CN109659321B - 电介质膜层结构及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本揭示公开了一种电介质膜层结构及其制作方法，所述电介质膜层结构至少包括：第一电容电极、电介质层以及第二电容电极，其中所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。

Description

电介质膜层结构及其制作方法
技术领域
本揭示涉及显示器制造领域，尤其涉及一种电介质膜层结构及其制作方法。
背景技术
显示装置上的显示像素众多，为了节省庞大的硬件驱动电路，实施了矩阵型的结构，即把水平一组显示像素的电极都连接在一起引出，称之为行电极；把纵向一组显示像素的段电极都连接起来一起引出，称之为列电极。在显示装置上每一个显示像素都由其所在的列与行的位置确定。在驱动方式上，相应的采用了光栅扫描方法。显示装置的动态驱动法就是通过扫描线循环的给行电极施加选择脉冲，同时所有显示数据的列电极通过数据线给出相应的选择或非选择的驱动脉冲，从而实现某行所有显示像素的显示功能，这种行扫描是逐行顺序进行的，循环周期短，使得显示屏上呈现出稳定的画面。
扫描线和数据线的材质均为金属，由于金属存在电阻，随着传输距离的增大，电压会降低，即远离信号输入端的电压要小于靠近信号输入端的电压，从而导致显示装置输出均一性不足。
综上所述，现有显示装置信号传输时存在压降导致输出均一性不足的问题。故，有必要提供一种电介质膜层结构及其制作方法来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示提供一种光配向后盒内液晶检查机及其检测方法，用于解决现有显示装置输出均一性不足的问题。
本揭示提供一种电介质膜层的制作方法，所述方法包括:
S10：提供一块基板，在所述基板的第一电容电极上沉积一层SiNx，形成氮化硅层；
S20：在所述氮化硅层上沉积一层SiOx，形成氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层共同构成电介质层；
S30：在所述电介质层上形成第二电容电极；
其中，沿第一方向和第二方向，所述电介质层中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态,所述第二方向垂直于所述第一方向。
根据本揭示一实施例，所述步骤S10包括：
S101：在所述第一电容电极上涂布一层光阻，形成第一光阻层；
S102：在所述基板上遮盖第一光罩，对所述第一光阻层进行曝光显影；
S103：在所述第一光阻层上沉积一层SiNx，沉积完成所述氮化硅层后，对所述第一光阻层进行剥离，形成所述氮化硅层。
根据本揭示一实施例，所述步骤S20包括：
S201：在所述氮化硅层上涂布一层光阻，形成第二光阻层；
S202：在所述基板上遮盖第二光罩，对所述第二光阻层进行曝光显影；
S203：在所述第二光阻层上沉积一层SiOx，沉积完成所述氧化硅层后，对所述第二光阻层进行剥离，形成所述氧化硅层。
根据本揭示一实施例，所述第一光罩设有多个第一透光区域，所述第一透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第一透光区域对应所述基板的像素。
根据本揭示一实施例，所述第二光罩设有多个第二透光区域，所述第二透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第二透光区域对应所述基板的像素。
根据本揭示一实施例，所述第一透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大，所述第二透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小。
根据本揭示一实施例，所述步骤S10中，当形成所述氮化硅层时，使用第一挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氮化硅层后，将所述第一挡板剥离。
根据本揭示一实施例，所述步骤S20中，当形成所述氧化硅层时，使用第二挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氮化硅层后，将所述第二挡板剥离。
根据本揭示一实施例，所述第一挡板和所述第二挡板均设有多个网格，所述网格沿第一方向和第二方向阵列排布，所述网格对应所述基板的像素，且所述第一挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小，所述第二挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大。
本揭示提供一种电介质膜层结构，所述电介质膜层结构包括：
第一电容电极；
电介质层，所述电介质层设置于所述第一电容电极上；
第二电容电极，所述第二电容电极设置于所述电介质层上，所述第一电容电极、所述电介质层以及所述第二电容电极共同构成显示面板的储存电容；
其中，所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和所述第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。
本揭示的有益效果：本揭示实施例将SiNx和SiOx作为电容电介质层的材料，且沿信号传输方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本揭示一实施例提供的电介质膜层的结构示意图；
图2为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；
图3为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；
图4为本揭示一实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图；以及
图5为本揭示一实施例提供的显示装置像素结构的俯视图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：
实施例一：
本实施例提供了一种电介质膜层结构，如图1所示，是本实施例提供的电介质膜层的结构示意图，所述电介质膜层结构包括：第一电容电极101；电介质层102，所述电介质层102设置于所述第一电容电极101上；第二电容电极103，所述第二电容电极103设置于所述电介质层102上，所述第一电容电极101、电介质层102以及第二电容电极103共同构成显示面板的储存电容。
在本实施例中，电介质层102由氮化硅层104和氧化硅层105组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。由于SiNx的介电常数比SiOx的介电常数大，在同等质量的情况下SiNx存储的电荷较SiOx存储的电荷多，所以在靠近数据线和扫描线的一端，压降小，选择更多的储存电荷较少的SiOx作为电介质层102的材料，此时电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态；在远离数据线和扫描线的一端，压降大，选择更多的储存电荷较多的SiNx作为电介质层的材料，此时电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使得薄膜晶体管处于高电压状态。
如图5所示为显示装置像素结构的俯视图，其中第一方向为数据线扫描方向，第二方向为扫描线扫描方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。多个像素沿第一方向和第二方向阵列排布，共同构成显示装置的驱动电路。图5中仅示出部分像素，第一像素501、第二像素502、第三像素503以及第四像素504，像素中阴影部分为SiNx，空白部分为SiOx。其中第一像素501距离数据线以及扫描线最近，压降最小，所以第一像素501的电介质层中SiOx占比最多，SiNx占比最少；第二像素502以及第三像素503距离数据线或扫描线稍远，压降较第一像素501要大，所以第二像素502以及第三像素503的电介质层中SiOx占比较少，SiNx较多；第四像素504距离数据线以及扫描线最远，压降最大，所以第四像素504部分的电介质层中SiOx占比最少，SiNx占比最多。
实施例二：
本实施例提供了一种电介质膜层的制作方法，在本实施例中引用实施例一所提供的电介质膜层结构，下面结合图1至图5详细说明本实施例提供的制作方法。
如图2所示，为本实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图，所述方法包括：
S10：提供一块基板(图中未示出)，在所述基板的第一电容电极101上沉积一层SiNx，形成氮化硅层104；
S20：在所述氮化硅层104上沉积一层SiOx，形成氧化硅层105，所述氮化硅层104和所述氧化硅层105共同构成电介质层102；
S30：在所述电介质层102上形成第二电容电极103；
其中，沿第一方向和第二方向，电介质层102中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。
在本实施例中，如图3所示，步骤S10还包括：
S101：在所述第一电容电极101上涂布一层光阻，形成第一光阻层；
S102：在所述基板上遮盖第一光罩，对所述第一光阻层进行曝光显影；
S103在所述第一光阻层上沉积一层SiNx，沉积完成所述氮化硅层后，对所述第一光阻层进行剥离，形成所述氮化硅层104。
在本实施例中，如图4所示，步骤S20还包括包括：
S201：在所述氮化硅层104上涂布一层光阻，形成第二光阻层；
S202：在所述基板上遮盖第二光罩，对所述第二光阻层进行曝光显影；
S203：在所述第二光阻层上沉积一层SiOx，沉积完成所述氧化硅层后，对所述第二光阻层进行剥离，形成所述氧化硅层105，所述氮化硅层104和所述氧化硅层105共同构成电介质层102。
在本实施例中，通过黄光制程改变了电介质层SiNx与SiOx的配比，主要是通过对涂布在氮化硅层104上的第一光阻层以及氧化硅层105上的第二光阻层进行曝光显影，获得所需要光阻图案，再通过沉积SiNx以及SiOx，获得所需要的SiNx以及SiOx比例。
第一光罩(图中未示出)上设有多个第一透光区域，第一透光区域呈阵列排布，并且第一透光区域对应基板上的像素，第二光罩上同样设有多个第二透光区域，所述第二透光区域呈阵列排布，且所述第二透光区域同样对应所述基板上的像素。
在本实施例中，所述第一透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大，所述第二透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小。
在本实施例中，所选用的光阻为正性光阻，当进行步骤S102时，使用第一光罩，如图5所示，第一像素501处透光区域最小，第四像素504处的透光区域最大，所以经过步骤S102之后，第一像素501处有光阻遮挡区域最大，第四像素504处有光阻遮挡区域最小；经过步骤S103沉积SiNx之后，第一像素501处的SiNx占比最少，第四像素504处SiNx占比最多。
同样的，当进行步骤S202时，使用第二光罩，第一像素501处透光区域最大，第四像素504处透光区域最小，所以经过步骤S202之后，第一像素501处有光阻遮挡区域最小，第四像素504处有光阻遮挡区域最大；经过步骤S202沉积SiOx之后，第一像素501处SiOx占比最多，第四像素504处SiNx占比最少。这样就可以获得沿第一方向和第二方向，电介质层102中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态的效果。
实施例三：
本实施例提供了一种电介质膜层的制作方法，在本实施例中引用实施例一所提供的电介质膜层结构，下面结合图1至图5详细说明本实施例提供的制作方法
如图2所示，为本实施例提供的电介质膜层制作方法的流程示意图，所述方法包括：
