JP2021181628A - 電気めっき用金型およびその製造プロセス - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 49
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- KXSKAZFMTGADIV-UHFFFAOYSA-N 2-[3-(2-hydroxyethoxy)propoxy]ethanol Chemical compound OCCOCCCOCCO KXSKAZFMTGADIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006090 Foturan Substances 0.000 description 1
- 101000693243 Homo sapiens Paternally-expressed gene 3 protein Proteins 0.000 description 1
- 241000511976 Hoya Species 0.000 description 1
- 102100025757 Paternally-expressed gene 3 protein Human genes 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N copper gold Chemical compound [Cu].[Au] QRJOYPHTNNOAOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000708 deep reactive-ion etching Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/003—3D structures, e.g. superposed patterned layers
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0015—Production of aperture devices, microporous systems or stamps
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0037—Production of three-dimensional images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
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Abstract
【課題】従来のＵＶ−ＬＩＧＡプロセスに関する欠点を是正するための、代替の金型を製造するプロセスの提供。【解決手段】以下のステップを含む金型を製造するプロセスである。ａ）金型の高さに等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板５を提供するステップ、ｂ）第１の基板に、金型の凹部に対応する窓を有するマスクを通じてＵＶ光線を照射し、照射区域７、７’を生成するステップ、ｃ）ｂ）で得た第１の基板を熱処理し、照射区域を結晶化するステップ、ｄ）少なくとも１つの導電層１０を有する第２の基板８を提供するステップ、ｅ）ｃ）で得た第１の基板を第２の基板に結合し、導電層を第１の基板と第２の基板との間に配置するステップ、ｆ）第１の基板の照射されて結晶化した区域を除去し、導電層を露出し、少なくとも１つの空洞を形成するステップであって、少なくとも１つの空洞の側壁および導電層によって覆われる底面は金型を形成するステップ。【選択図】図１
Description
本発明は、電気めっきによって微細加工部品を製造することを目的とする金型、およびその製造プロセスに関する。
電気めっきは長い間使用され、既知である。（ドイツ語の表現であるＬＩＧＡは「Ｒｏｎｔｇｅｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｅ、Ｇａｌｖａｎｏｆｏｒｍｕｎｇ＆Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ」の周知の略称である）ＬＩＧＡプロセスは、１９８０年代に開発され、高精度金属微細構造の製造に非常に有利であることが分かっている。
ＬＩＧＡ技術の原理は、フォトレジスト層を導電基板または導電層で被膜された基板上に堆積させることと、所望する微細構造の輪郭に対応するマスクを通して、シンクロトロンによるＸ線照射を実施することと、微細構造の輪郭を有する金型を画定するために、物理的または化学的手段によって未露出のフォトレジスト層の部分を現像、つまり除去することと、金属、一般的にはニッケルを、フォトレジスト金型に電着することと、次に微細構造を解放するために金型を除去することからなる。
微細構造の品質が批判されることはほとんどないが、高価な機器（シンクロトロン）を用いる必要があり、そのためこの技術は低単価が必要となる微細構造の大量生産には適用できない。
そのため、ＬＩＧＡプロセスに基づくものの、紫外線（ＵＶ）に敏感なフォトレジストを用いる類似するプロセスが開発されてきた。このようなプロセスは、たとえば、ポリイミド系フォトレジストからなるレジスト金型に金属を電気めっきすることによって、金属構造を製造するものであり、非特許文献１に記載されている。このプロセスは、以下のステップを備える。
−後続する電気めっきステップをシードするための導電面を含む基板を提供するステップと、
−導電シード面に（ポリイミド）フォトレジスト層を適用するステップと、
−フォトレジスト層に所望する微細構造の輪郭に対応するマスクを通してＵＶを照射するステップと、
−フォトレジスト金型を得るために、未照射のフォトレジスト層を溶解することによって、未照射のフォトレジスト層の部分を現像するステップと、
−金型の開口部に開口部の高さまでニッケルを電着するステップと、
−得た金属構造を基板から分離するステップと、
−フォトレジスト金型を除去するステップ。
−後続する電気めっきステップをシードするための導電面を含む基板を提供するステップと、
−導電シード面に（ポリイミド）フォトレジスト層を適用するステップと、
−フォトレジスト層に所望する微細構造の輪郭に対応するマスクを通してＵＶを照射するステップと、
−フォトレジスト金型を得るために、未照射のフォトレジスト層を溶解することによって、未照射のフォトレジスト層の部分を現像するステップと、
−金型の開口部に開口部の高さまでニッケルを電着するステップと、
−得た金属構造を基板から分離するステップと、
−フォトレジスト金型を除去するステップ。
このプロセスは、精密な構成部品を製造するために、腕時計および時計分野で広く用いられている。ただし、製造された多数の時計構成部品のうち、多くが「ばね」機能を有することがわかっている。ばねは、構成部品の平面またはムーブメントの平面で動作する。したがって、「構成部品の厚さと求めるばね定数」のパラメータの組み合わせによって、数百ミクロンの厚さの非常に細いばね線形状（数十ミクロン以下）が実現してもよい。
同様に、たとえば、構成部品の設計には、２つの部分間、たとえば可動部分と固定部分との間を画定するための細いスリットが必要となることもある。
これらの２つの事例において、従来のＵＶ−ＬＩＧＡ技術では、成長過程中に金属で充填すべき隙間のアスペクト比（高さ／幅比）と、２つの隣接した形状を離間するレジストのアスペクト比の両方において限界がある。
さらに、フォトレジストがその形状（垂直状態、大きさ等）を直流浴で保存することを保証することは困難であり、これが特定の時計構成部品の堅調な製造の妨げとなる。
したがって、このような欠点を克服するプロセスが必要となる。
Ａ．Ｂ．Ｆｒａｚｉｅｒ ｅｔ ａｌ、 "Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ Ｕｓｉｎｇ Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ Ｍｏｌｄｓ"、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ、 Ｖｏｌ．２、 Ｎ． ｄｅｇ．２ １９９３年６月
本発明の目的は、従来のＵＶ−ＬＩＧＡプロセスに関する欠点を、従来のＵＶ−ＬＩＧＡプロセスで用いられる金型を形成するレジストの変形リスクを克服可能な、代替の金型を提供することによって是正することである。
本発明の別の目的は、電気めっきによって、高アスペクト比な形状を有する微細加工部品が製造可能となる金型を提供することである。
そのため、本発明は、以下のステップを含む金型を製造するプロセスに関する。
ａ）金型の高さに少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板を提供するステップと、
ｂ）第１の基板に、金型の凹部に対応する窓を有するマスクを通じてＵＶ光線を照射し、照射区域を生成するステップと、
ｃ）ステップｂ）で得た第１の基板に熱処理を実施し、照射区域を結晶化するステップと、
ｄ）少なくとも１つの導電層を表面に有する第２の基板を提供するステップと、
ｅ）ステップｃ）で得た第１の基板を第２の基板に結合し、それによって導電層を第１の基板と第２の基板との間に配置するステップと、
ｆ）第１の基板の照射されて結晶化した区域を除去し、導電層を露出し、少なくとも１つの空洞を形成するステップであって、少なくとも１つの空洞の側壁と導電層によって覆われる底面は金型を形成するステップ。
ａ）金型の高さに少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板を提供するステップと、
ｂ）第１の基板に、金型の凹部に対応する窓を有するマスクを通じてＵＶ光線を照射し、照射区域を生成するステップと、
ｃ）ステップｂ）で得た第１の基板に熱処理を実施し、照射区域を結晶化するステップと、
ｄ）少なくとも１つの導電層を表面に有する第２の基板を提供するステップと、
ｅ）ステップｃ）で得た第１の基板を第２の基板に結合し、それによって導電層を第１の基板と第２の基板との間に配置するステップと、
ｆ）第１の基板の照射されて結晶化した区域を除去し、導電層を露出し、少なくとも１つの空洞を形成するステップであって、少なくとも１つの空洞の側壁と導電層によって覆われる底面は金型を形成するステップ。
このような方法によって、ガラスからなる金型が製造可能となる。ガラスは、剛性が高く、この金型を用いて微細加工部品を形成するために用いられるガルバニック成長法浴の効果に対して敏感ではない。
本発明はまた、以下のステップを備える、電気めっきによって金属微細加工部品を製造するプロセスに関する。
ｇ）微細加工部品の金型を、前述の金型を製造するプロセスを用いて製造するステップと、
ｈ）金型を、導電層からガルバニック成長法によって金属で充填し、微細加工部品を形成するステップと、
ｉ）ステップｈ）で得た微細加工部品を金型から解放するステップ。
ｇ）微細加工部品の金型を、前述の金型を製造するプロセスを用いて製造するステップと、
ｈ）金型を、導電層からガルバニック成長法によって金属で充填し、微細加工部品を形成するステップと、
ｉ）ステップｈ）で得た微細加工部品を金型から解放するステップ。
