CN109643606A - 电感元件和制造电感元件的方法 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及使用微制造技术和分立元件放置的组合来制造电感元件，特别是变压器。通过使用预制芯，芯可以制造得比使用微制造技术沉积的芯厚得多。因此，稍后发生饱和并且改变变压器的效率。这通过使用微制造技术沉积多层来以比生产更厚的芯的成本低得多的成本完成。
Description
相关申请的交叉引用
本申请是要求2016年8月26日提交的题为“制造电感元件和电感元件的方法”的美国专利申请序列号15/248,775的继续申请，该文献的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及电感元件和制造电感元件的方法特别地，本公开涉及使用微制造技术和使用离散的芯来制造变压器。
背景技术
电感元件包括电感器和变压器。变压器用于电子电路中有两个主要目的。首先，它们用于将数据从电路的一部分传输到另一部分。其次，它们习惯于转移功率。使用变压器的一个优点是变压器在电路的不同部分之间提供电流隔离。变压器通常包括可以充当输入的第一绕组和可以充当输出的第二绕组。第一绕组中的信号产生磁场，该磁场又在变压器磁芯中产生磁通量。这又产生磁场，该磁场在次级绕组中感应出电流。根据应用，变压器具有不同类型的核心。例如，隔离变压器可以具有空气芯。或者，为了增加可在电路的两个部分之间传递的功率，可以使用磁芯。
电子电路中越来越小的元件的推动导致了使用微制造技术的集成变压器的发展。这使变压器能够作为硅晶片上的集成电路生产。在集成的变压器中，绕组沉积在硅晶片上，并使用聚酰胺彼此隔离。这种变压器为高达400伏的电压提供电流隔离，并且有利于数据传输。
除数据传输外，还需要使用变压器进行功率传输。然而，典型的集成变压器仅实现约25-30％的效率。因此，还生产了集成的变压器，其中磁芯也沉积在硅晶片上。这种变压器可以达到高达50％的效率。
由于沉积的芯具有相对低的体积，它们倾向于相当早地饱和，并且对于给定区域的绕组可以处理的最大功率相对较低。不愿意增加沉积的芯的体积，因为以这种方式沉积材料在时间和成本上非常昂贵。因此，需要具有改进的最大额定功率的集成变压器，其可以在短时间内产生，并且成本很低。
发明内容
所描述的技术的方法和设备各自具有若干方面，其中没有一个方面单独负责其期望的属性。
本公开涉及使用微制造技术和分立元件放置的组合来制造电感元件，特别是变压器。通过使用预制芯，芯可以制造得比使用微制造技术沉积的芯厚得多。因此，稍后发生饱和并且改变变压器的效率。这可以通过使用微制造技术沉积多层来以比生产更厚的芯的成本低得多的成本来完成。
在第一方面，本发明提供一种制造电感元件的方法，包括：提供基板；使用微制造技术在所述基板上形成一个或多个绕组的至少一部分以形成绕组结构；将离散的铁磁芯的至少一部分放置在一个或多个绕组的至少一部分的第一侧上或附近，其中离散的铁磁芯的第一部分是预制造的。
在第二方面，本发明提供一种制造电感元件的方法，其中使用微制造技术提供绕组结构，并且离散的芯定位在绕组结构上或周围。
在第三方面，本发明提供一种电感元件，包括：一个或多个绕组，其至少一部分使用微制造技术形成；离散的铁磁芯，定位在一个或多个绕组上或周围。
在第四方面，提供了一种电感元件，包括：第一绝缘层；在所述第一绝缘层上从而限定第一开口的第一微制造线圈；在所述第一绝缘层上从而限定第二开口的第二微制造线圈；和离散的多部分铁磁芯，至少部分地设置在所述第一和第二开口中。
在第五方面，提供了一种变压器，包括：多片离散的铁磁芯；在第一支撑层上的第一微制造绕组；和耦合但与所述第一微制造绕组电绝缘的第二微制造绕组。第一和第二微制造绕组围绕所述多片离散的铁磁芯。
在第六方面，提供了一种制造电感元件的方法，包括：在基板上微制造第一绕组；在所述基板上微制造第二绕组；将所述基板放置在离散的多部分铁磁芯的第一部分内；和将所述离散的多部分铁磁芯的第二部分耦合到所述第一部分，使得所述第一和第二绕组至少部分地位于所述离散的多部分铁磁芯的第一部分和第二部分之间。
在所附权利要求中限定了本公开的其他特征。
附图说明
仅通过非限制性示例，现在将参考附图描述本公开，其中：
图1是根据本发明实施例的变压器的透视图；
图2是图1所示的变压器的端视图；
图3A至3J示出了制造图1所示的变压器的过程；
图4是根据本发明实施例的变压器的端视图；
图5是根据本发明实施例的变压器的透视图；
图6是图5所示变压器的端视图；
图7是根据本发明实施例的变压器的透视图；
图8是图7中所示的变压器的端视图；
图9A至9I示出了制造图7中所示的变压器的过程；
图10是根据本发明实施例的变压器的端视图；
图11是表示图4所示的变压器的电感的图表。
具体实施方式
在下文中参考附图更全面地描述了新颖系统、装置和方法的各个方面。然而，本公开的各方面可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限于贯穿本公开内容给出的任何特定结构或功能。相反，提供这些方面是为了使本公开彻底和完整，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。基于本文的教导，本领域技术人员应当理解，本公开的范围旨在覆盖本文公开的新颖系统、装置和方法的任何方面，无论是独立实现还是与任何其他方面组合。例如，可以使用本文阐述的任何数量的方面来实现装置或者可以实践方法。另外，该范围旨在涵盖除了本文阐述的各个方面之外或者除了本文阐述的各个方面之外使用其他结构、功能或结构和功能来实践的这种装置或方法。应该理解的是，本文公开的任何方面可以通过权利要求的一个或多个要素来体现。
尽管本文描述了特定方面，但是这些方面的许多变化和置换落入本公开的范围内。尽管提到了优选方面的一些益处和优点，但是本公开的范围不旨在限于特定的益处、用途或目的。相反，本公开的各方面旨在广泛地适用于各种系统。详细描述和附图仅是对本公开的说明而不是限制，本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。
本发明提供一种变压器，其中通过将它们沉积在硅基板上来制造绕组，并且其中在使用拾取和放置制造技术将芯放置在绕组中或周围之前预制芯。与使用诸如沉积的微制造技术形成芯相比，这具有各种优点。例如，与使用沉积形成多个层来构建核心相比，提供更厚的核心更容易且更便宜。较厚的芯比较薄的芯饱和，因此可在较高的功率下操作。
图1是根据本公开的实施例的变压器100的透视图。图2示出了变压器100的端视图。变压器包括初级绕组102和次级绕组104。两个绕组由金属轨道组成，通常使用脉冲等离子体沉积在几个绝缘层上形成。金属通常是铝，绝缘体通常形成在硅基板上。在图1和2中，为清楚起见，省略了基板和绝缘层。每个绕组的金属轨道形成六匝细长矩形螺旋。绕组102、104布置在平行平面中，由一层绝缘材料隔开。绕组也在垂直方向上对齐。初级绕组102在图1和2中位于最上面，次级绕组104位于最下面。这样，在图1中，可以看到初级绕组102的大部分上表面。相反，可以看到非常少的次级绕组104。绕组还形成开口(其被磁芯遮挡，下面将更详细地描述)。每个绕组都配有电路连接。初级绕组102耦合到初级电路连接108和110。次级绕组104耦合到次级电路连接112和114。
初级和次级绕组102、104可以具有2mm至3mm之间的长度，例如2.6mm。绕组的宽度可以在0.5mm和1.5mm之间，例如1mm。绕组中的开口可以具有1mm至2mm之间的长度，例如1.4mm。开口的宽度可以在0.2mm和0.5mm之间，例如0.3mm。形成绕组的导电轨道可以具有大约8μm的宽度，并且初级和次级绕组之间的间隔可以是8μm。
变压器100还包括磁芯116。磁芯116预制成两部分。芯116包括上部118和下部120。上部包括上长方体部分122和三个突出部分。特别地，上部118包括端部突起124和126，以及中间突起128。突起是细长的并且延伸上部长方体部分122的整个长度。下部120包括下部长方体部分130。下部长方体122、130具有相同的尺寸和形状。上立方体部分122位于绕组上方。下立方体部分130位于绕组下方。
每个长方体部分具有大约100微米的厚度，并且其长度近似等于初级和次级绕组102、104中间的开口的长度。每个长方体部分122、130足够宽以延伸超过绕组边缘约20μm。突起124、126、128具有大约10μm的深度，当长方体位于绕组102、104周围的位置时，该深度足以从上长方体区段122到达下长方体区段130。上部118类似于'E'形状，而下部120类似于'I'。因此，这种布置被称为E-I核心。下面提供制造过程的进一步细节。在图1和2中，为清楚起见，省略了基板和任何绝缘层。
现在将结合图3A至3J描述制造隔离变压器100的方法。图3A至3H示出了通过微制造技术形成缠绕部分，例如沉积，掩模(例如光刻)和蚀刻。该过程开始于提供硅基板132，如图3A所示。硅基板132可以是用于制造半导体的硅晶片，并且可以具有大约200μm的厚度。然后在硅的上表面上沉积一层绝缘材料134A，如图3B所示。然后使用脉冲等离子体沉积(IPD)在绝缘层134A的顶表面上沉积次级绕组104，如图3C所示。图3D示出了另外的绝缘层134B的提供。然后对初级绕组102重复该过程，如图3E和3F所示。这样，图3F中所示的布置包括上绝缘层134C，其形成结构的上表面。
为了使结构接受磁芯116，可以在绝缘层134A至134C中形成孔。这是使用聚酰胺和标准曝光、显影和固化技术完成的，以便形成图3G中所示的开口136A、136B和136C。此外，由于最终结构不需要硅基板132，因此使用背面研磨去除硅基板。或者，可以在硅基板132和绝缘层134A之间提供牺牲层。使用化学蚀刻去除牺牲层以分离硅基板。图3H示出了去除了基板132的变压器100。该结构得到以下事实的支持：在变压器100的任一端，没有开口。
如上所述，磁芯116的各种部件是预制的。芯116可以预制并层压或以其他方式粘附到限定绕组的部分，其中至少部分可以如上所述用微制造技术形成。图3H所示的结构放置在磁芯116的下部120上，如图3I所示。这可以使用拾取和放置机器来完成。或者，可以使用拾取和放置机器将磁芯116的下部120放置在图3H所示的结构下方。然后将具有上述突起的磁芯116的上部118放置在结构的顶部，如图3J所示。图3J中所示的布置是完成的变压器100。
图4是磁芯的替代布置的端视图。磁芯200基本上采用与磁芯116相同的形式。具体地，磁芯200包括上部202和下部204。上部202包括上部长方体部分206和三个突出部分。特别地，上部202包括端部突起208和210，以及中间突起212。突起是细长的并且延伸上部长方体部分206的整个长度。下部204包括下部长方体部分214。下长方体部分206、214具有相同的尺寸和形状。上立方体部分206位于绕组上方。下立方体部分214位于绕组下方。
在图5所示的布置中，中间突起212比末端突起208和210短。这样，在中间突起212的下表面和磁芯200的下部204之间形成气隙216。下面将更详细地描述改变该气隙216的尺寸对变压器性能的影响。磁芯200以与磁芯116相同的方式制造。
图5示出了根据本发明的变压器300的另一实施例。图6是隔离变压器300的端视图。变压器300包括初级绕组302和次级绕组304。在该实施例中，每个绕组形成为8的数字。这样，在绕组之间提供两个开口。初级绕组302包括连接器306和308。第二绕组304包括连接器310和312。变压器300包括磁芯314。磁芯314类似于磁芯116。特别地，磁芯314包括上部316和下部318。上部314包括上部长方体部分320。然而，与磁芯116相比，芯316仅包括两个突起。特别地，上部316包括端部突起322和324。突起是细长的并且延伸上部长方体部分320的整个长度。下部316包括下部长方体部分326。上部和下部长方体部分320、326是相同的大小和形状。上立方体部分320位于绕组上方。下立方体部分326位于绕组下方。
与磁芯116相反，上部316和下部318的宽度近似等于每个开口的外边缘之间的距离。因此，芯不完全围绕八个绕组的图形的外边缘延伸，而是仅延伸到开口自身的宽度。变压器300以与隔离变压器100相同的方式制造。
图7是根据本公开另一实施例的隔离变压器400的透视图。图8是变压器400的端视图。变压器400类似于隔离变压器100。具体地，变压器400包括初级绕组402和次级绕组404。如图1和2所示，在图7和8中，为清楚起见，省略了基板和绝缘层。每个绕组的金属轨道形成六匝细长矩形螺旋。绕组402、404布置在平行平面中，由一层绝缘材料隔开。绕组也在垂直方向上对齐。初级绕组402在图7和8中位于最上面，次级绕组404位于最下面。绕组还形成开口(其被磁芯遮挡，下面将更详细地描述)。每个绕组都配有电路连接。初级绕组402耦合到初级电路连接408和410。次级绕组404耦合到次级电路连接412和414。
绕组402、404的尺寸可以与上面结合绕组102、104所述的尺寸相同。
变压器400还包括磁芯416。磁芯416预制成两部分。芯416包括上部418和下部420。上部包括上长方体部分422和三个突出部分。特别地，上部418包括端部突起424和426以及中间突起428。突起是细长的并且延伸上部长方体部分422的整个长度。下部420包括下部长方体部分430。下部长方体422、430具有相同的尺寸和形状。上立方体部分422位于绕组上方。下立方体部分430位于绕组下方。
磁芯416与磁芯116的不同之处在于，在磁芯的下部420和绕组结构的下表面之间形成间隙。这个差距是为了容纳硅基板。突起424、426、428各自的深度约为200μm，提供足以容纳硅基板的间隙。硅基板未在图7或8中示出。
现在将结合图9A至9J描述制造隔离变压器400的方法。图9A至9G示出了通过微加工技术形成缠绕部分，例如沉积、掩模和蚀刻。该过程从提供硅基板432开始，如图9A所示。硅基板432可以是用于制造半导体的硅晶片，并且可以具有大约200μm的厚度。然后在硅432的上表面上沉积一层绝缘材料434A，如图9B所示。然后使用脉冲等离子体沉积(IPD)在绝缘层434A的顶表面上沉积次级绕组404，如图9C所示。图9D示出了另外的绝缘层434B的设置。然后对初级绕组402重复该过程，如图9E和9F所示。这样，图9F中所示的布置包括上绝缘层434C，其形成结构的上表面。
为了使结构接受磁芯416，可以在绝缘层134A至134C和基板432中形成孔。这是使用聚酰胺和标准曝光、显影和固化技术以形成开口436A、436B和436C来完成的，如图9G所示。
如上所述，磁芯416的各种部件是预制的。芯416可以预制并层压或以其他方式粘附到限定绕组的部分，其可以如上所述利用微制造技术形成。图9G所示的结构放置在磁芯416的下部420上，如图9H所示。这可以使用拾取和放置机器来完成。或者，可以使用拾取和放置机器将磁芯416的下部420放置在图9G所示的结构下方。然后将具有上述突起的磁芯416的上部418放置在结构的顶部，如图9I所示。图9I中所示的布置是完成的变压器400。
