CN109599461A - Led的固晶方法及喷涂装置 - Google Patents

Led的固晶方法及喷涂装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109599461A
CN109599461A CN201811270957.2A CN201811270957A CN109599461A CN 109599461 A CN109599461 A CN 109599461A CN 201811270957 A CN201811270957 A CN 201811270957A CN 109599461 A CN109599461 A CN 109599461A
Authority
CN
China
Prior art keywords
die
tin cream
bonding method
nozzle
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811270957.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109599461B (zh
Inventor
杨勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201811270957.2A priority Critical patent/CN109599461B/zh
Publication of CN109599461A publication Critical patent/CN109599461A/zh
Priority to US16/638,480 priority patent/US11417795B2/en
Priority to PCT/CN2019/091463 priority patent/WO2020087940A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109599461B publication Critical patent/CN109599461B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

一种LED的固晶方法及喷涂装置，包括提供一设置有焊盘和覆盖线路的白油层的基板，再在基板上放置钢网，然后通过喷涂装置将含有锡膏的悬浊液喷涂在焊盘上，形成锡膏膜层，最后进行回流焊工艺。通过采用喷涂的方式将锡膏制备在焊盘上，避免了芯片在回流焊过程中受到锡膏拉扯而倾斜或短路，进而改善面光源亮度不均匀的现象。

