CN109696433A - Pmma间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测sers基底 - Google Patents

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朱剑凯
白雪琳
吴渊
庞志远
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吴枭雄
杨华
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Abstract

本发明公开了一种PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,依次包括玻璃衬底、钛薄膜、金薄膜、PMMA薄膜、金纳米立方体、吸附在PMMA薄膜和金纳米立方体表面的待测物。TM偏振光正入射PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构表面时,将激发局域表面等离子体和传播表面等离子体,且两种表面等离子之间会发生强共振耦合,导致很强的电场增强,进而产生很强的表面增强拉曼散射(SERS)光谱,用于低浓度SERS检测。本发明具有易操作、低成本、高灵敏的优势,可广泛用于低浓度检测。

Description

PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS 基底
技术领域
本发明属于表面增强拉曼散射基底领域,涉及利用PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构的表面增强拉曼散射(SERS)光谱,利用SERS进行低浓度测量的技术领域,特别涉及PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构的表面增强拉曼散射基底。
背景技术
表面增强拉曼散射克服了普通拉曼光谱灵敏度低的缺点,可以获得常规拉曼光谱所无法得到的信息。SERS源于表面等离子体共振引起的局域电磁场,因此微纳结构的电场增强在SERS领域得到了广泛的应用。目前,SERS基底主要包括由不同形状及尺寸的金属纳米颗粒形成的单一结构SERS基底,如三角形、圆饼状、圆环状、纳米线、纳米棒、纳米孔以及纳米团簇,组装在不同的固体基底上的金属纳米颗粒形成的复合结构SERS基底。研究人员虽然已经设计出了许多的微纳结构,并实现了较高的电场增强和SERS测量。但是这些结构仍然存在一定的不足,主要表现在以下几个方面:
(1)单一结构的SERS基底:结构单一、电场增强较小,利用金属微纳结构激发的表面等离子体来增强电场,仅能激发局域表面等离子体,SERS强度有限,不能进行更低浓度的待测物检测。
(2)复合结构的SERS基底:制备工艺复杂、成本高。
发明内容
本发明的目的是提供PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,对上述SERS基底改进,从而实现低浓度待测物检测,同时实现易操作、低成本、高灵敏的SERS检测。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:
PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,所述的基底依次包括玻璃衬底,钛薄膜,金薄膜,PMMA薄膜、金纳米立方体、吸附在PMMA薄膜和金纳米立方体表面的待测物;当TM偏振光正入射PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构表面时,将激发金纳米立方体周围的局域表面等离子体,局域表面等离子体散射到金薄膜上,从而激发PMMA薄膜和金薄膜界面的传播表面等离子体,传播表面等离子与局域表面等离子体相互作用,产生很强的共振耦合,从而使得复合结构有更高的电场增强,这种强电场将激发吸附在复合结构中的待测物的拉曼光谱,因此,复合结构可以产生很强的SERS信号。
进一步地,所述的钛薄膜和金薄膜,通过磁控溅射法制备,所述的PMMA薄膜通过旋涂法制备。
进一步地,通过化学方法制备得到金纳米立方体水溶液,与待测物水溶液混合后,得到金纳米立方体和待测物的混合水溶液。
进一步地,将金纳米立方体和待测物的混合水溶液,滴涂在PMMA薄膜表面,自然晾干,得到吸附了待测物的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构,用于SERS检测。
本发明的原理在于:当TM偏振光正入射PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底的表面时,入射光与金纳米立方体中的自由电子发生共振,从而形成局域表面等离子体,局域表面等离子体散射到金薄膜上,从而激发PMMA和金薄膜界面的传播表面等离子体,传播表面等离子与局域表面等离子体相互作用,产生很强的共振耦合,从而使得复合结构有更高的电场增强,这种电场将激发吸附在复合结构上的待测物的拉曼光谱,且产生很强的SERS信号。
