CN109742044A - 一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法，以解决现有技术中的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，显示装置的制作时间较长的问题。所述激光退火装置，包括：光源结构、设置在所述光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，所述微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，所述掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对所述掩膜板进行更换的更换部件，所述掩膜板复用为对所述阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板。

Description

一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管可以作为液晶显示器和有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)的背板进行驱动显示。在使用低温多晶硅薄膜晶体管进行驱动时，一般会通过激光退火装置对非晶硅薄膜进行退火，以形成多晶硅。传统的激光退火装置中，一般都是通过微透镜阵列掩膜(MLA掩模)和微透镜阵列来将光线聚焦在阵列基板的设置薄膜晶体管的区域，以对该区域进行退火。

但传统的MLA掩模设计和微透镜阵列的排列一般都固定下来，与特定的显示产品匹配，满足退火需求。而对于量产中经常变化的显示产品尺寸、分辨率以及像素TFT设计，需要重新更换退火装置的MLA掩模和微透镜排列组合，来匹配符合新的像素设计，进而会导致设备和工艺调试时间加长，进而致使显示装置的制作时间较长的问题。

发明内容

本发明提供一种激光退火装置、阵列基板、显示装置及制作方法，以解决现有技术中的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，显示装置的制作时间较长的问题。

本发明实施例提供一种激光退火装置，包括：光源结构、设置在所述光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，所述微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，所述掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对所述掩膜板进行更换的更换部件，所述掩膜板复用为对所述阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板。

在一种可能的实施方式中，所述微透镜阵列中的各所述微透镜之间相互紧密排列。

在一种可能的实施方式中，所述掩膜板复用为对所述阵列基板薄膜晶体管的有源层薄膜、栅极薄膜、或源漏极薄膜进行构图时的掩膜板。

在一种可能的实施方式中，所述掩膜更换结构位于所述微透镜阵列结构的面向所述光源结构的一面，所述微透镜的凸面背离所述掩膜更换结构。

在一种可能的实施方式中，所述微透镜的尺寸与所述光源结构的激光能量成反比。

本发明实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板以及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括中部区以及位于所述中部区两侧的连接区，所述中部区的材质为多晶硅，所述连接区的材质为非晶硅。

在一种可能的实施方式中，所述有源层的所述中部区在所述衬底基板上的正投影与栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。

在一种可能的实施方式中，所述薄膜晶体管的源极和漏极在所述衬底基板上的正投影覆盖相应所述连接区在所述衬底基板上的正投影。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的所述阵列基板。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底基板形成非晶硅薄膜；

采用如本发明实施例提供的所述激光退火装置，并更换选取与所述阵列基板匹配的掩膜板对所述非晶硅薄膜进行退火；

对退火后的所述非晶硅薄膜进行图案化，形成有源层。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的激光退火装置，包括：光源结构、设置在所述光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，所述微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，所述掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对所述掩膜板进行更换的更换部件，所述掩膜板复用为对所述阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板，即，由于在制作阵列基板薄膜晶体管的相关膜层(例如，薄膜晶体管的有源层、栅极、或源漏极)时，需要使用掩膜板进行构图，该些掩膜板在与有源层的对应的区域一般会为镂空区，而本发明实施例提供的激光退火装置，所使用的掩膜板复用对该阵列基板的该些膜层进行退火的掩膜板，由于为同一阵列基板所使用的掩膜板，进而其设置薄膜晶体管的位置一致，尺寸匹配，更换方便，进而可以避免现有技术的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新调整更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，进而导致显示装置的制作时间较长的问题。

附图说明

图1为包括栅线、数据线以及薄膜晶体管的阵列基板的结构分布示意图；

图2为现有技术的微透镜阵列与阵列基板的栅线、数据线以及薄膜晶体管的分布对应示意图；

图3为本发明实施例提供的一种的激光退火装置的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种的激光退火装置退火时的示意图；

图5为本发明实施例提供的微透镜阵列与阵列基板的栅线、数据线以及薄膜晶体管的分布对应示意图；

图6为本发明实施例提供的一种对数据线进行构图的掩膜板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的通过对数据线进行构图的掩膜板对有源层进行照射后的示意图；

图8为本发明实施例提供的通过对数据线进行构图的掩膜板对有源层进行图案化后的俯视示意图；

图9为本发明实施例提供的通过对数据线进行构图的掩膜板对有源层进行图案化后的剖视示意图；

图10为本发明实施例提供的一种对栅线进行构图的掩膜板的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的通过对栅线进行构图的掩膜板对有源层进行照射后的示意图；

