CN109616401A - 一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供蓝宝石衬底；采用物理气相沉积方法在蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上。本发明能够在蓝宝石衬底上形成厚度均匀的AlN薄膜，改善发光二极管外延片的波长均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片。
背景技术
GaN(氮化镓)基LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是LED中的一种，一般包括外延片和在外延片上制备的电极。
目前，大部分GaN基LED外延片采用蓝宝石衬底制得。而蓝宝石与GaN材料存在着晶格失配和热失配问题，在蓝宝石衬底上生长的GaN外延材料晶体质量很难有进一步的提升。经研究发现，由于AlN(氮化铝)分别与GaN、蓝宝石衬底之间仅有较小的晶格不匹配，因此将AlN作为缓冲层置入到蓝宝石衬底和GaN之间。基于此，现有的GaN基LED外延片的制备方法包括，首先，采用PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)方法在蓝宝石衬底上沉积一层AlN薄膜，得到AlN模板。其次，再采用MOCVD(Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)方法在AlN模板上生长GaN薄膜，得到GaN基LED外延片。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
采用PVD方法沉积AlN薄膜时，例如采用磁控溅射方法沉积AlN时，惰性气体在电、磁场作用下辉光放电产生离子，离子将持续轰击Al靶材，Al靶材溅射产生Al原子，Al原子与氮原子反应生成AlN薄膜。而在溅射过程中，Al靶材表面也会形成AlN薄膜，这会导致Al原子的不均匀溅射，从而在蓝宝石衬底上将形成膜厚不均匀的AlN薄膜。在采用MOCVD方法生长GaN薄膜的过程中，由于在AlN薄膜厚度不均匀处所受到的温度不同，外延片的翘曲度也不同，这最终将会影响到外延片的波长均匀性。
发明内容
本发明实施例提供了一种AlN模板及其制备方法、发光二极管外延片，能够在蓝宝石衬底上形成厚度均匀的AlN薄膜，改善发光二极管外延片的波长均匀性。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种AlN模板的制备方法，所述方法包括：
提供蓝宝石衬底；
采用物理气相沉积方法在所述蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
可选地，所述第一AlN层的厚度为1～15nm，所述复合层的厚度为2.5～15nm，所述复合层的数量为2～10。
可选地，所述复合层中的第二AlN层的厚度是所述复合层中的Al层的厚度的5～10倍，所述复合层中的Al层的厚度为0.5～1.5nm。
可选地，所述第一AlN层和各个所述复合层中的第二AlN层均掺杂氧，所述第一AlN层掺杂的氧的浓度小于各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度，各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度沿所述复合层的沉积方向逐渐增加。
可选地，所述第一AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.3，所述第二AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.6。
可选地，所述采用物理气相沉积方法在所述蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，包括：
提供Al靶材；
连通所述Al靶材和第一溅射电源，在所述蓝宝石衬底上沉积所述第一AlN层；
连通所述Al靶材和第二溅射电源，在所述蓝宝石衬底上沉积所述若干层叠的复合层，所述Al靶材在连通所述第一溅射电源后产生第一电场，所述Al靶材在连通所述第二溅射电源后产生第二电场，所述第一电场的功率大于所述第二电场的功率。
第二方面，提供了一种AlN模板，所述AlN模板包括：蓝宝石衬底、以及在所述蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
可选地，所述第一AlN层和各个复合层中的第二AlN层均掺杂氧，所述第一AlN层掺杂的氧的浓度小于各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度，各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度沿所述复合层的沉积方向逐渐增加。
可选地，所述第一AlN层的厚度为1～15nm，所述复合层的厚度为2.5～15nm，所述复合层的数量为2～10。
第三方面，提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括：
AlN模板、以及顺次层叠在所述AlN模板上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述AlN模板包括蓝宝石衬底、以及在所述蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，并且，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上；这样，在第一AlN层和第二AlN层之间、以及相邻第二AlN层之间设置Al层，在沉积Al层的过程中，可以去除沉积位于Al层之前的第一AlN层和第二AlN层时在Al靶材表面所形成的氮化铝等物质，获得干净的、均匀性较好的Al靶材，从而在沉积位于Al层之后的第二AlN层时，采用干净的、均匀性较好的Al靶材能够得到厚度均匀性更好的AlN薄膜，当采用该AlN模板制备外延片时，由于AlN薄膜具有均匀性较好的厚度，可以改善外延片波长的均匀性和一致性，最终提高发光二极管的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种AlN模板的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的一种AlN模板的制备方法的流程图；
图3是本发明实施例提供的一种AlN模板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1示出了本发明实施例提供的一种AlN模板的制备方法。该AlN模板包括蓝宝石衬底、以及覆盖在蓝宝石衬底上的AlN薄膜。参见图1，该方法流程包括如下步骤。
步骤101、提供蓝宝石衬底。
步骤102、采用PVD方法在蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜。
其中，AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层。复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层。靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上。
示例性地，AlN薄膜的厚度为1～100nm。例如，AlN薄膜的厚度为6nm。
本发明实施例通过在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，并且，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上；这样，在第一AlN层和第二AlN层之间、以及相邻第二AlN层之间设置Al层，在沉积Al层的过程中，可以去除沉积位于Al层之前的第一AlN层和第二AlN层时在Al靶材表面所形成的氮化铝等物质，获得干净的、均匀性较好的Al靶材，从而在沉积位于Al层之后的第二AlN层时，采用干净的、均匀性较好的Al靶材能够得到厚度均匀性更好的AlN薄膜，当采用该AlN模板制备外延片时，由于AlN薄膜具有均匀性较好的厚度，可以改善外延片波长的均匀性和一致性，最终提高发光二极管的发光效率。
图2示出了本发明实施例提供的一种AlN模板的制备方法。参见图2，该方法流程包括如下步骤。
步骤201、提供蓝宝石衬底，并将蓝宝石衬底放置到磁控溅射设备的反应腔中。
其中，蓝宝石衬底(Al2O3)为(0001)晶向蓝宝石衬底。
示例性地，反应腔内设有SiC材质的托盘。将蓝宝石衬底放置于托盘上，再将托盘放入磁控溅射设备的溅射机台，并由溅射机台传送至反应腔(也称沉积腔室)的基片上。
步骤202、提供Al靶材，并将Al靶材放置到反应腔中。
示例性地，将Al靶材作为阴极放置到反应腔。Al靶材与基片相对设置。在Al靶材附近布置有磁体(磁控管)，Al靶材位于磁体与基片之间。
步骤203、对蓝宝石衬底进行处理。
示例性地，处理方式包括：对反应腔进行抽真空，抽真空的同时开始对蓝宝石衬底进行加热升温。当本底真空抽至低于1*10-7Torr时，将加热温度稳定在350～750℃，对蓝宝石衬底进行烘烤，烘烤时间为2～12分钟。
步骤204、连通Al靶材和第一溅射电源，在蓝宝石衬底上沉积第一AlN层。
步骤204可以包括：向反应腔通入第一反应气体，并连通Al靶材和第一溅射电源，在蓝宝石衬底上沉积第一AlN层。
其中，第一反应气体包括惰性气体和N2(氮气)，惰性气体可以是Ar(氩气)。Ar：N2的流量比可以为1:2～1:10。示例性地，Ar：N2的流量比可以为1:3。
其中，在反应腔通入第一反应气体时，同时对衬底进行加热。示例性地，第一AlN层的生长压力为1～10mTorr，生长温度为500～750℃。
其中，先向反应腔通入第一反应气体，接着再连通Al靶材和第一溅射电源。示例性地，在持续通入第一反应气体的时间达到10～60s时，将阴极与第一溅射电源连通，这样，放置在阴极的Al靶材将连通第一溅射电源。Al靶材将连通第一溅射电源后产生第一电场。示例性地，第一电场的功率为1～6kw。Ar在第一电场和磁体产生的磁场的作用下发生辉光放电，分离出Ar离子。Ar离子将持续轰击Al靶材。Al靶材受到Ar离子的轰击后，将溅射出大量Al原子。同时，N2在第一电场和磁场的作用下电离出N原子。Al原子与N原子发生反应，在位于基片上的蓝宝石衬底上沉积第一AlN层。
示例性地，第一反应气体还包括O2(氧气)。O2流量可以为Ar与N2流量之和的0～10％。示例性地，O2流量可以为Ar与N2流量之和的0.5％。当第一反应气体还包括O2时，第一AlN层中掺杂氧。
示例性地，第一AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.3。
其中，根据第一AlN层的厚度，控制Al靶材和第一溅射电源的连通时间。示例性地，第一AlN层的厚度为1～15nm。
步骤205、连通Al靶材和第二溅射电源，在蓝宝石衬底上沉积若干层叠的复合层。
其中，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层。靠近第一AlN层的复合层中Al层覆盖在第一AlN层上。
示例性地，复合层中Al层的生长方式包括：向反应腔通入第二反应气体，并连通Al靶材和第二溅射电源，在AlN层上沉积Al层。
其中，第二反应气体包括惰性气体，惰性气体可以是Ar(氩气)。Al靶材在连通第二溅射电源后产生第二电场。Ar在第二电场和磁体产生的磁场的作用下发生辉光放电，分离出Ar离子。Ar离子将持续轰击Al靶材。Al靶材受到Ar离子的轰击后，将溅射出大量Al原子。Al原子在AlN层上形成Al层。当Al层为沉积的第一个Al层时，AlN层是第一AlN层；当Al层不为沉积的第一个Al层时，AlN层是第二AlN层。
示例性地，复合层中第二AlN层的生长方式包括：向反应腔通入第三反应气体，并连通Al靶材和第二溅射电源，在Al层上沉积第二AlN层。
其中，第三反应气体的组分可以与第一反应气体相同。第二AlN层的生长条件同第一AlN层的生长条件，具体请参见步骤204，在此不再赘述。
示例性地，Al靶材在连通第二溅射电源后产生第二电场，第二电场的功率为1～6kw。并且，第一电场的功率大于第二电场的功率。可以分别调节第一溅射电源和第二溅射电源的大小，以分别调节第一电场和第二电场的功率。
示例性地，第一电场的功率与第二电场的功率之差为100～1000kw。
第一AlN层为AlN薄膜的初始结构，加大第一电场的功率有利于快速形成稳定的AlN薄膜，加强底部AlN薄膜的晶体质量。大功率形成的AlN薄膜在外延生长时的凹凸性表现为偏凸，随后在镀复合层时降低电场的功率，可以改善AlN薄膜的凹凸性，后续有利于生长出均匀性较好的外延层。
示例性地，单个复合层的厚度为2.5～15nm，复合层的数量为2～10。所有复合层的总厚度在5～80nm之间。
示例性地，复合层中的第二AlN层的厚度是复合层中的Al层的厚度的5～10倍，复合层中的Al层的厚度为0.5～1.5nm。
示例性地，各个复合层中的第二AlN层掺杂氧。各个复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度沿复合层的沉积方向逐渐增加，第一AlN层掺杂的氧的浓度小于各个复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度。
在第一AlN层和第二AlN层中掺入氧原子有利于减小后续GaN材料外延层的压应力，可以调整外延层的翘曲度，有利于提高LED外延片的波长均匀性。进一步地，AlN薄膜中氧含量越多其晶体质量会越差，如果在靠近蓝宝石衬底的AlN薄膜层中氧含量太多，会使AlN薄膜底部的晶体质量降低，AlN薄膜的致密性变差，蓝宝石衬底与AlN薄膜层的晶格失配度变大，导致后续难以生出长晶体质量较好的外延结构。通过靠近蓝宝石衬底的第一AlN层中的氧含量最少，随着AlN薄膜厚度的累加氧含量逐渐增多，可以获得致密性更好的AlN薄膜，提高后续外延结构的生长质量。
示例性地，第二AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.6。当第一AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.3，且第二AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.6时，后续外延结构的生长质量最佳。
示例性地，复合层的生长压力为1～10mTorr，生长温度为500～750℃。
图3示出了本发明实施例提供的一种AlN模板。参见图3，该AlN模板包括：蓝宝石衬底1、以及在蓝宝石衬底1上沉积的AlN薄膜2。AlN薄膜2包括第一AlN层21、以及顺次层叠在第一AlN层21上的若干复合层22。复合层22包括Al层221(图3中斜线填充)和覆盖在Al层221上的第二AlN层222。
示例性地，第一AlN层21和各个复合层22中的第二AlN层222均掺杂氧。各个复合层22中的第二AlN层222掺杂的氧的浓度沿复合层22的沉积方向(图3中箭头方向所示)逐渐增加，第一AlN层21掺杂的氧的浓度小于各个复合层22中的第二AlN层222掺杂的氧的浓度。
示例性地，第一AlN层21的厚度为1～15nm，复合层22的厚度为2.5～15nm，复合层22的数量为2～10。
示例性地，复合层22中的第二AlN层222的厚度是复合层22中的Al层221的厚度的5～10倍，复合层22中的Al层221的厚度为0.5～1.5nm。
示例性地，图3示出的AlN模板可以通过图1或图2示出的方法制备得到。
本发明实施例通过在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，并且，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上；这样，在第一AlN层和第二AlN层之间、以及相邻第二AlN层之间设置Al层，在沉积Al层的过程中，可以去除沉积位于Al层之前的第一AlN层和第二AlN层时在Al靶材表面所形成的氮化铝等物质，获得干净的、均匀性较好的Al靶材，从而在沉积位于Al层之后的第二AlN层时，采用干净的、均匀性较好的Al靶材能够得到厚度均匀性更好的AlN薄膜，当采用该AlN模板制备外延片时，由于AlN薄膜具有均匀性较好的厚度，可以改善外延片波长的均匀性和一致性，最终提高发光二极管的发光效率。
图4示出了本发明实施例提供的一种发光二极管外延片，参见图4，该发光二极管外延片包括：AlN模板80、以及顺次层叠在AlN模板80上的未掺杂GaN层81、N型GaN层82、多量子阱层83、电子阻挡层84、P型GaN层85、以及P型接触层86。其中，该AlN模板80包括蓝宝石衬底800、以及在蓝宝石衬底800上沉积的AlN薄膜801。AlN薄膜801包括第一AlN层802、以及顺次层叠在第一AlN层802上的若干复合层803。复合层803包括Al层8031(图4中斜线填充)和覆盖在Al层8031上的第二AlN层8032。靠近第一AlN层802的复合层803中的Al层8031覆盖在第一AlN层802上。
示例性地，该AlN模板80为图3示出的AlN模板。
其中，可以采用MOCVD方法在AlN模板80上生长外延层，外延层包括未掺杂GaN层81、N型GaN层82、多量子阱层83、电子阻挡层84、P型GaN层85、以及P型接触层86。下面介绍一下外延层的生长流程。
第一步，将AlN模板80放置在MOCVD设备的反应腔中进行原位退火处理，退火温度在1000℃～1200℃，压力区间为200Torr～500Torr，时间在5分钟至10分钟之间。
第二步，退火完成后，将MOCVD设备的反应腔的温度调节至1000℃～1100℃，生长厚度在0.1至4.0微米的未掺杂GaN层81，生长压力在100Torr至300Torr之间。
第三步，未掺杂GaN层81生长结束后，生长一层Si掺杂的N型GaN层82，厚度在1.0～5.0微米之间，生长温度在1000℃～1200℃，压力在100Torr至300Torr之间，Si掺杂浓度在1018cm-3～1019cm-3之间。
第四步，N型GaN层82生长结束后生长多量子阱层83，多量子阱层83由4到15个周期的InaGa1-aN(0<a<0.5)量子阱和GaN量子垒组成，量子阱厚在3nm左右，生长温度的范围在725℃-835℃间，压力范围在100Torr与500Torr之间：量子垒的厚度在8nm至20nm间，生长温度在845℃-955℃，生长压力在100Torr到500Torr之间。
第五步，多量子阱层83生长完成后，生长电子阻挡层84。电子阻挡层84为P型AlbGa1-bN(0.1<b<0.5)电子阻挡层，生长温度在855℃与1085℃之间，生长压力为100Torr与500Torr间，生长厚度在10nm至150nm间。
第六步，电子阻挡层84生长完成后，在其上生长一层P型GaN层85，厚度在10nm至500nm之间，生长温度在855℃-1085℃之间，生长压力区间为100Torr-600Torr。
第七步，在P型GaN层85上生长P型接触层86，厚度为5nm至300nm之间，生长温度区间为855℃～1065℃，生长压力区间为100Torr～600Torr。
第八步，P型接触层86生长结束后，将MOCVD设备的反应腔内温度降低，在氮气气氛中退火处理，退火温度区间为650℃～850℃，退火处理5到15分钟，降至室温，外延生长结束。
本发明实施例通过在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在第一AlN层上的若干复合层，复合层包括Al层和覆盖在Al层上的第二AlN层，并且，靠近第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在第一AlN层上；这样，在第一AlN层和第二AlN层之间、以及相邻第二AlN层之间设置Al层，在沉积Al层的过程中，可以去除沉积位于Al层之前的第一AlN层和第二AlN层时在Al靶材表面所形成的氮化铝等物质，获得干净的、均匀性较好的Al靶材，从而在沉积位于Al层之后的第二AlN层时，采用干净的、均匀性较好的Al靶材能够得到厚度均匀性更好的AlN薄膜，当采用该AlN模板制备外延片时，由于AlN薄膜具有均匀性较好的厚度，可以改善外延片波长的均匀性和一致性，最终提高发光二极管的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种AlN模板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供蓝宝石衬底；
采用物理气相沉积方法在所述蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一AlN层的厚度为1～15nm，所述复合层的厚度为2.5～15nm，所述复合层的数量为2～10。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述复合层中的第二AlN层的厚度是所述复合层中的Al层的厚度的5～10倍，所述复合层中的Al层的厚度为0.5～1.5nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一AlN层和各个所述复合层中的第二AlN层均掺杂氧，所述第一AlN层掺杂的氧的浓度小于各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度，各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度沿所述复合层的沉积方向逐渐增加。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.3，所述第二AlN层中氧含量和氮含量的摩尔比为0～0.6。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用物理气相沉积方法在所述蓝宝石衬底上沉积AlN薄膜，包括：
提供Al靶材；
连通所述Al靶材和第一溅射电源，在所述蓝宝石衬底上沉积所述第一AlN层；
连通所述Al靶材和第二溅射电源，在所述蓝宝石衬底上沉积所述若干层叠的复合层，所述Al靶材在连通所述第一溅射电源后产生第一电场，所述Al靶材在连通所述第二溅射电源后产生第二电场，所述第一电场的功率大于所述第二电场的功率。
7.一种AlN模板，其特征在于，所述AlN模板包括：蓝宝石衬底、以及在所述蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
8.根据权利要求7所述的AlN模板，其特征在于，所述第一AlN层和各个复合层中的第二AlN层均掺杂氧，所述第一AlN层掺杂的氧的浓度小于各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度，各个所述复合层中的第二AlN层掺杂的氧的浓度沿所述复合层的沉积方向逐渐增加。
9.根据权利要求7所述的AlN模板，其特征在于，所述第一AlN层的厚度为1～15nm，所述复合层的厚度为2.5～15nm，所述复合层的数量为2～10。
10.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括：
AlN模板、以及顺次层叠在所述AlN模板上的未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层、以及P型接触层，所述AlN模板包括蓝宝石衬底、以及在所述蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜，所述AlN薄膜包括第一AlN层、以及顺次层叠在所述第一AlN层上的若干复合层，所述复合层包括Al层和覆盖在所述Al层上的第二AlN层，靠近所述第一AlN层的复合层中的Al层覆盖在所述第一AlN层上。
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