CN103558206A - 等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片包括：承载件，由透明材料制备；以及合金薄膜，形成于承载件的一表面；其中，透过承载件的线偏振光在承载件与合金薄膜的界面发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离透明基板的表面激发等离激元，以实现拉曼光谱的增强。本发明利用合金薄膜取代常用的纯金薄膜和纯银薄膜制备等离激元增强拉曼光谱检测芯片，能够导致比纯金薄膜更高的拉曼增强因子和更低的成本。

Description

等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置

技术领域

本发明涉及分子光谱检测技术领域，尤其涉及一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用其的检测装置。

背景技术

拉曼光谱检测技术主要用于测量分子振动及转动光谱，进而获取物质成分，结构及含量等信息。由于分子的拉曼散射截面普遍很小，因此当待测物质浓度较低时，拉曼信号极其微弱，加之信噪比小，因而不易被检出。为了克服这一缺点，降低拉曼检测技术的探测下限，科研人员提出了许多种增强拉曼信号的方法，包括：电子共振增强、化学增强、局域表面等离激元增强、传播表面等离激元增强、石墨烯增强等方法。

由于多数物质的电子跃迁吸收发生在紫外光谱区域，因此具有普适性的电子共振增强拉曼光谱检测方法需要使用紫外激光光源，而紫外激光器目前在市场上尚未普及，种类稀少，价格昂贵。化学增强效果较差，很少被单独用于拉曼光谱检测中。而石墨烯增强是一种相对新颖的方法，仍处于实验室研究中，距离实际应用还有很大距离。

目前，国内外最常用的拉曼光谱增强方法是局域表面等离激元增强方法，该方法通常称为SERS。在SERS中，用于产生局域表面等离激元的材料主要是贵金属纳米结构，包括：粗糙银膜、粗糙金膜、金纳米粒子、银纳米粒子、金包银纳米粒子、Si0₂包金纳米粒子等。虽然SERS增强因子可高达10⁹量级，但SERS基底的一致性差，直接导致SERS检测结果的重复性差。

最近，基于Kretschmann棱镜耦合结构的传播表面等离激元增强拉曼光谱检测方法已经被报导，该方法使用贵金属薄膜，其拉曼增强因子虽然小于基于贵金属纳米结构的SERS增强因子，但能够选择性检测表面单分子膜的拉曼信号，测试重复性好，还具有可定向收集拉曼信号等特点；当贵金属薄膜表面设置有贵金属纳米结构时，传播表面等离激元和局域表面等离激元还能相互耦合形成表面“热点”，进一步增强表面待测分子拉曼信号。这些独特的性能使得传播表面等离激元增强拉曼光谱检测方法显示出良好的应用前景。

在实现本发明的过程中，申请人发现现有技术使用的等离激元增强拉曼光谱检测芯片普遍由纯银薄膜或纯金薄膜组成。纯银薄膜虽然具有拉曼增强因子高的优点，但化学性质不够稳定，易被氧化和硫化，因此不易保存且重复性较差。纯金薄膜化学性质稳定，易于长期保存，但成本较高，与玻璃基底的附着性差，增强因子也比银膜低，尤其是对生物分子的作用力较强因而会影响分子本身的拉曼信号。

发明内容

(一)要解决的技术问题

鉴于上述问题，本发明提供了一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用该芯片的检测装置，以提供一种拉曼增强因子较高、材料选择性较广、物理和化学特性灵活可调、制作简单且一致性好的SERS基底。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片包括：承载件，由透明材料制备；以及合金薄膜，形成于承载件的一表面；其中，透过承载件的线偏振光在承载件与合金薄膜的界面发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离透明基板的表面激发等离激元，以实现拉曼光谱的增强。

根据本发明的另一个方面，提供了一种应用上述等离激元增强拉曼光谱检测芯片的检测装置。该检测装置包括：棱镜耦合器；线偏振激光光源，设置于棱镜耦合器的第一侧面；等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其中承载件为透明基板，透明基板未形成合金薄膜的一侧通过耦合液紧贴于棱镜耦合器的底面；拉曼探头，设置于与线偏振激光光源相对的棱镜耦合器的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集拉曼信号；或设置于棱镜的底面一侧并正对透明基板与合金薄膜界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜法线方向收集拉曼信号；其中，线偏振激光光源产生的p偏振光以预设入射角从棱镜耦合器的第一侧面折射进入棱镜耦合器，并在等离激元增强拉曼光谱检测芯片的透明基板与合金薄膜界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离透明基板的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号，该拉曼信号由拉曼探头收集后送入拉曼光谱仪进行测量。

根据本发明的再一个方面，还提供了另一种应用上述等离激元增强拉曼光谱检测芯片的检测装置。该检测装置包括：棱镜耦合器；线偏振激光光源，设置于棱镜耦合器的第一侧面；等离激元增强拉曼光谱检测芯片，棱镜耦合器作为其承载件，合金薄膜形成于棱镜耦合器的底面；拉曼探头，设置于与线偏振激光光源相对的棱镜耦合器的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集拉曼信号；或设置于棱镜耦合器的底面一侧并正对棱镜耦合器与合金薄膜界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜法线方向收集拉曼信号；其中，线偏振激光光源产生的p偏振光以预设入射角从棱镜耦合器的第一侧面折射进入棱镜耦合器，并在棱镜耦合器与合金薄膜界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离棱镜耦合器的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用该芯片的检测装置具有以下有益效果：

(1)通过利用真空镀膜技术在承载件上淀积合金薄膜制作等离激元增强拉曼光谱检测芯片，在芯片一致性和检测结果重复性方面优于被广泛使用的贵金属纳米结构SERS基底；

(2)利用合金薄膜取代常用的纯金薄膜和纯银薄膜制备等离激元增强拉曼光谱检测芯片，合金材料种类多，组分之间比例可调，使得制备芯片的材料选择范围广，芯片的电学、光学和化学特性灵活可调，尤其当合金薄膜是金银合金时，能够导致比纯金薄膜更高的拉曼增强因子和更低的成本；

(3)等离激元增强拉曼光谱检测芯片及应用该芯片的检测装置利用全反射产生的消逝场激发合金薄膜表面的传播等离激元，进而增强设置于合金薄膜表面的单分子膜拉曼信号。与体光束激发的SERS技术相比，本发明检测芯片及检测装置对待测物质具有良好的空间选择性。

(4)等离激元增强拉曼光谱检测芯片及及应用该芯片的检测装置容许沿全反射光传播方向对拉曼信号进行定向探测，而体光束激发的SERS技术不具备这一本领。

(5)等离激元增强拉曼光谱检测芯片及及应用其的检测装置还容许使拉曼探头正对全反射光斑区域，沿合金薄膜法线方向收集拉曼信号。这种探测方式能够有效避开来自激发光的强大干扰，降低探测光路的复杂度，显著提高信噪比。而体光束激发的SERS技术必须采用昂贵的精密滤光片阻止高强度的瑞利散射光进入探测器才能工作。

(6)与纯金薄膜等离激元增强拉曼光谱检测芯片相比，本发明提出的等离激元增强拉曼光谱检测芯片能够通过化学腐蚀或物理刻蚀方法较容易地对合金薄膜进行纳米尺度表面加工，进而产生更加显著的表面拉曼增加效果。

附图说明

图1为本发明实施例合金薄膜直接淀积在承载件上而形成的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图2为本发明实施例合金薄膜与承载件之间淀积有过渡薄膜的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图3为本发明实施例合金薄膜表面被纳米尺度粗糙化的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图4为本发明实施例合金薄膜表面被功能化纳米粒子修饰的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图5为本发明实施例合金薄膜表面被化学/生物分子修饰的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图6A为本发明实施例合金薄膜表面淀积有致密薄膜导波层的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图6B为本发明实施例合金薄膜表面淀积有多孔薄膜导波层的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的结构示意图；

图7为本发明实施例一种应用第1实施例等离激元增强拉曼光谱检测芯片的装置结构示意图；

图8为本发明实施例一种直接将合金薄膜淀积在棱镜耦合器底面而形成的等离激元增强拉曼光谱检测装置结构示意图；

图9为本发明实施例利用波长检测型Kretschmann棱镜耦合结构在不同入射角下测得的50nm厚金银合金(50％Au-50％Ag)薄膜被去离子水覆盖后的等离激元共振光谱；

图10A、图10B和图10C分别为本发明实施例利用菲涅尔公式计算得到的50nm厚金银合金(50％Au-50％Ag)薄膜和50nm厚纯金薄膜在532nm、633nm、785nm波长下的场增强因子与入射角的依赖关系。