图12为本发明实施例提供的通过对栅线进行构图的掩膜板对有源层进行图案化后的俯视示意图；

图13为本发明实施例提供的通过对栅线进行构图的掩膜板对有源层进行图案化后的剖视示意图；

图14为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作流程示意图；

图15为制作完有源层的阵列基板的结构示意图；

图16为制作完栅极的阵列基板的结构示意图；

图17为制作完层间绝缘层的阵列基板的结构示意图；

图18为制作完源漏极的阵列基板的结构示意图；

图19为制作完平坦层的阵列基板的结构示意图；

图20为制作完像素电极的阵列基板的结构示意图；

图21为制作完像素界定层的阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

参见图1和图2所示，图1为阵列基板上数据线873、栅线851以及薄膜晶体管80的分布结构图，图2为现有技术的一种激光退火装置的微透镜阵列与阵列基板的数据线873、栅线851以及薄膜晶体管80对应分布关系图，可知，现有技术的激光退火装置需要将微透镜设置在与薄膜晶体管对应的位置，以对阵列基板设置薄膜晶体管区域的有源层进行退火。

参见图3，本发明实施例提供一种激光退火装置，包括：光源结构1、设置在光源结构1出光侧相互叠置的微透镜阵列结构2和掩膜更换结构3，其中，微透镜阵列结构2包括多个呈阵列排列的微透镜21，掩膜更换结构3包括掩膜板31，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对掩膜板31进行更换的更换部件32，掩膜板31复用为对阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板。

本发明实施例提供的激光退火装置，包括：光源结构、设置在光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对掩膜板进行更换的更换部件，掩膜板复用为对阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板，即，由于在制作阵列基板薄膜晶体管的相关膜层(例如，薄膜晶体管的有源层、栅极、或源漏极)时，需要使用掩膜板进行构图，该些掩膜板在与有源层的对应的区域一般会为镂空区，而本发明实施例提供的激光退火装置，所使用的掩膜板复用对该阵列基板的该些膜层进行退火的掩膜板，由于为同一阵列基板所使用的掩膜板，进而其设置薄膜晶体管的位置一致，尺寸匹配，更换方便，进而可以避免现有技术的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新调整更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，进而导致显示装置的制作时间较长的问题。

在具体实施时，参见图4所示，为激光装置对阵列基板进行退火时的结构示意图。光源结构1可以包括准分子激光光源11、与准分子激光光源11连接的光束扩展器12、与光束扩展器12连接的光强匀化器13、与光强匀化器13连接的聚光透镜组14。微透镜阵列结构2和掩膜板31可以分别设置于透明衬底4的两侧。阵列基板具体可以包括衬底基板81以及位于衬底基板81之上的非晶硅薄膜830，阵列基板具体在进行激光退火时，具体可以位于运输载台6上。其中，透明衬底4可以设置有第一对准机构5，运输载台6可以设置有第二对准机构7，第一对准机构5与第二对准机构7进行对位，以将激光退火装置的掩膜板、微透镜阵列结构与阵列基板进行对准。

在具体实施时，参见图5所示，本发明实施例中，微透镜阵列中的各微透镜21之间相互紧密排列。每一微透镜21的形状具体可以为圆形，各微透镜21的尺寸相同。本发明实施例中，微透镜阵列中的各微透镜之间相互紧密排列，可以使由激光退火装置出射的光整体均匀分布，在照射范围内均有激光分布，进而再配合对阵列基板进行构图时的掩膜板，可以满足使对应掩膜板镂空的区域有光出射，而在对应掩膜板遮挡的区域无光出射，实现通过掩膜板对照射光区域的精确控制。

在具体实施时，掩膜板复用为对阵列基板薄膜晶体管的有源层薄膜、栅极薄膜、或源漏极薄膜进行构图时的掩膜板。以下进行具体说明：

例如，对于掩膜板复用为对阵列基板薄膜晶体管的源漏极薄膜进行构图时的掩膜板，参见图6所示，该掩膜板包括用于制作数据线的数据线遮光区313，以及用于制作源漏极的源漏极遮光区(包括源极遮光区311和漏极遮光区312)，而在数据线遮光区313和源漏极遮光区以外的区域均为镂空区，进而通过将该种掩膜板更换到激光退火装置，并对沉积有非晶硅薄膜的阵列基板进行退火时，参见图7所示，会使阵列基板的非晶硅薄膜在与镂空区对应区域的非晶硅转换为多晶硅(图7中的浅灰色区域)，而在数据线遮光区(如图7中与数据线遮光区313对应的对应数据线区3130)和源漏极遮光区(如图7中与源极遮光区311对应的对应源极区3130，与漏极遮光区312对应的对应漏极区3120)仍均为非晶硅；再通过与有源层图案相匹配的掩膜板对该既包含多晶硅薄膜又包含非晶硅薄膜的膜层进行图案化时，会形成多个有源层孤岛，参见图8以及图9所示，其中，图8为有源层83的俯视结构示意图，图9为包括有源层83的阵列基板的剖视结构示意图；而该有源层孤岛会包含退火的多晶硅薄膜(每一薄膜晶体管的有源层83具体包括中部区831，以及位于中部区831两侧的连接区，连接区具体可以包括第一连接区832和第二连接区833，其中，中部区831为退火后形成的多晶硅，连接区为非晶硅)，进而可以实现使阵列基板形成在设置薄膜晶体管的区域形成多晶硅，可以避免现有技术的退火装置在对不同的显示产品的非晶硅进行退火形成多晶硅时，由于需要重新调整更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，进而导致显示装置的制作时间较长的问题。

又例如，对于掩膜板复用为对阵列基板薄膜晶体管的栅极薄膜进行构图时的掩膜板，参见图10所示，该掩膜板包括用于制作栅线的栅线镂空区314，以及用于制作栅极的栅极镂空区315，而在栅线镂空区314和栅极镂空区315以外的区域均为遮光区，进而通过将该种掩膜板更换到激光退火装置，并对沉积有非晶硅薄膜的阵列基板进行退火时，参见图11所示，会使阵列基板的非晶硅薄膜在与栅线镂空区314对应的区域(如图11中与栅线镂空区314对应的对应栅线区3140)、与栅极镂空区315对应的区域(如图10中与栅极镂空区315对应的对应栅极区3150)的非晶硅转换为多晶硅，而在其余区域还均为非晶硅；再通过与有源层图案匹配的掩膜板对该既包含多晶硅薄膜又包含非晶硅薄膜的膜层进行图案化，会形成多个有源层孤岛，参见图12和图13所示，其中，图12为有源层83的俯视结构示意图，图13为包括有源层83的阵列基板的剖视结构示意图；而该有源层孤岛会包含退火的多晶硅薄膜(每一薄膜晶体管的有源层83具体包括中部区831，以及位于中部区两侧的连接区，具体可以为第一连接区832和第二连接区833，其中，中部区831为退火后形成的多晶硅，连接区为非晶硅)，进而可以实现使阵列基板形成在设置薄膜晶体管的区域形成多晶硅，进而可以避免现有技术的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新调整更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，进而导致显示装置的制作时间较长的问题。

另外，本发明实施例中，结合图9和图13所示，激光退火装置复用对阵列基板的栅极薄膜进行构图的掩膜板，或使用对源漏极进行构图的掩膜板对非晶硅进行退火时，不仅可以使形成在阵列基板的薄膜晶体管的有源层83在中部区831形成多晶硅，还可以使有源层中部区831两侧的连接区为非晶硅，有源层的该种分布，可以使薄膜晶体管不仅具有较高的开态电流，还可以使薄膜晶体管具有较低的关态电流，进而可以避免现有技术的低温多晶硅薄膜晶体管，有源层均为多晶硅时，虽然具有较大的开态电流，但是由于多晶硅晶界缺陷等原因，其关态电流(也即漏电流)比非晶硅薄膜晶体管还要大，进而导致显示装置的功耗增大，以及出现闪烁等显示不良的问题。应当理解的是，在具体实施时，对于本发明实施例掩膜更换结构中的掩膜板，其需要在对应薄膜晶体管的至少部分有源区的位置进行透光，以实现对非晶硅转换成为多晶硅，而该掩膜板在形成具体的有源层、栅极或源漏极图案时，可以选择合适的光刻胶，以形成相应的图案。

在具体实施时，结合图3所示，掩膜更换结构3具体可以位于微透镜阵列结构2的面向光源结构1的一面，微透镜21的凸面背离掩膜更换结构3。

在具体实施时，微透镜的尺寸与光源结构的能量成反比。本发明实施例中，微透镜的尺寸与光源结构的能量成反比，即，微透镜的尺寸可以根据光源结构的能量进行调整，可以优化多晶硅的结晶质量和特性。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板以及位于衬底基板之上的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的有源层包括中部区以及位于中部区两侧的连接区，中部区的材质为多晶硅，连接区的材质为非晶硅。应当理解的是，本发明实施例提供的阵列基板，其有源层采用如本发明实施例提供的激光退火装置进行退火。本发明实施例中，薄膜晶体管的有源层包括中部区以及位于中部区两侧的连接区，中部区的材质为多晶硅，连接区的材质为非晶硅，可以使薄膜晶体管不仅具有较高的开态电流，还可以使薄膜晶体管具有较低的关态电流，进而可以避免现有技术的低温多晶硅薄膜晶体管，有源层均为多晶硅时，虽然具有较大的开态电流，但是由于多晶硅晶界缺陷等原因，其关态电流(也即漏电流)比非晶硅薄膜晶体管还要大，进而导致显示装置的功耗增大，以及出现闪烁等显示不良的问题。

在具体实施时，参见图9所示，源极871和漏极872在衬底基板81上的正投影覆盖相应连接区在衬底基板83上的正投影，具体的，源极871在衬底基板81上的正投影覆盖第一连接区832在衬底基板81上的正投影，漏极872在衬底基板81上的正投影覆盖第二连接区833在衬底基板81上的正投影。本发明实施例中，若采用如对阵列基板的源漏极薄膜进行构图时的掩膜板，则形成的薄膜晶体管，其源极和漏极在衬底基板上的正投影覆盖相应连接区在衬底基板上的正投影。

在具体实施时，参见图13所示，有源层的中部区831在衬底基板81上的正投影与栅极85在衬底基板81上的正投影重叠。本发明实施例中，若采用如对阵列基板的栅极薄膜进行构图时的掩膜板，则形成的薄膜晶体管，其有源层的中部区在衬底基板上的正投影与栅极在衬底基板上的正投影重叠。

具体的，如图9或图13所示，阵列基板具体可以包括依次位于衬底基板81之上的第一缓冲层821(具体材质可以为SiNx)、第二缓冲层822(具体材质可以为SiO2)、有源层83、第一栅极绝缘层841(具体材质可以为SiO2)、第二栅极绝缘层842(具体材质可以为SiNx)、栅极85、第一层间绝缘层861(具体材质可以为SiNx)、第二层间绝缘层862(具体材质可以为SiO2)、源漏极(源极871、漏极872)、平坦层88、像素电极89。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括本发明实施例提供的阵列基板。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，参见图14所示，制作方法包括：

步骤S101、在衬底基板形成非晶硅薄膜。

步骤S102、采用如本发明实施例提供的激光退火装置，并更换选取与阵列基板匹配的掩膜板对非晶硅薄膜进行退火。

步骤S103、对退火后的非晶硅薄膜进行图案化，形成有源层。具体的，对非晶硅薄膜进行图案化以形成有源层，可以与现有技术对有源层进行构图时的制作过程相同，采用与有源层图案相匹配的掩膜板对退火后的非晶硅薄膜进行图案化。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作流程，如下：

如图15所示，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在整个绝缘衬底基板81上依次沉积氮化硅(SiN)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜，形成氮化硅和二氧化硅构成的缓冲层82。接着利用PECVD或者其它化学或物理气相沉积方法在缓冲层82上形成非晶硅(a-Si)薄膜。通过激光退火装置进行退火(ELA)，使得a-Si结晶成为多晶硅薄膜。然后采用传统掩模工艺在多晶硅薄膜上形成光刻胶层的图案，以光刻胶层为刻蚀阻挡层，通过等离子体刻蚀没有被光刻胶层保护的多晶硅薄膜，形成多晶硅有源层83和多晶硅存储电容(图中未示出)。利用离子注入工艺对多晶硅有源层83中的晶体管沟道进行低浓度离子掺杂，在多晶硅有源层83中形成薄膜晶体管要求的导电沟道。

通过掩模工艺在多晶硅有源层83上形成光阻材料组成的光刻胶，以保护多晶硅有源层83不被离子注入。对没有光刻胶层保护的多晶硅存储电容进行高浓度离子注入工艺，将多晶硅存储电容转化为低电阻的掺杂多晶硅薄膜。在后续工艺过程中，由于只在多晶硅存储电容上形成栅极绝缘层和栅极金属薄膜构成的电容的第二极板，因此在后续附图中不再显示多晶硅存储电容，后续仅有的一次光刻工艺，即形成电容的第二极板的光刻工艺。

如图16所示，通过光刻胶剥离工艺去除多晶硅有源层83上的光刻胶，使用PECVD沉积SiO2薄膜或SiO2与SiN的复合薄膜，在多晶硅存储电容、多晶硅有源层以及整个缓冲层82上形成栅极绝缘层84。通过磁控溅射等物理气相沉积方法在栅极绝缘层84上沉积一种或者多种低电阻的金属材料薄膜，利用光刻工艺形成栅极85。该栅极金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。使用栅极85作为离子注入阻挡层，对多晶硅有源层83进行离子掺杂，在未被栅极85阻挡的多晶硅有源层区域形成低阻抗的源电极和漏极电极接触区。

如图17所示，在包含栅极85的整个表面，使用PECVD依次沉积SiO2薄膜和SiN薄膜形成层间绝缘层86，通过掩模和刻蚀工艺刻蚀层间绝缘层86而形成源电极和漏电极接触孔870。

如图18所示，使用磁控溅射在层间绝缘层86及源电极和漏电极接触孔870之上沉积一种或多种低电阻的金属薄膜，通过掩模和刻蚀工艺形成源电极871和漏电极872，源电极871和漏电极872通过接触孔870与多晶硅有源层83形成欧姆接触。使用快速热退火或热处理炉退火，激活多晶硅有源层83中掺杂的离子，在栅极85之下的多晶硅有源层85中形成有效的导电沟道。该源漏金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜，也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。

如图19所示，使用PECVD在包含源电极871和漏电极872的整个表面沉积一层SiN薄膜，通过掩模和刻蚀工艺形成包含过孔的钝化层，使用快速热退火或热处理炉退火进行氢化工艺，修复多晶硅有源层85内部和界面的缺陷。再一次通过掩模工艺，在SiN钝化层之上形成具有与过孔相同的过孔的有机平坦化层88，填充器件表面的低凹形成平坦表面。

如图20所示，使用磁控溅射在有机平坦化层88和过孔之上沉积一层透明导电薄膜，通过光刻工艺刻蚀该透明导电薄膜在过孔及部分有机平坦化层88之上形成像素区域的像素电极89，然后在有机平坦化层88及像素电极89上涂覆一层与有机平坦化层88类似的光敏有机材料，通过最后一道掩模工艺暴露出像素电极89的部分区域，形成图21中所示的像素定义层890，像素定义层890覆盖有机平坦化层88及部分的像素电极89区域。该透明导电薄膜可以是单层的氧化物导电薄膜，如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等，也可以是ITO(氧化铟锡)/Ag/ITO、IZO(氧化铟锌)/Ag等复合薄膜。

本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的激光退火装置，包括：光源结构、设置在光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对掩膜板进行更换的更换部件，掩膜板复用为对阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板，即，由于在制作阵列基板薄膜晶体管的相关膜层(例如，薄膜晶体管的有源层、栅极、或源漏极)时，需要使用掩膜板进行构图，该些掩膜板在与有源层的对应的区域一般会为镂空区，而本发明实施例提供的激光退火装置，所使用的掩膜板复用对该阵列基板的该些膜层进行退火的掩膜板，由于为同一阵列基板所使用的掩膜板，进而其设置薄膜晶体管的位置一致，尺寸匹配，更换方便，进而可以避免现有技术的退火装置在对不同的显示产品进行退火时，由于需要重新调整更换与其相匹配的MLA掩模和微透镜排列，进而导致设备和工艺调试时间较长，进而导致显示装置的制作时间较长的问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种激光退火装置，其特征在于，包括：光源结构、设置在所述光源结构出光侧相互叠置的微透镜阵列结构和掩膜更换结构，其中，所述微透镜阵列结构包括多个呈阵列排列的微透镜，所述掩膜更换结构包括掩膜板，以及根据待退火的阵列基板的不同用于对所述掩膜板进行更换的更换部件，所述掩膜板复用为对所述阵列基板的膜层进行构图时的掩膜板。

2.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述微透镜阵列中的各所述微透镜之间相互紧密排列。

3.如权利要求2所述的激光退火装置，其特征在于，所述掩膜板复用为对所述阵列基板薄膜晶体管的有源层薄膜、栅极薄膜、或源漏极薄膜进行构图时的掩膜板。

4.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述掩膜更换结构位于所述微透镜阵列结构的面向所述光源结构的一面，所述微透镜的凸面背离所述掩膜更换结构。

5.如权利要求1所述的激光退火装置，其特征在于，所述微透镜的尺寸与所述光源结构的激光能量成反比。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的有源层包括中部区以及位于所述中部区两侧的连接区，所述中部区的材质为多晶硅，所述连接区的材质为非晶硅。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的所述中部区在所述衬底基板上的正投影与栅极在所述衬底基板上的正投影重叠。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极在所述衬底基板上的正投影覆盖相应所述连接区在所述衬底基板上的正投影。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6-8任一项所述的阵列基板。

10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底基板形成非晶硅薄膜；

采用如权利要求1-5任一项所述的激光退火装置，并更换选取与所述阵列基板匹配的掩膜板对所述非晶硅薄膜进行退火；

对退火后的所述非晶硅薄膜进行图案化，形成有源层。