CN109634005A - 阵列基板制作过程中的修补方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板制作过程中的修补方法。该方法包括如下步骤：在基板上形成导电图案；对所述导电图案进行光学检测和电性检测；利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复，通过光学检测结果与电性检测结果结合确定缺陷点的位置，能够提升缺陷点查找的准确率和成功率，改善缺陷点的修补成功率。

Description

阵列基板制作过程中的修补方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板制作过程中的修补方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜基板(CF，Color Filter)、薄膜晶体管基板(TFT，ThinFilm Transistor)、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
其中，阵列制程是液晶显示面板制作的关键制程，其包括形成各个信号线的制程，在各个信号线的制程过程中可能因各种原因而出现线缺陷(信号线短路或断路)，现有阵列制程的电性检查中，部分线缺陷无法准确的通过电性检测定位，操作员无法进行缺陷修补导致产品报废，与此同时，在现有阵列制程中还设有光学检查，光学检查与电性检查相互独立，主要通过拍摄基板上多个区域的图像，来判断制程是否存在缺陷，但光学检查主要通过拍摄的图像来进行缺陷判断，无法准确知晓该缺陷是否会影响产品品质而需要修复的缺陷，因此容易出现错杀，并且光学检查时仅会拍摄基板上部分区域的图像，此时，未拍摄到区域中缺陷点就无法被检出，因此还会出现漏杀。
发明内容
本发明的目的在于提供阵列基板制作过程中的修补方法，能够提升缺陷点查找的准确率和成功率，改善缺陷点的修补成功率。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板制作过程中的修补方法，包括如下步骤：
在基板上形成导电图案；
对所述导电图案进行光学检测和电性检测；
利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复。
所述的阵列基板制作过程中的修补方法具体包括如下步骤：
在所述基板上形成第一金属层，并在形成所述第一金属层的过程中进行第一次光学检测和第一次电性检测，根据第一次光学检测结果和第一次电性检测结果确定第一金属层上的缺陷点的位置，并对第一金属层进行修复；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二金属层，在形成所述第二金属层的过程中进行第二次光学检测、第三次光学检测及第二次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第二次电性检测结果确定第二金属层上的缺陷点的位置，并对第二金属层进行第一次修复；
在所述第二金属层上形成钝化层；
在所述钝化层形成所述透明导电层，所述第一金属层、第二金属层及透明导电层共同构成所述导电图案；
进行第三次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第三次电性检测结果再次确定第二金属层上的缺陷点的位置，并对第二金属层进行第二次修复。
所述在所述基板上形成第一金属层的步骤具体包括：在所述基板上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第一金属层；
所述第一次光学检测在对所述第一金属薄膜进行显影和对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行；
所述第一次电性检测在对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成第一绝缘层的步骤之间进行。
所述在所述第一绝缘层上形成第二金属层的步骤具体包括：在所述第一绝缘层上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第二金属层；
所述第二次光学检测在对所述第二金属薄膜进行显影和对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行；
所述第三次光学检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层的步骤之间进行；
所述第二次电性检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层的步骤之间进行。
所述光学检测具体为：通过相机拍摄导电图案上多个区域的图像；
所述电性检测具体为：向所述导电图案输入电信号，获取所述电信号在所述导电图案中的传输状态。
所述利用所述光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案上的缺陷点的位置具体为：
根据所述电信号在所述导电图案中的传输状态判断得到导电图案出现传输不良的区域；
根据光学检测拍摄到的该传输不良的区域的图像获取该传输不良的区域中缺陷点的具体位置。
所述缺陷点具体为所述导电图案中出现短路的点。
所述缺陷点具体为所述导电图案中出现断路的点。
所述在所述第一绝缘层上形成第二金属层的步骤和在所述第一绝缘层上形成第二金属层的步骤之间还包括在所述第二金属层和钝化层之间形成色阻层的步骤。
本发明的有益效果：本发明提供一种阵列基板制作过程中的修补方法，包括如下步骤：在基板上形成导电图案；对所述导电图案进行光学检测和电性检测；利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复，通过光学检测结果与电性检测结果结合确定缺陷点的位置，能够提升缺陷点查找的准确率和成功率，改善缺陷点的修补成功率。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为本发明阵列基板制作过程中的修补方法中的阵列基板的结构图；
图2为本发明的阵列基板制作过程中的修补方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1至图2，本发明提供一种阵列基板制作过程中的修补方法，包括如下步骤：
在基板10上形成导电图案20；
对所述导电图案20进行光学检测和电性检测；
利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案20上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复。
进一步地，在本发明的优选实施例中，阵列基板制作过程中的修补方法具体包括：
在所述基板10上形成第一金属层21，并在形成所述第一金属层21的过程中进行第一次光学检测和第一次电性检测，根据第一次光学检测结果和第一次电性检测结果确定第一金属层21上的缺陷点的位置，并对第一金属层21进行修复；
在所述第一金属层21上形成第一绝缘层22；
在所述第一绝缘层22上形成第二金属层23，在形成所述第二金属层23的过程中进行第二次光学检测、第三次光学检测及第二次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第二次电性检测结果确定第二金属层23上的缺陷点的位置，并对第二金属层23进行第一次修复；
在所述第二金属层22上形成钝化层24；
在所述钝化层24形成所述透明导电层25，所述第一金属层21、第二金属层23及透明导电层25共同构成所述导电图案20；
进行第三次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第三次电性检测结果再次确定第二金属层23上的缺陷点的位置，并对第二金属层23进行第二次修复。
其中，所述第一金属层21包括栅极、与所述栅极电性连接的栅极线，所述第二金属层23包括源极、漏极及与源极电性连接的源极线，所述透明导电层25包括像素电极，所述像素电极通过穿越所述钝化层24的过孔与所述漏极电性连接。
进一步地，当所述阵列基板为彩膜阵列集成(Color filter on array，COA)基板时，所述步骤S13和步骤S14之间还包括在所述第二金属层23和钝化层24之间形成色阻层26的步骤，所述色阻层26包括多个不同颜色的色阻块。
具体地，在上述实施例中，在所述基板10上形成第一金属层21的步骤具体包括：在所述基板10上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第一金属层21；
其中，所述第一次光学检测在对所述第一金属薄膜进行显影和对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行，第一次电性检测在对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成第一绝缘层22的步骤之间进行。
具体地，在上述实施例中，具体包括：在所述第一绝缘层22上形成第二金属层23的步骤具体包括在所述第一绝缘层22上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第二金属层23；
其中，所述第二次光学检测在对所述第二金属薄膜进行显影和对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行；所述第三次光学检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层24的步骤之间进行，所述第二次电性检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层24的步骤之间进行。
需要说明的是，所述光学检测具体为：通过相机拍摄导电图案20上多个区域的图像；
所述电性检测具体为：向所述导电图案20输入电信号，获取所述电信号在所述导电图案20中的传输状态。
进一步地，在上述实施例中，所述第一次光学检测即为拍摄所述第一金属薄膜在显影后蚀刻前的多个区域的图像，第一电性检测即为向第一金属层上各个第一金属层(栅极线)施加电信号，获取所述电信号在第一金属层(栅极线)中的传输状态，第二次光学检测即为拍摄所述第二金属薄膜在显影后蚀刻前的多个区域的图像，第三次光学检测即为拍摄所述第二金属层的多个区域的图像，第二次电性检测即为向第二金属层(源极线)上施加电信号，获取所述电信号在第二金属层(源极线)中的传输状态，所述第三次电性检测即为向所述第一金属层和第二金属层同时施加电信号，获取所述电信号在第一金属层(栅极线)和第二金属层(源极线)中的传输状态。
进一步地，所述利用所述光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案20上的缺陷点的位置具体为：
根据所述电信号在所述导电图案20中的传输状态判断得到导电图案20出现传输不良的区域；
根据光学检测拍摄到的该传输不良的区域的图像获取该传输不良的区域中缺陷点的具体位置。
具体地，所述缺陷点具体为所述导电图案20中出现短路或断路的点。
举例来说，当电信号在一条栅极线或源极线中传输状态呈现断路或短路状态时，则通过光学检测拍摄到的该栅极线或源极线所在的区域的图像，确定该栅极线或源极线中出现断路或短路的具体位置，以进行修复。
本发明通过光学检测结果与电性检测结果结合确定缺陷点的位置，相比于进行单一的光学检测，本发明通过电性检测排除了在单一光学检测时，由于光学检测误差导致的错判和漏判缺陷点及错修复和漏修复的问题，相比于单一的电性检测，本发明能够通过光学检测准确定位缺陷点的位置，从而提升缺陷点查找的效率和准确率，改善缺陷点的修补成功率。
综上所述，本发明提供一种阵列基板制作过程中的修补方法，包括如下步骤：在基板上形成导电图案；对所述导电图案进行光学检测和电性检测；利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复，通过光学检测结果与电性检测结果结合确定缺陷点的位置，能够提升缺陷点查找的准确率和成功率，改善缺陷点的修补成功率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板(10)上形成导电图案(20)；
对所述导电图案(20)进行光学检测和电性检测；
利用光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案(20)上的缺陷点的位置，并对所述缺陷点进行修复。
2.如权利要求1所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
在所述基板(10)上形成第一金属层(21)，并在形成所述第一金属层(21)的过程中进行第一次光学检测和第一次电性检测，根据第一次光学检测结果和第一次电性检测结果确定第一金属层(21)上的缺陷点的位置，并对第一金属层(21)进行修复；
在所述第一金属层(21)上形成第一绝缘层(22)；
在所述第一绝缘层(22)上形成第二金属层(23)，在形成所述第二金属层(23)的过程中进行第二次光学检测、第三次光学检测及第二次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第二次电性检测结果确定第二金属层(23)上的缺陷点的位置，并对第二金属层(23)进行第一次修复；
在所述第二金属层(22)上形成钝化层(24)；
在所述钝化层(24)形成所述透明导电层(25)，所述第一金属层(21)、第二金属层(23)及透明导电层(25)共同构成所述导电图案(20)；
进行第三次电性检测，根据第二次光学检测结果、第三次光学检测结果及第三次电性检测结果再次确定第二金属层(23)上的缺陷点的位置，并对第二金属层(23)进行第二次修复。
3.如权利要求2所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述在所述基板(10)上形成第一金属层(21)的步骤具体包括：在所述基板(10)上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第一金属层(21)；
所述第一次光学检测在对所述第一金属薄膜进行显影和对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行；
所述第一次电性检测在对所述第一金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成第一绝缘层(22)的步骤之间进行。
4.如权利要求2所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层(22)上形成第二金属层(23)的步骤具体包括：在所述第一绝缘层(22)上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜依次进行曝光、显影及蚀刻，得到所述第二金属层(23)；
所述第二次光学检测在对所述第二金属薄膜进行显影和对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤之间进行；
所述第三次光学检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层(24)的步骤之间进行；
所述第二次电性检测在对所述第二金属薄膜进行蚀刻的步骤以及形成钝化层(24)的步骤之间进行。
5.如权利要求1所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述光学检测具体为：通过相机拍摄导电图案(20)上多个区域的图像；
所述电性检测具体为：向所述导电图案(20)输入电信号，获取所述电信号在所述导电图案(20)中的传输状态。
6.如权利要求5所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述利用所述光学检测结果与电性检测结果的结合，确定所述导电图案(20)上的缺陷点的位置具体为：
根据所述电信号在所述导电图案(20)中的传输状态判断得到导电图案(20)出现传输不良的区域；
根据光学检测拍摄到的该传输不良的区域的图像获取该传输不良的区域中缺陷点的具体位置。
7.如权利要求1所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述缺陷点具体为所述导电图案(20)中出现短路的点。
8.如权利要求1所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述缺陷点具体为所述导电图案(20)中出现断路的点。
9.如权利要求2所述的阵列基板制作过程中的修补方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层(22)上形成第二金属层(23)的步骤和在所述第一绝缘层(22)上形成第二金属层(23)的步骤之间还包括在所述第二金属层(23)和钝化层(24)之间形成色阻层(26)的步骤。
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