CN109632926A - 一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，该检测方法的制备应用ICP‑MS电感耦合等离子体质谱仪。该涂层洁净度的检测方法主要包括以下步骤：1)将1‑4ml的稀酸滴到零件涂层区域，数分钟后收集稀酸称重并检测；2)清洗后，取1‑4ml水滴在与酸相同的区域，用直尺做标准，照下包含水滴与直尺的照片，用ImageJ软件算出面积；3)将稀释后的样品用外标法DRC模式进行检测。采用该方法获得的检测结果去除干扰较彻底，测试结果更准确可信度高。
Description
技术领域
本发明涉及一种涂层性能检测领域，特别是一种应用于半导体领域的氧化钇涂层的洁净度的检测方法。
背景技术
随着半导体设备企业快速发展，对半导体设备里的零部件的洁净度要求越来越高。传统的办法就是采用在洁净间清洗技术，来保证零件的洁净度。可是，清洗是洗去零件的污染物，却不知道清洗后的零件的洁净度。零件的洁净度会影响到晶圆的制备，若能清楚地知道零件的洁净度，就会了解到零件的使用寿命以及对晶圆的影响程度。因此，采用ICPMS(电感耦合等离子质谱仪)可以知道清洗后零件表面的污染物的含量，定量地评价零件的表面洁净度。掌握零件使用过程中对晶圆制备的影响情况。
发明内容
本发明的目的在一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，采用的检测技术是通过酸萃取获取工件表面的杂质元素，收集后通过ICPMS等离子体质谱仪对收集液中待分析金属进行检测，所获得的检测结果准确，能够真切的反映工件表面污染物的浓度。
本发明采用的技术方案是：
一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，主要包括以下几个步骤：
1)将1-4ml稀酸滴到零件涂层区域，数分钟后收集稀酸称重并检测；
2)清洗吹干后，取1-4ml水滴在与酸相同的区域，用直尺做标准，拍下照片，用软件算出面积；
3)将稀释后的样品用外标法进行检测，该方法获得的检测结果去除干扰较彻底。
所述步骤1)的稀酸采用电子级硝酸或Tamapure硝酸，微量移液枪采用全部塑料材料的高精度移液枪。
所述步骤2)需要用喷淋水洗7min后氮气吹干后再滴入1-4ml水；直尺要和水所形成的区域同时被照相机所记录；通过ImageJ软件算出1-4ml水所形成面积。
所述步骤3)PE的ICPMS，氩气纯度≥99.996％，气压85psi-100psi氨气纯度>99.999％，氨气压力10-20psi。
试剂瓶采用PFA材质的试剂瓶。
ICPMS所使用的是去干扰能力强的DRC反应模式。
该检测方法可应用在氧化钇、氧化铝涂层上。
本发明的有益效益是：
1、一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，采用的是一定浓度的电子级硝酸对工件表面金属离子吸附并进行检测。
2、一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，采用的是电感耦合等离子质谱技术，所获得的检出限低，能够多种元素快速同步分析，可以准确检测各种所需元素含量。
具体实施方式
下面对本发明方案进行详细描述。
一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，主要包括以下几个步骤：
1)将1-4ml稀酸滴到零件涂层区域，数分钟后收集稀酸称重并检测；
2)清洗吹干后，取1-4ml水滴在与酸相同的区域，用直尺做标准，拍下照片，用软件算出面积；
3)将稀释后的样品用外标法进行检测，该方法获得的检测结果去除干扰较彻底。
所述步骤1)的稀酸采用电子级硝酸或Tamapure硝酸，微量移液枪采用全部塑料材料的高精度移液枪。
所述步骤2)需要用喷淋水洗7min后氮气吹干后再滴入1-4ml水；直尺要和水所形成的区域同时被照相机所记录；通过ImageJ软件算出1-4ml水所形成面积。
所述步骤3)PE(铂金埃尔默)的ICPMS，氩气纯度≥99.996％，气压85psi-100psi氨气纯度>99.999％，氨气压力10-20psi。
试剂瓶采用PFA(可溶性聚四氟乙烯)材质的试剂瓶。
ICPMS所使用的是去干扰能力强的DRC(反应模式)。
该检测方法可应用在氧化钇、氧化铝涂层上。
实施例一
首先，配置一定浓度的硝酸，按下计时器开始计时。将稀释后的HNO3用移液枪移取4ml到零件表面。5分钟后，收集萃取液。在5.5分钟内完成溶液收集，然后稀释并称重。
然后在提取液采集完成后，取等量DIW涂于提取区。连同旁边干净的尺子拍一张数码照片，用ImageJ软件测量水的面积。并用DIW清洗零件，N2吹干。这种萃取方法能够准确的把工件表面的金属污染物提取出来，为后续精确检测打下基础。
实施例二
首先，对ICPMS进行点炬以后，将样品管放入1-5％硝酸溶液中或超纯水中冲洗，清洗结束后对仪器进行调谐，结束后保存后建立分析方法，选择所测试的元素以及相应的气体流量及RPQ值，点击Calibration选择标准液及样品的测试单位，保存方法后进行样品检测。使用这种检测方法去除干扰较彻底，使检测结果更加准确。并能够保持仪器的长期稳定性，
然后，应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，采用的氩气是高纯氩气，氩气的纯度≥99.996％，氨气是高纯氨气，氨气的纯度≥99.996％。零件基体是铝合金6061，使用的检测设备是进口美国铂金埃尔默公司的检测设备，设定的RF发生器功率是1600W,氩气压力是85psi-100psi。氨气压力10-20psi，标准模式RPQ值是0.25，雾化器流量是0.96ml/min。
Claims (7)
1.一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，
主要包括以下几个步骤：
1)将1-4ml稀酸滴到零件涂层区域，数分钟后收集稀酸称重并检测；
2)清洗吹干后，取1-4ml水滴在与酸相同的区域，用直尺做标准，拍下照片，用软件算出面积；
3)将稀释后的样品用外标法进行检测，该方法获得的检测结果去除干扰较彻底。
2.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，所述步骤1)的稀酸采用电子级硝酸或Tamapure硝酸，微量移液枪采用全部塑料材料的高精度移液枪。
3.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，所述步骤2)需要用喷淋水洗7min后氮气吹干后再滴入1-4ml水；直尺要和水所形成的区域同时被照相机所记录；通过ImageJ软件算出1-4ml水所形成面积。
4.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，所述步骤3)PE的ICPMS，氩气纯度≥99.996％，气压85psi-100psi氨气纯度>99.999％，氨气压力10-20psi。
5.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，试剂瓶采用PFA材质的试剂瓶。
6.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，ICPMS所使用的是去干扰能力强的DRC反应模式。
7.如权利要求1所述的涂层的洁净度的检测方法，其特征在于，
该检测方法可应用在氧化钇、氧化铝涂层上。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201811598346.0A CN109632926A (zh) | 2018-12-26 | 2018-12-26 | 一种应用于半导体领域的涂层的洁净度的检测方法 |
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| CN (1) | CN109632926A (zh) |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
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| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |