CN109659249A - 蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法 - Google Patents

蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法 Download PDF

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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Abstract

本发明提供一种蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法。所述蚀刻终点监控装置包括：入射光源、反射镜及显色板；所述入射光源用于向待蚀刻的基板发射入射光；所述反射镜位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；所述显色板位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，利用待蚀刻的基板上不同膜层对所述入射光的反射特性的不同，使得显示板的光斑在不同的蚀刻阶段具有不同的强弱状态，从而能够根据所述光斑的强弱变化，快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。

Description

蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
在液晶显示面板的制作过程中经常需要使用蚀刻制程，蚀刻终点的判定的精确性，对蚀刻制程的效果有较大的影响，现有技术中，缺乏能够有效判定蚀刻终点装置，尤其判定烧杯实验时以及面板生产过程的局部范围(5cm2以下面积)的蚀刻终点的装置，不利于蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。
发明内容
本发明的目的在于提供一种蚀刻终点监控装置，能够快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。
本发明的目的还在于提供一种蚀刻终点监控方法，能够快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。
为实现上述目的，本发明提供了一种蚀刻终点监控装置，包括：入射光源、反射镜及显色板；
所述入射光源用于向待蚀刻的基板发射入射光；
所述反射镜位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；
所述显色板位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，以根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
所述待蚀刻的基板包括：衬底基板及位于所述衬底基板上的第一金属层；
所述入射光源发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第一金属层时，65％以上的入射光被所述第一金属层所反射；所述入射光照射到衬底基板时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板；
蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层的蚀刻终点。
所述待蚀刻的基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的第一金属层、及位于所述第一金属层上的第二金属层；
所述入射光源发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层时，65％以上的入射光被所述第二金属层所吸收；所述入射光照射到第一金属层时，65％以上的入射光被所述第一金属层所反射；所述入射光照射到衬底基板时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板；
蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层的蚀刻终点。
所述蚀刻终点监控装置还包括：位于所述第二反射光的光路上的凸透镜，所述凸透镜用于将所述第二反射光进行聚焦，所述显色板位于所述凸透镜的焦点处。
所述入射光源发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
本发明还提供一种蚀刻终点监控方法，包括：
步骤S1、提供一蚀刻终点监控装置，包括入射光源、反射镜及显色板；
步骤S2、提供一待蚀刻的基板，并对所述待蚀刻的基板进行蚀刻，同时所述入射光源向待蚀刻的基板发射入射光；
步骤S3、将所述反射镜设置于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，以反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；
步骤S4、所述显色板显示由所述第二反射光产生的光斑，并根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
所述步骤S2中，待蚀刻的基板包括：衬底基板及位于所述衬底基板上的第一金属层；
所述入射光源发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第一金属层时，65％以上的入射光被所述第一金属层所反射；所述入射光照射到衬底基板时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板；
所述步骤S4中，所述光斑在所述显色板上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层的蚀刻终点。
所述步骤S2中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板、位于所述衬底基板上的第一金属层、及位于所述第一金属层上的第二金属层；
所述入射光源发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层时，65％以上的入射光被所述第二金属层所吸收；所述入射光照射到第一金属层时，65％以上的入射光被所述第一金属层所反射；所述入射光照射到衬底基板时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板；
所述步骤S4中，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层的蚀刻终点。
所述步骤S1中提供的蚀刻终点监控装置还包括：凸透镜；
所述步骤S3中的第二反射光在照射到所述显色板上之前还需要经过所述凸透镜的聚焦；
所述步骤S4中，所述显色板位于所述凸透镜的焦点处，以显示由聚焦后的第二反射光产生的光斑。
所述入射光源发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
本发明的有益效果：本发明提供一种蚀刻终点监控装置，包括：入射光源、反射镜及显色板；所述入射光源用于向待蚀刻的基板发射入射光；所述反射镜位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；所述显色板位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，利用待蚀刻的基板上不同膜层对所述入射光的反射特性的不同，使得显示板的光斑在不同的蚀刻阶段具有不同的强弱状态，从而能够根据所述光斑的强弱变化，快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。本发明还提供一种蚀刻终点监控方法，能够快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1至图2为本发明的蚀刻终点监控装置的第一实施例的示意图；
图3至图5为本发明的蚀刻终点监控装置的第二实施例的示意图；
图6为本发明的蚀刻终点监控装置的第三实施例的示意图；
图7为本发明的蚀刻终点监控方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1至图6，本发明提供一种蚀刻终点监控装置，其特征在于，包括：入射光源1、反射镜2及显色板3；
所述入射光源1用于向待蚀刻的基板发射入射光；
所述反射镜2位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；
所述显色板3位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，以根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
具体地，如图1至图2所示，在本发明的第一实施例中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板11及位于所述衬底基板11上的第一金属层12。
优选地，所述衬底基板11为玻璃基板，所述第一金属层12材料可以选择元素周期表中第三周期至第七周期的各种金属。
具体地，为了使得所述显色板3上的光斑能够随着基板在不同的蚀刻阶段产生强弱变化，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光需要满足以下条件，当所述入射光照射到第一金属层12上时，能够产生明显的反射光，当所述入射光照射到衬底基板11上时大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，仅产生微弱的反射光甚至不产生反射光，详细来说，即所述入射光照射到第一金属层12时，65％以上的入射光被所述第一金属层12所反射；所述入射光照射到衬底基板11时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板11。
从而如图1所示，在蚀刻开始时，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光，所述入射光照射到第一金属层12上，产生明显的第一反射光，所述第一反射光经过反射板2的反射后产生第二反射光，所述第二反射光照射到显色板3，所述显色板3上产生明显的光斑，随着蚀刻的进行，如图2所示，当所述第一金属层12被完全蚀刻掉之后，所述入射光照射到衬底基板11上，大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，几乎已经不存在第一反射光及第二反射光，显色板3是明显的光斑也明显变弱甚至已经消失，所述显色板3上的光斑变弱甚至消失的瞬间即为所述第一金属层12的蚀刻终点，也即蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层12的蚀刻终点。
具体地，如图3至图5所示，在本发明的第二实施例中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板11、位于所述衬底基板11上的第一金属层12及位于所述第一金属层12上的第二金属层13。
优选地，所述衬底基板11为玻璃基板，所述第一金属层12和第二金属层13的材料可以选择元素周期表中第三周期至第七周期的各种金属。
具体地，为了使得所述显色板3上的光斑能够随着基板在不同的蚀刻阶段产生强弱变化，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光需要满足以下条件，当所述入射光照射到第一金属层12上时，能够产生明显的反射光，当所述入射光照射到衬底基板11上时大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，仅产生微弱的反射光甚至不产生反射光，当所述入射光照射到第二金属层13上时，所述入射光大部分被所述第二金属层13所吸收，几乎不产生反射光，详细来说，述入射光源1发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层13时，65％以上的入射光被所述第二金属层13所吸收；所述入射光照射到第一金属层12时，65％以上的入射光被所述第一金属层12所反射；所述入射光照射到衬底基板11时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板11。
具体地，可通过设置所述入射光的谱线范围与第一金属层12的反色光谱线存在交集属于第一金属层12的反色光谱线的子集，同时入射光的谱线范围与第二金属膜13的反色光谱线不存在交集，来实现所述入射光被所述第二金属层13吸收和被第一金属层12反射的特性。
从而如图3所示，在蚀刻开始时，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光，所述入射光照射到第二金属层13上，大部分光线被吸收，几乎不产生反射光，所述显色板3不存在明显的光斑甚至没有光斑，随着蚀刻的进行，如图4所示，所述第二金属层13被完全蚀刻掉，所述入射光照射到第一金属层12上，产生明显的第一反射光，所述第一反射光经过反射板2的反射后产生第二反射光，所述第二反射光照射到显色板3，所述显色板3上产生明显的光斑，所述显色板3产生明显的光斑的瞬间即为所述第二金属层13的蚀刻终点，进一步地，如图5所示，当所述第一金属层12被完全蚀刻掉之后，所述入射光照射到衬底基板11上，大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，几乎已经不存在第一反射光及第二反射光，显色板3是明显的光斑也明显变弱甚至已经消失，所述显色板3上的光斑变弱甚至消失的瞬间即为所述第一金属层12的蚀刻终点，也即蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层13的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层12的蚀刻终点。
具体地，在本发明第一实施例和第二实施例中，所述待蚀刻的基板水平放置，所述入射光从所述待蚀刻的基板的上方照射到所述待蚀刻的基板上，待蚀刻的基板的位置不会移动，入射光照射到待蚀刻的基板也相对固定，产生的反射光的光路也相对固定，但在烧杯测试时，待蚀刻的基板被夹持着竖直地放入烧杯中进行测试，此时待蚀刻的基板可能会存在摆动，入射光照射到所述待蚀刻的基板上时，可能会产生多个反射点，并产生多条反射光，例如本发明的第三实施例。
如图6所示，在本发明的第三实施例中，所述待蚀刻的基板被夹持着竖直地放入烧杯中进行测试，所述待蚀刻的基板存在摆动，摆动幅度为±1cm，所述入射光在三个摆动位置分别产生三条第一反射光，所述三条第一反射光经过反射片2的反射后产生三条第二反射光，此时为了避免摆动干扰显色板上的光斑的观察，在所述第三实施例中，还加入了凸透镜4，所述凸透镜4设置于所述三条第二反射光的光路上，用于对所述三条第二反射光进行聚焦，同时所述显色板3设于所述凸透镜4的焦点上，从而使得所述显色板3上的光斑仍为一个，保证所述光斑依然能够被有效的观察。
优选地，所述第二反射光垂直到照射到所述显色板3上，所述入射光源1发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
请参阅图7，本发明提供一种蚀刻终点监控方法，包括：
步骤S1、提供一蚀刻终点监控装置，包括入射光源1、反射镜2及显色板3；
步骤S2、提供一待蚀刻的基板，并对所述待蚀刻的基板进行蚀刻，同时所述入射光源1向待蚀刻的基板发射入射光；
步骤S3、将所述反射镜2设置于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，以反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板3上；
步骤S4、所述显色板3显示由所述第二反射光产生的光斑，并根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
具体地，如图1至图2所示，在本发明的第一实施例中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板11及位于所述衬底基板11上的第一金属层12。
优选地，所述衬底基板11为玻璃基板，所述第一金属层12材料可以选择元素周期表中第三周期至第七周期的各种金属。
具体地，为了使得所述显色板3上的光斑能够随着基板在不同的蚀刻阶段产生强弱变化，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光需要满足以下条件，当所述入射光照射到第一金属层12上时，能够产生明显的反射光，当所述入射光照射到衬底基板11上时大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，仅产生微弱的反射光甚至不产生反射光，详细来说，即所述入射光照射到第一金属层12时，65％以上的入射光被所述第一金属层12所反射；所述入射光照射到衬底基板11时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板11。
从而如图1所示，在蚀刻开始时，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光，所述入射光照射到第一金属层12上，产生明显的第一反射光，所述第一反射光经过反射板2的反射后产生第二反射光，所述第二反射光照射到显色板3，所述显色板3上产生明显的光斑，随着蚀刻的进行，如图2所示，当所述第一金属层12被完全蚀刻掉之后，所述入射光照射到衬底基板11上，大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，几乎已经不存在第一反射光及第二反射光，显色板3是明显的光斑也明显变弱甚至已经消失，所述显色板3上的光斑变弱甚至消失的瞬间即为所述第一金属层12的蚀刻终点，也即蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层12的蚀刻终点。
具体地，如图3至图5所示，在本发明的第二实施例中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板11、位于所述衬底基板11上的第一金属层12及位于所述第一金属层12上的第二金属层13。
优选地，所述衬底基板11为玻璃基板，所述第一金属层12和第二金属层13的材料可以选择元素周期表中第三周期至第七周期的各种金属。
具体地，为了使得所述显色板3上的光斑能够随着基板在不同的蚀刻阶段产生强弱变化，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光需要满足以下条件，当所述入射光照射到第一金属层12上时，能够产生明显的反射光，当所述入射光照射到衬底基板11上时大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，仅产生微弱的反射光甚至不产生反射光，当所述入射光照射到第二金属层13上时，所述入射光大部分被所述第二金属层13所吸收，几乎不产生反射光，详细来说，述入射光源1发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层13时，65％以上的入射光被所述第二金属层13所吸收；所述入射光照射到第一金属层12时，65％以上的入射光被所述第一金属层12所反射；所述入射光照射到衬底基板11时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板11。
具体地，可通过设置所述入射光的谱线范围与第一金属层12的反色光谱线存在交集属于第一金属层12的反色光谱线的子集，同时入射光的谱线范围与第二金属膜13的反色光谱线不存在交集，来实现所述入射光被所述第二金属层13吸收和被第一金属层12反射的特性。
从而如图3所示，在蚀刻开始时，所述入射光源1向所述待蚀刻的基板发射的入射光，所述入射光照射到第二金属层13上，大部分光线被吸收，几乎不产生反射光，所述显色板3不存在明显的光斑甚至没有光斑，随着蚀刻的进行，如图4所示，所述第二金属层13被完全蚀刻掉，所述入射光照射到第一金属层12上，产生明显的第一反射光，所述第一反射光经过反射板2的反射后产生第二反射光，所述第二反射光照射到显色板3，所述显色板3上产生明显的光斑，所述显色板3产生明显的光斑的瞬间即为所述第二金属层13的蚀刻终点，进一步地，如图5所示，当所述第一金属层12被完全蚀刻掉之后，所述入射光照射到衬底基板11上，大部分光线经过折射穿过所述衬底基板11，几乎已经不存在第一反射光及第二反射光，显色板3是明显的光斑也明显变弱甚至已经消失，所述显色板3上的光斑变弱甚至消失的瞬间即为所述第一金属层12的蚀刻终点，也即蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层13的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层12的蚀刻终点。
具体地，在本发明第一实施例和第二实施例中，所述待蚀刻的基板水平放置，所述入射光从所述待蚀刻的基板的上方照射到所述待蚀刻的基板上，待蚀刻的基板的位置不会移动，入射光照射到待蚀刻的基板也相对固定，产生的反射光的光路也相对固定，但在烧杯测试时，待蚀刻的基板被夹持着竖直地放入烧杯中进行测试，此时待蚀刻的基板可能会存在摆动，入射光照射到所述待蚀刻的基板上时，可能会产生多个反射点，并产生多条反射光，例如本发明的第三实施例。
如图6所示，在本发明的第三实施例中，所述待蚀刻的基板被夹持着竖直地放入烧杯中进行测试，所述待蚀刻的基板存在摆动，摆动幅度为±1cm，所述入射光在三个摆动位置分别产生三条第一反射光，所述三条第一反射光经过反射片2的反射后产生三条第二反射光，此时为了避免摆动干扰显色板上的光斑的观察，在所述第三实施例中，还加入了凸透镜4，所述凸透镜4设置于所述三条第二反射光的光路上，用于对所述三条第二反射光进行聚焦，同时所述显色板3设于所述凸透镜4的焦点上，从而使得所述显色板3上的光斑仍为一个，保证所述光斑依然能够被有效的观察。
优选地，所述第二反射光垂直到照射到所述显色板3上，所述入射光源1发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
综上所述，本发明提供一种蚀刻终点监控装置，包括：入射光源、反射镜及显色板；所述入射光源用于向待蚀刻的基板发射入射光；所述反射镜位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；所述显色板位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，利用待蚀刻的基板上不同膜层对所述入射光的反射特性的不同，使得显示板的光斑在不同的蚀刻阶段具有不同的强弱状态，从而能够根据所述光斑的强弱变化，快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。本发明还提供一种蚀刻终点监控方法，能够快捷有效的监控蚀刻终点，促进蚀刻工艺的开发及蚀刻精度的提升。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种蚀刻终点监控装置，其特征在于，包括：入射光源(1)、反射镜(2)及显色板(3)；
所述入射光源(1)用于向待蚀刻的基板发射入射光；
所述反射镜(2)位于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，用于反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板上；
所述显色板(3)位于所述第二反射光的光路上，用于显示由所述第二反射光产生的光斑，以根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
2.如权利要求1所述的蚀刻终点监控装置，其特征在于，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板(11)及位于所述衬底基板(11)上的第一金属层(12)；
所述入射光源(1)发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第一金属层(12)时，65％以上的入射光被所述第一金属层(12)所反射；所述入射光照射到衬底基板(11)时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板(11)；
蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层(12)的蚀刻终点。
3.如权利要求1所述的蚀刻终点监控装置，其特征在于，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板(11)、位于所述衬底基板(11)上的第一金属层(12)及位于所述第一金属层(12)上的第二金属层(13)；
所述入射光源(1)发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层(13)时，65％以上的入射光被所述第二金属层(13)所吸收；所述入射光照射到第一金属层(12)时，65％以上的入射光被所述第一金属层(12)所反射；所述入射光照射到衬底基板(11)时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板(11)；
蚀刻时，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层(13)的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层(12)的蚀刻终点。
4.如权利要求1所述的蚀刻终点监控装置，其特征在于，还包括：位于所述第二反射光的光路上的凸透镜(4)，所述凸透镜(4)用于将所述第二反射光进行聚焦，所述显色板(3)位于所述凸透镜(4)的焦点处。
5.如权利要求1所述的蚀刻终点监控装置，其特征在于，所述入射光源(1)发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
6.一种蚀刻终点监控方法，其特征在于，包括：
步骤S1、提供一蚀刻终点监控装置，包括入射光源(1)、反射镜(2)及显色板(3)；
步骤S2、提供一待蚀刻的基板，并对所述待蚀刻的基板进行蚀刻，同时所述入射光源(1)向待蚀刻的基板发射入射光；
步骤S3、将所述反射镜(2)设置于由所述待蚀刻的基板反射所述入射光产生的第一反射光的光路上，以反射所述第一反射光，产生第二反射光照射至显色板(3)上；
步骤S4、所述显色板(3)显示由所述第二反射光产生的光斑，并根据所述光斑的强弱变化，监控所述待蚀刻的基板的蚀刻终点。
7.如权利要求6所述的蚀刻终点监控方法，其特征在于，所述步骤S2中，待蚀刻的基板包括：衬底基板(11)及位于所述衬底基板(11)上的第一金属层(12)；
所述入射光源(1)发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第一金属层(12)时，65％以上的入射光被所述第一金属层(12)所反射；所述入射光照射到衬底基板(11)时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板(11)；
所述步骤S4中，所述光斑在所述显色板(3)上先强后弱，所述光斑从强变至弱的时刻，为所述第一金属层(12)的蚀刻终点。
8.如权利要求6所述的蚀刻终点监控方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述待蚀刻的基板包括：衬底基板(11)、位于所述衬底基板(11)上的第一金属层(12)、及位于所述第一金属层(12)上的第二金属层(13)；
所述入射光源(1)发出的入射光具有如下特性：所述入射光照射到第二金属层(13)时，65％以上的入射光被所述第二金属层(13)所吸收；所述入射光照射到第一金属层(12)时，65％以上的入射光被所述第一金属层(12)所反射；所述入射光照射到衬底基板(11)时，65％以上的入射光经折射穿过所述衬底基板(11)；
所述步骤S4中，所述光斑在所述显色板上先弱后强接着又弱，所述光斑从弱变至强的蚀刻，为第二金属层(13)的蚀刻终点，所述光斑从强又变至弱的时刻，为第一金属层(12)的蚀刻终点。
9.如权利要求6所述的蚀刻终点监控方法，其特征在于，所述步骤S1中提供的蚀刻终点监控装置还包括：凸透镜(4)；
所述步骤S3中的第二反射光在照射到所述显色板(3)上之前还需要经过所述凸透镜(4)的聚焦；
所述步骤S4中，所述显色板(3)位于所述凸透镜(4)的焦点处，以显示由聚焦后的第二反射光产生的光斑。
10.如权利要求6所述的蚀刻终点监控方法，其特征在于，所述入射光源(1)发射的入射光为单色激光或经过选择性滤光技术处理后的光线。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111098036A (zh) * 2019-12-31 2020-05-05 北京赛腾标识系统股份公司 一种赋码方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0990330A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Advanced Display:Kk 液晶表示装置の製法
CN102856230A (zh) * 2012-10-09 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板接触孔蚀刻制程监控方法
CN105575846A (zh) * 2016-03-15 2016-05-11 武汉华星光电技术有限公司 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置
CN107993946A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 宽带光谱光学测量装置及等离子体处理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100592212C (zh) * 2007-03-06 2010-02-24 中国科学技术大学 光栅离子束刻蚀的光学在线检测装置及检测方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0990330A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Advanced Display:Kk 液晶表示装置の製法
CN102856230A (zh) * 2012-10-09 2013-01-02 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板接触孔蚀刻制程监控方法
CN105575846A (zh) * 2016-03-15 2016-05-11 武汉华星光电技术有限公司 一种金属湿式蚀刻终点的监控方法及其装置
CN107993946A (zh) * 2016-10-27 2018-05-04 中微半导体设备(上海)有限公司 宽带光谱光学测量装置及等离子体处理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111098036A (zh) * 2019-12-31 2020-05-05 北京赛腾标识系统股份公司 一种赋码方法及系统

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