CN109659273A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，无需操作者进行加工条件的选择。该方法具有：从加工条件列表(K)中选择一个加工条件的选择工序；对所选择的加工条件中所存储的存储宏观图像与低倍率拍摄单元(201)所拍摄的第一图像进行比较而判断是否一致的第一判断工序；当在第一判断工序中判断为不一致时返回至选择工序的第一重复工序；当在第一判断工序中判断为一致时对第一判断工序中所用的加工条件中所存储的存储微观图像与高倍率拍摄单元(202)所拍摄的第二图像进行比较而判断是否一致的第二判断工序；当在第二判断工序中判断为不一致时返回至选择工序的第二重复工序；和当在第二判断工序中判断为一致时按照第二判断工序中所用的加工条件对晶片进行加工的加工工序。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及对晶片进行加工的加工方法。
背景技术
在利用切削刀具沿着分割预定线对板状的晶片进行切削的切削装置中，在将晶片搬送至保持工作台之后，为了识别切削刀具所要切入的分割预定线而进行对准(例如，参照专利文献1)。
在开始切削加工时，由操作者(作业者)输入或由操作者从预先输入至切削装置而进行了列表化的加工条件列表(器件数据列表)中选择出设定了切削加工所需的切削进给速度、切入深度、转位进给量以及对准时所用的目标图案等的加工条件(器件数据)。
另一方面，有如下的方法：在开始切削加工时，不由操作者输入或选择加工条件，而是在收纳有晶片的盒或对晶片进行支承的环状框架上配设二维码，利用切削装置所具有的读取部读取该二维码而选择加工条件(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开平07-106405号公报
专利文献2：日本特开平09-306873号公报
在由操作者从加工条件列表中选择加工条件的情况下，有时会弄错加工条件的选择，由于未选择与保持工作台所保持的晶片相对应的加工条件，导致例如转位进给量与适当的值不同，有时产生对准错误，切削装置的全自动动作会中断。在该情况下，需要再次由操作者重新选择正确的加工条件，然后开始切削装置的全自动动作。
在使切削装置读取二维码的情况下，当二维码未配设于盒或环状框架的情况下会产生问题。
由此，存在如下的课题：在对晶片进行加工(例如切削加工或激光加工)的情况下，不需要操作者进行加工条件的选择，并且即使未在盒或环状框架等上配设二维码也能够进行加工条件的选择。
发明内容
本发明的目的在于提供晶片的加工方法，对晶片进行加工的加工方法，无需操作者进行加工条件的选择。
为了解决上述课题的本发明是晶片的加工方法，使用借助保持工作台对在由分割预定线划分的区域内形成有器件的晶片进行保持并沿着晶片的该分割预定线进行加工的加工装置，其中，该加工装置具有低倍率拍摄单元和高倍率拍摄单元，该晶片的加工方法具有如下的工序：保持工序，利用该保持工作台对晶片进行保持；选择工序，从将多个加工条件列表化而得的加工条件列表中选择一个加工条件；第一判断工序，对该选择工序中所选择的该加工条件中所存储的存储宏观图像与由该低倍率拍摄单元拍摄的第一图像进行比较，判断两图像是否一致；第一重复工序，当在该第一判断工序中判断为该存储宏观图像与该第一图像不一致时返回至该选择工序；第二判断工序，当在该第一判断工序中判断为该存储宏观图像与该第一图像一致时，对该第一判断工序中所用的该加工条件中所存储的存储微观图像与由该高倍率拍摄单元拍摄的第二图像进行比较，判断两图像是否一致；第二重复工序，当在该第二判断工序中判断为该存储微观图像与该第二图像不一致时返回至该选择工序；以及加工工序，当在该第二判断工序中判断为该存储微观图像与该第二图像一致时，按照存储有该第二判断工序中所用的该存储微观图像的加工条件对晶片进行加工。