【主要元件符号说明】

1-合金薄膜；                  10-纳米尺度粗糙化表面

2-承载件；                    20-过渡薄膜；

30-致密薄膜导波层；           31-多孔薄膜导波层；

40-功能化纳米粒子；           41-化学或生物分子；

5-棱镜耦合器；                6-线偏振激光光源；

7a和7b-拉曼探头。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。需要说明的是，在附图或说明书描述中，相似或相同的部分都使用相同的图号。附图中未绘示或描述的实现方式，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式。另外，虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明的保护范围。

在本发明的第一个示例性实施例中，提出了如图1所示的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片包括：承载件2；合金薄膜1，形成于承载件2的一表面，其材料为金基合金或银基合金，其厚度位于10nm至70nm之间。此处的承载件，可以为各种形状的承载件，其将在后续实施例中详细说明。

本实施例中，所述合金薄膜为50nm厚的金银合金薄膜；该金银合金薄膜中，金组分的原子百分比为50％。实验证明，采用金银合金薄膜的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的拉曼增强效果优于采用纯金薄膜的芯片，而且，金银合金薄膜的成本比纯金薄膜要低的多。虽然采用金银合金薄膜的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的拉曼增强效果略低于纯银薄膜的芯片，但金银合金薄膜在抗氧化性和稳定性方面比纯银薄膜好的多。

然而本发明并不以本实施例为限，采用金基合金薄膜或银基合金薄膜取代常用的纯金薄膜和纯银薄膜。其中，银基合金材料为以下材料中的一种：银钯合金、银铜合金、银镍合金、银钨合金、银铜锌合金，以及添加镉、或锰、或锡、或镍、或铟、或镓的银铜锌合金。金基合金材料为以下材料中的一种：金银合金、金铜合金、金锡合金、金镍合金、金钛合金、金铬合金、金钯合金、金银钯合金、金银铜合金、金铜铟合金。合金薄膜的厚度介于10nm至70nm之间；金基合金薄膜中，金组分的原子百分比分布在1％至99％范围内。

由于合金材料种类多，组分之间比例可调，使得用于制备芯片的材料选择范围广，芯片的电学、光学和化学性能灵活可调，薄膜表面处理更加容易，如上所述，尤其当合金薄膜是金银合金时，能够导致比纯金薄膜更高的拉曼增强因子和更低的成本，比纯银薄膜具有更好的稳定性。

在本发明的第二个示例性实施例中，提出了如图2所示的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片由承载件2，过渡薄膜20以及合金薄膜1组成；过渡薄膜20形成于承载加2与合金薄膜1之间，用于增强合金薄膜1与承载件2之间的结合强度，其材料为铬、钛、镍或钽，其厚度介于3nm至5nm之间；

在本发明的第三个示例性实施例中，提出了如图3所示的具有纳米尺度粗糙化表面10的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该纳米尺度粗糙化表面10是通过利用化学腐蚀或物理刻蚀方法对本发明第一个或第二个示例性实施例中提出的芯片所包含的合金薄膜1进行处理而形成的。表面被粗糙化的合金薄膜能够通过传播表面等离激元与局域例激元的相互耦合导致更好的拉曼增强效果。

在本发明的第四个示例性实施例中，提出了如图4所示的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片是通过利用功能化纳米粒子40对本发明第一个至第三个示例性实施例中提出的芯片的合金薄膜1进行表面修饰而形成的。固定在合金薄膜1表面的功能化纳米粒子40不仅能赋予芯片良好的分子识辨本领，而且能够进一步提高芯片的等离激元拉曼增强效果。功能化纳米粒子40可以是磁性纳米粒子或贵金属纳米粒子或分子印迹纳米粒子。

在本发明的第五个示例性实施例中，提出了如图5所示的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。该等离激元增强拉曼光谱检测芯片是通过利用化学/生物分子41对本发明第一个至第三个示例性实施例中提出的芯片的合金薄膜1进行表面修饰而形成的。合金薄膜1的表面被化学/生物分子41修饰之后，检测芯片能够具有亲水表面或疏水表面或识辨特定分子的本领，用于表面修饰的化学/生物分子41包括：硫醇、氨基酸、氨基硅烷、表面活性剂、抗体、DNA、蛋白质、有机聚合物、功能化磁性纳米粒子、功能化金属纳米粒子、分子印迹膜或分子印迹粒子等；