Description

LED的固晶方法及喷涂装置
技术领域
本发明涉及LED的封装技术领域，尤其涉及一种LED的固晶方法及喷涂装置
背景技术
在miniLED(mini Light-Emitting Diode，迷你发光二极管)的固晶工艺方面，一般采用传统的锡膏涂布方式来进行焊接。由于锡膏涂布时，采用的涂布钢网无法精确控制锡膏的用量，造成后续回流焊工艺时固晶芯片由于锡膏的拉扯导致倾斜，从而使芯片的发光方向发生改变，进而导致面光源混光的均匀性变差。
发明内容
本发明提供一种LED的固晶方法及喷涂装置，以解决现有的LED的固晶方法，由于采用传统的锡膏涂布方式进行焊接，导致无法精确控制锡膏的用量，造成后续回流焊工艺时，固晶芯片受到锡膏的拉扯而倾斜，导致芯片的发光方向改变，进而导致面光源混光的均匀性变差的技术问题
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种LED的固晶方法，包括：
S10，提供一基板，所述基板上设置有焊盘和覆盖线路的白油层；
S20，提供一喷涂装置，所述喷涂装置包括液体循环单元、与所述液体循环单元连接的加压控流单元、以及与所述加压控流单元连接的喷嘴；
S30，在所述基板上放置钢网，所述钢网的网孔与所述焊盘对应设置；
S40，向所述液体循环单元内通入含有锡膏的悬浊液，并混合均匀；
S50，利用加压控流单元控制所述喷嘴的喷涂量，将所述悬浊液喷涂在所述焊盘上，形成锡膏膜层；
S60，将LED芯片置于所述锡膏膜层上；
S70，将放置有所述LED的基板进行回流焊工艺。
在本发明的至少一种实施例中，在所述S60之前，还包括：
利用所述喷涂装置，在所述锡膏膜层上喷涂助焊剂，形成助焊层。
在本发明的至少一种实施例中，在所述S60之前，还包括：
利用所述喷涂装置，在所述助焊层上喷涂抗氧化剂，形成抗氧化层。
在本发明的至少一种实施例中，所述S40包括：
S401，所述液体循环单元包括U型管，向所述U型管中通入所述悬浊液；
S402，向所述U型管的两个端部通入气体，使所述悬浊液混合均匀。
在本发明的至少一种实施例中，在所述S40之前，还包括：将锡膏与低沸点有机溶剂混合、搅拌，形成所述悬浊液。
在本发明的至少一种实施例中，所述喷嘴的开口面积是所述焊盘面积的0.5～0.8倍。
在本发明的至少一种实施例中，所述喷嘴与所述钢网的垂直距离为1～5毫米。
在本发明的至少一种实施例中，在所述S50中，所述喷嘴将所述悬浊液进行逐行或逐列扫描式喷涂在所述焊盘表面。
在本发明的至少一种实施例中，在所述S50之后，将所述钢网与所述基板脱离。
本发明还提供一种喷涂装置，包括：加压控流单元、加压控流单元以及喷嘴；其中，所述液体循环单元包括用于承载液体的U形管；所述加压控流单元与所述液体循环单元连接，所述加压控流单元上设置有旋钮和撞针；所述喷嘴设置于所述加压控流单元的下方，与所述加压控流单元连接，所述喷嘴上设置有雾化组件。
本发明的有益效果为：本发明通过在焊盘上喷涂锡膏成膜的方式进行锡膏焊接，能够防止在后续的回流焊中锡膏对芯片的拉扯而导致芯片倾斜或短路，另外也能够避免焊盘正负极之间有白油而导致的虚焊现象，能够提升面光源的发光效率和固晶作业的良率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的LED的固晶方法的步骤流程图；
图2为本发明的LED在固晶前芯片架构示意图；
图3为文发明的喷涂装置的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的LED的固晶方法，由于采用锡膏刷涂的方式将LED与焊盘焊接，导致在后续的回流焊工艺时，芯片受到锡膏的拉扯而倾斜，导致芯片的发光方向改变，进而导致面光源混光的均匀性变差的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1～图3所示，本发明提供一种LED的固晶方法，包括以下步骤：
S10，提供一基板11，所述基板11上设置有焊盘13和覆盖线路的白油层12；
S20，提供一喷涂装置20，所述喷涂装置20包括液体循环单元21、与所述液体循环单元21连接的加压控流单元22、以及与所述加压控流单元22连接的喷嘴23；
S30，在所述基板11上放置钢网18，所述钢网的网孔与所述焊盘13对应设置；
S40，向所述液体循环单元21内通入含有锡膏的悬浊液30，并混合均匀；
S50，利用加压控流单元22控制所述喷嘴23的喷涂量，将所述悬浊液30喷涂在所述焊盘13上，形成锡膏膜层14；
S60，将LED芯片17置于所述锡膏膜层14上；
S70，将放置有所述LED的基板11进行回流焊工艺。
在将所述LED芯片17放置在所述锡膏膜层14上之前，所述固晶方法还包括：在所述锡膏膜层14上喷涂助焊剂，形成助焊层15，所述助焊剂用以增加所述锡膏膜层14与所述LED芯片17之间的粘接力；再在所述助焊层15上喷涂抗氧化剂，形成抗氧化层16，所述抗氧化剂避免所述锡膏膜层14受到氧化而变黄。
所述助焊层15和所述抗氧化层16的成膜方式与所述锡膏膜层14的成膜方式相同，都可通过喷涂装置采用喷涂的方式成膜。
在所述S30中，所述钢网18的网孔与所述焊盘13对应设置，露出所述焊盘13的一部分，所述钢网18的网孔面积小于所述焊盘13面积，本实施例中所述钢网18的网孔面积是所述焊盘13面积的一半。
在所述S40中，先将锡膏与低沸点有机溶剂混合，并搅拌形成所述悬浊液30；再将所述悬浊液30通入到所述液体循环单元21中，具体地，将所述悬浊液30通入到所述液体循环单元21中的U型管中；之后向所述U型管的两个端部通入气体，通过吹起作用，使得所述U型管中的所述悬浊液30混合均匀。
在S50中，所述加压控流单元22包括旋钮222和撞针221，通过调节所述旋钮222，控制所述撞针221的开口大小，进而控制喷涂量的大小；所述加压控流单元22内设置有输液管，所述输液管与所述喷头23连接，通过电磁阀压缩空气控制所述喷头23的喷压；所述喷嘴23中含有雾化组件，向所述喷嘴23中通入气体，使得所述喷嘴23中的所述悬浊液30混合均匀。
在完成所述锡膏膜层的制备后，将所述钢网18与所述基板11脱离，之后再进行后续工艺。
在喷涂所述悬浊液30的过程中，所述喷嘴23与所述钢网18的垂直距离为1～5毫米，所述喷嘴23的开口面积是所述焊盘13面积的0.5～0.8倍，所述喷嘴23在所述钢网18表面进行2～5次逐行或逐列扫描式喷涂，含有锡膏的所述悬浊液30落在焊盘13表面，并向所述焊盘13的其他未露出部分扩散，待所述悬浊液30中的低沸点有机溶剂挥发后形成特定厚度的所述锡膏膜层14，之后采用相同或相似的工艺，将助焊剂和抗氧化剂喷涂在所述锡膏膜层14上。
在所述S60和所述S70中，先将所述LED芯片17粘接到所述锡膏膜层14上，具体地，将所述LED芯片17粘接到所述抗氧化层16表面，所述LED芯片17的正负极171分别与所述焊盘13的正负极对应；之后将放置有所述LED芯片17的基板放入回流焊设备中进行所述回流焊工艺，在高温条件下，所述锡膏膜层14和所述助焊层15受热融化，根据液体表面张力原理，锡膏会朝着面积缩小方向运动，由于芯片引脚的表面能较大，回流焊过后，锡膏完全包裹芯片的引脚，所述助焊层15在高温条件下会分解或挥发，最终芯片的固晶位置在不发生明显改变的情况下完成回流焊工艺。
所述基板上形成有铜线路，所述白油层覆盖所述铜线路，所述白油层与所述铜线路经过黄光工艺图案化，所述焊盘的正负极之间填充有白油，可以增大所述基板11的反射率，从而增加LED的光效；根据白油膜层与所述焊盘13之间的高度差估算锡膏喷涂的厚度，从而控制锡膏的用量，避免虚焊现象产生。
如图3所示，本发明提供一种喷涂装置20，可用于上述LED的固晶作业中，所述喷涂装置20包括液体循环单元21、加压控流单元22、以及喷嘴23。
所述液体循环单元21包括U型管，所述U型管用以承载液体，所述U型管的两个端部相对设置有两个气体通入口，向两个通入口通入气体，通过吹起作用使得所述U型管内的液体混合均匀。
所述加压控流单元22设置于所述U型管的底部，与所述U型管连接，所述加压控流单元22包括旋钮222和撞针221，所述旋钮222设置于所述撞针221的上部，控制所述撞针221的开口大小，所述加压控流单元22内设置有输流管，可通过控制输流管中的电磁阀压缩空气进而控制喷压。
所述喷嘴23设置于所述加压控流单元22的正下方，所述喷嘴23与所述加压控流单元22连接，所述喷嘴23的开口面积是所述焊盘13面积的0.5～0.8倍，所述喷嘴23内设置有雾化组件，所述喷嘴23还包括一气体通入口，向所述喷嘴23内通入气体，使得所述喷嘴23内的液体混合均匀。
有益效果：本发明通过采用在焊盘上喷涂锡膏成膜的方式进行锡膏的焊接，能够防止在后续的回流焊中锡膏对芯片的拉扯而导致芯片倾斜或短路，另外也能够避免焊盘正负极之间有白油而导致的虚焊现象，能够提升面光源的发光效率和固晶作业的良率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种LED的固晶方法，其特征在于，包括：
S10，提供一基板，所述基板上设置有焊盘和覆盖线路的白油层；
S20，提供一喷涂装置，所述喷涂装置包括液体循环单元、与所述液体循环单元连接的加压控流单元、以及与所述加压控流单元连接的喷嘴；
S30，在所述基板上放置钢网，所述钢网的网孔与所述焊盘对应设置；
S40，向所述液体循环单元内通入含有锡膏的悬浊液，并混合均匀；
S50，利用加压控流单元控制所述喷嘴的喷涂量，将所述悬浊液喷涂在所述焊盘上，形成锡膏膜层；
S60，将LED芯片置于所述锡膏膜层上；
S70，将放置有所述LED的基板进行回流焊工艺。
2.根据权利要求1所述的LED的固晶方法，其特征在于，在所述S60之前，还包括：
利用所述喷涂装置，在所述锡膏膜层上喷涂助焊剂，形成助焊层。
3.根据权利要求2所述的LED的固晶方法，其特征在于，在所述S60之前，还包括：
利用所述喷涂装置，在所述助焊层上喷涂抗氧化剂，形成抗氧化层。
4.根据权利要求1所述的LED的固晶方法，其特征在于，所述S40包括：
S401，所述液体循环单元包括U型管，向所述U型管中通入所述悬浊液；
S402，向所述U型管的两个端部通入气体，使所述悬浊液混合均匀。
5.根据权利要求4所述的LED的固晶方法，其特征在于，在所述S401之前，还包括：将锡膏与低沸点有机溶剂混合、搅拌，形成所述悬浊液。
6.根据权利要求1所述的LED的固晶方法，其特征在于，所述喷嘴的开口面积是所述焊盘面积的0.5～0.8倍。
7.根据权利要求1所述的LED的固晶方法，其特征在于，所述喷嘴与所述钢网的垂直距离为1～5毫米。
8.根据权利要求4所述的LED的固晶方法，其特征在于，在所述S50中，所述喷嘴将所述悬浊液进行逐行或逐列扫描式喷涂在所述焊盘表面。
9.根据权利要求1所述的LED的固晶方法，其特征在于，在所述S50之后，将所述钢网与所述基板脱离。
10.一种喷涂装置，其特征在于，包括：
液体循环单元，包括用于承载液体的U形管；
加压控流单元，与所述液体循环单元连接，所述加压控流单元上设置有旋钮和撞针；
喷嘴，设置于所述加压控流单元的下方，与所述加压控流单元连接，所述喷嘴上设置有雾化组件。
CN201811270957.2A 2018-10-29 2018-10-29 Led的固晶方法及喷涂装置 Active CN109599461B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811270957.2A CN109599461B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 Led的固晶方法及喷涂装置
US16/638,480 US11417795B2 (en) 2018-10-29 2019-06-17 Die-bonding method and spraying device for LED
PCT/CN2019/091463 WO2020087940A1 (zh) 2018-10-29 2019-06-17 Led的固晶方法及喷涂装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811270957.2A CN109599461B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 Led的固晶方法及喷涂装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109599461A true CN109599461A (zh) 2019-04-09
CN109599461B CN109599461B (zh) 2020-03-27