本发明的晶片的加工方法使用具有低倍率拍摄单元和高倍率拍摄单元的加工装置来实施，具有如下的工序：保持工序，利用保持工作台对晶片进行保持；选择工序，从将多个加工条件列表化而得的加工条件列表中选择一个加工条件；第一判断工序，对选择工序中所选择的加工条件中所存储的存储宏观图像与由低倍率拍摄单元拍摄的第一图像进行比较，判断两图像是否一致；第一重复工序，当在第一判断工序中判断为存储宏观图像与第一图像不一致时返回至选择工序；第二判断工序，当在第一判断工序中判断为存储宏观图像与第一图像一致时，对第一判断工序中所用的加工条件中所存储的存储微观图像与由高倍率拍摄单元拍摄的第二图像进行比较，判断两图像是否一致；第二重复工序，当在第二判断工序中判断为存储微观图像与第二图像不一致时返回至选择工序；以及加工工序，当在第二判断工序中判断为存储微观图像与第二图像一致时，按照存储有第二判断工序中所用的存储微观图像的加工条件对晶片进行加工，因此不需要由操作者选择加工条件，并且即使未在环状框架等上配设二维码也能够进行加工条件的选择。
附图说明
图1是示出加工装置的一例的立体图。
图2是将多个加工条件列表化而得的加工条件列表的一例。
图3是示出晶片的正面的构造的一例的俯视图。
图4的(A)是存储宏观图像的一例，图4的(B)是存储宏观图像的另一例。
图5的(A)是存储微观图像的一例，图5的(B)是存储微观图像的另一例。
图6是对晶片的加工方法的各工序的流程进行说明的流程图。
图7是示出按照使保持工作台的保持面的中心位于拍摄组件的正下方的方式将保持工作台定位于X轴Y轴平面上的规定的坐标位置的状态的剖视图。
图8是对第一次的第一判断工序中的第一判断部的判断进行说明的说明图。
图9是对第二次(第三次)的第一判断工序中的第一判断部的判断进行说明的说明图。
图10是对第一次的第二判断工序中的第二判断部的判断进行说明的说明图。
图11是对第二次的第二判断工序中的第二判断部的判断进行说明的说明图。
标号说明
W：晶片；Wa：晶片的正面；Wb：晶片的背面；S：分割预定线；D：器件；T：划片带；F：环状框架；1：加工装置；10：基台；14：门型柱；30：保持工作台；300：吸附部；300a：保持面；301：框体；32：旋转单元；34：固定夹具；13：加工进给单元；130：滚珠丝杠；131：导轨；132：电动机；133：可动板；15：第一转位进给单元；150：滚珠丝杠；151：导轨；153：可动板；17：第一切入进给单元；170：滚珠丝杠；171：导轨；172：电动机；173：支承部件；16：第二转位进给单元；18：第二切入进给单元；61：第一加工单元；610：主轴；611：壳体；613：切削刀具；62：第二加工单元；20：拍摄组件；200：物镜；201：低倍率拍摄单元；202：高倍率拍摄单元；203：照明单元；9：控制单元；90：存储部；91：加工条件选择部；92：第一判断部；93：第二判断部；K：加工条件列表。
具体实施方式
用于实施本发明的晶片的加工方法的图1所示的加工装置1是通过具有旋转的切削刀具613的第一加工单元61和第二加工单元62对保持工作台30所保持的晶片W进行切削的装置。另外，用于实施本发明的晶片的加工方法的加工装置并不限于加工装置1那样的切削装置，也可以是对晶片照射规定的波长的激光而在晶片中形成改质层或将晶片切断的激光加工装置。
在加工装置1的基台10上配设有加工进给单元13，其使第一加工单元61和保持工作台30在加工进给方向的X轴方向上相对移动。加工进给单元13包含：滚珠丝杠130，其具有X轴方向的轴心；一对导轨131，它们与滚珠丝杠130平行地配设；电动机132，其使滚珠丝杠130转动；以及可动板133，其内部的螺母与滚珠丝杠130螺合，可动板133的底部与导轨131滑动接触。并且，当电动机132使滚珠丝杠130转动时，与此相伴可动板133被导轨131引导而在X轴方向上移动，配设在可动板133上的保持工作台30随着可动板133的移动而在X轴方向上移动。
对晶片W进行保持的保持工作台30例如其外形为圆形板状，保持工作台30具有：吸附部300，其由对晶片W进行吸附的多孔部件构成；以及框体301，其对吸附部300进行支承，在作为吸附部300的露出面的与框体301为同一平面的水平的保持面300a上对晶片W进行吸引保持。保持工作台30通过配设于保持工作台30的底面侧的旋转单元32能够绕Z轴方向的轴心旋转，保持工作台30的旋转中心与保持面300a的中心一致。在保持工作台30的周围在周向上均等地配设有四个固定夹具34，它们对支承晶片W的环状框架F进行夹持固定。
在基台10上的后方侧，按照在保持工作台30的移动路径上跨越的方式竖立设置有门型柱14。在门型柱14的前表面上配设有：第一转位进给单元15，其使第一加工单元61在与X轴方向和Z轴方向垂直的Y轴方向上往复移动；以及第二转位进给单元16，其使第二加工单元62在Y轴方向上往复移动。
