CN109628961B - 电镀模具及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制造模具(3，3')的方法，包括以下步骤：a)提供其厚度至少等于模具(3，3')的高度的由光敏玻璃制成的第一基板(5)，b)用紫外线透过掩模照射所述第一基板(5)以产生经照射区域(7，7')，所述掩模的窗口对应于模具(3，3')的凹部，c)对在步骤b)中获得的第一基板(5)进行热处理，以使经照射区域(7，7')晶化，d)提供在其表面上具有至少一个导电层(10)的第二基板(8)，e)将步骤c)中获得的第一基板(5)与第二基板(8)接合，使得导电层(10)位于第一基板(5)和第二基板(8)之间，f)去除第一基板(5)的经照射且晶化区域(7，7')以露出导电层(10)，从而形成至少一个腔室(12，12')，所述腔室的侧壁和所述腔室的由导电层(10)占据的底部形成所述模具(3，3')。本发明涉及微机械部件领域，所述微机械部件特别地用于钟表机芯。

Description

电镀模具及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于通过电镀制造微机械部件的模具及其制造方法。
背景技术
电镀已经使用并且已知很长一段时间。LIGA方法(LIGA是德文表达“
Figure BDA0001811698320000011
Lithographie,Galvanoformung&Abformung(光刻、电镀和铸造)”的著名缩写)是在80年代研发出来的，并且已证明非常有利于制造高精度金属微结构。
LIGA技术的原理在于在导电基板或覆有导电层的基板上沉积光刻胶层；经与所需微结构的轮廓对应的掩模，通过同步加速器进行X射线照射；对未被曝光的光刻胶层的区段进行显影，即通过物理或化学手段去除，从而限定具有微结构的轮廓的模具；在光刻胶模具中电镀地沉积金属，通常是镍；然后在去除模具从而释放微结构。
微结构的质量几乎不会受到批评，但是需要使用昂贵的设备(同步加速器)使得该技术与必须具有低单位成本的微结构的大规模生产不兼容。
出于这个原因，已经开发了基于LIGA方法但使用了对UV敏感的光刻胶的类似方法。这种方法例如在A.B.Frazier等人的名为“Metallic Microstructures Fabricatedusing Photensitive Polyimide Electroplating Moulds(使用光敏聚酰亚胺电镀模具制造金属微结构)”的出版物(Journal of Microelectromechanical systems(微机电系统杂志)，第2卷，1993年6月2日)中描述，其通过在由基于聚酰亚胺的光刻胶制成的抗蚀模具中电镀金属来制造金属结构。该方法包括以下步骤：
-提供包括导电表面的基板，所述导电表面用于接种随后的电镀步骤，
-向所述导电接种表面施加(聚酰亚胺)光刻胶层，
-使用UV透过与期望的微结构的轮廓对应的掩模照射光刻胶层，
-通过溶解光刻胶层的未被照射的部分来对其进行显影，从而获得光刻胶模具，
-在模具的开口部分电镀沉积镍直到该模具的开口部分的高度，
-将所获得的金属结构与基板分离，并且
-移除光刻胶模具。
该方法广泛用于钟表制造领域，以制造精密部件。然而，事实证明，在所生产的众多钟表部件中，许多钟表部件具有“弹簧”功能，所述弹簧在部件或机芯的平面中工作。因此，对于几百微米的厚度，参数“部件的厚度-所寻求的弹簧常数”的组合可能导致非常窄的弹簧-线材几何参数(几十微米，或甚至更少)。
类似地，有时部件设计需要在部件的两个部分，例如移动部分和固定部分之间限定狭缝。
在这两种情况下，传统的UV-LIGA技术在生长操作期间要填充金属的间隙的纵横比(高/宽比)方面以及在将两个相邻的几何形状分离的抗蚀部的纵横比方面达到其极限。
此外，保证光刻胶在电镀槽中保持其几何形状(垂直度、尺寸等)是困难的，这妨碍了这些特定钟表部件的稳健制造。
因此需要一种能够克服这些缺点的方法。
发明内容
本发明的目的是通过提供一种替代模具来弥补与常规UV-LIGA方法相关的缺点，该替代模具允许克服在所述常规UV-LIGA方法中使用的形成模具的抗蚀剂层变形的风险。
本发明的另一个目的是提供一种模具，该模具允许通过电铸生产具有高的纵横比的几何形状的微机械部件。
为此，本发明涉及一种制造模具的方法，包括以下步骤：
a)提供由厚度至少等于模具的高度的光敏玻璃制成的第一基板，
b)使用紫外线透过掩模照射所述第一基板以便产生经照射区域，该掩模的窗口对应于模具的凹部，
c)对在步骤b)中获得的第一基板进行热处理，从而使经照射区域晶化，