图10示出了图7和8中所示的磁芯的替代布置。在该示例中，在基板(未示出)的下侧提供一层铁磁材料438。这样，在制造期间，仅将沉积的绕组布置和磁芯的上部放置在基板上。这进一步简化了制造过程。
图11是示出图4中所示的电感和气隙216之间的关系的图表。可以看出，间隙越大，电感越低。但是，如果间隙较小，则核心会更早地饱和。这样，根据应用，可以选择适当的气隙以实现电感和饱和度的适当平衡。
在上述厚芯实施例中，芯是使用各向同性材料预制的。芯可以由诸如钴-锆-钽-硼(CoZrTaB)的铁磁材料制成。使用CoZrTaB的好处是具有低矫顽力、高电阻率和诱导的各向异性场。通过构建CoZrTaB层来预制芯，CoZrTaB层使用AlN、Al2O3或SiO2层绝缘。这是为了防止在磁芯中形成涡流。
作为CoZrTaB的替代，核心可以是CoZrTaX(其中X是另一种元素)。替代的核心材料包括NiFe、CoFe、CoFeB和CoZrTa。或者，核可以是烧结铁氧体型材料。
离散的芯可以使用任何已知的铁磁制造工艺制造。通常，这涉及工艺步骤和制造步骤。该工艺步骤包括煅烧、研磨和喷雾干燥的子步骤。制造可涉及研磨、挤出、压制或注塑。可以使用任何合适的制造技术。
表1显示了上述变压器的特性结果。Lp是初级电感。这是在低(0.1MHz)和高(20MHz)频率下测量的。这提供了变压器可以存储的能量的指示。可以看出，对于厚芯变压器而言，低频和高频的初级电感明显优于空芯或薄芯变压器。另外，表示存储效率的Q因子对于厚核变压器也显着更大。表示耦合系数(即通过次级绕组耦合多少磁通量)的k值对于厚磁芯变压器也显着更高。最后，厚磁芯变压器的电感增益也明显更大。
表1
使用预制铁磁芯具有各种优点。例如，通过单独构建核心，可以实现更厚的核心，其比较薄的核心晚饱和，并且可以实现更高的功率密度。此外，预制厚芯比使用沉积技术原位构建芯更便宜。
在上述示例中，形成绕组的导电轨道具有大约10μm的厚度。芯的上部和下部具有约100μm的厚度。通过使用预制芯，芯可因此比绕组厚约10倍。
在上述实施例中，绕组显示为细长的平面螺旋。这种布置可以称为“跑道”布置。在替代方案中，上述实施例可以实现为方形螺旋，其中每个绕组的每个部分具有相同的长度。
在上述实施例中，基板被描述为硅。或者，基板可以是柔性的、印刷电路板(PCB)或玻璃。
根据本申请的一个方面，提供了一种制造电感元件的方法，包括提供基板，使用微制造技术在基板上形成一个或多个绕组的至少一部分，以形成绕组结构，并且将至少一个离散的铁磁芯的第一部分放置在或邻近一个或多个绕组的至少一部分的第一侧，其中，离散的铁磁芯的第一部分是预制的。
在一些实施例中，铁磁芯的第一部分包括在第一平面中形成的第一平面部分，并且在放置之前通过微制造技术完成该绕组结构。在一些这样的实施例中，一个或多个绕组形成为基本平行于第一平面的平面结构。在一些实施例中，铁磁芯的第一部分还包括一个或多个突起，并且铁磁芯的第一部分被放置成使得一个或多个突起延伸到两个或更多个绕组中或围绕两个或更多个绕组。在一些实施例中，该方法还包括将该绕组结构放置在铁磁芯的第二部分上或附近。在一些实施例中，铁磁芯的第二部分包括第二平面部分，并且绕组结构被放置成使得第二平面部分基本上平行于第一平面。在一些实施例中，该方法还包括将一个或多个突起连接到第二平面结构，使得铁磁芯的第一和第二部分形成完整的铁磁芯。在一些实施例中，第一平面部分延伸超出一个或多个绕组的边缘，一个或多个突起包括第一和第二突起，并且第一平面结构被放置成使得第一和第二突起围绕一个或多个绕组延伸。在一些实施例中，一个或多个绕组形成为平面螺旋绕组以形成第一开口，一个或多个突起包括第三突起，并且第一平面部分被放置使得第三突起延伸通过第一开口。在一些实施例中，第三突起部分地延伸到开口中并与第二平面部分形成间隙。
在一些实施例中，基板包括形成在与形成一个或多个绕组的一侧相对的一侧上的铁磁材料层，该铁磁材料层形成铁磁芯的第二部分。在一些实施例中，该方法还包括在基板中形成一个或多个孔。
在一些实施例中，该方法还包括在基板上沉积绝缘层，其中一个或多个绕组形成在绝缘层上。
在一些实施例中，使用拾取和放置机器放置铁磁芯的第一部分。
在一些实施例中，使用沉积形成一个或多个绕组。
在一些实施例中，电感元件是变压器，并且一个或多个绕组是两个或更多个绕组。
根据一个方面，提供了一种制造电感元件的方法，其中使用微制造技术提供绕组结构，并且离散的芯定位在绕组结构上或周围。
根据一个方面，提供了一种电感元件，包括一个或多个绕组，其至少一部分使用微制造技术形成，并且离散的铁磁芯位于一个或多个绕组上或周围。在一些实施方案中，离散的铁磁芯由钴-锆-钽-硼制成。在一些实施方案中，离散的铁磁芯由烧结铁氧体制成。
如上所述，上述实施例可以应用于电感器，因此通常可以形成电感元件。通常，这将简单地涉及将线圈数量减少到一个而不是两个。
本文提出的权利要求是单一依赖格式，适用于在美国专利商标局提交。然而，应该假设权利要求中的每一个可以多次依赖于任何前述权利要求，除非在技术上不可行。
虽然在变压器的背景下公开，但是应当理解，本文描述的电感器和方法可以在其他应用或电子设备中实现。
本文公开的方法包括用于实现所描述的方法的一个或多个动作。在不脱离权利要求的范围的情况下，动作可以彼此互换。换句话说，除非指定了特定的步骤或动作顺序，否则可以在不脱离权利要求的范围的情况下修改特定步骤和/或动作的顺序和/或使用。
应该理解，实施方式不限于上面说明的精确配置和组件。在不脱离实施方式的范围的情况下，可以对上述方法和装置的布置、操作和细节进行各种修改、改变和变化。例如，描述了这样的实施例，其中在组装之前通过微加工制造完成的绕组，通过层压或以其他方式粘附到预制的芯部分而无需微加工技术。然而，鉴于本文的教导，本领域技术人员将理解，绕组的部分可以通过微制造技术形成，并且这些部分彼此连接以使用拾取和放置技术完成与芯相邻的绕组。
除非上下文明确要求，否则在整个说明书和权利要求书中，词语“包括”、“包含”、“含有”、“具有”等应以包含性的意义解释，而不是排他的或详尽的意思；也就是说，在“包括但不限于”的意义上。如本文通常所使用的，“耦合”一词是指两个或更多个元件，其可以直接连接或通过一个或多个中间元件连接。另外，当在本申请中使用时，词语“此处”、“上方”、“下方”和类似含义的词语应当指代本申请的整体而不是指本申请的任何特定部分。在上下文允许的情况下，使用单数或复数的上述详细描述中的词语也可以分别包括复数或单数。在上下文允许的情况下，关于两个或更多个项目的列表中的“或”一词旨在涵盖对该词的所有以下解释：列表中的任何项目、列表中的所有项目、以及列表中项目的任意组合。
此外，除非另有明确说明或者在所使用的上下文中以其他方式理解，否则本文使用的条件语言，例如“可以”、“可能”、“例如”、“诸如”等等，通常旨在表达某些实施例包括，而其他实施例不包括某些特征、元素和/或状态。因此，这种条件语言通常不旨在暗示一个或多个实施例以任何方式需要特征、元素和/或状态，或者一个或多个实施例必须包括用于在有或没有作者输入或提示的情况下决定在任何特定实施例中是否包括或将要执行这些特征、元素和/或状态的逻辑。
虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅作为示例呈现，并且不旨在限制本公开的范围。实际上，这里描述的新颖设备、方法和系统可以以各种其他形式体现；此外，在不脱离本公开的精神的情况下，可以对这里描述的方法和系统的形式进行各种省略、替换和改变。例如，虽然所公开的实施例以给定布置呈现，但是替代实施例可以执行具有不同组件和/或电路拓扑的类似功能，并且可以删除、移动、添加、细分、组合和/或修改一些元件。这些元素中的每一个可以以各种不同的方式实现。可以组合上述各种实施例的元件和动作的任何合适组合以提供进一步的实施例。所附权利要求及其等同物旨在覆盖落入本公开的范围和精神内的这些形式或修改。