第一转位进给单元15例如具有：滚珠丝杠150，其具有Y轴方向的轴心；一对导轨151，它们与滚珠丝杠150平行地配设；未图示的电动机，其与滚珠丝杠150的+Y方向侧的一端连结；以及可动板153，其内部的螺母与滚珠丝杠150螺合，可动板153的侧部与导轨151滑动接触。并且，当未图示的电动机使滚珠丝杠150转动时，与此相伴可动板153被导轨151引导而在Y轴方向上移动，借助第一切入进给单元17配设于可动板153上的第一加工单元61在Y轴方向上进行转位进给。
第一切入进给单元17能够使第一加工单元61在相对于保持工作台30的保持面300a垂直的Z轴方向上移动，第一切入进给单元17具有：滚珠丝杠170，其具有Z轴方向的轴心；一对导轨171，它们与滚珠丝杠170平行地配设；电动机172，其与滚珠丝杠170连结；以及支承部件173，其对第一加工单元61进行支承，支承部件173内部的螺母与滚珠丝杠170螺合，支承部件173的侧部与导轨171滑动接触。当电动机172使滚珠丝杠170转动时，支承部件173被一对导轨171引导而在Z轴方向上移动，与此相伴第一加工单元61在Z轴方向上移动。
第一加工单元61具有：主轴610，其轴向为Y轴方向；壳体611，其固定于支承部件173的下端侧，将主轴610支承为能够旋转；未图示的电动机，其使主轴610旋转；以及外形为圆环状的切削刀具613，其安装于主轴610的前端，电动机使主轴610旋转驱动，与此相伴切削刀具613进行旋转。
第二转位进给单元16例如具有：滚珠丝杠160，其具有Y轴方向的轴心；一对导轨151，它们与滚珠丝杠160平行地配设；电动机162，其与滚珠丝杠160连结；以及可动板163，其内部的螺母与滚珠丝杠160螺合，可动板163的侧部与导轨161滑动接触。当电动机162使滚珠丝杠160转动时，与此相伴可动板163被导轨151引导而在Y轴方向上移动，借助第二切入进给单元18配设于可动板163上的第二加工单元62在Y轴方向上进行转位进给。
第二切入进给单元18具有：滚珠丝杠180，其具有Z轴方向的轴心；一对导轨181，它们与滚珠丝杠180平行地配设；电动机182，其与滚珠丝杠180连结；以及支承部件183，其对第二加工单元62进行支承，支承部件183内部的螺母与滚珠丝杠180螺合，支承部件183的侧部与导轨181滑动接触。当电动机182使滚珠丝杠180转动时，支承部件183被一对导轨181引导而在Z轴方向上移动，与此相伴第二加工单元62在Z轴方向上移动。
第二加工单元62配设成与第一加工单元61在Y轴方向上对置。上述第一加工单元61和第二加工单元62同样地构成，因此省略了对于第二加工单元62的说明。
在第一加工单元61的壳体611的侧面上配设有对晶片W进行拍摄的拍摄组件20。拍摄组件20具有：未图示的拍摄元件；物镜200，其能够通过倍率调整单元将倍率变为低倍率和高倍率；低倍率拍摄单元201，其通过已设定为低倍率的物镜200进行拍摄；高倍率拍摄单元202，其通过已设定为高倍率的物镜200进行拍摄；以及照明单元203，其对保持工作台30上所吸引保持的晶片W照射光，能够切换低倍率拍摄单元201和高倍率拍摄单元202而从上方对晶片W进行拍摄。拍摄组件20和第一加工单元61构成为一体，两者联动而在Y轴方向和Z轴方向上移动。另外，在第二加工单元62的壳体的侧面也配设有拍摄组件20。
加工装置1例如具有进行装置整体的控制的控制单元9。控制单元9通过未图示的布线而与加工进给单元13、第一转位进给单元15、第一切入进给单元17以及旋转单元32等连接，在控制单元9的控制下，对基于加工进给单元13的保持工作台30在X轴方向上的移动动作、基于第一转位进给单元15的第一加工单元61在Y轴方向上的转位进给动作、基于第一切入进给单元17的第一加工单元61在Z轴方向上的切入进给动作以及基于旋转单元32的保持工作台30的旋转动作等进行控制。
控制单元9具有由存储器等存储元件构成的存储部90，在存储部90中存储有图2所示的加工条件列表(器件数据列表)K。加工条件列表K是将多个与要实施加工的晶片的每个种类对应的各加工条件列表化而得的，各加工条件例如可以由加工条件编号和加工条件标识码进行识别。例如加工条件列表K所示的编号001的加工条件的加工条件标识码为MM-样本，编号002的加工条件的加工条件标识码为INCH-样本。
加工条件是指将用于按照作为被加工物的晶片的每个种类对晶片实施适当的切削加工的各种设定汇总而存储的数据，该各种设定是指基于图1所示的加工进给单元13的保持着晶片的保持工作台30的加工进给速度、基于第一转位进给单元15的第一加工单元61的转位进给量、基于第一切入进给单元17的第一加工单元61的切入进给高度位置、第一加工单元61的主轴610的转速、利用拍摄组件20对保持工作台30所吸引保持的晶片进行拍摄的X轴Y轴平面上的拍摄坐标位置、后述的存储宏观图像以及后述的存储微观图像等。
对于基于拍摄组件20的晶片的拍摄坐标位置，例如将加工装置1始终能够把握的保持工作台30的保持面300a的中心定为基准，若所选择的加工条件是与要实施加工的晶片相对应的适当的加工条件，则在该拍摄坐标位置对晶片进行拍摄而得到的图像与存储宏观图像一致。
基于第一转位进给单元15的第一加工单元61的转位进给量是指例如第一转位进给单元15按照一个转位量使第一加工单元61在Y轴方向上移动的量，一个转位是指从图3所示的某一分割预定线S的宽度方向的中心线至位于其旁边的分割预定线S的中心线的距离。
图1所示的晶片W例如是圆形板状的硅半导体晶片，在晶片W的正面Wa上在由分割预定线S划分的格子状的区域分别形成有器件D。在晶片W的背面Wb上粘贴有直径大于晶片W的划片带T。在划片带T的粘接面的外周区域粘贴有具有圆形的开口的环状框架F，晶片W借助划片带T而被环状框架F支承，成为能够进行借助环状框架F的操作的状态。另外，将在晶片W的正面Wa上沿着同一方向(例如图1、图3中的X轴方向)延伸的各分割预定线S作为第一通道的分割预定线S，另一方面，将在晶片W的正面Wa上沿着与上述第一通道的分割预定线S垂直交叉的方向(图1、图3中的Y轴方向)延伸的各分割预定线S作为第二通道的分割预定线S。
如图3所示，在晶片W的各器件D的正面上形成有相同的电路图案。并且，将该电路图案中的具有特征性形状的一个图案作为宏观目标PA预先选定，包含该宏观目标PA的图像(以低倍率拍摄的图像)成为图4的(A)所示的存储宏观图像G1。另外，宏观目标PA在多个器件D中的每一个器件D中形成在同样的位置，例如形成在器件D的角部分(左角)。
另外，优选存储宏观图像如存储宏观图像G1那样包含圆形的宏观目标PA这种单纯形状的图案。
将在图3中放大而示出的形成在器件D的正面上的元件、布线的特征的一部分(虚线所示的矩形的框的内部)作为微观目标PC预先选定，包含该微观目标PC的图像(以高倍率拍摄的图像)成为图5的(A)所示的存储微观图像G3。另外，微观目标PC的尺寸小于宏观目标PA的尺寸。另外，优选存储微观图像如存储微观图像G3那样在图像中包含沿Y轴方向延伸的直线和沿X轴方向延伸的直线。
在本实施方式中，例如在图2所示的加工条件列表K所示的编号003的加工条件AAAA-样本中存储有图4的(A)所示的存储宏观图像G1和图5的(A)所示的存储微观图像G3。另外，图3所示的宏观目标PA与微观目标PC在X轴方向上的距离Lx3的信息以及宏观目标PA与微观目标PC在Y轴方向上的距离Ly3的信息也存储于加工条件AAAA-样本中。
例如在图2所示的加工条件列表K所示的编号001的加工条件MM-样本中存储有包含形成于与晶片W不同的晶片上的器件的图4的(B)所示的矩形状的宏观目标PB的存储宏观图像G2以及图5的(B)所示的存储微观图像G4。
例如在图2所示的加工条件列表K所示的编号002的加工条件INCH-样本中存储有图4的(A)所示的存储宏观图像G1以及包含形成于与晶片W不同的晶片上的器件的图5的(B)所示的微观目标PD的存储微观图像G4。另外，与晶片W不同的晶片上的图4的(A)所示的宏观目标PA与图5的(B)所示的微观目标PD在X轴方向上的距离的信息以及宏观目标PA与微观目标PD在Y轴方向上的距离的信息也存储于加工条件INCH-样本中。
下面，对使用图1所示的加工装置1沿着分割预定线S对图1、图3所示的晶片W进行切削的情况下的、本发明的加工方法的各步骤进行说明。本发明的加工方法的各步骤按照图6所示的流程图所示的顺序实施。
(1)保持工序
在最初进行的保持工序中，将图1所示的借助划片带T而支承于环状框架F的晶片W按照使划片带T侧朝向下侧且使保持面300a的中心与晶片W的中心一致的方式载置于保持工作台30的保持面300a上。并且，利用配设于保持工作台30的周围的固定夹具34对环状框架F进行固定，使与保持工作台30连接的未图示的吸引源进行动作，从而在保持工作台30的保持面300a上对晶片W进行吸引保持。
(2-1)第一次的选择工序
控制单元9具有从图2所示的加工条件列表K中选择一个加工条件的加工条件选择部91，通过加工条件选择部91实施该选择工序。加工条件选择部91例如从加工条件列表K所示的加工条件编号的号码较小的加工条件开始依序进行选择。因此，通过加工条件选择部91最初选择图2所示的加工条件列表K所示的加工条件编号001的加工条件MM-样本。
(3-1)第一次的第一拍摄工序
接着，图1所示的对晶片W进行吸引保持的保持工作台30通过加工进给单元13在X轴方向上移动。另外，拍摄组件20通过第一转位进给单元15在Y轴方向上移动。并且，在控制单元9对加工进给单元13和第一转位进给单元15进行控制下，如图7所示，按照使保持工作台30的保持面300a的中心位于拍摄组件20的物镜200的正下方的方式将保持工作台30定位于X轴Y轴平面上的规定的坐标位置。另外，根据控制单元9对加工进给单元13和第一转位进给单元15的控制而进行的保持工作台30的该定位是根据加工条件编号001的加工条件MM-样本的定位。
将物镜200的倍率设定为低倍率，并且将照明单元203的设定光量设置为适合低倍率的拍摄的光量，从而成为能够利用低倍率拍摄单元201对晶片W的正面Wa进行拍摄的状态。并且，在以保持工作台30的保持面300a的中心为基准的X轴Y轴坐标位置通过低倍率拍摄单元201对晶片W的正面Wa的大致中心区域进行拍摄，形成视野比较宽的第一图像。
原则上，在之前实施的保持工序中，按照使保持工作台30的保持面300a的中心与晶片W的中心一致的方式利用保持工作台30对晶片W进行吸引保持。但是，有时例如由于在将晶片W搬送至保持工作台30时的搬送偏移等，保持工作台30上的晶片W的中心与保持面300a的中心会发生偏移。在保持工作台30的保持面300a的中心与晶片W的正面Wa的中心存在偏移的情况下，即使所选择的加工条件是与要加工的晶片W相对应的适当的加工条件，也存在宏观目标未进入低倍率拍摄单元201的拍摄区域内、在后述的第一判断工序中做出存储宏观图像与第一图像不一致的判断的可能性。
因此，低倍率拍摄单元201对晶片W的正面Wa的拍摄也能够在除了以保持工作台30的保持面300a的中心为基准的拍摄位置以外的多个拍摄位置进行，进而形成多个第一图像。即，例如第一转位进给单元15使拍摄组件20在Y轴方向上移动，并且旋转单元32(在图7中未图示)使保持工作台30按照规定的旋转速度旋转，从而低倍率拍摄单元201按照从保持面300a的中心朝向外侧描绘漩涡状的轨迹的方式相对于晶片W移动。并且，按照描绘漩涡状的轨迹的方式移动的低倍率拍摄单元201按照每单位时间对晶片W的正面Wa进行拍摄，从而分别在晶片W的正面Wa的中心区域附近的多个拍摄位置进行拍摄，形成多个第一图像。另外，在第一转位进给单元15按照一个转位量使拍摄组件20在Y轴方向上移动的期间进行该拍摄。
(4-1)第一次的第一判断工序
通过低倍率拍摄单元201拍摄而得到的各第一图像的信息从拍摄组件20被发送至控制单元9的第一判断部92。可以对各第一图像例如实施强调边缘的二值化处理。如图8所示，第一判断部92对在第一次的选择工序中选择的加工条件MM-样本中所设定的存储宏观图像G2与低倍率拍摄单元201所拍摄的多个第一图像一个一个进行比较，判断是否一致。
在本实施方式中，存储于加工条件MM-样本中的存储宏观图像G2与各第一图像不一致，因此第一判断部92做出不一致的判断，从而转移至图6的流程图所示的第一重复工序。
(5-1)第一重复工序
在第一判断工序中，第一判断部92做出加工条件MM-样本的存储宏观图像G2与第一图像不一致的判断，从而按照基于图6的流程图而构成的程序，在加工装置1中实施后述的第二次的选择工序。
(2-2)第二次的选择工序
在第二次的选择工序中，通过加工条件选择部91选择图2所示的加工条件列表K所示的加工条件编号002的加工条件INCH-样本。
(3-2)第二次的第一拍摄工序
接着，根据加工条件编号002的加工条件INCH-样本，在控制单元9所进行的对加工进给单元13和第一转位进给单元15的控制下，按照使保持工作台30的保持面300a的中心位于拍摄组件20的物镜200的正下方的方式将保持工作台30定位于规定的坐标位置。并且，如图7所示，在以保持工作台30的保持面300a的中心为基准的X轴Y轴坐标位置，通过低倍率拍摄单元201对晶片W的正面Wa的大致中心区域进行拍摄而形成第一图像。
进而，第一转位进给单元15使拍摄组件20在Y轴方向上移动，并且旋转单元32使保持工作台30按照规定的旋转速度旋转。并且，按照描绘漩涡状的轨迹的方式相对于晶片W的正面Wa移动的低倍率拍摄单元201在晶片W的正面Wa的中心区域附近的多个拍摄位置进行拍摄，形成多个第一图像。
(4-2)第二次的第一判断工序
通过低倍率拍摄单元201拍摄而得到的各第一图像的信息从拍摄组件20被发送至控制单元9的第一判断部92。如图9所示，第一判断部92做出在第二次的选择工序中选择的加工条件INCH-样本中所设定的存储宏观图像G1与低倍率拍摄单元201所拍摄的第一图像的例如一个一致的判断。
如上所述在第二次的第一判断工序中，在第一判断部92判断为存储宏观图像G1与第一图像一致之后，例如进行粗θ对准，将图1、图3所示的晶片W的第一通道的分割预定线S对位成与X轴方向大致平行。粗θ对准例如使用拍摄到处于与图1、图3所示的第一通道的一条分割预定线S(沿X轴方向延伸的分割预定线S)相邻且在X轴方向上相互分开的位置的两个器件D的各宏观目标PA的拍摄图像来进行。即，通过低倍率拍摄单元201来形成拍摄到某个器件D的宏观目标PA的粗θ对准用的拍摄图像，另外在使保持工作台30按照一个器件D的量在X轴方向上移动之后，进行基于低倍率拍摄单元201的拍摄，形成拍摄到宏观目标PA的粗θ对准用的另一拍摄图像。
并且，按照使上述两个粗θ对准用的拍摄图像的各宏观目标PA的Y轴坐标位置大致一致的方式，通过旋转单元32使保持工作台30旋转规定的角度。
另外，在保持工作台30按照多个器件D的量在X轴方向上移动之后，进行基于低倍率拍摄单元201的拍摄，形成拍摄到某个器件D的宏观目标PA的粗θ对准用的拍摄图像。按照使之前使用的粗θ对准用的拍摄图像的宏观目标PA的Y轴坐标位置和另外形成的粗θ对准用的拍摄图像的宏观目标PA的Y轴坐标位置大致一致的方式，通过旋转单元32使保持工作台30旋转规定的角度，使将处于在X轴方向上分开的位置的宏观目标PA连结起来的直线与X轴方向大致平行，完成使第一通道的分割预定线S与X轴方向大致平行的粗θ对准。之后，按照基于图6的流程图而构成的程序，在加工装置1中实施后述的第一次的第二拍摄工序。
(6-1)第一次的第二拍摄工序
将图1所示的物镜200的倍率切换至高倍率，并且将照明单元203的设定光量设置成适合高倍率的拍摄的光量，从而成为能够利用高倍率拍摄单元202对晶片W进行拍摄的状态。另外，成为使之前已检测到的一个宏观目标PA位于高倍率拍摄单元202的拍摄区域的中央的状态。
接着，根据存储于条件编号002的加工条件INCH-样本中的设定，通过加工进给单元13使图1所示的对晶片W进行吸引保持的保持工作台30按照图3所示的宏观目标PA与微观目标PD在X轴方向上的距离进行移动，并且通过第一转位进给单元15使拍摄组件20按照宏观目标PA与微观目标PD在Y轴方向上的距离进行移动。之后，通过高倍率拍摄单元202对晶片W的正面Wa进行拍摄，形成视野比较窄的第二图像。
(7-1)第一次的第二判断工序
通过高倍率拍摄单元202拍摄而得到的第二图像的信息从拍摄组件20被发送至图1所示的控制单元9的第二判断部93。如图10所示，第二判断部93对在第二次的选择工序中选择的加工条件INCH-样本中所设定的存储微观图像G4与高倍率拍摄单元202所拍摄的第二图像进行比较，判断是否一致。
在本实施方式中，存储于加工条件INCH-样本中的存储微观图像G4与第二图像不一致，因此第二判断部93做出不一致的判断，从而转移至图6的流程图所示的第二重复工序。
(8)第二重复工序
在第二判断工序中，第二判断部93做出加工条件INCH-样本的存储微观图像G4与第二图像不一致的判断，从而按照基于图6的流程图而构成的程序，在加工装置1中实施后述的第三次的选择工序。
(2-3)第三次的选择工序
在第三次的选择工序中，通过加工条件选择部91选择图2所示的加工条件列表K所示的加工条件编号003的加工条件AAAA-样本。
(3-3)第三次的第一拍摄工序
接着，根据存储于加工条件编号003的加工条件AAAA-样本中的设定，在图1所示的控制单元9所进行的对加工进给单元13和第一转位进给单元15的控制下，按照使保持工作台30的保持面300a的中心位于拍摄组件20的物镜200的正下方的方式移动保持工作台30和拍摄组件20。并且，如图7所示，在以保持工作台30的保持面300a的中心为基准的X轴Y轴坐标位置通过低倍率拍摄单元201对晶片W的正面Wa的大致中心区域进行拍摄，形成第一图像。
进而，第一转位进给单元15使拍摄组件20在Y轴方向上移动，并且旋转单元32使保持工作台30按照规定的旋转速度旋转。并且，按照描绘漩涡状的轨迹的方式相对于晶片W的正面Wa移动的低倍率拍摄单元201在晶片W的正面Wa的中心区域附近的多个拍摄位置进行拍摄，形成多个第一图像。
(4-3)第三次的第一判断工序
通过低倍率拍摄单元201拍摄而得到的各第一图像的信息从拍摄组件20被发送至图1所示的控制单元9的第一判断部92。如图9所示，第一判断部92做出在第三次的选择工序选择的加工条件AAAA-样本中所设定的存储宏观图像G1与低倍率拍摄单元201所拍摄的第一图像的例如一个一致的判断。
如上所述在第三次的第一判断工序中由第一判断部92判断为存储宏观图像G1与第一图像一致之后，例如进行粗θ对准，使图1、图3所示的晶片W的第一通道的分割预定线S对位成与X轴方向大致平行。并且，在完成第一通道的分割预定线S的粗θ对准之后，按照基于图6的流程图而构成的程序，在加工装置1中实施后述的第二次的第二拍摄工序。
(6-2)第二次的第二拍摄工序
将物镜200的倍率切换至高倍率，并且将照明单元203的设定光量设置成适合高倍率的拍摄的光量，从而成为能够利用高倍率拍摄单元202对晶片W进行拍摄的状态。另外，成为使之前已检测到的一个宏观目标PA位于高倍率拍摄单元202的拍摄区域的中央的状态。
接着，根据条件编号003的加工条件AAAA-样本，通过加工进给单元13使对晶片W进行吸引保持的保持工作台30按照图3所示的宏观目标PA与微观目标PC在X轴方向上的距离Lx3进行移动，并且通过第一转位进给单元15使拍摄组件20按照宏观目标PA与微观目标PC在Y轴方向上的距离Ly3进行移动。之后，通过高倍率拍摄单元202对晶片W的正面Wa进行拍摄，形成第二图像。
(7-2)第二次的第二判断工序
通过高倍率拍摄单元202拍摄而得到的第二图像的信息被发送至图1所示的控制单元9的第二判断部93。如图11所示，第二判断部93对加工条件AAAA-样本中设定的存储微观图像G3与高倍率拍摄单元202所拍摄的第二图像进行比较，判断为一致。
如上所述在第二次的第二判断工序中由第二判断部93判断为存储微观图像G3与第二图像一致之后，例如进行精度高的θ对准，将图1、图3所示的晶片W的第一通道的分割预定线S对位成与X轴方向平行。精度高的θ对准例如使用拍摄到处于与图1、图3所示的第一通道的一条分割预定线S(沿X轴方向延伸的分割预定线S)相邻且在X轴方向上相互分开的位置的两个器件D的各微观目标PC的拍摄图像来进行。即，通过高倍率拍摄单元202形成拍摄到某个器件D的微观目标PC的精度高的θ对准用的拍摄图像，另外在保持工作台30按照数个器件D的量在X轴方向上移动之后，进行基于高倍率拍摄单元202的拍摄，形成拍摄到某个器件D的微观目标PC的精度高的θ对准用的另一拍摄图像。
并且，通过旋转单元32使保持工作台30旋转规定的角度，直至上述两个拍摄图像的各微观目标PC的Y轴坐标位置的偏移量成为允许值内为止，完成精度高的θ对准。
另外，保持工作台30在X轴方向上移动而将晶片W的正面Wa的中心定位于高倍率拍摄单元202的拍摄区域，通过高倍率拍摄单元202形成拍摄图像，从而能够识别该拍摄图像中的微观目标PC。并且判断微观目标PC的Y轴坐标位置的偏移量是否在允许值内，当偏移量在允许值外的情况下，通过第一转位进给单元15使拍摄组件20在Y轴方向上适当地移动，以便微观目标PC的Y轴坐标位置的偏移量达到允许值内。
在微观目标PC的Y轴坐标位置的偏移量达到允许值内之后，第一转位进给单元15使拍摄组件20按照从微观目标PC到分割预定线S的宽度方向的中心线的距离在Y轴方向上移动，从而进行标线对准，使拍摄组件20的基准线(标线)与分割预定线S重叠。并且，标线与分割预定线S重叠时的Y轴方向的坐标位置作为切削刀具613实际将晶片W切断时第一加工单元61定位的位置被存储于控制单元9的存储部90。