d)提供在其表面上具有至少一个导电层的第二基板，
e)将步骤c)中获得的第一基板与第二基板接合，使得导电层位于第一基板和第二基板之间，
f)去除第一基板的经照射且晶化的区域以露出导电层，从而形成至少一个腔室，所述腔室的侧壁和所述腔室的由导电层占据的底部形成所述模具。
这种方法允许制造由玻璃制成的模具，该模具更硬并且对电镀生长浴槽的影响不敏感，所述电镀生长浴槽用于使用所述模具形成微机械部件。
本发明还涉及一种通过电镀制造金属的微机械部件的方法，其包括以下步骤：
g)使用如上限定的用于制造模具的方法制造所述微机械部件的模具，
h)通过自导电层的电镀生长使用金属填充模具，从而形成所述微机械部件，
i)将在步骤h)中获得的微机械部件从其模具中释放。
本发明还涉及一种用于通过电镀制造至少一个微机械部件的多模具板，其包括厚度至少等于微机械部件高度的由光敏玻璃制成的第一基板、牢固地固定到第一基板的第二基板、设置在第一基板和第二基板之间的至少一个导电层，第一基板包括用于微机械部件的至少一个模具，该模具由形成在所述第一基板中的腔室形成并且所述腔室的底部被导电层占据，允许金属通过电镀生长沉积在所述腔室中，从而形成所述微机械部件。
附图说明
通过以下参考附图以完全非限制性指示的方式给出的描述，本发明的其它特征和优点将变得更加清楚，其中：
-图1至5是根据本发明第一实施例的制造微机械部件的方法的连续步骤的视图；和
-图6至11是根据本发明第二实施例的制造微机械部件的方法的连续步骤的视图。
具体实施方式
参考图1至5，本发明涉及通过电镀制造微机械部件1、1'的方法。该方法优选地包括用于制造模具3、3'的方法，接着是电镀步骤和分别从所述模具3、3'释放部件1、1'的步骤。
根据本发明的制造模具3、3'的方法包括用于制造模具3、3'的连续步骤：
制造模具3、3'的方法的第一步骤a)包括提供由厚度至少等于模具的高度的光敏玻璃制成的第一基板5。
这种光敏玻璃例如可以从Schott A.G.(肖特集团公司)以商品名
Figure BDA0001811698320000041
或从Hoya Corp.(豪雅公司)以商品名
Figure BDA0001811698320000042
或从LifeBioScience Inc.(百赛生物技术有限公司)以商品名ApexTMTM获得。
有利地根据本发明，与蚀刻硅基材料或陶瓷基材料相比，光敏玻璃的使用使得可以在玻璃中制造多种多样的几何形状。
制造模具3、3'的方法的第二步骤b)包括用波长对应于光敏玻璃的紫外线经掩模照射第一基板5以便形成经照射区域7、7'，所述掩模在所述波长处是不透光的并且其窗口对应于要制造的模具的凹部。因此，取决于照射的量、方向和分布，仅第一基板5的暴露于UV辐射的区域7、7'被构造成形成要制造的模具的凹部。照射源可以例如是UV灯，其光谱分布峰值位于200和400nm之间。
制造模具3、3'的方法的第三步骤c)包括在步骤b)中获得的第一基板5上进行热处理，以使经照射区域7、7'晶化，如图1所示。该热处理在高温下、优选在500℃和600℃之间进行。这种热处理允许经照射区域7、7'更具选择性以便在步骤f)中将其移除，如下所示。
制造模具3、3'的方法的第四步骤d)在于提供第二基板8，所述第二基板在其表面上包括至少一个导电层10。有利地，通过在第二基板8上沉积由选自铬、钛和金的金属、优选为金构成的金属层10来形成导电层。导电层10的厚度优选地介于0.1μm和0.5μm之间。
金属层10具有双重优点，一方面是导电的，以便允许执行电镀步骤h)，另一方面，如下所述，允许第二基板在步骤e)中通过焊接/钎焊接合到第一基板。
第二基板8优选地由耐酸侵蚀的材料制成。有利地，第二基板8是硅基的。
制造模具3、3'的方法的第五步骤e)包括将包括经照射且晶化的区域7、7'的第一基板5，即在步骤e)中获得的基板，以使导电层10位于第一基板5和第二基板8之间的方式接合到第二基板8，如图2所示。
在本发明的该第一变型中，两个基板5和8通过导电金属层10的焊接而接合。
制造模具3、3'的方法的第六步骤f)包括去除第一基板5的在步骤b)中经照射且在步骤c)中晶化的区域7、7'，从而露出导电层10以形成至少一个腔室12、12'，所述腔室的竖向侧壁和所述腔室的由导电层10占据的底部形成模具3、3'，如图3所示。
有利地，去除第一基板5的经照射且晶化的区域7、7'的步骤f)通过化学蚀刻，优选通过使用氢氟酸的溶解来进行。例如，该化学蚀刻可以在室温下在约10％氢氟酸的超声浴槽中进行。
由此制造出侧壁由光敏玻璃制成的模具3、3'。
应注意，与常规实践相反，根据本发明的方法不包括用于使剩余的光敏玻璃完全晶化的最终高温(600-700℃)晶化步骤。