本発明はまた、少なくとも１つの微細加工部品を電気めっきで製造するための複数金型板に関する。複数金型板は、微細加工部品の高さと少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板と、第１の基板にしっかりと固定される第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に配置される少なくとも１つの導電層とを含む。第１の基板は微細加工部品用の少なくとも１つの金型を含む。金型は第１の基板に形成される空洞によって形成される。金型の底面は導電層によって覆われ、金属はガルバニック成長法によって空洞内に堆積し、微細加工部品を形成可能である。
本発明のその他の詳細および有利点は、以下の説明から、添付図を参照して、完全に非限定的な表示によって、より明らかになるであろう。
図１から５までを参照すると、本発明は、微細加工部品１、１’を電気めっきによって製造するプロセスに関する。本プロセスは、好ましくは、金型３、３’を製造し、次に電気めっきのステップと、部品１、１’を金型３、３’からそれぞれ解放するステップとのプロセスを含む。
本発明による金型３、３’は、金型３、３’を製造することを目的とする連続するステップを含む。
金型３、３’を製造するプロセスの第１のステップａ）は、金型の高さに少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板５を提供することからなる。
このような感光ガラスは、たとえばＳｃｈｏｔｔ Ａ．Ｇ．からＦｏｔｕｒａｎ（登録商標）という商標名、またはＨＯＹＡ株式会社からＰＥＧ３（登録商標）という参照で、またはＬｉｆｅ ＢｉｏＳｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｃ．からＡｐｅｘＴＭという商標名で入手可能である。
本発明によって有利には、感光ガラスを用いることによって、シリコンまたはセラミック系材料をエッチングするよりも幅広い形状のガラスを生成することができる。
金型３、３’を製造するプロセスの第２のステップｂ）は、照射区域７、７’を生成するために、感光ガラスに対応する波長で、当該波長では不透明なマスクを通して、第１の基板５をＵＶ光線で照射することからなる。その窓は製造される金型の凹みに対応する。このように、照射の量、配向および分布に応じて、ＵＶ照射に曝露される第１の基板５の区域７、７’のみが、製造される金型の凹みを形成するように構成される。照射源は、たとえば、ＵＶランプであってもよく、その分光分布のピークは、２００と４００ｎｍの間にある。
金型３、３’を製造するプロセスの第３のステップｃ）は、図１に示すように、ステップｂ）で得た第１の基板５に熱処理を実施し、照射区域７、７’を結晶化することからなる。この熱処理は高温で実施され、好ましくは５００℃と６００℃の間で実施される。この熱処理によって、照射区域７、７’は、以下で述べるように、ステップｆ）において、除去に関してさらに選択的になる。
金型３、３’を製造するプロセスの第４のステップｄ）は、第２の基板８を提供することからなる。この基板は、少なくとも１つの導電層１０を表面上に備える。有利には、導電層は第２の基板８上に、クロミウム、チタニウム、および金を含む群から選択される金属の層１０を堆積することによって形成される。この中で、金が好ましい。導電層１０は、好ましくは、０．１μｍから０．５μｍの間の厚さを有する。
金属層１０は、二重の有利点を有する。一方では、導電性であるため、電気めっきステップｈ）が可能になる。他方では、後述するように、第２の基板を第１の基板にステップｅ）において、はんだ付けによって結合することができる。
第２の基板８は、好ましくは、酸攻撃に耐性のある素材からなる。有利には、第２の基板８はシリコン系である。
金型３、３’を製造するプロセスの第５のステップｅ）は、図２に示すように、導電層１０が第１の基板５と第２の基板８との間に配置されるように、第１の基板５を第２の基板８に結合することからなる。第１の基板５は、照射されて結晶化した区域７、７’、つまり、ステップｅ）で得た基板を備える。
本発明の第１の変形では、２つの基板５および８は、はんだ付けにより、導電金属層１０によって結合される。
図３に示すように、金型３、３’を製造するプロセスの第６のステップｆ）は、ステップｂ）で照射され、ステップｃ）で結晶化した第１の基板５の区域７、７’を除去することからなる。それによって、導電層１０は露出し、少なくとも１つの空洞１２、１２’を形成する。空洞１２、１２’の垂直な側壁および導電層１０に覆われる底面は金型３、３’を形成する。
有利には、照射されて結晶化した第１の基板５の区域７、７’を除去するステップｆ）は、化学エッチング、好ましくはフッ酸で溶解することによって実施される。たとえば、この化学エッチングは約１０％のフッ酸の超音波浴において室温で実施されてもよい。
側壁が感光ガラスからなる金型３、３’はこのように製造される。
従来の慣行とは反対に、本発明によるプロセスは、残りの感光ガラスを完全に結晶化する最終の高温（６００〜７００℃）結晶化ステップを備えないことに留意されたい。
本発明はまた、電気めっきによって金属微細加工部品１、１’を製造するプロセスにも関する。本プロセスはステップｇ）を備える。ステップｇ）は、前述の金型３、３’を製造するステップを用いて、微細加工部品１、１’用の金型３、３’を製造することからなる。以下のステップｈ）は、図４に示すように、導電層１０からのガルバニック成長法によって、微細加工部品１、１’を形成するために金型３、３’を金属で充填することからなる。
金属は、有利には、ニッケル、銅、金または銀、および金−銅、ニッケル−コバルト、ニッケル−鉄、およびニッケル−リンなどの合金を含む群から選択される。