本发明PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,优点如下:
(1)易操作、低成本:PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,钛薄膜、金薄膜,通过磁控溅射法制备,PMMA通过旋涂法制备,金纳米立方体通过化学方法制备,这些制备技术已经成熟且成本也相对较低。
(2)高灵敏:PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,由于局域表面等离子体和传播表面等离子体的激发和强共振耦合,导致了很高的电场增强,可以用于低浓度的高灵敏检测。
附图说明
图1是本发明PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底示意图。
图2是10-4M的R6G、5.625μg/mL金纳米立方体混合水溶液条件下,PMMA薄膜厚度30nm时,复合结构的SERS光谱。
图3是10-12M的R6G、5.625μg/mL金纳米立方体混合水溶液条件下,PMMA薄膜厚度30nm时,复合结构的SERS光谱。
图1中:1为玻璃衬底,2为钛薄膜,3为金薄膜,4为PMMA薄膜,5为金纳米立方体,6为待测物。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细描叙,附图中相同的标号始终表示相同的部件。
PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,所述的基底依次包括玻璃衬底,钛薄膜,金薄膜,PMMA薄膜,金纳米立方体、吸附在PMMA薄膜和金纳米立方体表面的待测物;当TM偏振光正入射PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构表面时,将激发金纳米立方体周围的局域表面等离子体,局域表面等离子体散射到金薄膜上,从而激发PMMA和金薄膜界面的传播表面等离子体,传播表面等离子又与局域表面等离子体相互作用,产生很强的共振耦合,从而使得复合结构有更高的电场增强,这导致了复合结构可以产生很强的SERS信号。
其中,所述的钛薄膜,通过磁控溅射法制备到玻璃衬底上,用于增加金薄膜和玻璃衬底的粘附力,防止金薄膜脱落。
其中,所述的金薄膜,通过磁控溅射法制备到钛薄膜上,用于传播表面等离子体的激发。
其中,所述的PMMA薄膜通过旋涂法制备,用做金薄膜和金纳米立方体的间隔层,且其厚度可以通过PMMA苯甲醚溶液的浓度以及匀胶机的转速控制。
其中,所述的金纳米立方体,通过化学方法制备得到金纳米立方体水溶液。
其中,所述的待测物,首先溶解于去离子水中,再与金纳米立方体水溶液混合,得到混合水溶液。
其中,将金纳米立方体和待测物的混合水溶液滴涂在制备好的PMMA薄膜上,自然晾干,得到PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底。
实施例1
参照图1所示的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,包括玻璃衬底1,钛薄膜2,金薄膜3,PMMA薄膜4,金纳米立方体5和待测物6。
玻璃衬底1,采用二氧化硅熔融石英材料,厚度约为1mm。
钛薄膜2,厚度为5nm,通过磁控溅射法制备在玻璃衬底1上。
金薄膜3,厚度为50nm,通过磁控溅射法制备在钛薄膜2上。
PMMA薄膜4,厚度为30nm,在1%的PMMA苯甲醚溶液,转速2000rpm,旋转60s的条件下制备在金薄膜3上。
金纳米立方体5,通过化学方法合成制备在水溶液中,金纳米立方体的平均尺寸为170nm,浓度为50μg/mL,通过去离子水稀释至6.25μg/mL。
待测物6,为罗丹明6G(R6G),首先制备成浓度为10-3M的水溶液,取30μL的10-3M的R6G水溶液,加入到270μL浓度为6.25μg/mL的金纳米立方体水溶液中,得到10-4M的R6G、5.625μg/mL的金纳米立方体混合水溶液。
取5μL的10-4M的R6G、5.625μg/mL金纳米立方体混合水溶液,滴涂到PMMA薄膜4上。自然晾干,得到吸附了待测物6的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构。
用633nm的激光,辐照上述复合结构,测量得到的SERS光谱,见图2所示。
实施例2
制备浓度为10-11M的R6G水溶液,并取30μL,加入到270μL浓度为6.25μg/mL的金纳米立方体水溶液中,得到10-12M的R6G、5.625μg/mL金纳米立方体混合水溶液。自然晾干,得到吸附了待测物6的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构。测量得到的SERS光谱见图3所示。其它同实施例1。
本发明未详细阐述的部分属于本领域公知技术。

Claims (4)

1.PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,其特征在于,所述的基底依次包括玻璃衬底(1),钛薄膜(2),金薄膜(3),PMMA薄膜(4)、金纳米立方体(5)、吸附在PMMA薄膜(4)和金纳米立方体(5)表面的待测物(6);当TM偏振光正入射PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构表面时,将激发金纳米立方体(5)周围的局域表面等离子体,局域表面等离子体散射到金薄膜(3)上,从而激发PMMA薄膜(4)和金薄膜(3)界面的传播表面等离子体,传播表面等离子与局域表面等离子体相互作用,产生很强的共振耦合,从而使得复合结构有更高的电场增强,这种强电场将激发吸附在复合结构中的待测物(6)的拉曼光谱,因此,复合结构可以产生很强的SERS信号。
2.根据权利要求1所述的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,其特征在于,所述的钛薄膜(2)和金薄膜(3),通过磁控溅射法制备,所述的PMMA薄膜(4)通过旋涂法制备。
3.根据权利要求1所述的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,其特征在于,通过化学方法制备得到金纳米立方体(5)水溶液,与待测物(6)水溶液混合后,得到金纳米立方体(5)和待测物(6)的混合水溶液。
4.根据权利要求1所述的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测SERS基底,其特征在于,将金纳米立方体(5)和待测物(6)的混合水溶液,滴涂在PMMA薄膜(4)表面,自然晾干,得到吸附了待测物(6)的PMMA间隔的金纳米立方体与金膜复合结构,用于SERS检测。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110747435A (zh) * 2019-11-05 2020-02-04 清华大学 一种基于电化学粗化的纳米金薄膜sers基底制备方法
CN113296176A (zh) * 2021-04-22 2021-08-24 江苏度微光学科技有限公司 一种表面增强拉曼散射基底以及制备方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102661944A (zh) * 2012-05-14 2012-09-12 北京化工大学 一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法
CN103439308A (zh) * 2013-06-25 2013-12-11 复旦大学 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN103558206A (zh) * 2013-11-19 2014-02-05 中国科学院电子学研究所 等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置
CN103969241A (zh) * 2014-05-20 2014-08-06 中国科学技术大学 一种拉曼基底
CN103994992A (zh) * 2014-06-13 2014-08-20 吉林大学 基于葫芦脲修饰基底对多环类芳烃及其取代物进行sers检测的方法
CN104634772A (zh) * 2015-02-10 2015-05-20 中国科学院上海应用物理研究所 一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法及其基底
CN104807799A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 清华大学 拉曼检测系统
CN105572100A (zh) * 2016-03-03 2016-05-11 张志刚 一种表面增强拉曼散射衬底及其制备方法
CN108827938A (zh) * 2018-08-09 2018-11-16 兰州理工大学 基于介质光栅-金属薄膜与金属纳米颗粒复合结构的表面增强拉曼散射基底
KR101932195B1 (ko) * 2017-10-27 2018-12-24 한국과학기술원 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
CN209542455U (zh) * 2019-01-30 2019-10-25 兰州理工大学 Pmma间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测sers基底

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102661944A (zh) * 2012-05-14 2012-09-12 北京化工大学 一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法
CN103439308A (zh) * 2013-06-25 2013-12-11 复旦大学 一种表面增强拉曼基底及其制备方法
CN103558206A (zh) * 2013-11-19 2014-02-05 中国科学院电子学研究所 等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置
CN104807799A (zh) * 2014-01-23 2015-07-29 清华大学 拉曼检测系统
CN103969241A (zh) * 2014-05-20 2014-08-06 中国科学技术大学 一种拉曼基底
CN103994992A (zh) * 2014-06-13 2014-08-20 吉林大学 基于葫芦脲修饰基底对多环类芳烃及其取代物进行sers检测的方法
CN104634772A (zh) * 2015-02-10 2015-05-20 中国科学院上海应用物理研究所 一种制备表面增强拉曼光谱基底的方法及其基底
CN105572100A (zh) * 2016-03-03 2016-05-11 张志刚 一种表面增强拉曼散射衬底及其制备方法
KR101932195B1 (ko) * 2017-10-27 2018-12-24 한국과학기술원 표면강화 라만 분광용 기판의 제조방법
CN108827938A (zh) * 2018-08-09 2018-11-16 兰州理工大学 基于介质光栅-金属薄膜与金属纳米颗粒复合结构的表面增强拉曼散射基底
CN209542455U (zh) * 2019-01-30 2019-10-25 兰州理工大学 Pmma间隔的金纳米立方体与金膜复合结构低浓度检测sers基底

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈思 等: "金点阵芯片的SERS超灵敏检测", 光谱学与光谱分析, vol. 36, no. 10, pages 251 - 252 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110747435A (zh) * 2019-11-05 2020-02-04 清华大学 一种基于电化学粗化的纳米金薄膜sers基底制备方法
CN110747435B (zh) * 2019-11-05 2021-03-30 清华大学 一种基于电化学粗化的纳米金薄膜sers基底制备方法
CN113296176A (zh) * 2021-04-22 2021-08-24 江苏度微光学科技有限公司 一种表面增强拉曼散射基底以及制备方法

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