本发明还涉及通过电镀制造金属的微机械部件1、1'的方法。所述方法包括步骤g)，其包括使用上述制造模具3、3'的方法来制造用于所述微机械部件1、1'的模具3、3'。接下来的步骤h)包括通过自导电层10的电镀生长来使用金属填充模具3、3'，从而形成所述微机械部件1、1'，如图4所示。
金属有利地选自包括镍、铜、金或银，及其合金，例如金-铜合金、镍-钴合金、镍-铁合金和镍-磷合金的组。
优选地，模具的高度略大于要制造的部件的高度，并且等于第一基板5的厚度。微机械部件的高度包括在50μm和500μm之间。使用由光敏玻璃制成的基板使得根据厚度所获得的部件的某些几何形状的最小宽度可以介于10μm和30μm之间，因此使用本发明的方法获得的微机械部件的这种特定几何形状可以具有包括在1和20之间的高纵横比。这样的微机械部件1、1'例如可以是回复弹簧、跳变弹簧、单件式柔性引导系统、用于减少游隙的柔顺几何构件等。
使用电铸领域中公知的技术，为每种电镀的金属或合金选择电铸条件，特别是电镀槽的组成、系统的几何形状、电压和电流密度(参见例如Di Bari G.A.的“电铸”电镀工程手册第4版，LJ Durney编辑，Van Nostrand Reinhold Company Inc.(范〃诺斯特兰德〃瑞因霍德出版公司)，纽约，美国1984年出版)。
在随后的步骤h')中，可以对用第一基板5电铸成形的金属沉积物进行调整。该步骤可以通过研磨和抛光实现，以便直接获得具有平坦上表面的微结构，所述平坦上表面特别具有与钟表制造行业关于高档机芯生产的要求兼容的表面光洁度。
在图5中示出的接下来的步骤i)包括将从步骤h)或h')中获得的微机械部件1、1'从其模具3、3'中释放。为此，可以采用化学蚀刻方法(例如用于光敏玻璃的氢氟酸(HF)方法，用于硅的氢氧化钾(KOH)方法)。
这样释放的微机械部件1、1'可以直接使用或在合适的机加工后在恰当的地方使用。
图6至11示出了根据本发明的制造模具的方法的实施方案的第二变型。除了步骤e)和f)之外，该方法实际上与上述的第一变型相同。如图6所示的包括经照射且晶化区域7、7'的第一基板5在如上所述的步骤a)至c)中获得。在该第二变型中，如图7所示，在步骤e)中，通过在所述第一基板5和导电层10之间提供的抗蚀剂层16将第一基板5临时焊接到第二基板8从而将第一基板5和第二基板8接合。为此，可以将半导体制造方法中使用的相同类型的抗蚀剂用于临时焊接步骤。相关的抗蚀剂层16具有介于2μm和10μm之间的厚度。
此外，在该第二变型中，步骤f)包括去除第一基板5的经照射且晶化的区域7、7'从而露出抗蚀剂层16，如图8所示。接下来，步骤f)包括在去除第一基板5的经照射且晶化的区域7、7'之后从腔室12、12'的底部去除未覆盖的抗蚀剂层16以露出导电层10的子步骤f')，如图9所示。
然后如上述电镀制造方法那样地制造微机械部件1、1'，如图10和11所示。将部件1、1'从其模具3、3'释放的步骤i)使用化学蚀刻方法(例如用于光敏玻璃的HF方法和用于硅的KOH方法)进行。
根据本发明的方法允许在批量模式下以高精度生产具有窄且刚性的几何形状的微机械部件。
特别地，以特别有利的方式，在同一第一基板5、5'中制造多个模具3、3'。这些模具不一定彼此相同。然后如图3所示的获得多模具板14。
该多模具板14旨在用于通过电镀制造至少一个微机械部件1、1'。根据本发明，其包括由厚度至少等于微机械部件1、1'的高度的光敏玻璃制成的第一基板1、1'、牢固地固定到第一基板5的第二基板8，设置在第一基板5和第二基板8之间的至少一个导电层10，并且可选地抗蚀剂层16设置在第一基板5和导电层10之间。第一基板5包括用于微机械部件1的至少一个模具3、3'。该模具由在所述第一基板5中形成腔室12、12'形成，所述腔室的底部被导电层10占据，允许金属通过电镀生长沉积在所述腔室12、12'中，从而形成所述微机械部件1、1'。第一基板5和第二基板5、导电层10和抗蚀剂层16如上地限定。
另外，根据本发明获得的模具由光敏玻璃制成，其比常规用于形成这种模具的抗蚀剂刚性更大，并且对电镀生长槽的影响不敏感。因此，根据本发明的制造微机械部件的方法特别稳健，特别地是用于制造高纵横比的部件。
根据本发明的方法还允许通过在模具3,3'的底部使用高质量的导电层10而容易地引发步骤h)中的电镀生长。
此外，根据本发明的制造微机械部件的方法易于实施，因为它不需要复杂和局部的金属沉积(模版掩模)来形成用于引发电镀生长的层。
最后，根据本发明的制造微机械部件的方法允许避免由
Figure BDA0001811698320000081
深反应离子刻蚀的几何形状。因此，不会发生扇形化，从而无需额外的平滑步骤。