好ましくは、金型の高さは、製造される部品の高さよりわずかに高く、第１の基板５の厚さと等しい。微細加工部品の高さは、５０μｍから５００μｍの間である。感光ガラスからなる基板を厚さに応じて用いることによって、得るべき構成部品の所定の形状の最小幅は、１０μｍから３０μｍの間であってもよい。したがって、本発明のプロセスを用いて得られる、このような微細加工構成部品の具体的な形状は、１から２０の間の高アスペクト比を有していてもよい。このような微細加工部品１、１’は、たとえば、伸縮ばね、ジャンパーばね、一体型の可撓性誘導システム、あそびを低減する弾性形状等でありえる。
電気めっき条件、特にめっき浴の組成、システムの形状、電圧および電流密度は、電気めっき技術で周知の技法を用いて電気めっきされる各金属または合金用に選択される。（たとえば、Ｄｉ Ｂａｒｉ Ｇ．Ａ．“ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ” Ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｈａｎｄｂｏｏｋ ４ｔｈ Ｅｄｉｔｉｏｎ、 ｅｄｉｔｅｄ ｂｙ Ｌ．Ｊ．Ｄｕｒｎｅｙ、 ｐｕｂｌｉｓｈｅｄ ｂｙ Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ Ｒｅｉｎｈｏｌｄ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｉｎｃ．、 Ｎ．Ｙ．、 ＵＳＡ １９８４参照。）
後続するステップｈ’）において、第１の基板５で電気鋳造される金属堆積を調整することができる。本ステップは、研磨することによって直接的に平坦な上面を有する微細構造を得るために実施されてもよい。平坦な上面は、特に、高級市場向けムーブメント製造に関する腕時計および時計製造業界の要件を満たす表面加工を有する。
図５に例示するように、以下のステップｉ）は、ステップｈ）またはｈ’）で得た微細加工部品１、１’をその金型３、３’から解放することからなる。そのために、化学エッチングプロセス（たとえば感光ガラス用ＨＦプロセス、シリコン用ＫＯＨプロセス）を用いてもよい。
このように開放された微細加工部品１、１’を直接用いてもよく、または適切な機械加工後に必要に応じて用いてもよい。
図６から１１は、本発明による金型を製造するプロセスを実行する第２の変形を示す。本プロセスは、ステップｅ）およびｆ）を除いて実質的に前述の第１の変形と同一である。第１の基板５は、図６に示すように、前述のステップａ）からｃ）で得られる照射されて結晶化した区域７、７’を備える。この第２の変形では、第１の基板５をレジスト層１６に一時的にはんだ付けすることによって、第１の基板５および第２の基板８は、ステップｅ）で結合される。図７に示すように、レジスト層１６は、第１の基板５と導電層１０との間に配置される。そのために、半導体製造プロセスと同じ種類のレジストを一時的はんだ付けステップで用いてもよい。当該のレジスト層１６は、２μｍから１０μｍの間の厚さを有する。
さらに、この第２の変形では、図８に示すように、ステップｆ）は、照射されて結晶化した第１の基板５の区域７、７’を除去することによって、レジスト層１６を露出することを備える。次に、図９に示すように、ステップｆ）は、照射されて結晶化した第１の基板５の区域７、７’が除去された後に、露出したレジスト層１６を空洞１２、１２’の底面から除去し、導電層１０を露出するサブステップｆ’）を備える。
微細加工部品１、１’は次に、図１０および１１に示すように、前述の電気めっき製造プロセスで製造される。部品１、１’を金型３、３’から解放するステップｉ）は、化学エッチングプロセス（たとえば感光ガラス用のＨＦプロセス、およびシリコン用のＫＯＨプロセス）を用いて実行される。
本発明によるプロセスによって、細く剛性な形状を有する微細加工部品をバッチモードにおいて高精度に製造可能となる。
具体的には、特に有利な様式で、複数の金型３、３’は、同じ第１の基板５、５’で製造される。これらの金型は互いに同一である必要はない。次に、複数金型板１４を図３に例示するように得る。
この複数金型板１４は、少なくとも１つの微細加工部品１、１’を電気めっきで製造するために用いられることを目的とする。本発明によれば、複数金型板１４は、微細加工部品１、１’の高さと少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板１、１’と、第１の基板５にしっかりと固定された第２の基板８と、第１の基板５と第２の基板８との間に配置される少なくとも１つの導電層１０と、第１の基板５と導電層１０との間に配置される任意のレジスト層１６とを含む。第１の基板５は、微細加工部品１、１’用の少なくとも１つの金型３、３’を含む。この金型は、第１の基板５内に形成される空洞１２、１２’によって形成される。金型の底面は導電層１０によって覆われ、それによって、金属は、微細加工部品１、１’を形成するために、空洞１２、１２’にガルバニック成長法によって堆積可能である。第１および第２の基板５および８、導電層１０およびレジスト層１６は前述のように画定される。
さらに、本発明により得られる金型は、感光ガラスからなる。感光ガラスは、従来このような金型を形成するために用いられるレジストよりも剛性であり、ガルバニック成長浴の効果に対して敏感ではない。したがって、本発明による微細加工部品を製造するプロセスは、特に堅調であり、具体的には高アスペクト比の部品を製造する際に特に堅調である。
本発明によるプロセスによって、金型３、３’の底面で高品質な導電層１０を用いることによって、ステップｈ）のガルバニック成長法は容易に開始可能である。
さらに、本発明による微細加工部品を製造するプロセスは、ガルバニック成長法を開始するために用いられる層を形成するために、複雑かつ局所的な金属の堆積（ステンシルマスク）を必要としないため、実装が容易である。
最後に、本発明による微細加工部品を製造するプロセスによって、Ｂｏｓｃｈ（登録商標）ＤＲＩＥを用いたエッチングによる形状を回避可能である。したがって、扇型の切り欠きは生じないため、追加の平滑ステップは必要ない。
１ ：微細加工部品
１’ ：微細加工部品
３ ：金型
３’ ：金型
５ ：第１の基板
７ ：照射区域
７’ ：照射区域
８ ：第２の基板
１０ ：導電層
１２ ：空洞
１２’ ：空洞
１４ ：複数金型板
１６ ：レジスト層
１’ ：微細加工部品
３ ：金型
３’ ：金型
５ ：第１の基板
７ ：照射区域
７’ ：照射区域
８ ：第２の基板
１０ ：導電層
１２ ：空洞
１２’ ：空洞
１４ ：複数金型板
１６ ：レジスト層
Claims (11)
- 金属を電気めっきするための金型（３、３’）を製造するプロセスであって、
ａ）前記金型（３、３’）の高さに少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板（５）を提供するステップと、
ｂ）前記第１の基板（５）に、前記金型（３、３’）の凹部に対応する窓を有するマスクを通じてＵＶ光線を照射し、照射区域（７、７’）を生成するステップと、
ｃ）ステップｂ）で得た前記第１の基板（５）に熱処理を実施し、前記照射区域（７、７’）を結晶化するステップと、
ｄ）少なくとも１つの導電層（１０）を表面に有する第２の基板（８）を提供するステップと、
ｅ）ステップｃ）で得た前記第１の基板（５）を前記第２の基板（８）に結合し、それによって前記導電層（１０）を前記第１の基板（５）と前記第２の基板（８）との間に配置するステップと、
ｆ）前記第１の基板（５）の前記照射されて結晶化した区域（７、７’）を除去し、前記導電層（１０）を露出し、少なくとも１つの空洞（１２、１２’）を形成するステップであって、前記少なくとも１つの空洞（１２、１２’）の側壁および前記導電層（１０）によって覆われる底面は前記金型（３、３’）を形成するステップと、
を備え、
前記第１の基板（５）と第２の基板（８）を結合する前記ステップｅ）は、前記第１の基板（５）と前記導電層（１０）との間にレジスト層（１６）配置することによって実施される
プロセス。 - 請求項１に記載のプロセスであって、前記第２の基板（８）はシリコン系であることを特徴とする、プロセス。
- 請求項１または２に記載のプロセスであって、前記導電層（１０）は、前記第２の基板（８）上に、クロミウム、チタニウムおよび金を含む群から選択される金属層を堆積することによって形成されることを特徴とする、プロセス。
- 請求項１〜３のいずれかに記載のプロセスであって、前記第１の基板（５）と第２の基板（８）を結合する前記ステップｅ）は、前記第２の基板（８）の前記導電層（１０）を前記第１の基板（５）にはんだ付けすることによって実施されることを特徴とする、プロセス。
- 請求項１に記載のプロセスであって、ステップｆ）は、前記第１の基板（５）の前記照射されて結晶化した区域（７、７’）を除去した後に、前記空洞（１２、１２’）内で露出した前記レジスト層（１６）を除去し、前記導電層（１０）を露出するサブステップｆ’）を備えることを特徴とする、プロセス。
- 請求項１〜５のいずれかに記載のプロセスであって、前記第１の基板（５）の前記照射されて結晶化した区域（７、７’）を除去する前記ステップｆ）は化学エッチングによって実施されることを特徴とする、プロセス。
- 請求項１〜６のいずれかに記載のプロセスであって、複数の金型（３、３’）は同じ前記第１の基板（５）において製造されることを特徴とする、プロセス。
- 電気めっきによって、金属微細加工部品（１、１’）を製造するプロセスであって、
ｇ）前記微細加工部品（１、１’）の金型（３、３’）を、請求項１〜７のいずれかに記載の前記金型（３、３’）を製造するプロセスを用いて製造するステップと、
ｈ）前記金型（３、３’）を、前記導電層（１０）からガルバニック成長法によって金属で充填し、前記微細加工部品（１、１’）を形成するステップと、
ｉ）ステップｈ）で得た前記微細加工部品（１、１’）を前記金型（３、３’）から解放するステップと、
を備えることを特徴とする、プロセス。 - 少なくとも１つの微細加工部品（１、１’）を電気めっきで製造するための複数金型板（１４）であって、前記微細加工部品（１、１’）の高さと少なくとも等しい厚さの感光ガラスからなる第１の基板（５）と、前記第１の基板（５）にしっかりと固定される第２の基板（８）と、前記第１の基板（５）と第２の基板（８）との間に配置される少なくとも１つの導電層（１０）とを含み、前記第１の基板（５）は前記微細加工部品（１、１’）用の少なくとも１つの金型（３、３’）を含み、前記金型は前記第１の基板（５）に形成される空洞（１２、１２’）によって形成され、前記金型の底面は前記導電層（１０）によって覆われ、金属はガルバニック成長法によって前記空洞（１２、１２’）内に堆積し、前記微細加工部品（１、１’）を形成可能であり、
前記第１の基板（５）と前記導電層（１０）との間に配置されるレジスト層（１６）を備える
ことを特徴とする、複数金型板。 - 請求項９に記載の複数金型板（１４）であって、前記第２の基板（８）はシリコン系であることを特徴とする、複数金型板。
- 請求項９または１０に記載の複数金型板（１４）であって、前記導電層（１０）はクロミウム、チタニウムおよび金を含む群から選択される金属層であることを特徴とする、複数金型板。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP17195237.7 | 2017-10-06 | ||