Claims (20)
1.电感元件，包括：
第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上从而限定第一开口的第一微制造线圈；
在所述第一绝缘层上从而限定第二开口的第二微制造线圈；和
离散的多部分铁磁芯，至少部分地设置在所述第一和第二开口中。
2.权利要求1所述的电感元件，还包括设置在所述第一微制造线圈和所述第二微制造线圈之间的第二绝缘层。
3.权利要求2所述的电感元件，其中所述离散的多部分铁磁芯设置在所述第二绝缘层中的至少一个开口内。
4.权利要求1所述的电感元件，其中所述离散的多部分铁磁芯包括第一部分和接触所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有朝向所述第二部分延伸的突起。
5.权利要求4所述的电感元件，其中所述突起不接触所述离散的多部分铁磁芯的第二部分。
6.权利要求1所述的电感元件，其中所述第一绝缘层、所述第一微制造线圈和所述第二微制造线圈的至少部分设置在所述离散的多部分铁磁芯的第一部分和所述离散的多部分铁磁芯的第二部分之间。
7.权利要求6所述的电感元件，其中所述第一绝缘层的外周更大，所述离散的多部分芯具有外周，并且其中所述离散的多部分铁磁芯的外周同心地位于所述第一绝缘层的外周内。
8.权利要求1所述的电感元件，其中所述离散的多部分铁磁芯由钴-锆-钽-硼制成。
9.权利要求1所述的电感元件，其中所述离散的多部分铁磁芯由烧结铁氧体制成。
10.权利要求1所述的电感元件，其中所述电感元件是变压器，并且其中所述第一和第二微制造线圈均形成8字形。
11.变压器，包括：
多片离散的铁磁芯；
在第一支撑层上的第一微制造绕组；和
耦合但与所述第一微制造绕组电绝缘的第二微制造绕组，
其中所述第一和第二微制造绕组围绕所述多片离散的铁磁芯。
12.权利要求11所述的变压器，其中所述支撑层包括硅基板。
13.权利要求11所述的变压器，其中所述多片离散的铁磁芯包括基本上平行于并支撑所述第一支撑层的第一片。
14.权利要求11所述的变压器，其中所述多片离散的铁磁芯是烧结芯。
15.权利要求11所述的变压器，其中所述多片离散的铁磁芯包括第一部分和接触所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有朝向所述第二部分延伸的突起。
16.一种制造电感元件的方法，包括：
在基板上微制造第一绕组；
在所述基板上微制造第二绕组；
将所述基板放置在离散的多部分铁磁芯的第一部分内；和
将所述离散的多部分铁磁芯的第二部分耦合到所述第一部分，使得所述第一和第二绕组至少部分地位于所述离散的多部分铁磁芯的第一部分和第二部分之间。
17.权利要求16所述的方法，其中所述离散的多部分铁磁芯的第一部分或第二部分包括突起，并且其中所述第一绕组形成开口，该方法包括使所述突起穿过所述第一绕组中的开口。
18.权利要求16所述的方法，还包括将所述第一绕组和所述第二绕组耦合在所述离散的多部分铁磁芯的不同部分周围。
19.权利要求16所述的方法，其中使离散的多部分铁磁芯的第二部分耦合到第一部分包括封闭所述第一和第二绕组。
20.权利要求16所述的方法，其中微制造第一绕组和第二绕组包括在所述第一绕组和所述第二绕组之间形成绝缘层。
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