Claims (13)

1.一种用于制造模具(3，3')的方法，包括以下步骤：
a)提供厚度至少等于模具(3、3')的高度的由光敏玻璃制成的第一基板(5)，
b)用紫外线透过具有窗口的掩模照射所述第一基板(5)以形成经照射区域(7，7')，所述窗口对应于模具(3，3')的凹部，
c)对在步骤b)中获得的第一基板(5)进行热处理，以使经照射区域(7，7')晶化，
d)提供在其表面上具有至少一个导电层(10)的第二基板(8)，
e)将在步骤c)中获得的第一基板(5)接合到第二基板(8)，使得导电层(10)位于第一基板(5)和第二基板(8)之间，
f)在将所述第一基板结合到该第二基板之后，去除第一基板(5)的经照射且晶化的区域(7，7')，以露出导电层(10)，从而形成至少一个腔室(12，12')，所述腔室(12，12')的侧壁和所述腔室(12，12')的被导电层(10)占据的底部形成所述模具(3，3')。
2.根据权利要求1的方法，其特征在于，该第二基板(8)基于硅。
3.根据权利要求1的方法，其特征在于，该导电层(10)通过在第二基板(8)上沉积金属层形成，所述金属选自包括以下金属的组：铬、钛和金。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一基板(5)接合到第二基板(8)的步骤e)通过将第二基板(8)的导电层(10)焊接到第一基板(5)来执行。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一基板(5)接合到第二基板(8)的步骤e)通过借助于设置在第一基板(5)和导电层(10)之间的抗蚀剂层(16)将第一基板(5)焊接到第二基板(8)上来执行。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤f)包括在去除第一基板(5)的经照射且晶化的区域(7，7')之后去除在所述腔室(12，12')中的未被覆盖的抗蚀剂层(16)从而露出导电层(10)的子步骤f')。
7.根据权利要求1的方法，其特征在于，去除第一基板(5)的经照射且晶化的区域(7，7')的步骤f)通过化学蚀刻实现。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在同一第一基板(5)中制造多个模具(3，3')。
9.一种通过电镀制造金属的微机械部件(1，1')的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
g)使用根据权利要求1至8中任一项所述的用于制造模具(3，3')的方法来制造所述微机械部件(1，1')的模具(3，3')，
h)通过自导电层(10)的电镀生长用金属填充模具(3，3')，从而形成所述微机械部件(1，1')，
i)将在步骤h)中获得的微机械部件(1，1')从其模具(3，3')释放。
10.一种用于通过电镀制造至少一个微机械部件(1，1')的多模具板(14)，其特征在于，该多模具板包括厚度至少等于微机械部件(1，1')的高度的由光敏玻璃制成的第一基板(5)、牢固地固定到第一基板(5)的第二基板(8)、设置在该第一基板(5)和该第二基板(8)之间的至少一个导电层(10)，该第一基板(5)包括用于微机械部件(1，1')的至少一个模具(3，3')，所述模具(3，3')由在所述第一基板(5)中形成的腔室(12，12')形成，并且所述腔室的底部被导电层(10)占据，从而允许金属通过电镀生长而沉积在所述腔室(12，12')中，从而形成所述微机械部件(3，3')。
11.根据权利要求10所述的多模具板(14)，其特征在于，所述第二基板(8)基于硅。
12.根据权利要求10所述的多模具板(14)，其特征在于，所述导电层(10)是由选自包括铬、钛和金的组的金属构成的层。
13.根据权利要求10所述的多模具板(14)，其特征在于，该多模具板包括设置在第一基板(5)和导电层(10)之间的抗蚀剂层(16)。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11657963B2 (en) * 2020-09-15 2023-05-23 Enphase Energy, Inc. Transformer helix winding production
US20220157655A1 (en) * 2020-11-19 2022-05-19 Applied Materials, Inc. Electroplating with temporary features

