CN109540969A - SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法 - Google Patents
SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑Si16O2‑Si18O2或SiC‑Si18O2‑Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。本发明的测试方法操作简单，准确度高，为表征和筛选合格碳杂质浓度的SiC衬底提供了新的思路。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法。
背景技术
下一代高效电力电子器件技术的核心。SiC MOSFETs相比于Si MOSFETs导通电阻更小、开关电压更高、应用频率更高、温度性能更好，特别适用于功率开关应用。SiC MOSFET器件的集成制造工艺，特别是栅介质工艺，是当前研究的热点。
SiC是唯一能够热生长SiO2的化合物半导体，这就使得SiC可以实现所有Si MOS的器件结构。SiC的热氧化需要比Si更高的氧化温度，氧化温度高达1300℃。目前主流的SiC氧化工艺主要是采用电阻加热方式的氧化炉，主要原理是基于SiC与氧气分子的反应，但是这种与氧气分子氧化的方法，容易造成界面处残留碳簇、间隙原子碳、Si-O-C键、C的悬挂键等缺陷，界面质量退化，导致迁移率降低，如图1所示。
因此，SiC-SiO2界面处的碳杂质类型与位置分布是评价SiC氧化工艺制备的SiC-SiO2界面质量的重要指标，然而目前并没有一个行之有效的方法。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：
一方面，本发明提供一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，包括：
提供一个包含SiC-Si16O2-Si18O2或SiC-Si18O2-Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；
将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；
检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；
分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；
分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。
优选地，在判断碳杂质的类型时，在800～900℃范围内检测间隙C杂质浓度，在900～1300℃范围内检测成键C杂质浓度。
优选地，在计算碳杂质浓度时，首先将所述SiC衬底样品分别在不同温度进行N2退火处理，并利用二次离子质谱测试C的浓度分布，根据公式(1)确定C在SiO2的扩散系数；
其中，C(x，t)为C的浓度，C0为SiO2中C的初始浓度，erfc为余误差函数，D为C的扩散系数，x为C与SiC衬底样品表面之间的距离，t为C的扩散时间；
然后，根据不同时刻的C16O+和C18O+离子电流确定样品的边界条件，利用公式(2)和公式(3)得出不同位置的C杂质浓度，
其中，J表示C的净流量。
优选地，所述包含SiC-5i16O2-Si18O2结构的SiC衬底样品通过首先由18O2氧化，然后由16O2氧化SiC获得，所述包含SiC-Si18O2-Si16O2结构的SiC衬底样品通过首先由16O2氧化，然后由18O2氧化SiC获得。
优选地，氧化温度范围为800℃～1400℃，氧化时间范围为1s～2h，氧化厚度为1nm～20nm。
优选地，加热所述SiC衬底样品时的升温速率为0.1℃/s～10℃/s，加热的温度范围为800℃～1300℃。
优选地，所述真空腔体的压强范围为10-5Pa～10-9Pa。
优选地，利用四级杆质谱仪QMS设备检测C16O+和C18O+的离子电流大小。
另一方面，本发明还提供一种所述测定方法在SiC-SiO2界面质量评价或SiC氧化样品筛选中的应用。
本发明通过制备SiC-Si16O2-Si18O(或SiC-Si18O2-Si16O2)的结构，并利用加热系统以及QMS设备检测C16O+和C18O+的离子电流随时间的变化关系，确定CO在SiC-SiO2的扩散机制以及不同位置的碳杂质浓度分布，并且通过电流大小随温度变化的变化关系可以确定杂质的类型，本发明的方法操作简单，准确度高，为SiC氧化质量的评估提供了一种新的方法。
附图说明
图1为SiC/SiO2界面缺陷示意图。
图2为本发明测定方法中的设备示意图。
图3为SiC-Si16O2-Si18O2样品结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
氧在和SiC表面发生化学反应时，容易产生碳残留，这部分残留存在于氧化硅界面处，一方面造成栅介质漏电，另外一方面形成界面的散射中心，从而影响SiC的迁移率，进而导致器件的输出电流减小，并诱发可靠性问题。因此，准确测量界面处的碳杂质类型以及位置分布，进而筛选界面质量合格的SiC衬底是非常必要的。
图2为本发明提出的测试方法中的设备示意图：其中包括相互连接的真空腔体1和四级杆质谱仪QMS 2，真空腔体1中设置有加热装置3，用于对包含SiC-Si16O2-Si18O2或SiC-Si18O2-Si16O2结构的SiC衬底样品进行加热，真空腔体1通过真空阀4与真空泵5相连，用于控制真空腔体内的压强。
通过低温下对SiC先后在18O2和16O2的环境下氧化获得的包含SiC-Si16O2-Si18O2(或SiC-Si18O2-Si16O2)结构的SiC衬底样品如图3所示。在真空腔体中利用加热装置对SiC衬底样品匀速加热，不同键能的碳杂质会在不同的温度下与SiO2反应生成CO，例如：间隙原子碳形成CO的解析温度低于成键型碳杂质，一般地间隙碳原子在500～900℃左右可以生成CO，而成键型碳杂质在900～1300℃形成CO。生成的CO由SiC-SiO2内部扩散进入到真空腔体中。保持腔体压强一定，通过四级杆质谱仪QMS检测扩散到真空腔体中CO的离子电流随温度的变化，即可分析碳杂质的类型。同时，不同位置处碳杂质生成的CO被QMS检测到的时间不同。一般地CO直接以气体形式在SiO2扩散，此时离表面近的碳杂质形成的CO最先扩散出来，也最先被QMS检测到，而离表面远的扩散慢，最后才被QMS检测到。因此QMS最先检测到位于上层的Si18O2中的碳杂质生成的C18O，之后是位于下层Si16O2中的碳杂质生成的C16O。但是，如果生成的CO通过O原子交换的形式进行扩散，QMS只能检测到C18O，而没有C16O。
本发明通过对O原子的标定不但可以确定CO在内部的扩散机制，同时可以确定C杂质的类型以及相应的位置，具体步骤为：
(1)利用QMS多离子检测模式，设置m/Z＝28、30区分C16O、C18O气体成分。
(2)利用QMS中C16O+和C18O+的离子电流随温度的变化可以分析出C16O、C18O成分随温度的变化，进而可以确定CO在SiO2的扩散机制。同时利用不同的温度范围确定不同的C杂质类型：在800～900℃范围内检测间隙C杂质浓度，在900～1300℃范围内检测成键C杂质浓度。
(3)对包含SiC-Si16O2-Si18O2(或SiC-Si18O2-Si16O2)结构的SiC衬底样品分别在900℃及1300℃进行N2退火处理，并利用SIMS(二次离子质谱)测试SiC-Si16O2-Si18O2(或SiC-Si18O2-Si16O2)结构中C的浓度分布，根据公式(1)确定C在SiO2的扩散系数。
其中，C(x，t)为C的浓度，C0为SiO2中C的初始浓度，erfc为余误差函数，D为C的扩散系数，x为C与SiC衬底样品表面之间的距离，t为C的扩散时间；
(4)根据不同时刻的C16O+和C18O+离子电流确定样品的边界条件，扩散方程(菲克第一定律式(2)以及菲克第二定律式(3))就可以得出不同位置的C杂质浓度。
其中，J表示C的净流量。
在本发明的方法中，Si18O2和Si16O2层的厚度由氧化时间以及氧化温度确定，厚度越大氧化时间越长，而氧化温度范围越大，能够与SiO2反应的碳杂质类型越多，得到的碳杂质信息越全，优选地，氧化温度范围在800℃～1400℃，氧化时间为1s～2h。
实施例1
利用多个SiC晶片先在一个标准大气压下，1200℃，18O2的环境下氧化20min，得到5nm左右的Si18O2，之后一个标准大气压下，1200℃，16O2的环境下氧化30min，得到5nm左右的Si16O2，从而形成包含SiC-Si16O2-Si18O2结构的SiC样品，随机抽取若干样品进行检测；
保持腔体真空度为10-5Pa的条件下，对样品匀速加热，加热速率为1℃/s，利用QMS检测C16O+和C18O+的离子电流大小随时间的变化趋势，确定CO在SiC-SiO2的扩散机制，利用扩散方程求解不同位置处的C浓度分布。
利用四级杆质谱仪QMS检测C16O+和C18O+的离子电流大小随温度的变化曲线，进而确定不同温度下的碳杂质类型。
本发明的方法能够准确表征SiC衬底氧化工艺中得到的SiC-SiO2界面碳杂质类型以及位置分布的信息，可以应用于SiC-SiO2界面质量评测方法，当检测结果低于设定的阈值时，认为样品合格，当检测结果高于设定的阈值时，认为样品不合格。这样通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种SiC氧化中SiC-SiO2界面碳杂质类型与位置分布的测定方法，其特征在于，包括：
提供一个包含SiC-Si16O2-Si18O2或SiC-Si18O2-Si16O2结构的SiC衬底样品，所述SiC衬底样品由SiC氧化获得；
将所述SiC衬底样品放置在真空腔体中，对所述SiC衬底样品匀速加热，不同温度下SiO2与不同类型的碳杂质反应，生成C16O和C18O，并逐渐从界面脱附进入所述真空腔体中；
检测所述真空腔体内的C16O+和C18O+的离子电流；
分析C16O+和C18O+离子电流的大小随温度的变化曲线判断碳杂质的类型；
分析C16O+和C18O+离子电流的大小随时间的变化关系，确定C16O+和C18O+在样品中的扩散机制，利用扩散方程得到不同位置的碳杂质浓度。
2.根据权利要求1所述的测定方法，其中，在判断碳杂质的类型时，在800℃～900℃范围内检测间隙C杂质浓度，在900℃～1300℃范围内检测成键C杂质浓度。
3.根据权利要求1所述的测定方法，其中，在计算碳杂质浓度时，首先将所述SiC衬底样品分别在不同温度进行N2退火处理，并利用二次离子质谱测试C的浓度分布，根据公式(1)确定C在SiO2的扩散系数；
其中，C(x，t)为C的浓度，C0为SiO2中C的初始浓度，erfc为余误差函数，D为C的扩散系数，x为C与SiC衬底样品表面之间的距离，t为C的扩散时间；
然后，根据不同时刻的C16O+和C18O+离子电流确定样品的边界条件，利用公式(2)和公式(3)得出不同位置的C杂质浓度，
其中，J表示C的净流量。
4.根据权利要求1所述的测定方法，其中，所述包含SiC-Si16O2-Si18O2结构的SiC衬底样品通过首先由18O2氧化，然后由16O2氧化SiC获得，所述包含SiC-Si18O2-Si16O2结构的SiC衬底样品通过首先由16O2氧化，然后由18O2氧化SiC获得。
5.根据权利要求4所述的测定方法，其中，氧化温度范围为800℃～1300℃，氧化时间范围为1s～2h，氧化厚度为1nm～20nm。
6.根据权利要求1所述的测定方法，其中，加热所述SiC衬底样品时的升温速率为0.1℃/s～10℃/s，加热的温度范围为800℃～1300℃。
7.根据权利要求1所述的测定方法，其中，所述真空腔体的压强范围为10-5Pa～10-9Pa。
8.根据权利要求1所述的测定方法，其中，利用四级杆质谱仪QMS设备检测C16O+和C18O+的离子电流大小。
9.一种权利要求1～8中任一项所述测定方法在SiC-SiO2界面质量评价或SiC氧化样品筛选中的应用。
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|---|---|
| CN (1) | CN109540969B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106012A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-05 | 电子科技大学 | 一种实现半导体器件局域寿命控制的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101942696A (zh) * | 2010-07-15 | 2011-01-12 | 四川大学 | Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法 |
| CN101872772B (zh) * | 2010-06-08 | 2011-08-31 | 杭州电子科技大学 | 用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜soi材料 |
| WO2012003348A2 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Anpac Bio-Medical Science Co., Ltd. | Apparatus for disease detection |
| CN104876621A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-02 | 陕西科技大学 | 一种具有仿生结构C/SiC多孔复合陶瓷及其制备方法 |
| CN106470834A (zh) * | 2014-09-29 | 2017-03-01 | 积水化学工业株式会社 | 碳包覆导热材料 |
| CN107419225A (zh) * | 2011-06-08 | 2017-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 |
| CN107623069A (zh) * | 2016-07-14 | 2018-01-23 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种刻蚀磁性隧道结及其底电极的方法 |
-
2018
- 2018-11-13 CN CN201811349359.4A patent/CN109540969B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872772B (zh) * | 2010-06-08 | 2011-08-31 | 杭州电子科技大学 | 用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜soi材料 |
| WO2012003348A2 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Anpac Bio-Medical Science Co., Ltd. | Apparatus for disease detection |
| CN101942696A (zh) * | 2010-07-15 | 2011-01-12 | 四川大学 | Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法 |
| CN107419225A (zh) * | 2011-06-08 | 2017-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法 |
| CN106470834A (zh) * | 2014-09-29 | 2017-03-01 | 积水化学工业株式会社 | 碳包覆导热材料 |
| CN104876621A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-02 | 陕西科技大学 | 一种具有仿生结构C/SiC多孔复合陶瓷及其制备方法 |
| CN107623069A (zh) * | 2016-07-14 | 2018-01-23 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种刻蚀磁性隧道结及其底电极的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 刘新红: "SiC加热元件在N_2气氛下使用损毁机理研究", 《郑州大学学报(工学版)》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111106012A (zh) * | 2019-12-20 | 2020-05-05 | 电子科技大学 | 一种实现半导体器件局域寿命控制的方法 |
| CN111106012B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-05-17 | 电子科技大学 | 一种实现半导体器件局域寿命控制的方法 |
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