器与所述辐射单元电连接；所述微带合路器与所述反射板耦合相连。

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