在本发明的第六个示例性实施例中，提出了如图6A和图6B所示的等离激元增强拉曼光谱检测芯片。请参照图6A和图6B，该等离激元增强拉曼光谱检测芯片是通过在本发明第一个或第二个示例性实施例中提出的芯片的合金薄膜1表面制备介电质致密导波层30或介电质多孔导波层31而形成的；介电质致密导波层30和介电质多孔导波层31用于产生和传播导波光，以沿导波光传播路径激发表面吸附分子拉曼信号。介电质导波层选自于以下材料中的一种：二氧化钛薄膜、二氧化锡薄膜、三氧化钨薄膜、氧化铟锡薄膜、五氧化二钽薄膜、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、或有机聚合物薄膜。这里需要指出的是介电质致密导波层30或多孔导波层31也能够通过利用功能化纳米粒子40或化学/生物分子41进行修饰从而使芯片获得亲水表面或疏水表面或识辨特定分子的本领，以及更好的拉曼增强效果。尤其对于介电质多孔导波层31，还能够利用化学/生物分子对孔壁进行修饰从而改善芯片性能。

在本发明的第七个示例性实施例中，提供了一种应用本发明第一个至第六个示例性实施例中提出的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的检测装置。请参照图7，该装置包括：半球形棱镜耦合器5、等离激元增强拉曼光谱检测芯片、线偏振激光光源6和拉曼探头(7a或7b)。

线偏振激光光源6，设置于半球形棱镜耦合器5的第一侧面；等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其承载件2为透明基板，透明基板未形成合金薄膜1的一侧通过耦合液紧贴于所半球形棱镜耦合器5的底面。线偏振激光光源6产生的p偏振光以预设入射角从半球形棱镜耦合器5的第一侧面折射进入半球形棱镜耦合器5，并在等离激元增强拉曼光谱检测芯片的透明基板2与合金薄膜1的界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜1在合金薄膜1的远离所述透明基板2的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号。

拉曼探头7a，设置于半球形棱镜耦合器5的底面一侧并正对透明基板与合金薄膜1界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜1法线方向收集所述拉曼信号；或，拉曼探头7b，设置于与线偏振激光光源6相对的半球形棱镜耦合器5的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集拉曼信号。拉曼信号收集后送入拉曼光谱仪进行测量。

在本发明的第八个示例性实施例中，提供了一种应用本发明第一个至第六个例性实施例中提出的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的装置。请参照图8，该装置包括：半球形棱镜耦合器5；线偏振激光光源6，设置于半球形棱镜耦合器5的第一侧面；等离激元增强拉曼光谱检测芯片，半球形棱镜耦合器5作为其承载件，合金薄膜1形成于半球形棱镜耦合器5的底面；其中，线偏振激光光源6产生的p偏振光以预设入射角从半球形棱镜耦合器5的第一侧面折射进入半球形棱镜耦合器5，并在半球形棱镜耦合器5与合金薄膜1界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜1在合金薄膜1的远离半球形棱镜耦合器5底面的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号。

拉曼探头7a，设置于半球形棱镜耦合器5的底面一侧并正对半球形棱镜耦合器5与合金薄膜1界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜1法线方向收集拉曼信号，或，拉曼探头7b设置于与线偏振激光光源6相对的半球形棱镜耦合器5的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集拉曼信号。拉曼信号收集后送入拉曼光谱仪进行测量。

实施例7和8采用半球形棱镜耦合器5。但本发明并不以此为限。实施例7和8中的半球形棱镜耦合器5还可以是三角棱镜、半圆柱形棱镜、梯形棱镜等等，其材质可以为玻璃、有机物玻璃、透明金属氧化晶体等等，只要入射的线偏振激光束不被棱镜材料吸收并且能够在相应的全反射面上发生全反射即可，其实现方式与本实施例相同，此处不再重述。

本发明提出的等离激元增强拉曼光谱检测芯片是通过在合金薄膜表面激励等离激元共振，进而实现拉曼光谱增强效果。为了说明合金薄膜能够用于产生等离激元共振现象，我们利用射频溅射技术在1mm厚的平板玻璃基板上淀积了50nm厚的金银合金薄膜，金银合金薄膜中金和银成分各占50％，然后通过Kretschmann棱镜耦合结构测试了该金银合金薄膜在不同入射角下的等离激元共振光谱。这里所用的等离激元共振光谱测试装置和测试方法已经在我们的另一个发明专利(专利申请号201210114149.3)中进行了详细描述。图9给出了在不同入射角下测得的本发明实施例金银合金薄膜等离激元增强拉曼光谱检测芯片被去离子水覆盖后的等离激元共振光谱。从图中可以看出每一个给定的入射角对应着一个尖锐的等离激元共振吸收峰，峰值对应的波长即为等离激元共振波长，随着入射角的增大，等离激元共振波长逐渐减小。该实验结果证明了金银合金薄膜容许在其表面激励等离激元共振，因此能够用于等离激元增强的拉曼光谱测试。

为了更好地说明本发明提出的等离激元增强拉曼光谱检测芯片的拉曼增强本领，我们仍以厚度为50nm、金和银成分各占50％的金银合金薄膜为例，基于菲涅尔理论计算了金银合金薄膜在Kretschmann棱镜耦合方式下在532nm、633nm、785nm三波长处的场增强因子与入射角的依赖关系。图10A、图10B、图10C分别相应于波长532nm、633nm、785nm。从图中可以看出当波长给定时，金银合金薄膜的场增强因子依赖于入射角，场增强因子会在特定入射角处出现一个尖锐的峰，峰值对应的角度几乎等于薄膜的等离激元共振角。为了比较，图10A、图10B、图10C中还给出了50nm厚纯金薄膜在三个波长处的场增强因子。波长532nm、633nm、785nm对应的金银合金薄膜的最大场增强因子分别为26，94和190，纯金薄膜的最大场增强因子分别为12.18，75.51和155.55。可以看出对于一个给定的波长，金银合金薄膜的最大场增强因子总是大于纯金薄膜的最大场增强因子，说明金银合金薄膜的等离激元拉曼增强效果优于纯金薄膜，而且金银合金薄膜成本低于纯金薄膜。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，包括：

承载件，由透明材料制备；以及

合金薄膜，形成于所述承载件的一表面；

其中，透过所述承载件的线偏振光在所述承载件与所述合金薄膜的界面发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离所述透明基板的表面激发等离激元，以实现拉曼光谱的增强。

2.根据权利要求1所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述合金薄膜的材料为金基合金材料或银基合金材料。

3.根据权利要求2所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于：

所述银基合金材料为以下材料中的一种：银钯合金、银铜合金、银镍合金、银钨合金、银铜锌合金，以及添加镉、或锰、或锡、或镍、或铟、或镓的银铜锌合金；

所述金基合金材料为以下材料中的一种：金银合金、金铜合金、金锡合金、金镍合金、金钛合金、金铬合金、金钯合金、金银钯合金、金银铜合金、金铜铟合金。

4.根据权利要求3所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其中，所述合金薄膜为50nm厚的金银合金薄膜；该金银合金薄膜中，金组分的原子百分比为50％。

5.根据权利要求1所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述合金薄膜的远离所述承载件的一侧通过化学腐蚀或物理刻蚀方法形成纳米量级的粗糙表面。

6.根据权利要求1所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，还包括：

表面修饰层，形成于所述合金薄膜的远离所述承载件的一侧的上方，用于辨识和富集特定分子。

7.根据权利要求6所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述表面修饰层的材料为硫醇、氨基酸、氨基硅烷、表面活性剂、抗体、DNA、蛋白质、有机聚合物、功能化磁性纳米粒子、功能化金属纳米粒子、分子印迹膜或分子印迹粒子。

8.根据权利要求1所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，还包括：

介电质导波层，形成于所述合金薄膜的远离所述承载件的一侧的上方，用于产生和传播导波光，以沿导波光传播路径激发表面吸附分子拉曼信号。

9.根据权利要求8所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述介电质导波层为介电质致密薄膜或介电质多孔薄膜。

10.根据权利要求8所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述介电质导波层的材料选自于以下材料中的一种：二氧化钛薄膜、二氧化锡薄膜、三氧化钨薄膜、氧化铟锡薄膜、五氧化二钽薄膜、二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、三氧化二铝薄膜、或有机聚合物薄膜。

11.根据权利要求1至10任一项所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，还包括：

过渡薄膜，形成于所述承载件和合金薄膜之间，用于增强所述承载件与所述合金薄膜之间的结合力。

12.根据权利要求11所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于，所述过渡薄膜的材料为铬、钛、镍或钽，其厚度介于3nm至5nm之间。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其中，所述合金薄膜的厚度介于10nm至70nm之间。

14.根据权利要求1至9中任一项所述的等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其特征在于：

所述承载件为玻璃基板、PMMA基板、有机聚合物柔性基板；所述合金薄膜，形成于所述承载件的一表面；或

所述承载件为棱镜；所述合金薄膜，形成于所述棱镜的底面；或

所述承载件为按预设弧度固定于一支承平台上的光纤，该光纤中间弯曲段的芯层经侧面抛光而裸露；所述合金薄膜，形成于所述光纤的裸露的芯层表面上。

15.一种应用权利要求1至13中任一项所述等离激元增强拉曼光谱检测芯片的检测装置，其特征在于，包括：

棱镜耦合器；

线偏振激光光源，设置于所述棱镜耦合器的第一侧面；

所述等离激元增强拉曼光谱检测芯片，其中所述承载件为透明基板，所述透明基板未形成合金薄膜的一侧通过耦合液紧贴于所述棱镜耦合器的底面；

拉曼探头，设置于与所述线偏振激光光源相对的所述棱镜耦合器的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集所述拉曼信号；或设置于所述棱镜耦合器的底面一侧并正对所述透明基板与合金薄膜界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜法线方向收集所述拉曼信号；

其中，所述线偏振激光光源产生的p偏振光以预设入射角从所述棱镜耦合器的第一侧面折射进入所述棱镜耦合器，并在等离激元增强拉曼光谱检测芯片的透明基板与合金薄膜界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离所述透明基板的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号，该拉曼信号由所述拉曼探头收集后送入拉曼光谱仪进行测量。

16.根据权利要求15所述的检测装置，其特征在于，所述棱镜耦合器的材料为玻璃、有机物玻璃或透明金属氧化晶体。

17.根据权利要求16所述的检测装置，其特征在于，所述棱镜耦合器的形状为直角棱镜、半圆柱形棱镜或半球形棱镜，其中：

当所述棱镜耦合器为直角棱镜时，其第一侧面和第二侧面分别为两直角面，其底面为斜面；

当所述棱镜耦合器为半圆柱形棱镜或半球形棱镜时，其第一侧面和第二侧面分别为对称的两弧形面，其底面为半圆柱形棱镜或半球形棱镜的平面。

18.一种应用权利要求1至13中任一项所述等离激元增强拉曼光谱检测芯片的检测装置，其特征在于，包括：

棱镜耦合器；

线偏振激光光源，设置于所述棱镜耦合器的第一侧面；

所述等离激元增强拉曼光谱检测芯片，所述棱镜耦合器作为其承载件，所述合金薄膜形成于所述棱镜耦合器的底面；

拉曼探头，设置于与所述线偏振激光光源相对的所述棱镜耦合器的第二侧面，用于沿全反射光传播方向收集所述拉曼信号；或设置于所述棱镜耦合器的底面一侧并正对所述棱镜耦合器与合金薄膜界面处的全反射点区域，用于沿合金薄膜法线方向收集所述拉曼信号；

其中，所述线偏振激光光源产生的p偏振光以预设入射角从所述棱镜耦合器的第一侧面折射进入棱镜耦合器，并在棱镜耦合器与合金薄膜界面处发生全反射，伴随全反射产生的消逝场穿透合金薄膜在合金薄膜的远离所述棱镜耦合器的表面激发等离激元，进而激发设置于该表面的待测物质的拉曼信号。

19.根据权利要求18所述的检测装置，其特征在于，所述棱镜耦合器为直角棱镜、半圆柱形棱镜或半球形棱镜，其中：

当所述棱镜耦合器为直角棱镜时，其第一侧面和第二侧面分别为两直角面，其底面为斜面；

当所述棱镜耦合器为半圆柱形棱镜或半球形棱镜时，其第一侧面和第二侧面分别为对称的两弧形面，其底面为半圆柱形棱镜或半球形棱镜的平面。

20.根据权利要求18所述的装置，其特征在于，所述线偏振激光光源包括：

激光器，用于产生非偏振激光；以及

线性起偏器，位于所述激光器的光路后端，用于将所述非偏振激光转化为所述线偏振激光束。

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