Family

ID=65957149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811270957.2A Active CN109599461B (zh) 2018-10-29 2018-10-29 Led的固晶方法及喷涂装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11417795B2 (zh)
CN (1) CN109599461B (zh)
WO (1) WO2020087940A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020087940A1 (zh) * 2018-10-29 2020-05-07 武汉华星光电技术有限公司 Led的固晶方法及喷涂装置
CN111373553A (zh) * 2019-12-30 2020-07-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
CN112013665A (zh) * 2020-08-18 2020-12-01 涌明科技(上海)有限公司 一种半导体芯片除湿及抗氧化装置
WO2021174793A1 (zh) * 2020-03-04 2021-09-10 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Micro-LED的固晶方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110079814A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Yi-Chang Chen Light emitted diode substrate and method for producing the same
CN102909143A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 长庚大学 连通管抗沉淀装置及方法
US20140054632A1 (en) * 2009-04-22 2014-02-27 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
CN203578047U (zh) * 2013-10-30 2014-05-07 江阴市景顺环保科技有限公司 碰撞式雾化喷嘴
CN104056753A (zh) * 2013-03-20 2014-09-24 新世纪光电股份有限公司 喷涂装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5206572B2 (ja) * 2009-04-23 2013-06-12 株式会社日立プラントテクノロジー ハンダボール印刷装置
DE102018115976A1 (de) * 2017-07-10 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit Bauelementen, Pigment für das Bestücken eines Trägers mit einem Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Pigments
CN109599461B (zh) * 2018-10-29 2020-03-27 武汉华星光电技术有限公司 Led的固晶方法及喷涂装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140054632A1 (en) * 2009-04-22 2014-02-27 Shat-R-Shield, Inc. Silicone coated light-emitting diode
US20110079814A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Yi-Chang Chen Light emitted diode substrate and method for producing the same
CN102909143A (zh) * 2011-08-05 2013-02-06 长庚大学 连通管抗沉淀装置及方法
CN104056753A (zh) * 2013-03-20 2014-09-24 新世纪光电股份有限公司 喷涂装置
CN203578047U (zh) * 2013-10-30 2014-05-07 江阴市景顺环保科技有限公司 碰撞式雾化喷嘴

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020087940A1 (zh) * 2018-10-29 2020-05-07 武汉华星光电技术有限公司 Led的固晶方法及喷涂装置
CN111373553A (zh) * 2019-12-30 2020-07-03 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
WO2021134239A1 (zh) * 2019-12-30 2021-07-08 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
WO2021174793A1 (zh) * 2020-03-04 2021-09-10 深圳雷曼光电科技股份有限公司 Micro-LED的固晶方法
CN112013665A (zh) * 2020-08-18 2020-12-01 涌明科技(上海)有限公司 一种半导体芯片除湿及抗氧化装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN109599461B (zh) 2020-03-27
US11417795B2 (en) 2022-08-16
US20210217924A1 (en) 2021-07-15
WO2020087940A1 (zh) 2020-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109599461A (zh) Led的固晶方法及喷涂装置
US7521728B2 (en) Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
TWI693648B (zh) 用於組裝發光元件矩陣的多點接合技術
US20060214274A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
DE112005003652T5 (de) Gehäuse für lichtemittierende Halbleitervorrichtungen, welche ausgegebene Verkapselungsmittel und Verfahren zum Verkapseln derselben verwenden
JP2009503888A5 (zh)
TWI724720B (zh) 微發光二極體顯示面板及其製備方法
JP2011124248A (ja) 発光装置の製造方法
CN106356366A (zh) 倒装芯片接合合金
TWI824688B (zh) 晶粒封裝體的接合與轉移方法
CN207781646U (zh) 一种led芯片倒装焊接结构和led灯珠
TW201405730A (zh) 半導體裝置及其製造方法
JP2007123822A (ja) Ｌｅｄ（発光ダイオード）の製造方法
CN108258103B (zh) 一种多色温cob光源及其封装方法
CN106531703A (zh) 高性能倒装cob封装结构及其制作方法
CN106449950A (zh) 一种mlcob光源的制作方法
CN207068918U (zh) 一种芯片级cob模组
CN217641380U (zh) 一种灯板
US6722553B2 (en) Controlled and programmed deposition of flux on a flip-chip die by spraying
CN213340422U (zh) 易于焊接的倒装Mini/Micro-LED芯片
CN110212073A (zh) 单面csp及其制造方法
JP2005317951A (ja) 発光ダイオード組立体の組立方法および発光ダイオード組立体
CN101937961B (zh) 使用次粘着基板制造发光二极管的方法
CN1564332A (zh) 白光二极管制造方法
CN205881939U (zh) 一种倒装cob光源

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant