CN109560195A - 一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，属于膜制备以及忆阻器器件技术领域。
背景技术
忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四类无源元件，是一个与磁通量和电荷相关的无源电路元件。早在1971年，国际非线性电路和细胞神经网络理论先驱：蔡少棠基于电路理论，从理论上预言了忆阻器的存在。2008年，惠普实验室首次在实验上构筑了忆阻器原型器件，证实了蔡少棠有关忆阻器的学说。忆阻器具有新颖的非线性电学性质，并兼具密度高、尺寸小、功耗低、非易失性等特点，被认为是发展下一代新型非易失性内存器的理想方案。
忆阻器的第一个实物是一种三明治结构，顶电极和底电极是惰性金属，阻变机理是基于掺杂氧空穴的二氧化钛。基于这种结构制作的忆阻器价格昂贵，难以得到很好商业应用。近些年来，忆阻器的阻变层正在被一个个性能卓越的二维材料所替代。
最近，一种二维材料材料MXene被成功开发出来，其具有较高的电子导电性，亲水性好，易制备等特点。由于它制备过程导致表面挂各种不同官能团，导致会呈现出类半导体的性质，被广泛地应用于电化学的研究，取得了令人瞩目的成绩。但是针对它与众不同的性质，将其作为忆阻器的核心器件，目前这方面研究比较稀少。此外，如何将MXene作为硅基忆阻器的核心阻变层，也需要一定探究，从而扩展MXene这种新材料在半导体器件的应用。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提出一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现：一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，
该方法包括如下步骤：
S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；
S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；
S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。
优选地，在S1步骤中，所述MXene粉末和二甲基亚砜溶液的体积比为1％～10％。
优选地，所述MXene粉末是采用氢氟酸溶液处理MAX原料，反应完全后加入去离子水洗涤至中性，溶液剥离后得到的；其中MAX原料成分是Mn+1AXn，其中M为过渡金属，A为IIIA和IVA族元素，X为C或N中的一种或两种混合，
优选地，所述M为Ti或V，A为Al或Si。
优选地，在S2步骤中，将硅片放置于甩胶机中央。
优选地，在S3步骤中，所述甩胶机的转速范围为750转～4500转。
本发明还揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法制得的MXene薄膜的应用，所述MXene薄膜应用于忆阻器二端器件的制作，MXene薄膜用于忆阻器器件的介变层，制备出了结构为Cu/MXene/SiO2/W/Si单一结构的忆阻器件。
优选地，Cu、SiO2、W的生长方法均为物理气相沉积。
本发明采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：本发明以硅为衬底，MXene在二甲基亚砜溶液中实现很好的分层，增加粘附性，解决了MXene水溶液很难在硅片生长的难题。这种MXene薄膜均匀性好，粘附性高，具有较强的导电性、机械性能，操作简单，成本低廉，利于大规模应用，拓展了MXene这种新材料在硅基半导体器件的应用。
附图说明
图1为本发明的各种条件MXene(Ti3C2)的薄膜金相显微镜图像。
图2为本发明的MXene(Ti3C2)粉末SEM图像。
图3为本发明的MXene(Ti3C2)粉末SEM图像。
图4为本发明的MXene(Ti3C2)粉末SEM图像。
图5为本发明的MXene(Ti3C2)薄膜制作流程图。
图6为本发明的MXene(Ti3C2)薄膜所做的忆阻器器件器件结构图。
图7为本发明的忆阻器器件测得的伏安特性曲线。
具体实施方式
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。
本发明揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：
S1：向10ml离心管中加入一定比例的MXene粉末和二甲基亚砜溶液，其中MXene粉末和二甲基亚砜溶液的体积比为1％～10％；
S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；
S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，最后成功生长出了均匀MXene薄膜。
在S1步骤中，所述MXene粉末是采用氢氟酸溶液处理MAX原料，反应完全后加入去离子水洗涤至中性，溶液剥离后得到的；其中MAX原料成分是Mn+1XnTX，其中M是早期过渡金属，例如Ti，V，A为IIIA和IVA族元素，例如Al，Si，X为C或N中的一种或两种混合。
上述所有步骤都必须在超净间完成防止器件污染。这种镀膜方法也被应用于忆阻器二端器件的制作，将MXene薄膜作为忆阻器的介变层，成功通过PVD镀膜以及上述方法制成了Cu/MXene/SiO2/W/Si的忆阻器单一器件，通过IV循环测试测出了滞回曲线，实现了多阻态变化。
实施例1
先将0.3gTi3C2粉末和3ml二甲基亚砜溶液，体积比为10％，同时加到10ml离心管中，超声混合均匀30min。打开甩胶机，取清洗干净的硅片，启动甩胶机，转速设为200转。用胶头滴管将10ml离心管中的上清液，以每秒钟1滴速度滴在硅片中间，然后加快甩胶机转速至750转，60s后停掉甩胶机，然后取出硅片进行烘干，得到Ti3C2MXene薄膜如图1所示，所得MXene在硅片上薄膜扫描电镜形貌如图2所示，整个过程的流程图如图5所示
实施例2
将0.15gTi3C2粉末和3ml二甲基亚砜溶液，体积比为5％，同时加到10ml离心管中，超声混合30min。打开甩胶机，取清洗干净的硅片，启动甩胶机，转速设为200转。用胶头滴管用胶头滴管将10ml离心管中的上清液，以每秒钟1滴速度滴在硅片中间。然后加快甩胶机转速至2500转，60s后停掉甩胶机，然后取出硅片进行烘干，得到MXene薄膜如图1所示，所得MXene在硅片上薄膜扫描电镜形貌如图3所示。整个过程的流程图如图5所示。
实施例3
将0.03gTi3C2粉末和3ml二甲基亚砜溶液，体积比为1％，同时加到10ml离心管中，超声混合30min。打开甩胶机，取清洗干净的硅片，启动甩胶机，转速设为200转。用胶头滴管用胶头滴管将10ml离心管中的上清液，以每秒钟1滴速度滴在硅片中间，然后加快甩胶机转速至4500转，60s后停掉甩胶机，然后取出硅片进行烘干，得到MXene薄膜如图1所示，所得MXene在硅片上薄膜扫描电镜形貌如图4所示。整个过程的流程图如图5所示
总结：经过金相显微镜以及扫描电镜的图像分析处理，实施例1可以在硅上得到更为致密均匀的MXene薄膜，是更为优化的实施方案。
MXene均匀薄膜在硅基忆阻器器件的应用：
步骤1：采用洗净的硅片作为衬底，通过物理气相沉积，沉积一层W，厚度为80nm。
步骤2：在W的上面继续通过物理气相沉积镀一层SiO2，厚度为100nm。
步骤3：利用实施例1的方法在SiO2旋涂一层MXene薄膜，作为忆阻器器件的介变层。
步骤4：利用一层掩膜版，将铜电极镀在Si02表面作为整个器件的顶电极，厚度为80nm。制备得到的器件结构如图6所示，本步骤制备的器件的电流-电压曲线如图7所示。
本发明首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
本发明阐述了一种基于硅基半导体器件的均匀MXene薄膜的制备方法与其在忆阻器器件中的应用。首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。
本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：
该方法包括如下步骤：
S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；
S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；
S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S1步骤中，所述MXene粉末和二甲基亚砜溶液的体积比为1％～10％。
3.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：所述MXene粉末是采用氢氟酸溶液处理MAX原料，反应完全后加入去离子水洗涤至中性，溶液剥离后得到的；其中MAX原料成分是Mn+1AXn，其中M为过渡金属，A为IIIA和IVA族元素，X为C或N中的一种或两种混合。
4.根据权利要求3所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：所述M为Ti或V，A为Al或Si。
5.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S2步骤中，将硅片放置于甩胶机中央。
6.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S3步骤中，所述甩胶机的转速范围为750转～4500转。
7.根据权利要求1-6所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法制得的MXene薄膜的应用，其特征在于：所述MXene薄膜应用于忆阻器二端器件的制作，MXene薄膜用于忆阻器器件的介变层，制备出了结构为Cu/MXene/SiO2/W/Si单一结构的忆阻器件。
8.根据权利要求7所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法制得的MXene薄膜的应用，其特征在于：Cu、SiO2、W的生长方法均为物理气相沉积。
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|---|---|
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098326A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-06 | 湖北大学 | 一种二维Ti3C2-MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105591028A (zh) * | 2016-01-21 | 2016-05-18 | 山东科技大学 | 一种以ltcc生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法 |
| CN107946459A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-04-20 | 宁波工程学院 | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 |
| CN108511733A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-07 | 中国科学院金属研究所 | 一种MXene/双金属氧化物复合材料及其制备方法和锂离子电池负极材料 |
-
2018
- 2018-11-15 CN CN201811365078.8A patent/CN109560195B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105591028A (zh) * | 2016-01-21 | 2016-05-18 | 山东科技大学 | 一种以ltcc生瓷带为衬底的单层纳米薄膜忆阻器的制备方法 |
| CN107946459A (zh) * | 2017-10-17 | 2018-04-20 | 宁波工程学院 | 一种氧化物忆阻器的全溶液制备方法 |
| CN108511733A (zh) * | 2018-05-16 | 2018-09-07 | 中国科学院金属研究所 | 一种MXene/双金属氧化物复合材料及其制备方法和锂离子电池负极材料 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110098326A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-08-06 | 湖北大学 | 一种二维Ti3C2-MXene薄膜材料及其制备方法和在阻变存储器中的应用 |
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| CN109560195B (zh) | 2022-08-30 |
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