| EP17195237.7A EP3467151B1 (fr) | 2017-10-06 | 2017-10-06 | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
| JP2018176935A JP7152232B2 (ja) | 2017-10-06 | 2018-09-21 | 電気めっき用金型およびその製造プロセス |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018176935A Division JP7152232B2 (ja) | 2017-10-06 | 2018-09-21 | 電気めっき用金型およびその製造プロセス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021181628A true JP2021181628A (ja) | 2021-11-25 |
Family
ID=60185990
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018176935A Active JP7152232B2 (ja) | 2017-10-06 | 2018-09-21 | 電気めっき用金型およびその製造プロセス |
| JP2021125362A Ceased JP2021181628A (ja) | 2017-10-06 | 2021-07-30 | 電気めっき用金型およびその製造プロセス |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018176935A Active JP7152232B2 (ja) | 2017-10-06 | 2018-09-21 | 電気めっき用金型およびその製造プロセス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190106798A1 (ja) |
| EP (1) | EP3467151B1 (ja) |
| JP (2) | JP7152232B2 (ja) |
| CN (1) | CN109628961B (ja) |
| RU (1) | RU2718783C1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11657963B2 (en) * | 2020-09-15 | 2023-05-23 | Enphase Energy, Inc. | Transformer helix winding production |
| US20220157655A1 (en) * | 2020-11-19 | 2022-05-19 | Applied Materials, Inc. | Electroplating with temporary features |
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| JPH09199011A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-07-31 | Hoya Corp | 自発光型ディスプレイ用ピラー付き基板の製造方法 |
| JP2003200396A (ja) * | 2001-10-29 | 2003-07-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 金属微細構造体の製造方法 |
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| US20160113119A1 (en) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | International Business Machines Corporation | Substrate via filling |
| JP2018176935A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | トヨタ自動車株式会社 | 自動運転装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4269514B2 (ja) | 2000-12-20 | 2009-05-27 | 宇部興産株式会社 | 高温集塵用セラミックフィルター |
| CH704955B1 (fr) * | 2007-12-31 | 2012-11-30 | Nivarox Sa | Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce prodédé. |
| EP2157476A1 (fr) * | 2008-08-20 | 2010-02-24 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication de pièces métalliques multi-niveaux par la technique LIGA-UV |
| EP2230207A1 (fr) * | 2009-03-13 | 2010-09-22 | Nivarox-FAR S.A. | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
| EP2230206B1 (fr) * | 2009-03-13 | 2013-07-17 | Nivarox-FAR S.A. | Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication |
| EP2263972A1 (fr) * | 2009-06-12 | 2010-12-22 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'une microstructure métallique et microstructure obtenue selon ce procédé |
| FR2966845B1 (fr) * | 2010-11-02 | 2012-11-16 | Inst Pierre Vernier | Procede de fabrication de micro-composant metallique comportant l'elaboration d'un moule en silicium |
| US20150277047A1 (en) * | 2012-09-12 | 2015-10-01 | Life Bioscience, Inc. | Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications |
| JP6403715B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2018-10-10 | ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ | 感光性ガラス体の連続的製造 |
| WO2017172677A1 (en) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | Corning Incorporated | Methods for metalizing vias within a substrate |
-
2017
- 2017-10-06 EP EP17195237.7A patent/EP3467151B1/fr active Active
-
2018
- 2018-09-20 US US16/136,368 patent/US20190106798A1/en active Pending
- 2018-09-21 JP JP2018176935A patent/JP7152232B2/ja active Active
- 2018-09-26 CN CN201811122842.9A patent/CN109628961B/zh active Active
- 2018-10-05 RU RU2018135091A patent/RU2718783C1/ru active
-
2021
- 2021-07-30 JP JP2021125362A patent/JP2021181628A/ja not_active Ceased
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04269514A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-25 | Brother Ind Ltd | 成形用金型 |
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| US20160113119A1 (en) * | 2014-10-16 | 2016-04-21 | International Business Machines Corporation | Substrate via filling |
| JP2018176935A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | トヨタ自動車株式会社 | 自動運転装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| "Materials for LiGA and LiGA-based microsystems", NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH B, vol. 199, JPN6020020733, 2003, pages 332 - 341, ISSN: 0004943198 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7152232B2 (ja) | 2022-10-12 |
| RU2718783C1 (ru) | 2020-04-14 |
| EP3467151B1 (fr) | 2020-06-17 |
| US20190106798A1 (en) | 2019-04-11 |
| CN109628961A (zh) | 2019-04-16 |
| CN109628961B (zh) | 2021-11-19 |
| JP2019070193A (ja) | 2019-05-09 |
| EP3467151A1 (fr) | 2019-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210730 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220615 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221213 |
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