如上所述，在存储了实际将第一通道的分割预定线S切断时的Y轴方向的坐标位置之后，通过旋转单元32使保持工作台30精确地旋转90度，进行精度高的θ对准，将晶片W的第二通道的分割预定线S对位成与X轴方向平行，接着对实际将第二通道的分割预定线S切断时第一加工单元61定位的Y轴坐标位置进行检测并存储于存储部90。
(9)加工工序
接着，图1所示的切削装置1按照加工条件AAAA-样本对晶片W进行加工。例如首先通过第一转位进给单元15将第一加工单元61定位于控制单元9的存储部90中存储的实际将第一通道的分割预定线S切断时的Y轴坐标位置。另外，第一切入进给单元17使第一加工单元61向-Z方向下降，将第一加工单元61定位于加工条件AAAA-样本中所设定的切入进给位置。另外，加工进给单元13使对晶片W进行保持的保持工作台30按照加工条件AAAA-样本中所设定的加工进给速度进行加工进给。
并且，未图示的电动机使第一加工单元61的主轴610按照加工条件AAAA-样本中所设定的转速进行旋转，从而固定于主轴610的切削刀具613一边随着主轴610的旋转而进行旋转一边切入至晶片W，对分割预定线S进行切削。
当保持工作台30行进至切削刀具613切削完分割预定线S的X轴方向上的规定的位置时，第一切入进给单元17使第一加工单元61上升而使切削刀具613从晶片W分开，接着加工进给单元13使保持工作台30返回至加工进给开始位置。并且，第一转位进给单元15使第一加工单元61按照加工条件AAAA-样本中所设定的转位进给量在Y轴方向上移动，从而将切削刀具613定位于与已切削的分割预定线S相邻的分割预定线S。并且，与之前同样地实施切削加工。以下，依次进行同样的切削，从而对第一通道的所有分割预定线S进行切削。
另外，在使保持工作台30旋转90度之后，进行第二通道的各分割预定线S的切削，从而对晶片W的所有分割预定线S进行纵横地全部切削。
如上所述，本发明的晶片的加工方法具有如下的工序：保持工序，利用保持工作台30对晶片W进行保持；选择工序，从将多个加工条件列表化而得的加工条件列表K中选择一个加工条件；第一判断工序，对选择工序中所选择的加工条件中所存储的存储宏观图像与低倍率拍摄单元201所拍摄的第一图像进行比较，判断两图像是否一致；第一重复工序，当在第一判断工序中判断为存储宏观图像与第一图像不一致时返回至选择工序；第二判断工序，当在第一判断工序中判断为存储宏观图像与第一图像一致时，对第一判断工序中所用的加工条件中所存储的存储微观图像与高倍率拍摄单元202所拍摄的第二图像进行比较，判断两图像是否一致；第二重复工序，当在第二判断工序中判断为存储微观图像与第二图像不一致时返回至选择工序；以及加工工序，当在第二判断工序中判断为存储微观图像与第二图像一致时，按照存储有第二判断工序中所用的存储微观图像的加工条件对晶片W进行加工，因此不需要由操作者选择加工条件，并且即使未在环状框架等上配设二维码也能够进行加工条件的选择。

Claims (1)

1.一种晶片的加工方法，使用借助保持工作台对在由分割预定线划分的区域内形成有器件的晶片进行保持并沿着晶片的该分割预定线进行加工的加工装置，其中，
该加工装置具有低倍率拍摄单元和高倍率拍摄单元，
该晶片的加工方法具有如下的工序：
保持工序，利用该保持工作台对晶片进行保持；
选择工序，从将多个加工条件列表化而得的加工条件列表中选择一个加工条件；
第一判断工序，对该选择工序中所选择的该加工条件中所存储的存储宏观图像与由该低倍率拍摄单元拍摄的第一图像进行比较，判断两图像是否一致；
第一重复工序，当在该第一判断工序中判断为该存储宏观图像与该第一图像不一致时返回至该选择工序；
第二判断工序，当在该第一判断工序中判断为该存储宏观图像与该第一图像一致时，对该第一判断工序中所用的该加工条件中所存储的存储微观图像与由该高倍率拍摄单元拍摄的第二图像进行比较，判断两图像是否一致；
第二重复工序，当在该第二判断工序中判断为该存储微观图像与该第二图像不一致时返回至该选择工序；以及
加工工序，当在该第二判断工序中判断为该存储微观图像与该第二图像一致时，按照存储有该第二判断工序中所用的该存储微观图像的加工条件对晶片进行加工。
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