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1578753A (zh) * 2001-10-29 2005-02-09 住友电气工业株式会社 金属精细结构体的制造方法
CN102124409A (zh) * 2008-08-20 2011-07-13 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 通过uv-liga技术制造多层级金属部件的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04269514A (ja) * 1991-02-25 1992-09-25 Brother Ind Ltd 成形用金型
JP3095057B2 (ja) * 1995-11-17 2000-10-03 ホーヤ株式会社 自発光型ディスプレイ用スペーサー付き基板の製造方法
JP4269514B2 (ja) 2000-12-20 2009-05-27 宇部興産株式会社 高温集塵用セラミックフィルター
US7465661B2 (en) * 2003-05-28 2008-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High aspect ratio microelectrode arrays
CH704955B1 (fr) * 2007-12-31 2012-11-30 Nivarox Sa Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce prodédé.
EP2230206B1 (fr) * 2009-03-13 2013-07-17 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2230207A1 (fr) * 2009-03-13 2010-09-22 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2263972A1 (fr) * 2009-06-12 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce procédé
FR2966845B1 (fr) * 2010-11-02 2012-11-16 Inst Pierre Vernier Procede de fabrication de micro-composant metallique comportant l'elaboration d'un moule en silicium
US20150277047A1 (en) * 2012-09-12 2015-10-01 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
US9433101B2 (en) * 2014-10-16 2016-08-30 International Business Machines Corporation Substrate via filling
DE102016109139A1 (de) * 2015-05-18 2016-11-24 Schott Ag Kontinuierliche Herstellung fotosensitiver Glaskörper
CN109075080A (zh) * 2016-03-30 2018-12-21 康宁股份有限公司 使基材内孔道金属化的方法
JP2018176935A (ja) * 2017-04-10 2018-11-15 トヨタ自動車株式会社 自動運転装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1578753A (zh) * 2001-10-29 2005-02-09 住友电气工业株式会社 金属精细结构体的制造方法
EP1440931A4 (en) * 2001-10-29 2008-03-26 Sumitomo Electric Industries PROCESS FOR PRODUCING METALLIC MICROSTRUCTURE
CN102124409A (zh) * 2008-08-20 2011-07-13 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 通过uv-liga技术制造多层级金属部件的方法

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