S10：提供一块基板(图中未示出)，在所述基板的第一电容电极101上沉积一层SiNx，形成氮化硅层104；
S20：在所述氮化硅层104上沉积一层SiOx，形成氧化硅层105，所述氮化硅层104和所述氧化硅层105共同构成电介质层102；
S30：在所述电介质层102上形成第二电容电极103；
其中，沿第一方向和第二方向，电介质层102中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。
在本实施例中，进行步骤S10，当形成所述氮化硅层时，使用第一挡板(图中未示出)遮盖所述基板表面，沉积完成氮化硅层104后将所述第一挡板剥离。其中，所述第一挡板设有多个网格，所述网格沿第一方向和第二方向阵列排布，并且所述网格在基板上均有对应的像素。所述第一挡板的网格面积沿第一方向和第二方向均逐渐减小，使得电介质层102中SiNx的比例沿第一方向和第二方向均呈递增状态。
在本实施例中，进行步骤S20，当形成所述氧化硅层时，使用第二挡板(图中未示出)遮盖所述基板表面，沉积完成氧化硅层105后，将所述第二挡板剥离。其中，所述第二挡板同样设有多个网格，所述网格沿第一方向和第二方向阵列排布，并且所述网格在基板上均有对应的像素。所述第二挡板的网格面积沿第一方向和第二方向均逐渐增大，使得电介质层102中SiOx的比例沿第一方向和第二方向均呈递减状态。
本揭示实施例将SiNx和SiOx作为电容电介质层的材料，且沿信号传输方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，由于SiNx的介电系数较SiOx大，在压降大的地方更多的用SiNx做电介质层，储存较多电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较大，使薄膜晶体管处于高电压状态；在压降小的地方更多的用SiOx做电介质层，储存较少电荷，电容给薄膜晶体管充电的电流较小，使薄膜晶体管处于低电压状态，从而改变给薄膜晶体管充电的电流大小，减小压降的影响，改善面板输出的均一性。
综上所述，虽然本揭示以实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种电介质膜层的制作方法，其特征在于，所述方法包括:
S10：提供一块基板，在所述基板的第一电容电极上沉积一层SiNx，形成氮化硅层；
S20：在所述氮化硅层上沉积一层SiOx，形成氧化硅层，所述氮化硅层和所述氧化硅层共同构成电介质层；
S30：在所述电介质层上形成第二电容电极；
其中，沿第一方向和第二方向，所述电介质层中SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态，所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S10包括：
S101：在所述第一电容电极上涂布一层光阻，形成第一光阻层；
S102：在所述基板上遮盖第一光罩，对所述第一光阻层进行曝光显影；
S103：在所述第一光阻层上沉积一层SiNx，沉积完成所述氮化硅层后，对所述第一光阻层进行剥离，形成所述氮化硅层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S20包括：
S201：在所述氮化硅层上涂布一层光阻，形成第二光阻层；
S202：在所述基板上遮盖第二光罩，对所述第二光阻层进行曝光显影；
S203：在所述第二光阻层上沉积一层SiOx，沉积完成所述氧化硅层后，对所述第二光阻层进行剥离，形成所述氧化硅层。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一光罩设有多个第一透光区域，所述第一透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第一透光区域对应所述基板的像素。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二光罩设有多个第二透光区域，所述第二透光区域沿所述第一方向和所述第二方向呈阵列排布，且所述第二透光区域对应所述基板的像素。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述第一透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大，所述第二透光区域的面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S10中，当形成所述氮化硅层时，使用第一挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氮化硅层后，将所述第一挡板剥离。
8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S20中，当形成所述氧化硅层时，使用第二挡板遮盖所述基板表面，沉积完成所述氧化硅层后，将所述第二挡板剥离。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述第一挡板和所述第二挡板均设有多个网格，所述网格沿第一方向和第二方向阵列排布，所述网格对应所述基板的像素，且所述第一挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐减小，所述第二挡板的网格面积沿所述第一方向和所述第二方向均逐渐增大。
10.一种电介质膜层结构，其特征在于，所述电介质膜层结构包括：
第一电容电极；
电介质层，所述电介质层设置于所述第一电容电极上；
第二电容电极，所述第二电容电极设置于所述电介质层上，所述第一电容电极、所述电介质层以及所述第二电容电极共同构成显示面板的储存电容；
其中，所述电介质层由SiNx和SiOx两种物质组成，且沿第一方向和第二方向，SiNx的比例均呈递增状态，SiOx的比例均呈递减状态。
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