CN109671796A - 柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法，包括下电极、氮化铝膜层及上电极，所述下电极包括铝基底，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上，所述上电极形成于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。该柔性日盲型紫外光探测器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
Description
技术领域
本发明涉及柔性技术领域，尤其是一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法。
背景技术
太阳紫外辐射在通过大气层时，大气层中的臭氧层对280～200nm紫外辐射具有强烈的吸收作用，这一波段紫外辐射在近地大气中几乎不存在，由于该波段区(280～220nm)的太阳辐射在大气层中，尤其在海平面附近大气层中基本为零，所以，该波段不受太阳辐射影响，形成所谓的日盲区。日盲型紫外探测器利用日盲区的紫外波段探测目标，其背景噪声低，且不需要低温致冷，体积小，重量轻，抗辐射性能和化学性能性超强，量子效应和灵敏度比较高，工作时不需要滤波器。可广泛应用于紫外告警、紫外制导、紫外通信领域，还可以用来监测环境及火焰报警,在冶金、电力、医药等领域都有着广泛的应用。
如果实现日盲型紫外光探测器柔性可折叠等特性，可与其它器件集成形成各种柔性设备，如柔性显示器、柔性可穿戴设备半球形数码相机、表皮电子和柔性太阳能电池等。日盲型紫外探测器的柔性化，对柔性电子探测设备有很重要的意义。
氮化铝是具有多种物理和化学性质的宽带隙半导体，目前已经是功率器件，光电探测器，声学，压电器件等最有希望的材料之一。在日盲区紫外探测范围，氮化铝具有禁带宽度大、导热性能好、电子飘移饱和速度高以及化学稳定性高的优点，随着铝成分的增加，禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调，对应波长范围为200～365nm，是日盲型紫外探测器的理想材料。
现有技术制备氮化铝薄膜柔性紫外光探测器的方法为在硬性衬底上通过沉积工艺如脉冲激光沉积、磁控溅射等沉积氮化铝薄膜，再通过转印的方式将氮化铝薄膜转移到带有金属电极的柔性衬底上，再在氮化铝薄膜上沉积电极材料，实现柔性紫外光探测器的制备，由于氮化铝薄膜与柔性电极之间的结合靠范德华力的物理结合，结合牢固性差，多次柔动容易脱落，使得器件功能失效。另一方面，柔性紫外光探测器是以柔性透明导电衬底，如附有金属电极柔性PET薄膜、透明PI膜衬底，由于传统工艺制备氮化铝薄膜时需要在500～600℃的高温环境中进行，使得现有透明高分子薄膜满足要求。因此需要选择耐高温柔性衬底或氮化铝薄膜的低温合成技术，这无疑会大大增加成本。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法，该柔性日盲型紫外光探测器中各膜层之间的结合力较好。
本发明提供了一种柔性日盲型紫外光探测器，包括下电极、氮化铝膜层及上电极，所述下电极包括铝基底，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上，所述上电极覆盖于部分所述第二氮化铝膜层上，并使部分所述第二氮化铝膜层露出于所述上电极外所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。
进一步地，所述第二氮化铝膜层为通过沉积工艺形成的第二氮化铝膜层。
进一步地，所述下电极还包括衬底层，所述铝基底形成于所述衬底层上。
进一步地，所述衬底层为铝箔，所述衬底层与所述铝基底形成于一体。
进一步地，所述衬底层为铝合金，所述铝基底形成于所述衬底层上。
进一步地，所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性日盲型紫外光探测器还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。
进一步地，所述第一过渡膜层为由所述衬底层同材质的金属在所述衬底层上通过沉积工艺形成的膜层，所述第二过渡膜层为在所述第一过渡膜层上通过磁过滤多弧离子镀方法沉积所述铝基底的同时形成的膜层，所述第二过渡膜层位于所述第一过渡膜层和所述铝基底之间。
进一步地，所述柔性日盲型紫外线探测器还包括柔性高分子膜层，所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
本发明还提供了一种柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，包括如下步骤：
提供铝基底；
对所述铝基底进行氮化处理，在所述铝基底的表面上形成第一氮化铝膜层；
在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层；
在所述第二氮化铝膜层上形成上电极。
进一步地，采用霍尔离子源对所述铝基底进行氮化处理以得到所述第一氮化铝膜层。
进一步地，通过沉积工艺在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层。
进一步地，该方法还包括提供衬底层，并将所述铝基底形成于所述衬底层上。
进一步地，当所述衬底层为铝合金时，该方法还包括：
通过沉积工艺将所述铝基底沉积于所述衬底层上。
进一步地，当所述衬底层为非铝材质金属时，该方法还包括：
通过沉积工艺在所述衬底层上形成第一过渡膜层，所述第一过渡膜层为与所述衬底层同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在所述第一过渡膜层上沉积所述铝基底，同时在所述铝基底与所述第一过渡膜层之间形成第二过渡膜层，所述第二过渡膜层为与所述衬底层同材质金属及铝的合金形成的膜层。
进一步地，该方法还包括提供一柔性高分子膜层，并将所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
综上所述，在本发明中，通过将第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层依次在铝基底上形成，由于第一氮化铝膜层是由铝基底的表面经过氮化处理而形成的，因此，第一氮化铝膜层与铝基底的结合力较强，并且在器件受到热冲击时，第一氮化铝膜层还可以起到缓冲热应力的作用，提高器件的可靠性和寿命。由于第二氮化铝膜层通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层上，两层氮化铝膜层的结合同样会较为紧密，同时沉积工艺也可以的设置也可以使第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层的总厚度满足氮化铝薄膜对于氮化铝膜层厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层与铝基底之间具有较高的结合力。进一步地，通过不同材料衬底层的设置，能够使本发明提供的柔性日盲型紫外光探测器具备更广的使用空间。相比较现有技术方案，本发明可采用卷对卷生产工艺，通过一次性真空处理、沉积形成所需器件，工艺过程简单，生成效率高，生产成本低，避免了现有技术通过转印等方法带来的材料浪费、工业废水的污染和成本高等问题。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图。
图2所示为本发明第二实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，详细说明如下。
本发明提供了一种柔性日盲型紫外光探测器及其制作方法，该柔性日盲型紫外光探测器中各膜层之间的结合力较好。
图1所示为本发明第一实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图，如图1所示，本发明第一实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器包括下电极31、氮化铝膜层20及上电极32，下电极31包括铝基底311(见图2)该氮化铝膜层20包括第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22，铝基底311、第一氮化铝膜层21、第二氮化铝膜层22及上电极32依次层叠设置。其中第一氮化铝膜层21由铝基底311的表面经过氮化处理而形成，第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成，上电极32覆盖于部分第二氮化铝膜层22上，并使部分第二氮化铝膜层22露出于上电极32外。
在本实施例中，通过将第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22依次在铝基底311上形成，由于第一氮化铝膜层21是由铝基底311的表面经过氮化处理而形成的，第一氮化铝膜层21与铝基底311形成的是金属键和共价键，因此，第一氮化铝膜层21与铝基底311的结合力较强，因此当第二氮化铝膜层22形成于第一氮化铝膜层21上时，两层氮化铝之间通过离子键和共价键相互结合，能增强整个氮化铝膜层20与下电极31的结合力；进一步地，且在器件受到热冲击时，第一氮化铝膜层21还可以起到缓冲热应力的作用，提高器件的可靠性和寿命。
进一步地，第二淡化铝膜层22为通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层21上的第二氮化铝膜层22。
由于第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层21上，第一氮化铝膜层21和第二氮化铝膜层22的结合同样会较为紧密，同时沉积工艺也可以使第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22的总厚度满足氮化铝薄膜20对于氮化铝膜层23厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层23与铝基底311之间具有较高的结合力。
进一步地，在本实施例中，第一氮化铝膜层21可以通过霍尔离子源对铝基底311进行氮化处理而得到，由于该处理方法的温度较低，因此，可以选用熔点较低的柔性高分子薄膜，这能够进一步地节约成本。氮化铝膜层23的厚度为20nm-2μm，其中，第一氮化铝膜层21的厚度为5nm-10nm，第二氮化铝膜层22的厚度为15nm-1.99μm。
进一步地，在本实施例中，下电极31还包括衬底层312(见图2)，上述的铝基底311形成于衬底层312上。
在本实施例中，衬底层312为铝金属，如铝金属箔，此时，衬底层312可以与铝基底311形成于一体，也即，可以直接在铝金属箔的表面上直接进行氮化处理以形成第一氮化铝膜层21，不需要再额外形成铝基底311，这减少柔性日盲型紫外光探测器的厚度、减轻氮化铝薄膜20的质量，以及减少工艺。为了满足衬底层312厚度的要求，此时的铝箔的厚度会较厚，其厚度可以达到12μm-18μm。
进一步地，该柔性日盲型紫外光探测器还包括柔性高分子膜层10，上述的衬底层312形成于柔性高分子膜层10上。
在本实施例中，柔性高分子膜层10由PI(Polyimide；聚酰亚胺)，PET(Polyethylene terephthalate；聚对苯二甲酸乙二醇酯)，LCP(Liquid Crystal Polymer；液晶聚合物)等材质制成，其厚度小于200μm。
上电极32可以通过磁过滤多弧离子镀工艺形成于第二氮化铝膜层22上，由于该工艺的能量较高，因此，可以提高上电极32与第二氮化铝膜层22之间的结合力。
在本实施例中，柔性高分子膜层10的厚度小于200μm。
图2所示为本发明第二实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图，本发明第二实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，衬底层312为铝合金，此时，铝基底311通过沉积工艺形成于铝合金上。由于衬底层312为铝合金，而铝基底311形成于铝合金上，因此，在该实施例中，柔性日盲型紫外光探测器可以在保证结合力的情况下，提高氮化铝薄膜20的耐腐蚀等性能，使得器件能够应用在腐蚀性较强的环境，如海中。
在此实施例中，铝合金的厚度为12μm-18μm，由于此时，铝基底311不再承担衬底层312的作用，因此铝基底311可以较薄，其厚度为15nm-40nm。
图3所示为本发明第三实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器的截面结构示意图，如图3所示，本发明第三实施例提供的柔性日盲型紫外光探测器与第一实施例基本相同，其不同之处在于，在本实施例中，衬底层312的材质不为铝，其高导热性的Cu、Fe、Ti、Ag、Ni、Sn等非铝金属，以增加其导热性能，以及增加使用寿命，铝基底311形成于衬底层312上。
进一步地，在本实施例中，下电极31还包括第一过渡膜层313及第二过渡膜层314，第一过渡膜层313设置于衬底层312上，第二过渡膜层314设置于第一过渡膜层313上，铝基底311设置于第二过渡膜层314上，其中第一过渡膜层313为与衬底层312同材质金属形成的膜层，第二过渡膜层314为铝与衬底层312同材质金属的合金的膜层。通过第一过渡膜层313及第二过渡膜层314的设置，能够增加铝基底311与衬底层312之间的结合力。
更为具体地，第一过渡膜层313由与衬底层312同材质的金属在衬底层312上通过沉积工艺形成，第二过渡膜层314由在第一过镀膜层上通过磁过滤多弧离子镀方法沉积铝基底311时同时形成。也即在向第一过渡膜层313上沉积铝基底311时，沉积的铝金属会先与接触的第一过渡膜层313形成一层合金层，然后再形成铝衬底311。
在本实施例中，衬底层312的厚度为12μm-18μm。第一过渡膜层313的厚度为20nm-50nm，第二过渡膜层314的厚度为5nm-10nm。由于在此实施例中，铝基底311不再承担衬底层312的作用，因此铝基底311可以较薄，其厚度为15nm-40nm。
综上所述，在本发明中，通过将第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22依次在铝基底311上形成，由于第一氮化铝膜层21是由铝基底311的表面经过氮化处理而形成的，因此，第一氮化铝膜层21与铝基底311的结合力较强，因此当第二氮化铝膜层22形成于第一氮化铝膜层21上时，能结合整个氮化铝膜层20与下电极31的结合力；进一步地，且在器件受到热冲击时，第一氮化铝膜层21还可以起到缓冲热应力的作用，提高器件的可靠性和寿命。进一步地，由于第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层21上，两层氮化铝膜层23的结合同样会较为紧密，同时沉积工艺也可以使第一氮化铝膜层21及第二氮化铝膜层22的总厚度满足氮化铝薄膜20对于氮化铝膜层23厚度的要求，防止针孔的产生。因此，在本实施例中氮化铝膜层23与铝基底311之间具有较高的结合力。进一步地，通过不同材料衬底层312的设置，能够使本发明提供的柔性日盲型紫外光探测器具备更广的使用空间。进一步地，相比较现有技术方案，本发明可采用卷对卷生产工艺，通过一次性真空处理、沉积形成所需器件，工艺过程简单，生成效率高，生产成本低，避免了现有技术通过转印等方法带来的材料浪费、工业废水的污染和成本高等问题。
本发明还提供了一种柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，该制作方法包括如下步骤：
提供一铝基底311；
对铝基底311进行氮化处理，以在铝基底311的表面上形成第一氮化铝膜层21；
在第一氮化铝膜层21上形成第二氮化铝膜层22；
在第二氮化铝膜层22上形成上电极32。
进一步地，第二氮化铝膜层22通过沉积工艺形成于第一氮化铝膜层21上。
进一步地，该方法还包括提供一衬底层312，并将铝基底311形成于衬底层312上。
在本实施例中，该衬底层312的材料为铝箔，此时，铝基底311与衬底层312结合为一体，也即，该铝箔即作为铝基底311的存在，也作为衬底层312的存在，此时，铝箔的厚度较厚，其厚度为12-18μm。
更为具体地，为了提高第一氮化铝薄膜20与铝基底311的结合力强度，铝基底311表面的粗糙度为10nm-0.4μm。
在进行氮化处理时，可以以氮化铝陶瓷为靶材，将真空室抽真空至真空度高于3×10-3Pa，向真空腔充入流量为20-50sccm的氮气，使真空腔的真空度为2.0×10-2Pa～5.0～10-2Pa，打开霍尔离子源，调整电压至800-2000V，使霍尔离子源的电流为0.1-2A，对铝基底31110进行等离子体清洗，其时间为10-20min，使铝基底31110表面产生厚度为5nm-10nm的第一氮化铝膜层21。
在进行氮化处理后，可以关闭霍尔离子源，氮气流量关小至5-10sccm，并充入流量为40-100sccm的氩气，使得真空腔室的真空度为0.1-0.5Pa，打开磁控溅射，使磁控溅射功率为80w-200w，对附有第一氮化铝薄膜20的铝基底311表现进行沉积，沉积时间为1-100min，使第一氮化铝膜层21上产生厚度为15nm-1.99μm后的第二氮化铝膜层22。
需要说明的是，在形成第二氮化铝膜时，其方法不限于磁控溅射法，其还可以采用脉冲激光沉积法、分子束外延法等将第二氮化铝膜层22形成于第一氮化铝膜层21上。
在形成上电极32时，可以通过磁过滤多弧离子镀工艺，在氮化铝薄膜20表面沉积上电极32，该上电极32的材质为Cu,Ag,Au,Pt,Ni,Al,Cr等金属。
其具体方法为，打开氩气阀门，调节氩气流量为15-30sccm，使真空腔内的真空度为1.5×10-2Pa～3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源，在第二氮化铝膜层22上沉积金属层。
在完成柔性日盲型紫外光探测器的制作后，通过用百格法进行测试，该氮化铝膜层23与铝基底311的结合力为5B，其最小弯折半径为2nm-10mm。
进一步地，该方法还包括提供一柔性高分子膜层10，并使衬底层312形成于柔性高分子膜层10上。
该柔性高分子膜层10可以由PI(Polyimide；聚酰亚胺)，PET(Polyethyleneterephthalate；聚对苯二甲酸乙二醇酯)，LCP(Liquid Crystal Polymer；液晶高聚合物)等材质制成，其厚度小于200μm。
进一步地，在本实施例中，衬底层312可以通过压合工艺与柔性高分子膜层10结合为一体。
在本发明的另一个实施例中，该衬底层312为其高导热性的Cu、Fe、Ti、Ag、Ni、Sn等非铝材质金属。在将铝基底311形成于衬底层312上时，该方法还包括如下步骤：
通过沉积工艺在非铝金属材质金属的衬底层312上形成第一过渡膜层313，第一过渡膜层313为与衬底层312同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在第一过渡膜层313上沉积铝基底311，同时在铝基底311与第一过渡膜层313之间第二过渡膜层314，第二过渡膜层314为与衬底层312同材质金属及铝形成的合金膜层。
更为具体地，在进行沉积工艺时，提供一非铝材质金属箔作为衬底层312，以A金属、铝金属和氮化铝陶瓷作为靶材，初始真空度高于3×10-3Pa。其中，非铝材质的金属箔的表面粗糙度为10nm～0.4μm，厚度为12μm～18μm。
向真空腔充入流量为15-30sccm的氩气，使真空腔室的真空度为1.5×10-2Pa～3.0×10-2Pa，打开第一磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流为55-65A，沉积时间为2min-5min，使第一过渡膜层313的厚度达到20nm-50nm。
关闭第一磁过滤多弧离子镀电源，打开第二磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流至55-65A，沉积时间为2min-5min，在第一过渡膜层313上沉积铝基底311至一定厚度，由于磁过滤多弧离子镀的能量是溅射能量的几十倍，因此，在沉积过程中，铝基底311与第一过渡膜层313之间可以形成作为第二过渡膜层314的衬底层312同材质金属与铝的合金层。此时，铝基底311的厚度为15-40nm，第二过渡膜层314的厚度为5-10nm。
在本发明的又一实施例中，该衬底层312为铝合金，在将铝基底311形成于铝合金材质的衬底层312上时，该方法还包括如下步骤：
在对衬底层312进行图案化处理后，通过沉积工艺将铝基底311沉积于该衬底层312上。
更为具体地，在进行沉积工艺时，提供铝合金的金属箔作为衬底层312，以铝合金和氮化铝陶瓷作为靶材，初始真空度高于3×10-3Pa。其中，铝合金的表面粗糙度为10nm～0.4μm，厚度为12μm～18μm；
向真空腔室通入流量为15-30sccm的氩气，使真空腔室的真空度为1.5×10-2Pa～3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源，调整电弧电流为55-65A，沉积时间为2min-5min，以在铝合金衬底层312上形成厚度为20nm-50nm的铝基底311。
以下以具体的实施例对本发明提供的柔性日盲型紫外光探测器进行说明：
实施例1
以柔性透明PI作为柔性高分子膜层10，以铜箔作为衬底层312，通过光刻工艺在PI膜表面形成金属图形，在带有金属图形的透明PI膜表面贴附相同形状的掩膜板，置于真空腔室，抽真空至3×10-3Pa。打开氩气阀门，调节氩气流量为15sccm，使得真空度为1.5×10- 2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，调节电弧电流为55A，沉积2min，以形成第一过渡膜层313。关闭磁过滤多弧离子镀电源(铜)，打开磁过滤多弧离子镀电源(铝)，调节电弧电流至55A,沉积2min。获得的第一过渡膜层313的厚度为20nm，第二过渡膜层314的厚度为5nm，铝基底311的厚度为15nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源(铝)，打开氮气阀门，调节氮气流量为20sccm，使得腔室的真空度为2.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为800V，电流为0.1A，处理时间为10min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为5nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至5sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至40sccm，使得真空度为0.1Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至80W，沉积时间1min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为15nm。
关闭霍尔离子源和氮气阀门，打开氩气阀门，调节流量至15sccm，使得真空度为1.5×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，在第二氮化铝膜层22的表面沉积铜电极。
经测试，氮化铝膜层23的厚度为20nm，纯度≥99％，氮化铝膜层23与铝基底311的结合力为5B，柔性器件的最小弯折半径为2mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层23与铝基底311的结合力为5B。
实施例2
以柔性透明PET为柔性高分子膜层10，以铜箔为衬底层312，通过光刻工艺在PI膜表面形成金属图形，在带有金属图形的透明PI膜表面贴附相同形状的掩膜板，置于真空腔室，抽真空至3×10-3Pa。打开氩气阀门，调节氩气流量为30sccm，使得真空度为3.0×10- 2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，调节电弧电流为65A，沉积5min。关闭磁过滤多弧离子镀电源(铜)，打开磁过滤多弧离子镀电源(铝)，调节电弧电流至65A,沉积5min。获得的第一过渡膜层313的厚度为50nm，第二过渡膜层314的厚度为10nm，铝基底311的厚度为40nm。
关闭氩气阀门和磁过滤多弧离子镀电源(铝)，打开氮气阀门，调节氮气流量为50sccm，使得腔室的真空度为5.0×10-2Pa，打开霍尔离子源，调节电压为2000V，电流为2.0A，处理时间为20min，获得的第一氮化铝膜层21的厚度为10nm。
关闭霍尔离子源，关小氮气流量至10sccm，打开氩气阀门，调节氩气流量至100sccm，使得真空度为0.5Pa，打开磁控溅射电源，调节功率至200W，沉积时间100min，获得的第二氮化铝膜层22的厚度为1.99μm。
关闭霍尔离子源和氮气阀门，打开氩气阀门，调节流量至30sccm，使得真空度为3.0×10-2Pa，打开磁过滤多弧离子镀电源(铜)，在第二氮化铝膜层22的表面沉积铜电极。
经测试，氮化铝膜层23的厚度为2μm，纯度≥99％，氮化铝膜层23与铝衬底的结合力为5B，柔性器件的最小弯折半径为10mm。经过1000次弯折之后，氮化铝膜层23与铝衬底的结合力为5B。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (15)
1.柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：包括下电极、氮化铝膜层及上电极，所述下电极包括铝基底，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次形成于所述下电极上，所述上电极覆盖于部分所述第二氮化铝膜层上，并使部分所述第二氮化铝膜层露出于所述上电极外所述第一氮化铝膜层由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成。
2.如权利要求1所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述第二氮化铝膜层为通过沉积工艺形成的第二氮化铝膜层。
3.如权利要求1所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述下电极还包括衬底层，所述铝基底形成于所述衬底层上。
4.如权利要求3所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述衬底层为铝箔，所述衬底层与所述铝基底形成于一体。
5.如权利要求3所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述衬底层为铝合金，所述铝基底形成于所述衬底层上。
6.如权利要求3所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述衬底层为非铝金属箔，所述柔性日盲型紫外光探测器还包括第一过渡膜层及第二过渡膜层，所述第一过渡膜层设置于所述衬底层上，所述第二过渡膜层形成于所述第一过渡膜层上，所述第一过渡膜层为与衬底层同材质金属形成的膜层，所述第二过渡膜层为铝与衬底层同材质金属的合金的膜层。
7.如权利要求6所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述第一过渡膜层为由所述衬底层同材质的金属在所述衬底层上通过沉积工艺形成的膜层，所述第二过渡膜层为在所述第一过渡膜层上通过磁过滤多弧离子镀方法沉积所述铝基底的同时形成的膜层，所述第二过渡膜层位于所述第一过渡膜层和所述铝基底之间。
8.如权利要求3所述的柔性日盲型紫外光探测器，其特征在于：所述柔性日盲型紫外线探测器还包括柔性高分子膜层，所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
9.柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：
提供铝基底；
对所述铝基底进行氮化处理，在所述铝基底的表面上形成第一氮化铝膜层；
在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层；
在所述第二氮化铝膜层上形成上电极。
10.如权利要求9所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：采用霍尔离子源对所述铝基底进行氮化处理以得到所述第一氮化铝膜层。
11.如权利要求9所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：通过沉积工艺在所述第一氮化铝膜层上形成第二氮化铝膜层。
12.根据权利要求9所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：该方法还包括提供衬底层，并将所述铝基底形成于所述衬底层上。
13.根据权利要求12所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：当所述衬底层为铝合金时，该方法还包括：
通过沉积工艺将所述铝基底沉积于所述衬底层上。
14.根据权利要求12所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：当所述衬底层为非铝材质金属时，该方法还包括：
通过沉积工艺在所述衬底层上形成第一过渡膜层，所述第一过渡膜层为与所述衬底层同材质金属形成的膜层；
通过磁过滤多弧离子镀在所述第一过渡膜层上沉积所述铝基底，同时在所述铝基底与所述第一过渡膜层之间形成第二过渡膜层，所述第二过渡膜层为与所述衬底层同材质金属及铝的合金形成的膜层。
15.根据权利要求12所述的柔性日盲型紫外光探测器的制作方法，其特征在于：该方法还包括提供一柔性高分子膜层，并将所述衬底层形成于所述柔性高分子膜层上。
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